一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝的制作方法
【專利說明】一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及電子信息應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝。
【背景技術(shù)】
[0003]目前,觸摸屏幾乎遍及所有電子顯示設(shè)備的必備配置,觸摸屏的感應(yīng)結(jié)構(gòu)(sensor)分為可視區(qū)的X、Y方向的電極圖案及X、Y電極引出的接線端子,也叫邊框走線,邊框走線材料的選擇決定了觸摸屏的工藝復(fù)雜度、觸摸靈敏度、觸摸屏的可加工尺寸、成本控制、等諸多因素。目前比較成熟的邊框走線的加工工藝有絲印銀漿、鉬鋁鉬濕法蝕刻,絲印銀漿在中小尺寸電極圖案比較簡單的電容觸摸屏sensor上應(yīng)用較多,大尺寸的觸摸屏sensor電極圖案較復(fù)雜、多點觸控、邊框走線要求較高時,絲印銀漿不再滿足要求,成本上也是居高不下。鉬鋁鉬濕法蝕刻工藝,技術(shù)成熟,在黃光工藝能將線寬及線距做到比銀線更精細(xì),但鉬鋁鉬鍍膜環(huán)節(jié)對鍍膜氣氛的要求比較高,鍍膜氣氛的高低決定了膜層的附著力,而且鉬鋁鉬膜層為了滿足邊框走線的線阻要求,膜層會比較厚,這無疑增加了鍍膜靶電源的濺射功率及靶位的配置,增加了設(shè)備投入成本。
[0004]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用鉬鋁鉬制作的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,其形成工藝大致為以下步驟:⑴在玻璃基板I上鍍上一層二氧化硅層2,防止鈉鈣玻璃基板中的鈉離子滲透到感應(yīng)層。⑵在二氧化硅層上鍍上一層ITO導(dǎo)電層3。(3)1?導(dǎo)電層經(jīng)過黃光濕法蝕刻工藝加工成需要的ITO圖案。⑷在ITO圖案上面連續(xù)鍍上鉬鋁鉬(Mo-A1-Mo)膜層4、5、6,其中4和6均為鉬層,5為鋁層。(5)Μο-Α1-Μο膜層經(jīng)過黃光濕法蝕刻工藝加工成需要的圖案。(6)黃光工藝中涂布一層鈍化層(passivat1n) 7,保護senseor圖案及邊框走線?,F(xiàn)有技術(shù)雖然使用了Mo-Al-Mo作為電容屏sensor的邊框走線,在線寬線距上滿足中高端大尺寸多點觸控的sensor設(shè)計要求,但是鍍膜環(huán)節(jié)對鍍膜細(xì)節(jié)的要求(比如潔凈度、鍍膜溫度的波動、直流電源的穩(wěn)定性、靶位配置等)較高,這無疑增加了駕馭設(shè)備的難度,降低了生產(chǎn)良率,而且膜層要求較厚,對平面靶結(jié)構(gòu)的金屬靶來說,靶被濺射的蝕刻槽深度影響了靶材的利用率,加大了生產(chǎn)成本。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上問題,提供一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝,其降低生產(chǎn)成本、工藝簡單、導(dǎo)電性更好、邊框走線材料更穩(wěn)定。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅層、圖案化的ITO導(dǎo)電層、在所述圖案化的ITO導(dǎo)電層形成后形成的圖案化的銅薄膜層、在所述銅薄膜層上形成的圖案化的銅鎳合金層、鈍化層;所述圖案化的ITO導(dǎo)電層與所述圖案化的銅薄膜層電性連接,所述鈍化層覆蓋所述圖案化的ITO導(dǎo)電層和所述圖案化的銅鎳合金層。
[0007]作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進,所述玻璃基板為鈉鈣玻璃基板。
[0008]作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進,所述圖案化的ITO導(dǎo)電層采用黃光濕法蝕刻工藝加工形成。
[0009]作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進,所述圖案化的銅薄膜層和圖案化的銅鎳合金層均采用磁控濺射工藝形成。
[0010]另外,本發(fā)明還提供一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的形成工藝,其包括步驟如下:
a.對玻璃基板進行清洗;
b.在玻璃基板上形成二氧化娃層;
c.在所述二氧化硅層上鍍上一層ITO導(dǎo)電層;
d.對所述ITO導(dǎo)電層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化;
e.在圖案化的所述ITO導(dǎo)電層上連續(xù)鍍上銅薄膜層和銅鎳合金層;
f.對所述銅薄膜層和所述銅鎳合金層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化; g.在黃光工藝中涂布鈍化層。
[0011]作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進,所述圖案化的ITO導(dǎo)電層與所述圖案化的銅薄膜層電性連接。
[0012]本發(fā)明提供的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝,其降低生產(chǎn)成本、工藝簡單、導(dǎo)電性更好、邊框走線材料更穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0013]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明,附圖中:
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用鉬鋁鉬制作的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明具體實施例的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0015]圖2是本發(fā)明具體實施例的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2所示,本發(fā)明具體實施的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其包括玻璃基板10、形成于玻璃基板10上的二氧化硅層20、圖案化的ITO導(dǎo)電層30、在圖案化的ITO導(dǎo)電層形成后形成的圖案化的銅薄膜層40、在銅薄膜層40上形成的圖案化的銅鎳合金層50、鈍化層60;圖案化的ITO導(dǎo)電層30與圖案化的銅薄膜層40電性連接,鈍化層60覆蓋圖案化的ITO導(dǎo)電層30和圖案化的銅鎳合金層50 ο
[0016]本發(fā)明具體實施例中,玻璃基板10為鈉鈣玻璃基板。圖案化的ITO導(dǎo)電層30采用黃光濕法蝕刻工藝加工形成。圖案化的銅薄膜層40和圖案化的銅鎳合金層50均采用磁控濺射工藝形成。
[0017]另外,本發(fā)明還提供一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的形成工藝,其包括步驟如下:
a.對玻璃基板進行清洗; b.在玻璃基板上形成二氧化娃層;
c.在所述二氧化硅層上鍍上一層ITO導(dǎo)電層;
d.對所述ITO導(dǎo)電層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化;
e.在圖案化的所述ITO導(dǎo)電層上連續(xù)鍍上銅薄膜層和銅鎳合金層;
f.對所述銅薄膜層和所述銅鎳合金層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化; g.在黃光工藝中涂布鈍化層。
[0018]本發(fā)明具體實施例中,圖案化的ITO導(dǎo)電層30與圖案化的銅薄膜層40電性連接。
[0019]本發(fā)明主要優(yōu)勢體現(xiàn)在工藝簡單,由原來的三層鉬鋁鉬轉(zhuǎn)變?yōu)殂~+銅鎳合金(Cu+CuNi)兩層,在電阻率上,Cu的電阻率常溫下為1.75*10—6 Ω.CM,而Al的電阻率為2.83*10—6Ω.CM,在相同厚度下,Cu+CuNi可以做到比Mo-Al-Mo線阻更低,sensor尺寸能做到更大,靈敏度更高,相同線阻情況下,Cu+CuNi可以做到比Mo-Al-Mo更省材料,靶位配置更少,成本更低。本發(fā)明提供的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線及其形成工藝,其降低生產(chǎn)成本、工藝簡單、導(dǎo)電性更好、邊框走線材料更穩(wěn)定。
[0020]本發(fā)明關(guān)鍵技術(shù)點為:使用較低電阻率的Cu,使線寬不僅能做的更細(xì),而且線阻比Mo-Al-Mo更低,CuNi合金更大程度上保護了Cu層,防止被氧化,與Mo-Al-Mo膜層相比,穩(wěn)定性更佳。
[0021]應(yīng)當(dāng)理解的是,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)上述說明加以改進或變換,而所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其特征在于,包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅層、圖案化的ITO導(dǎo)電層、在所述圖案化的ITO導(dǎo)電層形成后形成的圖案化的銅薄膜層、在所述銅薄膜層上形成的圖案化的銅鎳合金層、鈍化層;所述圖案化的ITO導(dǎo)電層與所述圖案化的銅薄膜層電性連接,所述鈍化層覆蓋所述圖案化的ITO導(dǎo)電層和所述圖案化的銅鎳合金層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其特征在于,所述玻璃基板為鈉鈣玻璃基板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其特征在于,所述圖案化的ITO導(dǎo)電層采用黃光濕法蝕刻工藝加工形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其特征在于,所述圖案化的銅薄膜層和圖案化的銅鎳合金層均采用磁控濺射工藝形成。5.一種如權(quán)利要求1所述的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的形成工藝,其特征在于,包括步驟如下: a、對玻璃基板進行清洗; b、在玻璃基板上形成二氧化娃層; c、在所述二氧化硅層上鍍上一層ITO導(dǎo)電層; d、對所述ITO導(dǎo)電層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化; e、在圖案化的所述ITO導(dǎo)電層上連續(xù)鍍上銅薄膜層和銅鎳合金層; f、對所述銅薄膜層和所述銅鎳合金層采用黃光濕法蝕刻工藝加工進行圖案化; g、在黃光工藝中涂布鈍化層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的形成工藝,其特征在于,所述圖案化的ITO導(dǎo)電層與所述圖案化的銅薄膜層電性連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸摸屏感應(yīng)層邊框走線,其包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅層、圖案化的ITO導(dǎo)電層、在所述圖案化的ITO導(dǎo)電層形成后形成的圖案化的銅薄膜層、在所述銅薄膜層上形成的圖案化的銅鎳合金層、鈍化層;所述圖案化的ITO導(dǎo)電層與所述圖案化的銅薄膜層電性連接,所述鈍化層覆蓋所述圖案化的ITO導(dǎo)電層和所述圖案化的銅鎳合金層。本發(fā)明還提供一種的觸摸屏感應(yīng)層邊框走線的形成工藝。本發(fā)明降低生產(chǎn)成本、工藝簡單、導(dǎo)電性更好、邊框走線材料更穩(wěn)定。
【IPC分類】G06F3/044
【公開號】CN105677127
【申請?zhí)枴緾N201610145562
【發(fā)明人】王進東
【申請人】江蘇宇天港玻新材料有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年3月15日