本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路、觸摸屏及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前的指紋識(shí)別器件主要有電容式、超聲波式，但它們共同的缺陷是傳感器感應(yīng)距離比較短，嚴(yán)重限制了指紋識(shí)別器件的結(jié)構(gòu)和性能，影響了它們?cè)谝苿?dòng)終端產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。

而光學(xué)式指紋識(shí)別器件具有長(zhǎng)距離可感應(yīng)的優(yōu)勢(shì)，但由于光學(xué)式的傳感器對(duì)高分辨率的要求，傳感器只能做的比較小，由于光信號(hào)量通常與傳感器的面積成正比，那么檢測(cè)到的光信號(hào)量就會(huì)變得比較微弱。因此，通常采用主動(dòng)式檢測(cè)電路來(lái)進(jìn)行指紋識(shí)別檢測(cè)。

現(xiàn)有的主動(dòng)式指紋識(shí)別檢測(cè)電路，如圖1所示，包括第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2、電壓跟隨晶體管m0和光敏二極管d0；由于使用主動(dòng)式指紋識(shí)別檢測(cè)電路檢測(cè)指紋的光信號(hào)時(shí)，首先需要電壓跟隨晶體管m0的跟隨效果要理想，其次第二開關(guān)晶體管m2的跨壓要小，才能使得指紋識(shí)別檢測(cè)電路的輸出較為理想，就需要上述晶體管具有較大的遷移率，因此現(xiàn)有的主動(dòng)式指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0均為低溫多晶硅晶體管。當(dāng)光照射光敏二極管d0時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)a的電位會(huì)由于光電流的積累逐漸降低。但是當(dāng)在非常弱的光照情況下時(shí)，產(chǎn)生的光電流也較弱，由于第一開關(guān)晶體管m1為低溫多晶硅晶體管，第一節(jié)點(diǎn)a的電位會(huì)通過(guò)第一開關(guān)晶體管m1在不斷漏電，造成第一節(jié)點(diǎn)a的信號(hào)無(wú)法累積，從而造成檢測(cè)電路不能進(jìn)行指紋識(shí)別。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路、觸摸屏及顯示裝置，即使在光強(qiáng)非常弱的情況下，也能檢測(cè)到光電流，從而可以提高指紋識(shí)別的檢測(cè)精度。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路，包括：光敏二極管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管；其中，

所述第一開關(guān)晶體管，其柵極與復(fù)位控制端相連，第一極與第一參考電壓端相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；

所述第二開關(guān)晶體管，其柵極與所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端相連，第一極與所述電壓跟隨晶體管的第二極相連，第二極與所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連；

所述電壓跟隨晶體管，其柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，第一極與第二參考電壓端相連；

所述光敏二極管，其陽(yáng)極與第三參考電壓端相連，陰極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連；

所述第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，所述第二開關(guān)晶體管和所述電壓跟隨晶體管均為低溫多晶硅晶體管。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第二開關(guān)晶體管和所述電壓跟隨晶體管具有相同功能的膜層同層設(shè)置。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第二開關(guān)晶體管的第一極與所述電壓跟隨晶體管的第二極由同一電極形成。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二開關(guān)晶體管的柵極同層設(shè)置；和/或

所述第一開關(guān)晶體管的第一極與所述第二開關(guān)晶體管的第一極同層設(shè)置。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第一開關(guān)晶體管位于所述第二開關(guān)晶體管的上方或下方。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，還包括：第三開關(guān)晶體管；其中，

所述第三開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管；

所述第三開關(guān)晶體管，其柵極與補(bǔ)償信號(hào)端相連，第一極與所述第一開關(guān)晶體管的第二極相連，第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，且所述第三開關(guān)晶體管的第一極與第二極相連；

所述復(fù)位控制端的電位與所述補(bǔ)償信號(hào)端的電位相反。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第一開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比與所述第三開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比之間的比值為2:1。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，還包括位于所述復(fù)位控制端與所述補(bǔ)償信號(hào)端之間的反相器。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第一開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管具有相同功能的膜層同層設(shè)置。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所述第一參考電壓端與所述第二參考電壓端為同一電壓端。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸摸屏，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路，以及與各行所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的復(fù)位控制端相連的第一掃描線，與各行所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端相連的第二掃描線，與各列所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連的讀取線。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，還包括：電流源和信號(hào)處理電路；其中，

所述電流源的第一端通過(guò)所述讀取線與所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連以及與所述信號(hào)處理電路相連，所述電流源的第二端與第四參考電壓端相連；

所述信號(hào)處理電路用于根據(jù)所述指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)進(jìn)行指紋識(shí)別。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種觸摸屏。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路、觸摸屏及顯示裝置，該指紋識(shí)別檢測(cè)電路包括：光敏二極管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管；其中，第一開關(guān)晶體管，其柵極與復(fù)位控制端相連，第一極與第一參考電壓端相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第二開關(guān)晶體管，其柵極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端相連，第一極與電壓跟隨晶體管的第二極相連，第二極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連；電壓跟隨晶體管，其柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，第一極與第二參考電壓端相連；光敏二極管，其陽(yáng)極與第三參考電壓端相連，陰極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管均為低溫多晶硅晶體管。本發(fā)明通過(guò)采用第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，這樣第一開關(guān)晶體管的漏電流較小，即使在光強(qiáng)非常弱的情況下，也能檢測(cè)到光電流，從而提高指紋識(shí)別檢測(cè)電路的檢測(cè)精度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3a為圖1的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的第一節(jié)點(diǎn)a的電位的信號(hào)仿真圖；

圖3b為圖2的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的第一節(jié)點(diǎn)a的電位的信號(hào)仿真圖；

圖3c為圖1和圖2的第一節(jié)點(diǎn)a的電位在復(fù)位以后隨時(shí)間的變化的仿真圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之四；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之五；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之六；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之七；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖之八；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路、觸摸屏及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映指紋識(shí)別檢測(cè)電路的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路，如圖2所示，包括：光敏二極管d0、第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0；其中，

第一開關(guān)晶體管m1，其柵極與復(fù)位控制端reset相連，第一極與第一參考電壓端vref1相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)a相連；

第二開關(guān)晶體管m2，其柵極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端scan相連，第一極與電壓跟隨晶體管m0的第二極相連，第二極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端output相連；

電壓跟隨晶體管m0，其柵極與第一節(jié)點(diǎn)a相連，第一極與第二參考電壓端vref2相連；

光敏二極管d0，其陽(yáng)極與第三參考電壓端vref3相連，陰極與第一節(jié)點(diǎn)a相連；

第一開關(guān)晶體管m1為金屬氧化物晶體管，第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0均為低溫多晶硅晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路包括：光敏二極管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管；其中，第一開關(guān)晶體管，其柵極與復(fù)位控制端相連，第一極與第一參考電壓端相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第二開關(guān)晶體管，其柵極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端相連，第一極與電壓跟隨晶體管的第二極相連，第二極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連；電壓跟隨晶體管，其柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，第一極與第二參考電壓端相連；光敏二極管，其陽(yáng)極與第三參考電壓端相連，陰極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管均為低溫多晶硅晶體管。本發(fā)明通過(guò)采用第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，這樣第一開關(guān)晶體管的漏電流較小，即使在光強(qiáng)非常弱的情況下，也能檢測(cè)到光電流，從而提高指紋識(shí)別檢測(cè)電路的檢測(cè)精度。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管的有源層的材料均為低溫多晶硅材料，第一開關(guān)晶體管的有源層的材料為金屬氧化物材料。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路既可以檢測(cè)指紋識(shí)別，也可以檢測(cè)掌紋識(shí)別，在此不作限定。

通過(guò)仿真模擬，將本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路與圖1的現(xiàn)有的指紋識(shí)別檢測(cè)電路進(jìn)行比較，第一節(jié)點(diǎn)a的電位在復(fù)位以后隨時(shí)間的變化的仿真結(jié)果如圖3c所示。在產(chǎn)生光電流為0.1pa的弱光條件下：圖1的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的第一節(jié)點(diǎn)a的電位隨時(shí)間的變化的仿真結(jié)果如圖3a所示；本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的第一節(jié)點(diǎn)a的電位隨時(shí)間的變化的仿真結(jié)果如圖3b所示。由仿真圖可以得出，現(xiàn)有的指紋識(shí)別檢測(cè)電路，由于第一開關(guān)晶體管m1為低溫多晶硅晶體管，有較大的漏電流，因此在光電流非常弱的情況下，隨著時(shí)間的增加，第一節(jié)點(diǎn)a的電位有逐漸上升的趨勢(shì)，這是由于第一節(jié)點(diǎn)a的電位通過(guò)第一開關(guān)晶體管m1在不斷的漏電，漏電量大于光電流的產(chǎn)生，因此在弱光條件下，現(xiàn)有的指紋識(shí)別檢測(cè)電路的第一節(jié)點(diǎn)a的電位主要由第一開關(guān)晶體管m1的漏電流決定，無(wú)法進(jìn)行指紋識(shí)別。而本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路，由于第一開關(guān)晶體管m1為金屬氧化物晶體管，漏電流比較小，因此隨著時(shí)間的增加，第一節(jié)點(diǎn)a的電位逐漸降低，即第一節(jié)點(diǎn)a的電位主要由光電流決定，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路即使在光強(qiáng)非常弱的情況下，也能檢測(cè)到光電流，從而可以進(jìn)行指紋識(shí)別。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，低溫多晶硅晶體管均為頂柵型結(jié)構(gòu)，即第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管均為頂柵型結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，金屬氧化物晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)或底柵型結(jié)構(gòu)，即第一開關(guān)晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)或底柵型結(jié)構(gòu)，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第一極為漏電極，第二極為源電極；或者第一極為源電極，第二極為漏電極，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖4所示，第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0具有相同功能的膜層同層設(shè)置，例如晶體管一般包括柵電極層、有源層、源漏電極層等，因此可以將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的柵電極層同層設(shè)置，將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的有源層同層設(shè)置，以及將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源漏電極層同層設(shè)置等，這樣可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管具有相同功能的膜層的圖形，可以簡(jiǎn)化制備工藝流程，節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

具體實(shí)施時(shí)，為了減少制作指紋識(shí)別檢測(cè)電路的空間面積，如圖4所示，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第二開關(guān)晶體管m2的第一極與電壓跟隨晶體管m0的第二極由同一電極形成，即一個(gè)電極既連接第二開關(guān)晶體管m2的有源層，又連接電壓跟隨晶體管m0的有源層。

具體實(shí)施時(shí)，為了減少制作工藝和降低制作成本，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖4所示，第一開關(guān)晶體管m1的柵極與第二開關(guān)晶體管m2的柵極同層設(shè)置。

具體實(shí)施時(shí)，為了減少制作工藝和降低制作成本，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖4所示，第一開關(guān)晶體管m1的第一極與第二開關(guān)晶體管m2的第一極同層設(shè)置。

較佳地，具體實(shí)施時(shí)，為了減少制作工藝和降低制作成本，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖4所示，第一開關(guān)晶體管m1的柵極與第二開關(guān)晶體管m2的柵極同層設(shè)置，第一開關(guān)晶體管m1的第一極與第二開關(guān)晶體管m2的第一極同層設(shè)置。

具體實(shí)施時(shí)，圖4以第一開關(guān)晶體管m1為底柵型結(jié)構(gòu)為例，該指紋識(shí)別檢測(cè)電路的工藝制作流程如下：

(1)在基板1上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的有源層2的圖形；

(2)在有源層2的上方形成柵絕緣層3的圖形；

(3)在柵絕緣層3的上方通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的柵電極層4的圖形；

(4)在柵電極層4的上方形成層間介質(zhì)層5的圖形；

(5)在層間介質(zhì)層5的上方形成第一開關(guān)晶體管m1的有源層2的圖形；

(6)在層間介質(zhì)層5的上方通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源電極層6的圖形以及第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的漏電極層7的圖形；

(7)在第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源電極層6和漏電極層7的上方形成平坦絕緣層8的圖形。

通過(guò)上述方法制得的第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0是一個(gè)水平放置的結(jié)構(gòu)。該方法雖然可以減少制作工藝和降低制作成本，但是上述三個(gè)晶體管水平放置的結(jié)構(gòu)會(huì)大大增加指紋識(shí)別檢測(cè)電路的空間面積，不利于形成高像素的觸摸屏。

較佳地，具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖5所示，第一開關(guān)晶體管m1位于第二開關(guān)晶體管m2的上方或下方，這樣可以減小指紋識(shí)別檢測(cè)電路的制作空間。

圖5以第一開關(guān)晶體管m1為底柵型結(jié)構(gòu)為例，并且以第一開關(guān)晶體管m1位于第二開關(guān)晶體管m2的上方為例，該指紋識(shí)別檢測(cè)電路的工藝制作流程如下：

(1)在基板1上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的有源層2的圖形；

(2)在有源層2的上方形成柵絕緣層3的圖形；

(3)在柵絕緣層3的上方通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的柵電極層4的圖形；

(4)在柵電極層4的上方形成層間介質(zhì)層5的圖形；

(5)在層間介質(zhì)層5的上方通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源電極層6的圖形以及第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的漏電極層7的圖形；

(6)在第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源電極層6和漏電極層7的上方形成平坦絕緣層8的圖形；

(7)在平坦絕緣層8的上方形成第一開關(guān)晶體管m1的柵電極層4的圖形；

(8)在柵電極層4的上方形成第一開關(guān)晶體管m1的柵絕緣層3的圖形；

(9)在柵絕緣層3的上方形成第一開關(guān)晶體管m1的有源層2的圖形；

(10)在有源層2的上方通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成第一開關(guān)晶體管m1的源電極層6和漏電極層7的圖形；

(11)在第一開關(guān)晶體管m1的源電極層6和漏電極層7的上方形成平坦絕緣層8的圖形。

通過(guò)上述方法制得的第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0是一垂直結(jié)構(gòu)，這樣可以減少電路制作的空間面積。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第一開關(guān)晶體管m1也可以為頂柵型結(jié)構(gòu)，如圖6所示，具體的頂柵型結(jié)構(gòu)的工藝制作流程與現(xiàn)有的相同，在此不做詳述。

具體實(shí)施時(shí)，采用金屬氧化物晶體管作為第一開關(guān)晶體管可以避免漏電造成第一節(jié)點(diǎn)a的電位無(wú)法積累而不能進(jìn)行指紋識(shí)別的檢測(cè)，但是由于金屬氧化物晶體管的柵極接的是時(shí)鐘信號(hào)，且需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓才能開啟，這樣會(huì)給指紋識(shí)別檢測(cè)電路帶來(lái)較大的噪聲，即在第一節(jié)點(diǎn)a處產(chǎn)生噪聲，影響指紋識(shí)別檢測(cè)電路的檢測(cè)精度。因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖7所示，還包括：第三開關(guān)晶體管m3；其中，

第三開關(guān)晶體管m3為金屬氧化物晶體管，可以避免從第三開關(guān)晶體管m3漏電而影響指紋的識(shí)別；

第三開關(guān)晶體管m3，其柵極與補(bǔ)償信號(hào)端cs相連，第一極與第一開關(guān)晶體管m1的第二極相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)a相連，且第三開關(guān)晶體管m3的第一極與第二極相連；

復(fù)位控制端reset的電位與補(bǔ)償信號(hào)端cs的電位相反，這樣通過(guò)合理設(shè)置第一開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比與第三開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比之間的比值，就可以將由第一開關(guān)晶體管m1產(chǎn)生的噪聲消除。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，第一開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比與第三開關(guān)晶體管的寬長(zhǎng)比之間的比值為2:1。

對(duì)于第一開關(guān)晶體管m1，當(dāng)其復(fù)位控制端reset的時(shí)鐘下降沿到來(lái)時(shí)，此時(shí)第一開關(guān)晶體管m1會(huì)產(chǎn)生由于時(shí)鐘饋通(clockfeedthrough)引起的δvc1的噪聲和由于電荷注入(chargeinjection)引起的δvg1的噪聲，即此時(shí)產(chǎn)生的噪聲位δvc1+δvg1；而對(duì)于第三開關(guān)晶體管m3，由于其補(bǔ)償信號(hào)端cs的電位與第一開關(guān)晶體管m1的復(fù)位控制端reset的電位相反，因此此時(shí)第三開關(guān)晶體管m3的補(bǔ)償信號(hào)端cs的時(shí)鐘為上升沿，又由于第三開關(guān)晶體管m3的第一極與第二極相連，因此第三開關(guān)晶體管m3產(chǎn)生的噪聲為其自身產(chǎn)生的噪聲疊加第一開關(guān)晶體管m1產(chǎn)生的噪聲，即為-2δvc2-2δvg2，由于第一開關(guān)晶體管m1的寬長(zhǎng)比與第三開關(guān)晶體管m3的寬長(zhǎng)比之間的比值為2:1，因此δvc1＝2δvc2，δvg1＝2δvg2，則在第一節(jié)點(diǎn)a處的總噪聲就為δvc1+δvg1+(-2δvc2-2δvg2)＝0，即可以將第一開關(guān)晶體管m1和第三開關(guān)晶體管m3產(chǎn)生的噪聲抵消，從而可以提高在弱光電流下指紋識(shí)別的檢測(cè)精度。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖8所示，還包括位于復(fù)位控制端reset與補(bǔ)償信號(hào)端cs之間的反相器001。這樣只需在第一開關(guān)晶體管m1的柵極接一個(gè)復(fù)位控制端reset，復(fù)位控制端reset的時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)過(guò)反相器001后變?yōu)殡娢幌喾吹臅r(shí)鐘信號(hào)輸入到第三開關(guān)晶體管m3的柵極，因此不需要額外增加一個(gè)與復(fù)位控制端reset輸入的信號(hào)相反的補(bǔ)償信號(hào)，可以降低成本。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖9所示，第一開關(guān)晶體管m1和第三開關(guān)晶體管m3具有相同功能的膜層同層設(shè)置，例如晶體管一般包括柵電極層、有源層、源漏電極層等，因此可以將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的柵電極層同層設(shè)置，將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的有源層同層設(shè)置，以及將第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0的源漏電極層同層設(shè)置等，具體制作過(guò)程與現(xiàn)有的相同，在此不作詳述。這樣可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一開關(guān)晶體管m1和第三開關(guān)晶體管m3具有相同功能的膜層的圖形，可以簡(jiǎn)化制備工藝流程，節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率；并且本發(fā)明使用的是堆疊的方式制備第一開關(guān)晶體管m1、第二開關(guān)晶體管m2和電壓跟隨晶體管m0，因此增加的第三開關(guān)晶體管m3和第一開關(guān)晶體管m1制備在同層不會(huì)增加電路制作的空間面積。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，如圖10所示，第一參考電壓端vref1與第二參考電壓端vref2為同一電壓端，這樣可以減少一個(gè)參考電壓端的設(shè)置，從而降低成本。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別檢測(cè)電路中，所有晶體管均為n型晶體管或均為p型晶體管，在此不作限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸摸屏，如圖11所示，包括本發(fā)明實(shí)施例提供上述任一種指紋識(shí)別檢測(cè)電路002，以及與各行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的復(fù)位控制端相連的第一掃描線scan1，與各行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的掃描信號(hào)端相連的第二掃描線scan2，與各列指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連的讀取線readout。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，如圖11所示，與各行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002對(duì)應(yīng)連接的第一掃描線scan1和第二掃描線scan2分別位于該行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的兩側(cè)。其中，第一掃描線scan1位于指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的上方，第二掃描線scan2位于指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的下方；或者，第一掃描線scan1位于指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的下方，第二掃描線scan2位于指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的上方，在此不作限定。

進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€scan1位于第n行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的上方，第二掃描線scan2位于第n-1行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的下方時(shí)，第n行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002對(duì)應(yīng)的第一掃描線scan1和第n-1行指紋識(shí)別檢測(cè)電路002對(duì)應(yīng)的第二掃描線scan2可以為同一掃描線。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，一般沿行方向還包括柵線以及沿列方向還包括數(shù)據(jù)線data，第一掃描線scan1和第二掃描線scan2與柵線的延伸方向相同，讀取線readout與數(shù)據(jù)線data的延伸方向相同。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，第一掃描線與柵線同層設(shè)置，第二掃描線與柵線同層設(shè)置，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，讀取線與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，柵線可以復(fù)用為第一掃描線，以及柵線也可以復(fù)用為第二掃描線，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，如圖11所示，還包括：電流源iin和信號(hào)處理電路003；其中，

電流源iin的第一端通過(guò)讀取線readout與指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的信號(hào)輸出端相連以及與信號(hào)處理電路003相連，電流源iin的第二端與第四參考電壓端vref4相連；

信號(hào)處理電路003用于根據(jù)指紋識(shí)別檢測(cè)電路002的信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)進(jìn)行指紋識(shí)別。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，每一條讀取線可以均與一個(gè)信號(hào)處理電路對(duì)應(yīng)，也可以多條讀取線與一個(gè)信號(hào)處理電路對(duì)應(yīng)，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，還包括黑矩陣層，本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路中除了光敏二極管外，第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、電壓跟隨晶體管和第三開關(guān)晶體管均設(shè)置在黑矩陣層的下方。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供上述任一種觸摸屏。該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述觸摸屏的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別檢測(cè)電路、觸摸屏及顯示裝置，該指紋識(shí)別檢測(cè)電路包括：光敏二極管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管；其中，第一開關(guān)晶體管，其柵極與復(fù)位控制端相連，第一極與第一參考電壓端相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第二開關(guān)晶體管，其柵極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的掃描信號(hào)端相連，第一極與電壓跟隨晶體管的第二極相連，第二極與指紋識(shí)別檢測(cè)電路的信號(hào)輸出端相連；電壓跟隨晶體管，其柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，第一極與第二參考電壓端相連；光敏二極管，其陽(yáng)極與第三參考電壓端相連，陰極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，第二開關(guān)晶體管和電壓跟隨晶體管均為低溫多晶硅晶體管。本發(fā)明通過(guò)采用第一開關(guān)晶體管為金屬氧化物晶體管，這樣第一開關(guān)晶體管的漏電流較小，即使在光強(qiáng)非常弱的情況下，也能檢測(cè)到光電流，從而提高指紋識(shí)別檢測(cè)電路的檢測(cè)精度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。