本發(fā)明涉及電子防偽技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于聚合物凸點(diǎn)芯片的物理防拆的RFID電子標(biāo)簽。

背景技術(shù)：

射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification，RFID)電子標(biāo)簽按頻段一般分為低頻，高頻，超高頻三種，目前普遍用于商業(yè)領(lǐng)域的是高頻和超高頻。由于具有讀寫距離遠(yuǎn)，存儲(chǔ)量大，被廣泛用于物流跟蹤，產(chǎn)品銷售跟蹤上。為了避免物品上的標(biāo)簽被拆下用貼在其他的物品上，對(duì)電子標(biāo)簽的防拆，防轉(zhuǎn)移提出了更高的要求。比如國(guó)內(nèi)的假煙假酒很多，在煙酒等產(chǎn)品上貼RFID電子標(biāo)簽用來做防偽，就要求RFID標(biāo)簽不能被拆下來用在假煙假酒上。

現(xiàn)有技術(shù)中防偽技術(shù)主要有芯片算法加密，天線材料物理防揭，從實(shí)際應(yīng)用上，芯片與天線間采用各向異性導(dǎo)電膠連接，物理防揭雖然對(duì)標(biāo)簽天線有一定的損壞，但是采用特殊的溶劑或酸可以破壞芯片與天線間的連接，將芯片取下后，重新加工一層標(biāo)簽天線，將芯片封裝在天線材料上重新封裝也是可行的，由此不能避免由于芯片被拆下，重新封裝導(dǎo)致標(biāo)簽被仿制并被再次使用的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種基于聚合物凸點(diǎn)芯片的物理防拆的RFID電子標(biāo)簽，用于解決芯片從標(biāo)簽天線拆下后不能被再次封裝使用的問題。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

一種基于聚合物凸點(diǎn)芯片的物理防拆的RFID電子標(biāo)簽，包括Polymer凸點(diǎn)芯片，標(biāo)簽天線，以及各向異性導(dǎo)電膠，Polymer凸點(diǎn)芯片包括芯片，覆蓋在芯片上的Polymer層，以及承載在Polymer上的銅凸點(diǎn)，標(biāo)簽天線包括形成天線導(dǎo)電回路的天線導(dǎo)電層和天線基材。

優(yōu)選的，所述Polymer凸點(diǎn)芯片和所述標(biāo)簽天線之間通過所述各向異性導(dǎo)電膠經(jīng)過一定的壓力和溫度固化后形成電氣連接。

優(yōu)選的，包括一種效果，采用化學(xué)的方法溶解導(dǎo)電膠拆除這種連接時(shí)，會(huì)破壞芯片的Polymer層以及芯片的銅凸點(diǎn)，從而使芯片不能再次被封裝。

優(yōu)選的，所述Polymer層具有厚度，覆蓋在除了所述芯片焊盤的芯片表面，以所述芯片焊盤為電極在Polymer層上形成銅凸點(diǎn)。

優(yōu)選的，所述天線導(dǎo)電層可以是鋁，銅或銀漿等多種導(dǎo)電材料中的任意一種，所述天線基材可以是PET,紙等RFID天線材料中的任意一種。

優(yōu)選的，所述Polymer凸點(diǎn)芯片采用裸die方式，芯片表面的銅凸點(diǎn)，通過所述各向異性導(dǎo)電膠連接在所述天線導(dǎo)電層上。

優(yōu)選的，所述天線導(dǎo)電層焊盤位置，通過點(diǎn)膠或噴膠的方式，涂布各向異性導(dǎo)電膠，然后將Polymer凸點(diǎn)芯片倒裝在天線導(dǎo)電層焊盤位置，經(jīng)過一定的溫度及壓力，各向異性導(dǎo)電膠中的導(dǎo)電顆粒將銅凸點(diǎn)與天線導(dǎo)電層連接在一起。

優(yōu)選的，所述標(biāo)簽天線厚度為9.5-13.5um，所述天線基材可以是易碎PET膜或易碎紙，所述天線導(dǎo)電層可以是蝕刻鋁箔或印刷銀漿層，所述Polymer凸點(diǎn)芯片厚度為150um，Polymer層厚度為5-7um，銅厚為2um。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明的電子標(biāo)簽拆除時(shí)采用溶劑或酸溶解破壞導(dǎo)電膠的連接，由于Polymer和導(dǎo)電膠相同的特性，導(dǎo)致Polymer也被破壞，同時(shí)由于銅焊盤極易被氧化腐蝕，芯片的焊盤被破壞，芯片即使被取下來，也不能被再次封裝利用，標(biāo)簽也就不能被仿制和再次使用，具有很強(qiáng)的創(chuàng)造性。

附圖說明

圖1是Polymer凸點(diǎn)芯片加標(biāo)簽天線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是Polymer凸點(diǎn)芯片結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明是一款基于1Polymer凸點(diǎn)芯片，2標(biāo)簽天線，以及6各向異性導(dǎo)電膠組合實(shí)現(xiàn)防拆的電子標(biāo)簽，結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括1Polymer凸點(diǎn)芯片，2標(biāo)簽天線，以及連接芯片和天線的6各向異性導(dǎo)電膠。

其中1Polymer凸點(diǎn)芯片的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

1Polymer凸點(diǎn)芯片，采用硅片級(jí)厚銅工藝，整張硅片表面涂Polymer，采用曝光方式露出10芯片焊盤，以芯片焊盤為電極在Polymer表面的需要位置電鍍一層銅凸點(diǎn)做為倒封裝凸點(diǎn)，然后將硅片切割成單個(gè)的芯片用于封裝，切割過程中控制銅凸點(diǎn)的氧化。

2標(biāo)簽天線包括形成天線導(dǎo)電回路的8天線導(dǎo)電層和9天線基材，如圖1所示。天線的導(dǎo)電層可以是鋁，銅或銀漿等導(dǎo)電材料，天線基材可以是PET，紙等RFID天線材料。

8天線導(dǎo)電層焊盤位置，通過點(diǎn)膠或噴膠的方式，涂布6各向異性導(dǎo)電膠，然后將1Polymer凸點(diǎn)芯片倒裝在8天線導(dǎo)電層焊盤位置，經(jīng)過一定的溫度及壓力，6各向異性導(dǎo)電膠中的7導(dǎo)電顆粒將5銅凸點(diǎn)與8天線導(dǎo)電層連接在一起。

溫度大約在170-180C，壓力0.8N,選用不同的9天線基材及6各向異性導(dǎo)電膠，溫度和壓力會(huì)略有不同。

由于6各向異性導(dǎo)電膠固化后，分離芯片及天線需要用特殊的溶劑或酸，分離過程中利用Polymer和導(dǎo)電膠相同的特性，同時(shí)銅焊盤極易被氧化腐蝕，同時(shí)破壞芯片表面的封裝焊盤5銅凸點(diǎn)，保證電子標(biāo)簽上芯片即使被拆下來，也不能再次用于封裝標(biāo)簽，起到防止標(biāo)簽被仿制的目的。

上述2標(biāo)簽天線厚度9.5-13.5um，9天線基材可以是易碎PET膜或易碎紙，8天線導(dǎo)電層可以是蝕刻鋁箔或印刷銀漿層。

(1)Polymer凸點(diǎn)芯片厚度150um，4Polymer層厚度5-7um，銅厚2um。

芯片和天線金屬層通過各向異性導(dǎo)電膠連接。

經(jīng)過正常的標(biāo)簽封裝覆合工序后，標(biāo)簽通過一定強(qiáng)度的背膠粘貼在物品上，選用的背膠強(qiáng)度大于9天線基材的材料強(qiáng)度，這樣9天線基材不能完整地從被貼物上取下來，在采用溶劑或酸的方式分離2標(biāo)簽天線和1Polymer凸點(diǎn)芯片時(shí)，Polymer及銅也同時(shí)被溶解腐蝕，這樣取下的芯片由于失去了倒封裝必須的凸點(diǎn)，也將不能被重新封裝，芯片不能被重復(fù)利用，提高了標(biāo)簽的安全性。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

上述技術(shù)方案僅體現(xiàn)了本發(fā)明技術(shù)方案的優(yōu)選技術(shù)方案，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)其中某些部分所可能做出的一些變動(dòng)均體現(xiàn)了本發(fā)明的原理，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。