專利名稱：用于光學裝置的圖象讀取裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于光盤的圖象讀取裝置，其中對光盤到相關(guān)位置的設(shè)定由檢測部分檢測，通過讀取部分讀出其設(shè)定被檢測的光盤的信息，從讀取部分輸出的RF信號在通過限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的預定限制電平被二進制化。
為從光盤讀出光盤中存儲的信息，例如CD或DVD，光盤1放在被驅(qū)動和旋轉(zhuǎn)的主軸電機2上，如圖4所述。光學拾取部分3發(fā)出的光束照射到光盤1上。根據(jù)是否有從光盤1反射的光來檢測光盤是否被放在電機上。檢測到光盤1的設(shè)置后，拾取部分3從光盤1讀出信息，產(chǎn)生一RF信號。該RF信號被RF放大器4放大，并在預定的用于二進制化的限制電平二進制化。從RF放大器4輸出的二進制信號被解碼器5解碼，檢測和處理其中包含的誤差和抖動以糾錯等等。
在這種情況下，RF放大器4的限制電平通過限制電平設(shè)置裝置設(shè)置，其連接到或包含在用于伺服控制的微計算機(通常表示為MICON)6上。
RF放大器4的二進制化電路的例子如圖5所述構(gòu)造。拾取部分3輸出的RF信號輸入到比較器8的同相輸入端。限制電平設(shè)置裝置9的輸出電壓信號輸入到比較器8的反相輸入端。限制電平設(shè)置裝置9輸出的電壓信號基本是可變電阻的可變端子上的電壓信號?？勺兌俗拥碾妷盒盘枌?yīng)于在二進制化時的限制電平。
由于形成用于光盤1的光盤母盤和壓模時或模制光盤時的例如誤差和變形等的各種因素，用于二進制化的最佳限制電平通常會偏離RF信號的中點，即RF信號的最大幅值的中心，且對各個盤彼此不同。
盡管因此最佳的限制電平對每個光盤1不同，限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平被設(shè)置為固定值。結(jié)果限制電平設(shè)置裝置9的限制電平偏離用于光盤1的RF信號的中點，在解碼器5通過解碼RF信號的二進制化信號產(chǎn)生的信號中增大了誤差和抖動。因此，不能精確讀出光盤1的信息。
在進行二進制化時改變限制電平的技術(shù)描述于未審查日本專利申請出版物No.昭58-203635和平10-188291。在前一出版物中，通過使用反饋控制跟隨限制電平以減小誤碼率。在后一出版物中，通過利用讀出信號的峰值和谷值產(chǎn)生跟隨讀出信號的限制電平。在這兩種技術(shù)中，需要一直執(zhí)行跟隨控制。因此控制程序非常復雜。
在審查的日本專利申請出版物No.平2-58708中描述了根據(jù)PCM(脈沖編碼調(diào)制)信號設(shè)置最佳限制電平。在該技術(shù)中，跟隨控制過程很復雜。因此該技術(shù)與本發(fā)明的設(shè)置限制電平以使從光盤讀出的RF信號的抖動最小化的技術(shù)不同。
因此本發(fā)明的目的是提供一種圖象讀出裝置，其通過簡單的調(diào)整就能獲得對每個光盤在二進制化RF信號時最佳的限制電平。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于光盤的圖象讀出裝置，其中通過檢測部分檢測光盤被設(shè)置在相關(guān)的位置，通過讀出部分讀出被檢測過其放置的光盤的信息，從讀出部分輸出的RF信號在通過限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的預定限制電平被二進制化，改進之處的特征在于用于在通過檢測部分檢測到光盤的設(shè)置時調(diào)整由限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平為最適合用于該光盤的最佳限制電平的調(diào)整部分(第一方面)。
利用這種配置，在光盤被設(shè)置在主軸電機上時，調(diào)整部分調(diào)整限制電平為最適合用于該光盤的最佳限制電平。因此，在RF信號被二進制化時使用的限制電平被調(diào)整到用于每個光盤的最佳限制電平，以處理形成母盤和壓模時或模制光盤時產(chǎn)生的誤差和變形。此外，限制電平最佳化的調(diào)整在光盤1設(shè)置到電機上時只進行一次，不總是跟隨RF信號。因此，可以簡單地進行限制電平最佳化的調(diào)整，其最適合用于該光盤。
在圖象讀取裝置中，在光盤是多層光盤的情況下，在光盤被設(shè)置在相關(guān)位置時，調(diào)整部分對每一層調(diào)整限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平為最佳的限制電平(第二方面)。
利用這種配置，在光盤是多層光盤的情況下，其中一個表面包括兩層，在光盤被設(shè)置時，對每一層執(zhí)行限制電平最佳化的調(diào)整。因此對每一層在最佳的限制電平二進制化RF信號。
所述圖象讀取裝置還包括用于檢測RF信號的抖動的抖動檢測部分，和在調(diào)整部分改變限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平時，判斷在抖動檢測部分檢測的抖動為最大值時檢測的限制電平為最佳的限制電平(第三方面)。
利用前述的抖動檢測部分，在光盤被設(shè)置在電機上時，進行最適合該光盤的限制電平最佳化的調(diào)整。
此外，圖象讀取裝置還包括用于檢測RF信號的抖動的抖動檢測部分，其中配備了均衡器特征，和在調(diào)整部分改變限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平且抖動檢測部分檢測到至少兩個限制電平時，判斷在抖動檢測部分檢測的抖動為最小值時檢測的限制電平為最佳的限制電平(第四方面)。
在圖象讀取裝置中，調(diào)整部分以固定量的步長從參照限制電平增大限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平。在增大的限制電平檢測到的抖動在量值上不斷減小時，調(diào)整部分重復繼續(xù)增大限制電平直到抖動的變化趨勢改變方向變?yōu)樵龃髸r為止。當增大限制電平檢測到的抖動不斷增大時，調(diào)整部分從參照限制電平以預定的固定量的步長減小限制電平。在減小的限制電平檢測到的抖動不斷減小時，限制電平的減小重復繼續(xù)進行直到抖動的數(shù)量變化方向改變?yōu)樵龃蟮姆较驗橹埂０创朔椒?，調(diào)整部分判斷在抖動改變其變化方向從減小方向到增大方向或從增大方向到減小方向時檢測的限制電平取最小值，和判斷此時檢測的限制電平為最佳的限制電平(第五方面)。
利用這種配置，抖動檢測部分檢測的抖動的最小值被檢測到，因此很容易調(diào)整限制電平到最佳的限制電平。
根據(jù)第三方面的圖象讀取裝置的圖象讀取方法，包括以下步驟(a)以固定量的步長從參照限制電平增大設(shè)置的限制電平，(b)當在增大的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷減小的方向時，重復繼續(xù)進行限制電平的增大直到抖動改變其數(shù)量變化方向為增大方向為止，(c)當在增大的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷增大的方向時，從參照限制電平以預定量的步長減小限制電平，(d)當在減小的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷減小的方向時，重復繼續(xù)進行限制電平的減小直到抖動改變其數(shù)量變化方向為增大方向為止，(e)判斷在抖動改變其變化方向從減小方向到增大方向或從增大方向到減小方向時檢測的限制電平取最小值，和(f)判斷此時檢測的限制電平為最佳的限制電平(第六方面)。


圖1是本發(fā)明實施例的用于光盤的圖象讀取裝置的操作的流程圖。
圖2是用于解釋圖象讀取裝置的操作的圖。
圖3是本發(fā)明第二實施例的另一個圖象讀取裝置的剖面圖。
圖4是形成其中包含本發(fā)明的圖象讀取裝置的設(shè)備的示意方框圖。
圖5是表示圖4的圖象讀取裝置的一部分的方框圖。
圖6是表示本發(fā)明另一個實施例的用于光盤的圖象讀取裝置的操作的流程圖。
參照圖1和圖2描述本發(fā)明的用于光盤的圖象讀取裝置的實施例圖。圖1是解釋圖象讀取裝置的操作的流程圖。圖2是解釋圖象讀取裝置的操作的圖。該實施例的圖象讀取裝置的基本結(jié)構(gòu)與圖4和圖5的圖象讀取裝置基本相同。因此在下面的描述中也會參照圖4和圖5。
在該實施例中，光束從用作檢測部分的光學拾取部分3照射到光盤1上。在根據(jù)是否有被光盤反射的光檢測光盤1是否被設(shè)置在主軸電機上時，用作檢測部分的拾取部分3讀取光盤1的信息。拾取部分3輸出的RF信號被RF放大器4放大，同時RF信號在預置的參照限制電平被二進制化。RF放大器4輸出的二進制信號被作為抖動檢測部分的解碼器5解碼，和檢測誤差與抖動。
微計算機6重復檢測抖動同時以固定量的步長增大限制電平設(shè)置裝置9輸出的限制電平。微計算機在檢測的抖動為最小值時判斷檢測的限制電平為最佳的限制電平。微計算機6調(diào)整限制電平的過程對應(yīng)于調(diào)整部分。
對于解碼器5檢測到的抖動是否是最小值的判斷按以下方式進行。
限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平從預定的參照限制電平以固定的步長增大。當在增大的限制電平檢測到的抖動的量為減小的方向時，繼續(xù)重復增大限制電平直到抖動的量的變化改變方向為增大方向為止。當限制電平從參照限制電平以固定量的步長增大時，如果在增大的限制電平檢測到的抖動的量為增大的方向，則限制電平從參照限制電平以固定量的步長減小。如果在增大的限制電平檢測到的抖動的量為減小的方向，則減小限制電平直到抖動的量的變化改變方向為增大的方向。當抖動的量的變化從減小方向改變方向為增大的方向時微計算機判斷抖動為最小值。
對于抖動是否是最小值的具體判斷過程參考圖1的流程圖描述。如圖所述，在檢測到光盤1設(shè)置在主軸電機上時，微計算機6首先設(shè)置限制電平為預定的參照限制電平Sk(SO)，這是通過限制電平設(shè)置裝置9設(shè)置的。測量在限制電平處于參照限制電平Sk時的檢測抖動，得到測量的抖動值A(chǔ)(S1)。測量的抖動值A(chǔ)存儲在微計算機6中的RAM等中。以固定量的步長Si從參照限制電平Sk增大限制電平(S2)。
在增大的限制電平再次測量抖動，得到測量的抖動值B(S3)。微計算機將步驟S1中存儲在RAM等中的測量抖動值A(chǔ)與當前測量的抖動值B比較(S4)，判斷是否前者小于后者(S4)。如果測量的結(jié)果是“否”，即前一個測量抖動值A(chǔ)大于當前值，微計算機判斷抖動的量減小，并返回步驟S1和重復步驟S1-S4的過程。步驟S1-S4的過程可由圖2的曲線(1)-(3)表示。
如果在步驟S4的答案是“是”，微計算機6判斷量值減小的抖動經(jīng)過了數(shù)量變化的最小值，變?yōu)榱恐翟龃?。因此，立即停止限制電平的增大，測量這時的抖動量，得到測量的抖動值(S5)。在微計算機6的RAM等中存儲測量的抖動值C，以另一個固定量的步長Sd(＜Si)減小已停止增大的限制電平(S6)。在這樣減小限制電平時，再次測量抖動。
作為抖動測量的結(jié)果，得到測量的抖動值D(S7)。然后微計算機將步驟S5中存儲在RAM等中的測量抖動值C與當前測量的抖動值D比較，判斷是否前者小于后者(S8)。如果測量的結(jié)果是“否”，即前一個測量抖動值C大于當前值，微計算機判斷抖動的量減小，并返回步驟S5和重復步驟S5-S8的過程。步驟S5-S8的過程可由圖2的曲線(5)-(7)表示。
如果在步驟S8答案是“是”，微計算機6判斷抖動的變化經(jīng)過了最小值，改變其數(shù)量變化方向為增大方向。因此，立即停止限制電平的增大。微計算機6判斷這時檢測的限制電平為最佳的限制電平，停止后面的操作。
在光盤1設(shè)置在電機上時，執(zhí)行一次最佳化限制電平的調(diào)整。因此，不要求一直跟隨RF信號。可以簡單地執(zhí)行對光盤最適合的限制電平最佳化的調(diào)整，同時處理形成母盤和壓模時或模制光盤時產(chǎn)生的誤差和變形。
因此，在RF信號二進制化時在實施例中可以對每個光盤1調(diào)整限制電平為最佳的限制電平，不需要總是跟隨RF信號。此外，在光盤1設(shè)置到主軸電機上時。該調(diào)整只進行一次。因此，可以以簡單的方式進行對光盤1最適合的限制電平最佳化的調(diào)整。結(jié)果，可以使數(shù)據(jù)讀取性能發(fā)揮最大，同時抑制信息讀取誤差的發(fā)生。
在抖動為最小值時，RF信號的誤差率也最小。這表示通過優(yōu)化限制電平在抖動最小時可以獲得最小的誤碼率。結(jié)果，信息讀取誤差可以被壓縮到最小。
下面描述本發(fā)明另一個實施例。圖3中示出了光盤1包含多層盤的情況，其中一個表面包括兩層。在光盤1設(shè)置到電機上時，優(yōu)選地通過使用微計算機6以類似于上述的過程將限制電平設(shè)置裝置9設(shè)置的限制電平調(diào)整到最佳的限制電平。在圖3中，參考標號11a和11b表示作為第一和第二層的多碳襯底；12是第一層的反射膜；13是透明保護膜；14是透明粘附層；15是透明保護膜；和16是第二層的反射膜。
如這樣構(gòu)造的，在使用多層盤的地方，可以在光盤1設(shè)置到電機上時以對每層執(zhí)行限制電平最佳化調(diào)整的方式對每一層在最佳的電平二進制化RF信號。因此，對每一層將數(shù)據(jù)讀取性能發(fā)揮到最大。
在本發(fā)明應(yīng)用到其一個表面包括兩層的光盤1上時，可以容易理解本發(fā)明可以應(yīng)用到其兩個表面均包括一層或多層的光盤上。這里的效果與第二實施例的效果可比，這是理所當然的。
容易理解本發(fā)明不限于上述實施例，但在本發(fā)明精神之內(nèi)可以有各種修改、改變和變化。
從前面的描述可以看出，在光盤設(shè)置到主軸電機上時，調(diào)整部分調(diào)整限制電平到最適合該光盤的最佳限制電平(第一方面)。因此，在RF信號被二進制化時，對每個盤使限制電平最佳化。此外，在光盤1設(shè)置到電機上時，所述限制電平最佳化的調(diào)整進行一次，不總是跟隨RF信號。因此，簡單地進行最適合于光盤的限制電平最佳化的調(diào)整。進一步地，數(shù)據(jù)讀取性能發(fā)揮到最大，同時抑制信息讀取誤差的發(fā)生。因此，本發(fā)明成功地提供了具有優(yōu)異性能的光盤的圖象讀取裝置。
在光盤是其一個表面包含兩層的多層光盤的情況下，在設(shè)置光盤時對每一層執(zhí)行限制電平最佳化的調(diào)整(第二方面)。因此，在最佳的限制電平二進制化RF信號，且每一層的數(shù)據(jù)讀取性能可以發(fā)揮最大。
隨著本發(fā)明的進一步的創(chuàng)造性和獨特的特征(第三方面)，在光盤設(shè)置到電機上時，執(zhí)行最適合該光盤的限制電平最佳化的調(diào)整。
此外，通過抖動檢測部分檢測抖動的最小值，在抖動為最小值時檢測的限制電平用作最佳的限制電平(第四方面)。因此，可以容易地調(diào)整二進制化RF信號時所用的限制電平。
權(quán)利要求
1.一種用于光盤的圖象讀取裝置，包括用于檢測光盤被設(shè)置到相關(guān)位置的一個檢測部分，用于讀取已檢測其設(shè)置的所述光盤的信息的一個讀取部分，限制電平設(shè)置裝置，用于在由所述限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的預定限制電平二進制化從讀取部分讀出的RF信號，和一個調(diào)整部分，用于在所述檢測部分檢測到所述光盤的設(shè)置時調(diào)整所述限制電平設(shè)置部分設(shè)置的限制電平到最適合于光盤的最佳限制電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的圖象讀取裝置，特征在于在所述光盤是多層光盤的情況下，在光盤被設(shè)置時，所述調(diào)整部分對每一層調(diào)整由所述限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平至最佳限制電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的圖象讀取裝置，特征在于還包括一個抖動檢測部分，用于檢測RF信號的抖動，和在所述調(diào)整部分改變由所述限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平時，判斷在所述抖動檢測部分檢測到的所述抖動處于最小值時檢測到的限制電平為最佳的限制電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的圖象讀取裝置，其特征在于還包括一個抖動檢測部分，用于檢測RF信號的抖動，其中已固定了一個均衡器特征，和在所述調(diào)整部分改變由所述限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平，以及所述抖動檢測部分檢測到至少兩個限制電平時，判斷在所述抖動檢測部分檢測到的所述抖動處于最小值時檢測到的限制電平為最佳的限制電平。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的圖象讀取裝置，特征在于所述調(diào)整部分以固定量的步長從一個參照限制電平增大由所述限制電平設(shè)置裝置設(shè)置的限制電平，和當在增大的限制電平檢測到的抖動的量在減小方向時，所述調(diào)整部分繼續(xù)重復增大限制電平直到抖動的數(shù)量變化方向改變?yōu)樵龃蠓较?，當在增大的限制電平檢測到的抖動的量在增大方向時，所述調(diào)整部分以預定量的步長從參照限制電平減小限制電平，當在減小的限制電平檢測到的抖動的量在減小方向時，所述調(diào)整部分繼續(xù)重復減小限制電平直到抖動的數(shù)量變化方向改變?yōu)樵龃蠓较?，所述調(diào)整部分判斷在抖動的變化方向從減小方向改變?yōu)樵龃蠓较蚧驈脑龃蠓较蚋淖優(yōu)闇p小方向時檢測到的限制電平取最小值，并判斷這時檢測到的限制電平為最佳的限制電平。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的圖象讀取裝置中的圖象讀取方法，包括以下步驟(a)以固定量的步長從參照限制電平增大設(shè)置的限制電平，(b)當在增大的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷減小的方向時，重復繼續(xù)進行限制電平的增大直到抖動改變其數(shù)量變化方向為增大方向為止，(c)當在增大的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷增大的方向時，從參照限制電平以預定量的步長減小限制電平，(d)當在減小的限制電平檢測的抖動的數(shù)量具有不斷減小的方向時，重復繼續(xù)進行限制電平的減小直到抖動改變其數(shù)量變化方向為增大方向為止，(e)判斷在抖動改變其變化方向從減小方向到增大方向或從增大方向到減小方向時檢測的限制電平取最小值，和(f)判斷此時檢測的限制電平為最佳的限制電平。
7.一種用于光盤的圖象讀取方法，包括以下步驟(a)在第一存儲器中存儲在第一限制電平檢測到的抖動，(b)在第二存儲器中存儲在比第一限制電平大的第二限制電平檢測到的抖動，(c)讀出存儲在第一和第二存儲器中的抖動以比較，(d)在步驟(c)的比較之后，保留存儲較小抖動的存儲器中的內(nèi)容，刪除存儲較大抖動的存儲器中的內(nèi)容，(e)作為步驟(c)比較的結(jié)果，當?shù)谝幌拗齐娖降亩秳哟笥诘诙拗齐娖降亩秳訒r，選擇比第二限制電平大的第三限制電平以檢測抖動，存儲在其內(nèi)容被刪除的存儲器中，和當?shù)谝幌拗齐娖降亩秳有∮诘诙拗齐娖降亩秳訒r，選擇比第一限制電平小的第三限制電平以檢測抖動，存儲在其內(nèi)容被刪除的存儲器中，(f)讀取存儲在步驟(e)中新存儲的抖動和步驟(d)中保留的抖動以比較，(g)根據(jù)與步驟(d)和(e)相同的過程，刪除第一和第二存儲器中任一個的內(nèi)容，以設(shè)置新的限制電平，和(h)在新的限制電平下的抖動變得更大時，重復步驟(c)到(g)的過程，檢測到小的抖動時的限制電平被設(shè)置為最佳的限制電平。
全文摘要
在光盤被設(shè)置到電機上時,限制電平設(shè)置到作為參照限制電平的限制電平Sk,產(chǎn)生測量的抖動值(S0,S1)。以固定量的步長Si增大限制電平(S2)。然后將在增大的限制電平獲得的測量抖動值B與前一個測量抖動值A(chǔ)比較(S3,S4)。重復這一過程,在測量的抖動值A(chǔ)小于對應(yīng)值時判斷抖動改變其數(shù)量變化方向到減小的方向。然后立即停止增大限制電平,以另一個固定量的步長Sd(<Si)減小限制電平。比較前一個測量的抖動值C和在限制電平減小后的測量抖動值D(S5－S8)。當測量抖動值C小于對應(yīng)抖動值時判斷這時檢測的限制電平為最佳的限制電平。
文檔編號G11B7/005GK1306280SQ01101520
公開日2001年8月1日 申請日期2001年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月7日
發(fā)明者桑山康則, 橘正 申請人:船井電機株式會社