Ads陣列基板及其制作方法、顯示器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術領域，特別是涉及一種ADS陣列基板及其制作方法、顯示器件。
【背景技術】
[0002]在觸控屏技術中，相對于電阻式觸控屏，電容式觸控屏具有壽命長、透光率高、可以支持多點觸控等優(yōu)點。并且，電容式觸控屏對噪聲和對地寄生電容也有很好的抑制作用。因此，電容式觸控屏已成為如今觸控屏制造的熱點之一。電容式觸控屏包括自容式觸控屏和互容式觸控屏，由于自容式觸控屏只需一層觸控電極，通過檢測觸控電極的自動容是否發(fā)生變化，即可實現(xiàn)觸摸檢測，具有結構簡單、便于實現(xiàn)等優(yōu)點。
[0003]近年來，顯示器件的厚度越來越薄，內嵌式觸控顯示器件通過將觸控屏的觸控電極內嵌在顯示屏內部，達到了減薄顯示器件的厚度的目的，同時又大大降低了觸控顯示器件的制造成本，受到各大面板廠家的青睞。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明提供一種ADS陣列基板及其制作方法、顯示器件，用以實現(xiàn)內嵌式觸控顯不O
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例中提供一種ADS陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括多個像素單元，每個像素單元包括公共電極和像素電極，所述陣列基板的一幀畫面顯示時間包括顯示時間段和觸控時間段，所述多個公共電極復用為多個觸控電極，每個觸控電極對應多個電性連接的公共電極，所述陣列基板還包括:
[0006]多條信號線，所述信號線與觸控電極對應電性連接，在一幀畫面顯不時間的顯示時間段，通過對應的信號線向觸控電極傳遞公共電壓信號，在一幀畫面顯示時間的觸控時間段，通過對應的信號線檢測觸控電極的自電容是否發(fā)生變化。
[0007]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板，所述陣列基板包括橫縱交叉分布的柵線和數(shù)據線，用于限定所述多個像素單元所在的區(qū)域，每個像素單元還包括薄膜晶體管；
[0008]所述信號線與所述柵線和所述薄膜晶體管的柵電極為同層同材料設置，或，與所述數(shù)據線和所述薄膜晶體管的源電極、漏電極為同層同材料設置。
[0009]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述信號線搭接在對應的觸控電極上，電性接觸。
[0010]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板具體包括:
[0011]襯底基板；
[0012]設置在襯底基板上的多個公共電極；
[0013]同層同材料設置的多條柵線、多條信號線和薄膜晶體管的柵電極，所述信號線搭接在對應的觸控電極上；
[0014]覆蓋所述柵線、信號線和柵電極的柵絕緣層；
[0015]設置在所述柵絕緣層上的有源層圖案；
[0016]同層同材料設置的多條數(shù)據線和薄膜晶體管源電極、漏電極，所述源電極和漏電極搭接在所述有源層的相對兩側；
[0017]覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層，所述鈍化層包括過孔；
[0018]設置在所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層中的過孔與所述漏電極電性連接。
[0019]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述信號線與觸控電極之間設置有絕緣層，所述信號線通過絕緣層中的過孔與對應的觸控電極電性連接。
[0020]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述信號線位于顯示區(qū)域的部分與所述柵線平行設置，或，所述信號線位于顯示區(qū)域的部分與所述數(shù)據線平行設置。
[0021]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述公共電極為板狀電極，所述像素電極為狹縫電極。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述像素電極具有多個狹縫，所述狹縫與所述柵線的延伸方向大致平行。
[0022]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述狹縫包括多個平行設置的第一狹縫和多個平行設置的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫與所述柵線之間呈一定夾角；
[0023]所述第一狹縫和第二狹縫對稱分布在所述像素電極平行于所述柵線的軸兩側。
[0024]如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述信號線從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域；所述陣列基板為矩形結構，所述信號線從顯示區(qū)域延伸至陣列基板的長邊所在側。
[0025]本發(fā)明實施例中還提供一種如上所述的ADS陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述制作方法包括在陣列基板的顯示區(qū)域形成多個像素單元的步驟，每個像素單元包括公共電極和像素電極，所述陣列基板的一幀畫面顯示時間包括顯示時間段和觸控時間段，所述多個公共電極復用為多個觸控電極，每個觸控電極對應多個電性連接的公共電極，所述制作方法還包括:
[0026]形成多條信號線，所述信號線與觸控電極對應電性連接，在一幀畫面顯不時間的顯示時間段，通過對應的信號線向觸控電極傳遞公共電壓信號，在一幀畫面顯示時間的觸控時間段，通過對應的信號線檢測觸控電極的自電容是否發(fā)生變化。
[0027]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板，所述陣列基板包括橫縱交叉分布的柵線和數(shù)據線，用于限定所述多個像素單元所在的區(qū)域，每個像素單元還包括薄膜晶體管；
[0028]形成多條信號線的步驟具體為:
[0029]通過對同一柵金屬層的構圖工藝形成所述信號線、所述柵線和所述薄膜晶體管的柵電極，或，通過對同一源漏金屬層的構圖工藝形成所述信號線、所述數(shù)據線和所述薄膜晶體管的源電極、漏電極。
[0030]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法具體包括:
[0031]形成透明導電層，對所述透明導電層進行構圖工藝，形成多個公共電極；
[0032]在公共電極上形成柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖工藝，形成包括所述信號線、所述柵線和薄膜晶體管的柵電極的圖案，其中，所述信號線搭接在對應的觸控電極上，電性接觸。
[0033]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法具體包括:
[0034]提供一襯底基板；
[0035]在所述襯底基板上形成多個公共電極；
[0036]在所述公共電極上形成柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖工藝，形成多條柵線、多條信號線和薄膜晶體管的柵電極，所述信號線搭接在對應的觸控電極上；
[0037]形成覆蓋所述柵線、信號線和柵電極的柵絕緣層；
[0038]在所述柵絕緣層上形成有源層圖案；
[0039]在所述有源層上形成源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖工藝，形成多條數(shù)據線和薄膜晶體管源電極、漏電極，所述源電極和漏電極搭接在所述有源層的相對兩側；
[0040]形成覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層，對所述鈍化層進行構圖工藝形成過孔；
[0041 ] 在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層中的過孔與所述漏電極電性連接。
[0042]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法具體包括:
[0043]形成透明導電層，對所述透明導電層進行構圖工藝，形成多個公共電極；
[0044]在公共電極上形成絕緣層，對所述絕緣層進行構圖工藝，形成過孔；
[0045]在所述絕緣層上形成柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖工藝，形成包括所述信號線、所述柵線和薄膜晶體管的柵電極的圖案，其中，所述信號線通過所述絕緣層中的過孔與對應的觸控電極電性連接。
[0046]本發(fā)明實施例中還提供一種顯示器件，采用如上所述的ADS陣列基板。
[0047]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0048]上述技術方案中，將ADS陣列基板的公共電極復用為觸控電極，能夠實現(xiàn)內嵌式觸控，減薄觸摸顯示器件的厚度。同時，還能夠克服現(xiàn)有技術中自容式觸控檢測會出現(xiàn)的鬼點現(xiàn)象，縮短檢測時間，提高觸控靈敏度。
【附圖說明】
[0049]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0050]圖1表示本發(fā)明實施例中ADS陣列基板的結構示意圖；
[0051]圖2表示本發(fā)明實施例中ADS陣列基板的一個像素單元的結構示意圖一；
[0052]圖3表示圖2沿A-A的剖視圖一；
[0053]圖4和圖5表示本發(fā)明實施例中ADS陣列基板的一個像素單元的制作過程示意圖 ，
[0054]圖6表示圖4沿沿A-A的剖視圖；
[0055]圖7表示圖5沿沿A-A的剖視圖；
[0056]圖8表示本發(fā)明實施例中ADS陣列基板的一個像素單元的結構示意圖二；
[0057]圖9表示圖8沿B-B的剖視圖一；
[0058]圖10和圖11表示表示本發(fā)明實施例中ADS陣列基板的一個像素單元的制作過程示意圖二 ；
[0059]圖12表示圖10沿B-B的剖視圖；
[0060]圖13表示圖11的剖視圖；