內(nèi)嵌式觸控面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著智能電子產(chǎn)品的普及，電容式觸控屏被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等各種電子產(chǎn)品中?，F(xiàn)有的電容式觸控屏分為以G+G(Glass+Glass)、G+F (Glass-Film)、GFF(Glass-Film-Film)、OGS(One Glass Solut1n)等技術(shù)為代表的外掛式電容屏和以O(shè)n-Cell, In-Cell技術(shù)為代表的嵌入式電容屏。近年來，人們越來越注重產(chǎn)品輕薄化的用戶體驗(yàn)，智能電子產(chǎn)品市場也呈現(xiàn)出OGS、On-Cell及In-Cell三種技術(shù)并爭的局面，其中，In-Cell觸控面板將觸控制程整合到顯示面板的驅(qū)動面板制程中，使其具有比OGS觸控面板及On-Cell觸控面板更輕薄、透光性更好的特點(diǎn)，從而能夠更好地滿足用戶的需求。因此，In-Cell觸控面板逐漸成為未來電容屏的主流應(yīng)用。
[0003]請參閱圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有的In-Cell觸控面板的制造過程中，通常是利用黃光工藝(光刻工藝)將觸控面板中的公共電極層(Common電極)進(jìn)行分割，并按功能定義為驅(qū)動電極Tx與感測電極Rx，如圖2所示。其中，所述驅(qū)動電極Tx呈矩陣排列，所述感測電極Rx設(shè)置于相鄰的兩列驅(qū)動電極Tx之間，并在行方向隔斷相鄰的兩個驅(qū)動電極Tx。由于設(shè)置在同一行的相鄰兩個驅(qū)動電極Tx之間被所述感測電極Rx隔斷，因此需要通過橋接的方式將相鄰的兩個驅(qū)動電極Tx電性連接。以驅(qū)動電極Txl為例，在現(xiàn)有的In-Cell觸控面板中，同一行相鄰的驅(qū)動電極Txl之間需要通過連接金屬M(fèi)l進(jìn)行橋接，所述連接金屬M(fèi)l與驅(qū)動電極Txl位于不同層，故需要采用過孔的方式實(shí)現(xiàn)連接，甚至可能用到過孔+過孔的連接結(jié)構(gòu)，而這種復(fù)雜的過孔式連接結(jié)構(gòu)使得現(xiàn)有的In-Cell觸控面板的制程過于復(fù)雜，從而不利于產(chǎn)品良率的提升，也無法滿足人們生產(chǎn)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式觸控面板，通過將感測電極單獨(dú)分層，使得驅(qū)動電極可以保持整體行式結(jié)構(gòu)，無需通過金屬層及過孔橋接，以簡化所述內(nèi)嵌式觸控面板的整體結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品良率。
[0005]另，本發(fā)明還提供一種內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法。
[0006]—種內(nèi)嵌式觸控面板，包括公共電極層、絕緣層和感測層，所述公共電極層包括多個驅(qū)動區(qū)，多個所述驅(qū)動區(qū)并列且相互間隔設(shè)置，每一所述驅(qū)動區(qū)內(nèi)均設(shè)置有驅(qū)動電極，每一所述驅(qū)動區(qū)內(nèi)包括多個獨(dú)立設(shè)置的懸浮區(qū)，每一所述懸浮區(qū)內(nèi)均設(shè)置有懸浮電極，所述絕緣層形成于所述公共電極層上，所述感測層形成于所述絕緣層上，所述感測層包括多條感測電極，所述感測電極設(shè)置于所述懸浮電極上方，在顯示階段，所述驅(qū)動電極、懸浮電極及感測電極均接入公共電壓，在觸控掃描階段，所述驅(qū)動電極用于提供驅(qū)動信號，所述感測電極接收所述驅(qū)動電極提供的驅(qū)動信號，所述懸浮電極置空，并為所述感測電極提供信號補(bǔ)償。
[0007]其中，所述絕緣層開設(shè)有多個第一過孔及多個第二過孔，所述第一過孔正對所述驅(qū)動電極設(shè)置，所述第二過孔正對所述懸浮電極設(shè)置，所述感測層還包括多條驅(qū)動引線及多條懸浮引線，所述驅(qū)動引線設(shè)置于所述驅(qū)動電極上方，并通過所述第一過孔與所述驅(qū)動電極電性連接，所述懸浮引線設(shè)置于所述懸浮電極上方，并通過所述第二過孔與所述懸浮電極電性連接。
[0008]其中，多個所述懸浮電極呈矩陣排列，每一列所述懸浮電極上方間隔設(shè)置兩條感測電極和一條懸浮引線，兩條感測電極在正投影方向分別位于所述懸浮電極兩側(cè)設(shè)置，且每一條所述感測電極在正投影方向上與所述驅(qū)動電極相互垂直；所述懸浮引線在正投影方向靠近所述懸浮電極的中心設(shè)置，且每一條所述懸浮引線均通過多個所述第二過孔分別與位于一列的多個所述懸浮電極電性連接。
[0009]其中，所述內(nèi)嵌式觸控面板還包括薄膜晶體管陣列、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層和像素電極層，所述第一介質(zhì)層形成于所述薄膜晶體管陣列上，所述公共電極層形成于所述第一介質(zhì)層上，所述第二介質(zhì)層形成于所述感測層上，并填充于多條所述感測電極、多條驅(qū)動引線及多條懸浮引線之間，所述像素電極層形成于所述第二介質(zhì)層上。
[0010]其中，每一所述驅(qū)動區(qū)與多個所述獨(dú)立設(shè)置的懸浮區(qū)之間分別開設(shè)多個環(huán)形槽孔，所述環(huán)形槽孔貫穿所述公共電極層設(shè)置，且由所述絕緣層填充，以電性隔離所述驅(qū)動電極與所述懸浮電極。
[0011]—種內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法，包括:
[0012]在陣列基板上依次形成薄膜晶體管陣列、第一介質(zhì)層及公共電極層；
[0013]將所述公共電極層分割為多個驅(qū)動區(qū)和多個懸浮區(qū)，以形成多個驅(qū)動電極及多個懸浮電極；
[0014]在所述公共電極層上形成絕緣層，并在所述絕緣層上與所述驅(qū)動電極對應(yīng)的位置形成第一過孔，以及在與所述懸浮電極對應(yīng)的位置形成第二過孔；
[0015]在所述絕緣層上形成感測層；
[0016]對所述感測層進(jìn)行蝕刻，分別形成多條感測電極、多條驅(qū)動引線及多條懸浮引線；及
[0017]在所述感測層上依次形成第二介質(zhì)層和像素電極層。
[0018]其中，所述將所述公共電極層分割為多個驅(qū)動區(qū)和多個懸浮區(qū)，包括:
[0019]采用光刻工藝將所述公共電極層分割為多個驅(qū)動區(qū)，其中，多個所述驅(qū)動區(qū)并行排列，且依次互間隔設(shè)置；及
[0020]采用光刻工藝在每一所述驅(qū)動區(qū)內(nèi)蝕刻形成多個貫穿所述公共電極層的環(huán)形槽孔，以在每一所述環(huán)形槽孔圍繞的區(qū)域內(nèi)形一個懸浮區(qū)。
[0021]其中，所述絕緣層由氮化硅經(jīng)光刻工藝制成，并填充于所述環(huán)形槽孔中，以電性隔離所述驅(qū)動電極與所述懸浮電極。
[0022]其中，所述感測層由物理氣相沉積工藝制成。
[0023]其中，多條所述感測電極、多條驅(qū)動引線及多條懸浮引線由光刻工藝對所述感測層進(jìn)行蝕刻形成。
[0024]所述內(nèi)嵌式觸控面板通過將所述感測電極單獨(dú)分層設(shè)置，從而使得所述驅(qū)動電極可以保持整體行式結(jié)構(gòu)，從而無需增加用于橋接同一行驅(qū)動電極的橋接金屬走線，簡化了所述內(nèi)嵌式觸控面板的結(jié)構(gòu)及布線復(fù)雜度，而且降低了制造所述內(nèi)嵌式觸控面板的工藝難度，有利于提升觸控顯不廣品的良率。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2是圖1所示內(nèi)嵌式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4是圖3所示內(nèi)嵌式觸控面板的第一平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5是圖3所示內(nèi)嵌式觸控面板的第二平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖6是圖3所示內(nèi)嵌式觸控面板的第三平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0034]為便于描述，這里可以使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”
等空間相對性術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征的關(guān)系?？梢岳斫?，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到或耦接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)?。相反，?dāng)一個元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)由?、“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件或?qū)訒r，不存在居間元件或?qū)印?br>[0035]可以理解，這里所用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。在這里使用時，除非上下文另有明確表述，