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IC標(biāo)簽及其制造方法與流程

文檔序號:40525697發(fā)布日期:2024-12-31 13:35閱讀:19來源:國知局
IC標(biāo)簽及其制造方法與流程

本發(fā)明涉及ic標(biāo)簽及其制造方法。


背景技術(shù):

1、近年來,作為ic標(biāo)簽(ic?tag,電子標(biāo)簽)的一種,提出了在由被稱為插片(inlet)的塑料或紙構(gòu)成的基片上搭載無線電通信用的天線圖案和ic芯片的結(jié)構(gòu)。而且,通過將用樹脂封裝的這種插片安裝在物品上或埋置到物品中,以用于物品的管理。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1:國際公開第2009/011041號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、然而,如上所述的ic標(biāo)簽有時用于如受到彎曲等外力作用的苛刻的環(huán)境,因此,有可能發(fā)生保護(hù)天線的樹脂的剝離、天線破損的情況。如果發(fā)生天線的破損,則有時會導(dǎo)致通信性能降低,或者無法進(jìn)行通信。特別是用于衣服或亞麻等的洗衣標(biāo)簽,需要具有針對反復(fù)洗滌或利用干燥機(jī)進(jìn)行干燥的耐久性。

3、本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的,其目的在于提供一種即使反復(fù)受到彎曲等外力的作用也能夠防止天線的破損的ic標(biāo)簽及其制造方法。

4、用于解決課題的手段

5、根據(jù)本發(fā)明的ic標(biāo)簽包括ic芯片、用于電連接地發(fā)送和接收存儲在所述ic芯片中的信息的天線、支撐所述ic芯片和所述天線的片狀基材、以及作為在與所述基材之間覆蓋所述ic芯片和所述天線的電介質(zhì)的樹脂制的保護(hù)層,其中,在以所述基材的拉伸模量為x軸、以所述保護(hù)層的拉伸模量為y軸時,ic標(biāo)簽被配置為所述基材的拉伸模量[gpa]和所述保護(hù)層的拉伸模量[gpa]被限定在由下式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)所示的5條線所包圍的區(qū)域內(nèi)。

6、x=0.8…(1)

7、x=8…(2)

8、y=0.03…(3)

9、y=x0.4…(4)

10、y=0.01×x2…(5)

11、本發(fā)明的ic標(biāo)簽的制造方法包括:在片狀的基材上,形成ic芯片、以及電連接地發(fā)送和接收存儲在所述ic芯片中的信息的天線的步驟;在所述基材上,以覆蓋所述ic芯片和所述天線的方式配置作為電介質(zhì)的片狀的樹脂材料的步驟;以及通過一邊加熱一邊按壓所述樹脂材料,在所述基材上形成沿著所述ic芯片和所述天線的保護(hù)層的步驟,其中,選定所述基材和所述樹脂材料以使得在以所述基材的拉伸模量為x軸、以所述保護(hù)層的拉伸模量為y軸時,所述基材的拉伸模量[gpa]和所述保護(hù)層的拉伸模量[gpa]被限定在由下式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)所示的5條線所包圍的區(qū)域內(nèi)。

12、x=0.8…(1)

13、x=8…(2)

14、y=0.03…(3)

15、y=x0.4…(4)

16、y=0.01×x2…(5)

17、發(fā)明效果

18、根據(jù)本發(fā)明的ic標(biāo)簽及其制造方法,能夠提高耐彎曲性(flex?resistance)。



技術(shù)特征:

1.一種ic標(biāo)簽,包括:

2.一種ic標(biāo)簽的制造方法,包括:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種即使反復(fù)受到彎曲等外力的作用也能夠防止天線破損的IC標(biāo)簽及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的IC標(biāo)簽包括IC芯片(2)、用于電連接地發(fā)送和接收存儲在IC芯片(2)中的信息的天線(3)、支撐IC芯片(2)和天線(3)的片狀基材(1)、以及在與基材(1)之間覆蓋IC芯片(2)和天線(3)的電介質(zhì),即,樹脂制的保護(hù)層(4),其中,在以基材(1)的拉伸模量為X軸、以保護(hù)層(4)的拉伸模量為Y軸時,IC標(biāo)簽被配置為基材(1)的拉伸模量[GPa]和保護(hù)層(4)的拉伸模量[GPa]被限定在由下式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)所示的5條線所包圍的區(qū)域內(nèi)。X=0.8…(1);X=8…(2);Y=0.03…(3);Y=X<supgt;0.4</supgt;…(4);Y=0.01×X<supgt;2</supgt;…(5)。

技術(shù)研發(fā)人員:島井俊治,富田隼士,宮城佳宏,村山美希
受保護(hù)的技術(shù)使用者:霓達(dá)株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/30
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