[0061]圖14表示圖2沿A-A的剖視圖二 ；
[0062]圖15表示圖8沿B-B的剖視圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0063]在詳細(xì)介紹本發(fā)明的技術(shù)方案之前，首先對本發(fā)明涉及的概念及工作原理進(jìn)行如下解釋:
[0064]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)的主體結(jié)構(gòu)為液晶面板，液晶面板包括對盒的薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，液晶分子填充在陣列基板和彩膜基板之間。陣列基板包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，用于限定多個(gè)像素單元所在的區(qū)域，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，通過柵線打開薄膜晶體管，數(shù)據(jù)線上的像素電壓通過薄膜晶體管傳輸至像素電極，從而公共電極與像素電極之間形成驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)特定角度的電場，實(shí)現(xiàn)灰階顯示。彩膜基板上的濾光層用于實(shí)現(xiàn)彩色顯示。TFT-LCD具有體積小，功耗低，無輻射等特點(diǎn)，近年來得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。
[0065]高級超維場開關(guān)(ADS，AdvancedSuper Dimens1n Switch)顯不模式:
[0066]公共電極和像素電極均形成在陣列基板上，主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0067]對于大尺寸的ADS型TFT-1XD，采用A-ADS的像素結(jié)構(gòu)，其像素電極為狹縫電極，公共電極為板狀電極，像素電極位于公共電極靠近液晶分子的一側(cè)，且像素電極上的狹縫與柵線平行，為水平狹縫。A-ADS的像素結(jié)構(gòu)具有光效好，柵線和數(shù)據(jù)線的耦合電容小，負(fù)載小的優(yōu)勢，適用于大尺寸的ADS型TFT-1XD。
[0068]電容式觸控檢測:包括自容式觸控檢測和互容式觸控檢測，由于自容式觸控檢測只需一層觸控電極，通過檢測觸控電極的自電容是否發(fā)生變化，即可實(shí)現(xiàn)觸摸檢測，具有結(jié)構(gòu)簡單、便于實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。其中，觸控電極的自電容為其對地電容。
[0069]現(xiàn)有技術(shù)中的自容式觸控屏，其觸控電極呈二維陣列分布，觸摸檢測方法可以為:利用單個(gè)觸控電極自身的自電容變化傳輸電荷，由一端接地，另一端接激勵(lì)或采樣電路來檢測自電容的變化。具體為，依次檢測橫向和縱向觸控電極陣列，根據(jù)觸摸前后自電容的變化分別確定觸摸點(diǎn)的橫向坐標(biāo)和縱向坐標(biāo)，組合成平面坐標(biāo)確定觸摸位置。當(dāng)觸摸點(diǎn)只有一個(gè)時(shí)，組合后的坐標(biāo)也是唯一的一個(gè)，可以準(zhǔn)確定位；但是，當(dāng)觸摸點(diǎn)有兩個(gè)時(shí)，橫向和縱向分別有兩個(gè)坐標(biāo)，兩兩組合后出現(xiàn)四組坐標(biāo)，其中只有兩個(gè)是真實(shí)觸摸點(diǎn)，另兩個(gè)就是俗稱的“鬼點(diǎn)”，無法實(shí)現(xiàn)真正的多點(diǎn)觸摸。
[0070]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0071]圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例中ADS陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例中ADS陣列基板的一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖3所示為圖2沿A-A的剖視圖。
[0072]結(jié)合圖1-圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種ADS陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括公共電極I和像素電極5。所述多個(gè)公共電極I復(fù)用為多個(gè)觸控電極10，每個(gè)觸控電極10對應(yīng)多個(gè)電性連接的公共電極1，實(shí)現(xiàn)觸摸屏內(nèi)嵌至顯示面板內(nèi)，減薄觸控顯示器件的厚度。
[0073]所述陣列基板還包括多條信號線11，所述信號線11與觸控電極10 對應(yīng)電性連接，如圖1所示。所述陣列基板的一幀畫面顯示時(shí)間包括顯示時(shí)間段和觸控時(shí)間段。在一幀畫面顯示時(shí)間的顯示時(shí)間段，通過對應(yīng)的信號線11向觸控電極10傳遞公共電壓信號，為公共電極I提供基準(zhǔn)電壓，公共電極I與像素電極5之間形成驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)特定角度的電場，結(jié)合圖2和圖3所示；在一幀畫面顯示時(shí)間的觸控時(shí)間段，通過對應(yīng)的信號線11檢測觸控電極10的自電容是否發(fā)生變化，確定觸摸位置。另外，由于信號線11與觸控電極10 一一對應(yīng)，通過每條信號線11獲得的檢測信號唯一對應(yīng)一個(gè)觸控電極10，即使多個(gè)觸控電極10被同時(shí)觸摸，也能夠精確確定所述多個(gè)觸摸位置，克服了現(xiàn)有技術(shù)中自容式觸控檢測會出現(xiàn)的鬼點(diǎn)現(xiàn)象。而且所有觸控電極10的自電容能夠同時(shí)進(jìn)行檢測，相對于現(xiàn)有技術(shù)中依次檢測橫向和縱向觸控電極陣列，縮短了檢測時(shí)間，提高了觸控靈敏度。
[0074]其中，所述公共電極I的形狀可以為規(guī)則形狀，如:矩形、菱形、三角形、圓形或橢圓形，也可以為不規(guī)則形狀，不作具體的限定。對于每個(gè)觸控電極10對應(yīng)的公共電極I的個(gè)數(shù)，也不作具體的限定，以滿足觸控檢測的精度需求為準(zhǔn)。
[0075]ADS陣列基板具體可以為薄膜晶體管陣列基板，包括多條柵線20和多條數(shù)據(jù)線30，用于限定多個(gè)像素單元所在的區(qū)域，每個(gè)像素單元還包括薄膜晶體管。由于每個(gè)公共電極I僅位于像素單元所在的區(qū)域，與柵線20、數(shù)據(jù)線30不交疊，減小了公共電極I與柵線20、數(shù)據(jù)線30的耦合電容，當(dāng)公共電極I復(fù)用為觸控電極10時(shí)，最大限度降低了觸控檢測的響應(yīng)時(shí)間。
[0076]優(yōu)選地，所述信號線11與所述薄膜晶體管的柵電極2為同層同材料設(shè)置，或，與所述薄膜晶體管的源電極3和漏電極4為同層同材料設(shè)置。S卩，所述信號線11與所述薄膜晶體管的柵電極2通過對同一柵金屬層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成，或，所述信號線11與所述薄膜晶體管的源電極3和漏電極4通過對同一源漏金屬層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成，缺省了單獨(dú)制作信號線11的工藝和材料，降低生產(chǎn)成本。由于透明導(dǎo)電材料的電阻率大于柵金屬和源漏金屬的電阻率，因此，一般不通過透明導(dǎo)電層來制作所述信號線11。
[0077]由于所述信號線11需要從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域，一般而言，信號線11應(yīng)盡量均勻分布，且走線盡量短，盡量窄。具體可以設(shè)置所述信號線11位于顯示區(qū)域的部分與所述柵線20或數(shù)據(jù)線30平行。而位于非顯示區(qū)域的部分可以平行分布，也可以扇形分布。當(dāng)陣列基板為矩形時(shí)，所述信號線11從顯示區(qū)域延伸至陣列基板的長邊所在側(cè)，以減小信號線11的長度，參見圖1所示。
[0078]本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置所述信號線11與所述薄膜晶體管的柵電極2為同層同材料設(shè)置，且所述信號線11位于顯示區(qū)域的部分與所述柵線20平行設(shè)置，柵線20與信號線11錯(cuò)開間隔一定的距離，實(shí)現(xiàn)絕緣?；?，所述信號線11與所述薄膜晶體管的源電極3和漏電極4為同層同材料設(shè)置，且所述信號線11位于顯示區(qū)域的部分與所述數(shù)據(jù)線30平行設(shè)置，數(shù)據(jù)線30與信號線11錯(cuò)開間隔一定的距離，實(shí)現(xiàn)絕緣。
[0079]本發(fā)明的技術(shù)方案將公共電極復(fù)用為自容式觸控屏的觸控電極，實(shí)現(xiàn)內(nèi)嵌式觸控，減薄了顯示器件的厚度。同時(shí)，還能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中自容式觸控屏?xí)霈F(xiàn)鬼點(diǎn)現(xiàn)象的問題，縮短觸控檢測時(shí)間，提高觸控靈敏度。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例中的ADS陣列基板尤其為大尺寸顯示器件采用的A-ADS陣列基板，所述公共電極I為板狀電極，所述像素電極5為狹縫電極，具有多個(gè)狹縫，所述狹縫與所述柵線20大致平行，具有光效好、耦合電容小、負(fù)載小等優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合圖2和圖3所示。對于A-ADS型薄膜晶體管陣列基板，優(yōu)選地，所述像素電極5的狹縫包括多個(gè)平行設(shè)置的第一狹縫和多個(gè)平行設(shè)置的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫與柵線20之間呈一定夾角α (通常，2° ^ I α I ^5° )，且所述第一狹縫和第二狹縫對稱分布在像素電極5平行于柵線20的軸兩側(cè)，從而像素電極5具有第一狹縫的部分與公共電極I之間形成的第一電場與顯示電極5具有第二狹縫的部分與公共電極I之間形成的第二電場的方向不同，增加顯示器件的視角。
[0081]由于觸控電極10對應(yīng)多個(gè)電性連接的公共電極1，所述信號線11與觸控電極10的電性連接，轉(zhuǎn)換為所述信號線11與觸控電極10對應(yīng)的至少一個(gè)公共電極I電性連接。具體的，所述信號線11與觸控電極10對應(yīng)的一個(gè)公共電極I即可，以簡化線路。而每個(gè)觸控電極10對應(yīng)的多個(gè)公共電極I可以通過連接線(圖中未示出)電性連接，具體可以在形成公共電極I的同時(shí)形成所述連接線，所述連接線與公共電極I為一體結(jié)構(gòu)。
[0082]下面以所述信號線11與觸控電極10對應(yīng)的一個(gè)公共電極I來介紹所述信號線11與觸控電極10電性連接的具體方案。
[0083]在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，結(jié)合圖2和圖3所示，制作所述觸控電極10的第一膜層(即制作公共電極I的第一膜層)與制作所述信號線11的第二膜層相鄰設(shè)置，所述第一膜層和第二膜層之間沒有其他膜層。所述信號線11搭接在對應(yīng)的觸控電極10上，電性接觸，具體為，所述信號線11搭接在該觸控電極10對應(yīng)的一個(gè)公共電極I上，從而實(shí)現(xiàn)所述信號線11與觸控電極10的一一對應(yīng)電性連接，具體的制作過程詳見圖4-圖7所示。
[0084]結(jié)合圖1、圖8和圖9所示，所述信號線11從顯示區(qū)域