本發(fā)明涉及模型優(yōu)化領(lǐng)域，特別是涉及一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法、裝置、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造工藝中的一項(xiàng)重要技術(shù)，光刻技術(shù)包括光刻膠涂覆、曝光以及顯影技術(shù)。負(fù)向顯影技術(shù)是解決特征尺寸較小而周期較大圖形的高保真度成像的關(guān)鍵技術(shù)，負(fù)向顯影所使用的光刻膠具有良好的粘附能力和阻擋作用，感光速度快，但是顯影時(shí)會(huì)發(fā)生變形和膨脹，負(fù)向顯影的熱收縮效應(yīng)更為強(qiáng)烈，負(fù)顯影效應(yīng)明顯，為了保證模型準(zhǔn)確度，通常會(huì)使用更多光刻膠參數(shù)來進(jìn)行模型校準(zhǔn)。

2、光刻膠模型的一致性在負(fù)顯影工藝過程中是評價(jià)光刻膠模型好壞的重要的標(biāo)準(zhǔn)。目前光刻膠模型的一致性的控制方法，對光刻膠模型參數(shù)進(jìn)行多次的參數(shù)搜索和訪問，并在每次參數(shù)搜索和訪問之后輸出一個(gè)表征值，然后從所有的表征值中選取處最小的表征值，作為最終的優(yōu)化結(jié)果。目前的這種方式僅在模型參數(shù)校準(zhǔn)后進(jìn)行驗(yàn)證，無法從源頭上遏制一致性問題的產(chǎn)生，不確定性高，模型優(yōu)化周期可能會(huì)因此問題而加長。

3、因此，如何解決上述技術(shù)問題應(yīng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員重點(diǎn)關(guān)注的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法、裝置、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，以提升光刻膠模型的一致性，并縮短光刻膠模型的優(yōu)化和驗(yàn)證周期。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，包括：

3、步驟s11：當(dāng)對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行當(dāng)前代搜索和仿真后，對與所述光刻膠模型對應(yīng)的測試圖形進(jìn)行移位；

4、步驟s12：確定在所述測試圖形移位后與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度差；

5、步驟s13：根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預(yù)設(shè)密度差閾值的關(guān)系，確定代價(jià)函數(shù)的函數(shù)值；

6、步驟s14：對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行下一代的搜索和仿真，并進(jìn)入步驟s11，直至光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行搜索和仿真的代數(shù)等于預(yù)設(shè)代數(shù)閾值；

7、步驟s15：確定所有所述函數(shù)值中的最小值，并將最小的所述函數(shù)值作為光刻膠優(yōu)化最終結(jié)果。

8、可選地，根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預(yù)設(shè)密度差閾值的關(guān)系，確定代價(jià)函數(shù)的函數(shù)值包括：

9、判斷所述光刻膠參數(shù)密度差是否大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值；

10、若所述光刻膠參數(shù)密度差不大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸和實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸，確定所述函數(shù)值；

11、若所述光刻膠參數(shù)密度差大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸、實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸以及懲罰項(xiàng)參數(shù)，確定所述函數(shù)值。

12、可選地，根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸和實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸，確定所述函數(shù)值包括：

13、根據(jù)第一預(yù)設(shè)公式確定所述函數(shù)值，所述第一預(yù)設(shè)公式為：

14、；

15、式中，cost為函數(shù)值，cds為所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸，cd0為所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸，i為預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)。

16、可選地，根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸、實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸以及懲罰項(xiàng)參數(shù)，確定所述函數(shù)值包括：

17、根據(jù)第二預(yù)設(shè)公式確定所述函數(shù)值，所述第二預(yù)設(shè)公式為：

18、；

19、其中，penalty=penalty_coeffient×(term_intensity_variation-term_intensity_variation_spec；

20、式中，cost為函數(shù)值，cds為所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸，cd0為所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸，i為預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)，penalty為懲罰項(xiàng)參數(shù)，term_intensity_variation為光刻膠參數(shù)密度差，term_intensity_variation_spec為與一致性相關(guān)的參數(shù)；penalty_coeffient為懲罰程度。

21、可選地，確定在所述測試圖形移位后與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度差包括：

22、在所述測試圖形移位不同位置處，確定與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度；

23、從所有所述光刻膠參數(shù)密度中確定最大光刻膠參數(shù)密度和最小光刻膠參數(shù)密度；

24、確定所述最大光刻膠參數(shù)密度和所述最小光刻膠參數(shù)密度的差值，作為所述光刻膠參數(shù)密度差。

25、本發(fā)明還提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的裝置，包括：

26、移位模塊，用于執(zhí)行步驟s11：當(dāng)對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行當(dāng)前代搜索和仿真后，對與所述光刻膠模型對應(yīng)的測試圖形進(jìn)行移位；

27、第一確定模塊，用于執(zhí)行步驟s12：確定在所述測試圖形移位后與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度差；

28、第二確定模塊，用于執(zhí)行模塊，用于執(zhí)行步驟s13：根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預(yù)設(shè)密度差閾值的關(guān)系，確定代價(jià)函數(shù)的函數(shù)值；

29、迭代模塊，用于執(zhí)行步驟s14：對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行下一代的搜索和仿真，并進(jìn)入步驟s11，直至光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行搜索和仿真的代數(shù)等于預(yù)設(shè)代數(shù)閾值；

30、第三確定模塊，用于執(zhí)行步驟s15：確定所有所述函數(shù)值中的最小值，并將最小的所述函數(shù)值作為光刻膠優(yōu)化最終結(jié)果。

31、可選地，所述第二確定模塊包括：

32、第一判斷單元，用于判斷所述光刻膠參數(shù)密度差是否大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值；

33、第一確定單元，用于若所述光刻膠參數(shù)密度差不大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸和實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸，確定所述函數(shù)值；

34、第二確定單元，用于若所述光刻膠參數(shù)密度差大于所述預(yù)設(shè)密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的所述關(guān)鍵尺寸、實(shí)際測量關(guān)鍵尺寸以及懲罰項(xiàng)參數(shù)，確定所述函數(shù)值。

35、可選地，所述第一確定模塊包括：

36、第三確定單元，用于在所述測試圖形移位不同位置處，確定與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度；

37、第四確定單元，用于從所有所述光刻膠參數(shù)密度中確定最大光刻膠參數(shù)密度和最小光刻膠參數(shù)密度；

38、第五確定單元，用于確定所述最大光刻膠參數(shù)密度和所述最小光刻膠參數(shù)密度的差值，作為所述光刻膠參數(shù)密度差。

39、本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備，包括：

40、存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序；

41、處理器，用于執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述任一種所述優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法的步驟。

42、本發(fā)明還提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述任一種所述優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法的步驟。

43、本發(fā)明所提供的一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，包括：步驟s11：當(dāng)對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行當(dāng)前代搜索和仿真后，對與所述光刻膠模型對應(yīng)的測試圖形進(jìn)行移位；步驟s12：確定在所述測試圖形移位后與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度差；步驟s13：根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預(yù)設(shè)密度差閾值的關(guān)系，確定代價(jià)函數(shù)的函數(shù)值；步驟s14：對光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行下一代的搜索和仿真，并進(jìn)入步驟s11，直至光刻膠模型中的模擬項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行搜索和仿真的代數(shù)等于預(yù)設(shè)代數(shù)閾值；步驟s15：確定所有所述函數(shù)值中的最小值，并將最小的所述函數(shù)值作為光刻膠優(yōu)化最終結(jié)果。

44、可見，本發(fā)明中的方法在進(jìn)行一次光刻膠模型中參數(shù)的搜索和仿真后，通過對與光刻膠模型對應(yīng)的測試圖形進(jìn)行移位，確定移位后測試圖形上與預(yù)設(shè)采樣點(diǎn)處的關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的光刻膠參數(shù)密度差，進(jìn)而根據(jù)得到的光刻膠參數(shù)密度差與預(yù)設(shè)密度差閾值的關(guān)系來確定代價(jià)函數(shù)的函數(shù)值，然后重復(fù)傷處過程，進(jìn)行下一次的搜索和仿真并得到本次搜索和仿真對應(yīng)的函數(shù)值，在得到數(shù)量為預(yù)設(shè)代數(shù)閾值的函數(shù)值后，選取最小的函數(shù)值作為優(yōu)化最終的結(jié)果，可以從源頭上大大提升光刻膠模型一致性，縮短光刻膠模型的優(yōu)化和驗(yàn)證周期，并兼顧光刻膠模型的準(zhǔn)確度。另外，本發(fā)明的方法在光刻膠模型的優(yōu)化過程中實(shí)現(xiàn)一致性的控制，可以影響參數(shù)優(yōu)化路徑，避免在光刻膠模型優(yōu)化結(jié)束時(shí)再進(jìn)行一致性的驗(yàn)證，本發(fā)明的方法更加直觀。

45、此外，本發(fā)明還提供一種具有上述優(yōu)點(diǎn)的裝置、電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。