面板及面板制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種面板及面板制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著智能手機(jī)市場競爭的激烈化程度的日漸加深，觸控顯示一體化(簡稱，觸顯一體化)產(chǎn)品迎來了新一輪的競逐。In cell技術(shù)被視為該領(lǐng)域的高端技術(shù)，廣受追捧。所謂的in cell技術(shù)，是指將觸控面板功能嵌入到液晶像素中。在目前的自容式觸控技術(shù)方案中，通常將公共電極進(jìn)行切割，從而形成矩陣狀分布的多個(gè)感測單元(sensor)，且相鄰的感測單元之間存在切割狹縫。當(dāng)數(shù)據(jù)線(data line)在進(jìn)行信號傳輸時(shí)產(chǎn)生的電場穿過感測單元之間的切割狹縫時(shí)，會對切割狹縫處對應(yīng)的液晶產(chǎn)生影響，干擾此處的液晶的轉(zhuǎn)向，造成該位置漏光，從而造成了顯示的異常?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了解決此技術(shù)問題，通常在切割狹縫的上方制作屏蔽裝置，屏蔽裝置通過引線與驅(qū)動芯片電連接，并通過驅(qū)動芯片控制所述屏蔽裝置。然而，屏蔽裝置的引進(jìn)產(chǎn)生了一系列問題。首先，從驅(qū)動上來講，驅(qū)動芯片需要增加一個(gè)驅(qū)動信號來控制屏蔽裝置。其次，新增的屏蔽裝置相當(dāng)于給各個(gè)感測單元并聯(lián)上了一個(gè)電容值較大的電容，增大了驅(qū)動芯片的負(fù)載(loading)。再次，新增的屏蔽裝置會影響到所述屏蔽裝置周邊的感測單元的電容量，需要通過算法對消除屏蔽裝置對周邊感測單元的影響，進(jìn)而增加了驅(qū)動芯片的設(shè)計(jì)難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種面板，所述面板包括:
[0004]基板，包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面；
[0005]薄膜晶體管陣列，設(shè)置在所述第一表面上，所述薄膜晶體管陣列包括呈矩陣狀分布的多個(gè)薄膜晶體管；
[0006]第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列上；
[0007]公共電極層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，且所述公共電極層包括呈矩陣狀分布的多個(gè)感測單元，相鄰的感測單元之間設(shè)置有間隙；
[0008]第二絕緣層，設(shè)置于所述公共電極層上且填充所述間隙；
[0009]屏蔽層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，且對應(yīng)所述間隙設(shè)置；所述屏蔽層與所述公共電極層電連接。
[0010]其中，所述面板還包括:
[0011]第三絕緣層，設(shè)置在所述屏蔽層及所述第二絕緣層上；所述第二絕緣層上設(shè)置第一貫孔，所述第一貫孔對應(yīng)所述公共電極層設(shè)置，所述第三絕緣層上設(shè)置第二貫孔及第三貫孔，所述第二貫孔與所述第一貫孔連通，所述第三貫孔對應(yīng)所述屏蔽層設(shè)置；
[0012]連接件，設(shè)置在所述第三絕緣層上，且一端通過所述第一貫孔及所述第二貫孔與所述公共電極層電連接，另一端通過所述第三貫孔與所述屏蔽層電連接。
[0013]其中，所述面板還包括:
[0014]像素電極，設(shè)置在所述第三絕緣層上，且所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0015]其中，所述連接件與所述像素電極在同一道光罩中形成；或者/以及所述第一貫孔、所述第二貫孔及所述第三貫孔在同一道光罩中形成。
[0016]其中，所述屏蔽層包括沿第一方向設(shè)置的多個(gè)屏蔽單元，所述屏蔽單元對應(yīng)相鄰的兩個(gè)感測單元之間的間隙設(shè)置，且所述屏蔽單元與其對應(yīng)的兩個(gè)感測單元之一電連接。
[0017]本發(fā)明還提供了一種面板的制備方法，所述面板的制備方法包括:
[0018]提供一基板，所述基板包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面；
[0019]在所述第一表面上形成薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括呈矩陣狀分布的多個(gè)薄膜晶體管；
[0020]在形成薄膜晶體管陣列上形成第一絕緣層；
[0021]在所述第一絕緣層上形成公共電極層，將所述公共電極層進(jìn)行圖案化以得到形成呈矩陣狀分布的多個(gè)感測單元，相鄰的感測單元之間設(shè)置有間隙；
[0022]在所述公共電極層上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述感測單元上且填充所述間隙；
[0023]在所述第二絕緣層上形成屏蔽層，且所述屏蔽層對應(yīng)所述間隙設(shè)置；
[0024]將所述屏蔽層與所述公共電極層電連接。
[0025]其中，在所述步驟“在所述第二絕緣層上形成屏蔽層，且所述屏蔽層對應(yīng)所述間隙設(shè)置”與所述步驟“將所述屏蔽層與所述公共電極層電連接”之間，所述面板的制備方法還包括:
[0026]在所述屏蔽層上形成第三絕緣層；
[0027]所述步驟“將所述屏蔽層與所述公共電極層電連接”包括:
[0028]在所述第二絕緣層上形成第一貫孔，所述第一貫孔對應(yīng)所述公共電極層設(shè)置，在所述第三絕緣層上形成第二貫孔及第三貫孔，所述第二貫孔與所述第一貫孔連通，所述第三貫孔對應(yīng)所述屏蔽層設(shè)置；
[0029]在所述第三絕緣層上設(shè)置透明導(dǎo)電層；
[0030]將所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，以形成連接件，所連接件的一端通過所述第一貫孔及所述第二貫孔與所述公共電極層電連接，另一端通過所述第三貫孔與所述屏蔽層電連接。
[0031]其中，所述面板制備方法還包括:
[0032]在所述第三絕緣層上形成像素電極，且所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0033]其中，所述連接件與所述像素電極在同一道光罩中形成；或者/以及所述第一貫孔、所述第二貫孔及所述第三貫孔在同一道光罩中形成。
[0034]其中，所述步驟“在所述第二絕緣層上形成屏蔽層，且所述屏蔽層對應(yīng)所述間隙設(shè)置”包括:
[0035]在所述第二絕緣層上形成一金屬層，圖案化所述金屬層得到所述屏蔽層，所述屏蔽層包括沿第一方向設(shè)置的多個(gè)屏蔽單元，所述屏蔽單元對應(yīng)相鄰的兩個(gè)感測單元之間的間隙設(shè)置；
[0036]所述步驟“將所述屏蔽層與所述公共電極層電連接”包括:
[0037]將所述屏蔽單元與其對應(yīng)的兩個(gè)感測單元之一電連接，且每個(gè)感測單元均與一個(gè)屏蔽單元電連接。
[0038]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的面板及面板制備方法將所述薄膜晶體管陣列設(shè)置所述基板的第一表面上，公共電極層與薄膜晶體管陣列之間設(shè)置第一絕緣層，通過將公共電極層設(shè)置為呈矩陣狀分布的多個(gè)感測單元，且相鄰的感測單元之間設(shè)置有間隙，從而將液晶顯示面板的公共電極層與觸控技術(shù)中的具有觸控檢測功能的感測單元相融合。將第二絕緣層設(shè)置于所述公共電極層，且填充所述間隙，將屏蔽層設(shè)置于第二絕緣層上，且對應(yīng)所述間隙設(shè)置，所述屏蔽層與所述公共電極層電連接。從而使得驅(qū)動芯片分配驅(qū)動信號時(shí)變得簡單，在顯示階段將公共電極層上加載一公共信號，在觸控階段將觸控信號及檢測信號傳輸回所述驅(qū)動芯片進(jìn)行運(yùn)算處理。由于所述公共電極層與所述屏蔽層電連接，因此，所述屏蔽層上也被加載所述公共信號，無需單獨(dú)對所述屏蔽層加載單獨(dú)的驅(qū)動信號。同時(shí)，本發(fā)明將所述公共電極層與所述屏蔽層連接成為一體，因此，所述屏蔽層不會成為所述公共電極層的負(fù)載，降低了驅(qū)動芯片運(yùn)算處理的難度。
【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖2為圖1中沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的面板制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]請一并參閱圖1及圖2及圖3，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述面板10包括基板110、薄膜晶體管陣列120、第一絕緣層130、公共電極層140、第二絕緣層150及屏蔽層160。所述基板110包括相對設(shè)置的第一表面111和第二表面112。所述薄膜晶體管陣列120設(shè)置在所述第一表面111上，所述薄膜晶體管陣列120包括呈矩陣狀分布的多個(gè)薄膜晶體管。所述第一絕緣層130設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列120上，所述公共電極層140設(shè)置于所述第一絕緣層130上，且所述公共電極層140包括呈矩陣狀分布的多個(gè)感測單元(sensor) 141，相鄰的感測單元141之間設(shè)置有間隙142。所述第二絕緣層150設(shè)置在所述公共電極層140上且填充所述間隙1