本發(fā)明涉及射頻識別技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種rfid智能標(biāo)簽及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，rfid智能標(biāo)簽在越來越多的領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，但是現(xiàn)在的rfid智能標(biāo)簽的生產(chǎn)工藝復(fù)雜，在印刷過程中印刷層容易損壞，時間久了容易氧化，在一些溫差較大的長途運(yùn)輸中，現(xiàn)在的rfid智能標(biāo)簽容易潮濕，并且現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝制造的印刷層較厚，還有現(xiàn)有工藝制造的rfid智能標(biāo)簽銀層不致密，有裂痕。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的問題提供一種不易氧化、銀層致密、不易潮濕的一種rfid智能標(biāo)簽及其制備方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供的一種rfid智能標(biāo)簽，包括天線層和pet膜,所述天線層印刷于所述pet膜上，所述天線層上電鍍有銅層，所述天線層設(shè)置有至少兩個印刷線圈，所述印刷線圈通過繞線中心對稱分布，所述天線層的厚度為5至10微米。

作為優(yōu)選，所述銅層上設(shè)置有抗氧化層。

作為優(yōu)選，所述天線層的印刷線圈為“u”形。

作為優(yōu)選，所述印刷線圈設(shè)置有兩個或者四個，且所述印刷線圈互相對稱。

一種rfid智能標(biāo)簽的制備方法，包括有以下步驟：

a.制備磁場電子陷阱，將pet膜利用合金載流條用真空磁控濺射技術(shù)制造出可與出磁控濺射陰極表面配合使用的磁場電子陷阱；

b.制備鐵氧體銀漿（質(zhì)量份組成）：超細(xì)銀粉50-60份，片狀銀粉20-28份，無機(jī)添加劑1-5份，有機(jī)載體30-40份，將上述成分全部混合，進(jìn)行高速攪拌分散，經(jīng)過研磨機(jī)使得細(xì)度小于10微米，再經(jīng)過150目篩網(wǎng)制得鐵氧體銀漿備用；

c.將b步驟制得的鐵氧體銀漿經(jīng)過干燥、燒結(jié)，干燥的條件為：120-200℃，時間為20分鐘，燒結(jié)的條件為：660-700℃，時間為30分鐘；

d.將步驟c制得的鐵氧體銀漿通過電磁場的作用印刷于步驟a制得的pet膜上，印刷的鐵氧體銀漿為天線層；

e.將步驟d制得的天線層表面鍍銅，且進(jìn)行抗氧化處理，在鍍銅的天線層進(jìn)行抗氧化處理形成抗氧化層；

f.將步驟e制得的天線層通過催化油墨進(jìn)行表面處理使天線層與外界空氣進(jìn)行隔離。

作為優(yōu)選，所述無機(jī)添加劑為過渡金屬氧化物的一種或兩種以上的混合物。

作為優(yōu)選，所述有機(jī)載體為纖維素樹脂、磷酸三丁酯、乙酸乙烯酯中的一種或者兩種以上的混合物。

作為優(yōu)選，印刷時，所述電磁場與所述pet膜正交。

本發(fā)明的有益效果：

通過上述方法制得的rfid智能標(biāo)簽，其銀層致密，不易氧化，并且表面與空氣隔絕，用于較大溫差的長途運(yùn)輸時，可防止氧化與潮濕，使得rfid智能標(biāo)簽更加可靠，上述的rfid智能標(biāo)簽的制備方法，其工藝簡單，可減少制造工藝，有利于降低成本，并且通過電磁場印刷的天線層，天線層的銀層致密，電鍍時可有效的減少銀層在電鍍液中脫落于pet膜，成品率高。

附圖說明

圖1為本rfid智能標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本rfid智能標(biāo)簽的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例與附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對本發(fā)明的限定。以下結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。

實(shí)施例1：

本發(fā)明提供的本發(fā)明提供的一種rfid智能標(biāo)簽，包括天線層1和pet膜2,所述天線層1印刷于所述pet膜2上，所述天線層1上電鍍有銅層，所述天線層1設(shè)置有至少兩個印刷線圈3，所述印刷線圈3通過繞線中心對稱分布，所述天線層1的厚度為5至10微米。rfid智能標(biāo)簽銀層薄，可有效的降低成本，電鍍銅層可有效的防止氧化與防止天線層1潮濕，使得本發(fā)明在長途運(yùn)輸中，防潮、防生銹，rfid智能標(biāo)簽內(nèi)的信息更加可靠，使用壽命長久，并且本發(fā)明的抗腐蝕性好，重量輕，制造成本低。

所述銅層上設(shè)置有抗氧化層，可有效的防止天線層1氧化。

所述天線層1的印刷線圈3為“u”形，增大天線層1的有效面積比。

如圖1所示，所述印刷線圈3設(shè)置有四個，且所述印刷線圈3互相對稱，對稱分布的印刷線圈3可有效的減少天線層1之間的互耦、可有效的減少印刷線圈3之間電磁波的極化失配損失，增加rfid智能標(biāo)簽的可靠性與讀取距離。

如圖2所示，所述印刷線圈3設(shè)置有兩個，且所述印刷線圈3互相對稱。對稱分布的印刷線圈3可有效的減少天線層1之間的互耦、可有效的減少印刷線圈3之間電磁波的極化失配損失，增加rfid智能標(biāo)簽的可靠性與讀取距離。

一種rfid智能標(biāo)簽的制備方法，包括有以下步驟：

a.制備磁場電子陷阱，將pet膜利用合金載流條用真空磁控濺射技術(shù)制造出可與出磁控濺射陰極表面配合使用的磁場電子陷阱；

b.制備鐵氧體銀漿（質(zhì)量份組成）：超細(xì)銀粉60份，片狀銀粉28份，無機(jī)添加劑5份，有機(jī)載體40份，將上述成分全部混合，進(jìn)行高速攪拌分散，經(jīng)過研磨機(jī)使得細(xì)度小于10微米，再經(jīng)過150目篩網(wǎng)制得鐵氧體銀漿備用；

c.將b步驟制得的鐵氧體銀漿經(jīng)過干燥、燒結(jié)，干燥的條件為：200℃，時間為20分鐘，燒結(jié)的條件為：700℃，時間為30分鐘；

d.將步驟c制得的鐵氧體銀漿通過電磁場的作用印刷于步驟a制得的pet膜上，印刷的鐵氧體銀漿為天線層；

e.將步驟d制得的天線層表面鍍銅，且進(jìn)行抗氧化處理，在鍍銅的天線層進(jìn)行抗氧化處理形成抗氧化層；

f.將步驟e制得的天線層通過催化油墨進(jìn)行表面處理使天線層與外界空氣進(jìn)行隔離。

所述無機(jī)添加劑為過渡金屬氧化物的一種或兩種以上的混合物，所述有機(jī)載體為纖維素樹脂、磷酸三丁酯、乙酸乙烯酯中的一種或者兩種以上的混合物，印刷時，所述電磁場與所述pet膜正交。

一種rfid智能標(biāo)簽的制備方法，印刷時通過電磁場將鐵氧體銀漿印刷于帶有磁場電子陷阱的pet膜上形成天線層，使得印刷時的銀層更加致密，可有效的防止裂痕的產(chǎn)生，以保障在后續(xù)的電鍍時，減少天線層的脫落，有效的減少不良品的產(chǎn)生，并且電鍍銅層之后，可防止氧化、潮濕，使得通過本工藝生產(chǎn)的rfid智能標(biāo)簽可滿足溫差大的長途運(yùn)輸，還在銅層上繼續(xù)設(shè)置有抗氧化層、催化油墨層，使得rfid智能標(biāo)簽性能穩(wěn)定，在裝配時不易刮花，在高低溫時均可讀取信息，且本制備方法工藝簡單、有效的降低了成本。

實(shí)施例2：

一種rfid智能標(biāo)簽的制備方法，包括有以下步驟：

a.制備磁場電子陷阱，將pet膜利用合金載流條用真空磁控濺射技術(shù)制造出可與出磁控濺射陰極表面配合使用的磁場電子陷阱；

b.制備鐵氧體銀漿：超細(xì)銀粉50份，片狀銀粉20份，無機(jī)添加劑1-5份，有機(jī)載體30份，將上述成分全部混合，進(jìn)行高速攪拌分散，經(jīng)過研磨機(jī)使得細(xì)度小于8微米，再經(jīng)過150目篩網(wǎng)制得鐵氧體銀漿備用；

c.將b步驟制得的鐵氧體銀漿經(jīng)過干燥、燒結(jié)，干燥的條件為：120℃，時間為20分鐘，燒結(jié)的條件為：660℃，時間為30分鐘；

d.將步驟c制得的鐵氧體銀漿通過電磁場的作用印刷于步驟a制得的pet膜上，印刷的鐵氧體銀漿為天線層；

e.將步驟d制得的天線層表面鍍銅，且進(jìn)行抗氧化處理，在鍍銅的天線層進(jìn)行抗氧化處理形成抗氧化層；

f.將步驟e制得的天線層通過催化油墨進(jìn)行表面處理使天線層與外界空氣進(jìn)行隔離。

本實(shí)施例中，所述無機(jī)添加劑為過渡金屬氧化物具體為氧化鈦或者氧化銅的一種或者兩種的混合物，所述有機(jī)載體為纖維素樹脂，印刷時，所述電磁場與所述pet膜正交。

以上所述，僅是本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明以較佳實(shí)施例公開如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許變更或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)是指對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。