本實用新型涉及一種互電容觸摸屏功能片及其制備方法，用于手機(jī)觸摸屏等，屬于觸摸屏研究領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前電容式觸摸屏由于穩(wěn)定的性能特點，迅速取代電阻式觸摸屏成為市場主流觸摸屏結(jié)構(gòu)，常見的普通電容式觸摸屏基本采用ITO+PET+OCA(氧化銦錫+聚對苯二甲酸乙二醇酯+光學(xué)亞克力無基材雙面光學(xué)膠)為原材料制作；

由于PET不耐高溫和紫外線，熱變形溫度為70度，耐濕性差(飽和吸水率為0.6％)；在40℃以上高溫狀態(tài)下易軟化變質(zhì)，會降低整個電容式傳感器的電容感應(yīng)量，因而影響整體觸摸效果，同時由于耐濕性不好，長期在苛刻環(huán)境中使用此種結(jié)構(gòu)電容式觸摸屏，水氣會緩慢進(jìn)入導(dǎo)電層，引起金屬遷移等問題，降低導(dǎo)電層傳感靈敏度。其主要有如下問題，由于PET材質(zhì)所限，電容屏的最佳工作溫度是5℃～35℃，工作濕度30％～90％無凝結(jié)，不滿足工作環(huán)境時就有可能會出現(xiàn)“漂移”現(xiàn)象。電容屏的存儲溫度是-20℃～60℃，在高溫或低溫環(huán)境中存儲、運輸也可能損壞電容屏。最佳使用溫度為5℃～35℃，此種電容屏比較怕高溫，在太陽光下長時間暴曬或長時間置于超過40℃的高溫環(huán)境中，有可能永久損壞電容屏。

同時由于PET表面不耐刮擦，實際生產(chǎn)過程中容易劃傷表面，而作為觸控顯示基底，必須要求外觀良好，因而在制作過程中PET結(jié)構(gòu)電容觸摸屏也存在表面劃傷問題，降低整個電容觸摸屏制程良品率。

因此目前市場主流電容式觸摸屏主要運用在手機(jī)、電腦、平板、手表等主要在室內(nèi)常溫環(huán)境中使用的智能設(shè)備上，無法在室外或其他苛刻環(huán)境中(如汽車?yán)锩?長期使用，這也給電容式觸摸屏的使用帶來一定限制，無法促進(jìn)電容式觸摸屏的廣泛運用。

石墨烯(graphene)是從石墨材料中剝離出來、由碳原子組成的只有一層原子厚度的二維晶體。2004年，英國曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫，成功從石墨中分離出石墨烯，證實它可以單獨存在，兩人也因此共同獲得2010年 諾貝爾物理學(xué)獎。石墨烯既是最薄的材料，也是最強(qiáng)韌的材料，斷裂強(qiáng)度比最好的鋼材還要高200倍。同時它又有很好的彈性，拉伸幅度能達(dá)到自身尺寸的20％。它是目前自然界最薄、強(qiáng)度最高的材料，如果用一塊面積1平方米的石墨烯做成吊床，本身重量不足1毫克便可以承受一只一千克的貓。石墨烯目前最有潛力的應(yīng)用是成為硅的替代品，制造超微型晶體管，用來生產(chǎn)未來的超級計算機(jī)。用石墨烯取代硅，計算機(jī)處理器的運行速度將會快數(shù)百倍。另一方面，它非常致密，即使是最小的氣體原子(氦原子)也無法穿透。這些特征使得它成為很多科學(xué)家將其作為透明電子產(chǎn)品的原料的構(gòu)想，如透明的觸摸顯示屏、發(fā)光板和太陽能電池板。但是具體實現(xiàn)其應(yīng)用，仍需要進(jìn)行突破性的努力。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種可于苛刻環(huán)境中存儲和使用的耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，進(jìn)一步的，本實用新型耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片較現(xiàn)有的ITO觸控屏功能片柔性強(qiáng)，即可以有于平面的觸控屏，也可以用于曲面的觸控屏；

本實用新型的另一目的是提供上述耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片的制備方法，該方法制作工藝簡單，成本低。

本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來具體實現(xiàn)：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，包括：

第一COP薄膜，所述第一COP薄膜包括第一表面和第二表面；

設(shè)置于所述第一表面的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線用于連接所述第一導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層；

其中，所述第一導(dǎo)電膜采用一層或多層圖案化的石墨烯膜。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電膜采用由CVD法制備的單層石墨烯薄膜或不超過5層的石墨烯薄膜的疊合膜，優(yōu)選單層石墨烯薄膜。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)線采用金屬導(dǎo)電材料，如銀漿、銅線、鉬鋁鉬線等，優(yōu)選銀漿。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。

優(yōu)選地，所述第一COP薄膜厚度為1μm-1000μm，例如：1μm、50μm、100μm、160μm、200μm、230μm、300μm、350μm、400μm、440μm、500μm、550μm、600μm、620μm、700μm、760μm、800μm、850μm、900μm、950μm、1000μm，等；優(yōu)選為25μm-100μm，例如：25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、100μm，等。

優(yōu)選地，所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一光學(xué)膠的厚度為1μm-1000μm，例如：1μm、50μm、100μm、160μm、200μm、230μm、300μm、350μm、400μm、440μm、500μm、550μm、600μm、620μm、700μm、760μm、800μm、850μm、900μm、950μm、1000μm，等；優(yōu)選為10μm-150μm，例如：10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm，等。

本實用新型還提供了另一種結(jié)構(gòu)的耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，在上述耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片的基礎(chǔ)上，還包括：

第二COP薄膜；

設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；

所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合；

其中，所述第二導(dǎo)電膜采用一層或多層圖案化的石墨烯膜。

優(yōu)選地，述第二導(dǎo)電膜采用由CVD法制備的單層石墨烯薄膜或不超過5層的石墨烯薄膜的疊合膜，均優(yōu)選單層石墨烯薄膜。

優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)線采用金屬導(dǎo)電材料，如銀漿、銅線、鉬鋁鉬線等，優(yōu)選銀漿。

優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。

優(yōu)選地，所述第二COP薄膜厚度為1μm-1000μm，例如：1μm、50μm、100μm、160μm、200μm、230μm、300μm、350μm、400μm、440μm、500μm、550μm、600μm、620μm、700μm、760μm、800μm、850μm、900μm、950μm、1000μm，等；優(yōu)選為25μm-100μm，例如：25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、100μm，等。

優(yōu)選地，所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述UV固化型光學(xué)膠光線透過率為91％以上，霧度為1.0％以下，強(qiáng)度為1.0MPa以上。此時，與COP膜質(zhì)地上更為匹配。

優(yōu)選地，第一COP薄膜與第二COP薄膜的厚度比為1:1；

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第二光學(xué)膠的厚度為1μm-1000μm，例如：1μm、50μm、100μm、160μm、200μm、230μm、300μm、350μm、400μm、440μm、500μm、550μm、600μm、620μm、700μm、760μm、800μm、850μm、900μm、950μm、1000μm，等；優(yōu)選為10μm-150μm例如：10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm，等。

所述轉(zhuǎn)移石墨烯至COP材料的方法采用熱釋放膠帶轉(zhuǎn)移法、靜電轉(zhuǎn)移法或膠粘劑法，優(yōu)選采用靜電轉(zhuǎn)移法。

熱釋放膠帶轉(zhuǎn)移法，參見Nature nanotechnology,2010,5(8):574-578.，利用膠膜將CVD法生長的石墨烯由生長襯底上轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底。

靜電轉(zhuǎn)移法，參見中國發(fā)明專利，申請?zhí)枺?01210269206.5、201410238058.X。

膠粘劑法，參見Applied Physics Letters,2013,102(2):023112.。

本發(fā)明優(yōu)選采用靜電轉(zhuǎn)移法轉(zhuǎn)移石墨烯，經(jīng)本發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，采用靜電轉(zhuǎn)移法更適用于本發(fā)明這種COP材質(zhì)、大尺寸、潔凈轉(zhuǎn)移，此方法無任何膠殘留，更滿足光學(xué)級產(chǎn)品的需求，且更有利于后面的圖案化工藝。

COP(環(huán)烯烴聚合物)新型材料改變了以往聚烯烴結(jié)晶而不夠透明的印象，具有結(jié)晶性與非結(jié)晶性聚合物共同的優(yōu)點，如高透明性(透過率91％)、高耐熱性(熱變形溫度可達(dá)170℃)、雙折射率小于20、極佳的光學(xué)特性和電氣特性、吸水性和透水性低(飽和吸水率為0.01％)、生物相容性佳、溶出物少、表面耐刮擦等優(yōu)點，擁有在藥品、食品應(yīng)用、光學(xué)設(shè)備的廣闊空間，含有環(huán)狀烯烴單體的高分子早在數(shù)年前即為人民所認(rèn)識，但當(dāng)時由于合成時不易控制聚合物均勻性和分子量，往往生成的不純物比例過高，產(chǎn)量無法提高，很少有真正的商業(yè)化應(yīng)用產(chǎn)品上市。如今柔軟的線性烯烴與堅硬的環(huán)狀烯烴單體共聚合且可自由調(diào)整其比例，因此同時具有非結(jié)晶和結(jié)晶性聚合物的共同優(yōu)點。

石墨烯作為當(dāng)今世上最薄、最堅硬的納米材料，幾乎完全透明，只吸收2.3％的光，電阻率最小(比銅或銀還低)，能夠?qū)崿F(xiàn)接近90度的全曲面彎折。本實用新型巧妙的將COP(環(huán)烯烴聚合物)與石墨烯結(jié)合應(yīng)用，通過采用COP(環(huán)烯烴聚合物)作為基材，石墨烯作為導(dǎo)電層，UV固化型光學(xué)膠作為貼合光學(xué)膠，制作出極強(qiáng)耐候性電容式觸摸屏。通過利用新型材料COP作為基底用膜材，提高整個觸摸屏的環(huán)境適應(yīng)性，使電容式觸摸屏能夠在極為苛刻的環(huán)境中長時間使用。通過使用石墨烯作為導(dǎo)電感應(yīng)層，提升了電容式觸摸屏的柔性效果?？稍跇O為苛刻的極端環(huán)境中使用，如超低溫(-40℃)或超高溫(85℃)環(huán)境，同時功能穩(wěn)定性相對普通ITO+PET結(jié)構(gòu)觸摸屏更好，同時由于COP材質(zhì)和石墨烯的使用，本實用新型具有良好的柔性，可制作成曲面觸摸屏在苛刻環(huán)境中使用。

附圖說明

圖1為本實用新型提供的第一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片；

圖2為本實用新型提供的第二種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片。

其中，10-第一COP薄膜，11-第一導(dǎo)電膜，12-第一導(dǎo)線，13-第一光學(xué)膠層，20-第二COP薄膜，21-第二導(dǎo)電膜，22-第二導(dǎo)線，23-第二光學(xué)膠層。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

實施例1：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10， 所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜，所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度25μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為10μm。

實施例2：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜采用2層石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用鉬鋁鉬線。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為100μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為50μm。

實施例3：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜采用5層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用銅線、鉬鋁鉬線等。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為1μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠厚度為150μm。

實施例4：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為1000μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為1μm。

實施例5：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜采用3層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用銅線。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為50μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為1000μm。

實施例6：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖1所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所 述第一COP薄膜厚度為500μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為300μm。

實施例7：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為700μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為200μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第二導(dǎo)線采用銀漿。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為25μmμm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為150μm。

實施例8：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用3層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用銅線。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為50μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為1000μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用2層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第二導(dǎo)線采用鉬鋁鉬。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為100μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為10μm。

實施例9：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為1000μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為1μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用5層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第二導(dǎo)線采用銅線。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為1μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為1000μm。

實施例10：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第 一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用5層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用銅線、鉬鋁鉬線等。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為1μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠厚度為150μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用4層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第二導(dǎo)線采用銀漿。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為50μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為100μm。

實施例11：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用2層石墨烯薄膜的疊合膜。所述第一導(dǎo)線采用鉬鋁鉬線。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為100μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚 度為50μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第二導(dǎo)線采用鉬鋁鉬線。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為300μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為600μm。

實施例12：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜，所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度25μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為10μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第二導(dǎo)線采用銅線。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為80μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為200μm。

實施例13：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊 緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為100μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為800μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用2層的石墨烯薄膜的疊合膜。所述第二導(dǎo)線采用金屬導(dǎo)電材料，如銀漿、銅線、鉬鋁鉬線等，優(yōu)選銀漿。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為800μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為120μm。

實施例14：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10，所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為100μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為20μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第二導(dǎo)線采用銀漿。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為50μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為500μm。

實施例15：

一種耐候性石墨烯電容式觸摸屏功能片，參見圖2所示，包括：第一COP薄膜10， 所述第一COP薄膜10包括第一表面101和第二表面102；設(shè)置于所述第一表面101的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層由圖案化的第一導(dǎo)電膜11及設(shè)在所述第一導(dǎo)電膜邊緣的第一導(dǎo)線12構(gòu)成，所述第一導(dǎo)線12用于連接所述第一導(dǎo)電膜11與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層13；第二COP薄膜；設(shè)置于所述第二COP薄膜任一表面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層由圖案化的第二導(dǎo)電膜及設(shè)在所述第二導(dǎo)電膜邊緣的第二導(dǎo)線構(gòu)成，所述第二導(dǎo)線用于連接所述第二導(dǎo)電膜與電容感應(yīng)芯片；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層；所述第二光學(xué)膠層與所述第一COP薄膜的第二表面貼合。

所述第一導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第一導(dǎo)線采用銀漿。所述第一導(dǎo)線與第一導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第一導(dǎo)電膜的邊緣，位于第一導(dǎo)電膜與第一光學(xué)膠之間。所述第一COP薄膜厚度為100μm。所述第一光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為200μm。

所述第二導(dǎo)電膜采用單層石墨烯薄膜。所述第二導(dǎo)線采用銀漿。所述第二導(dǎo)線與第二導(dǎo)電膜連接的一端搭接于第二導(dǎo)電膜的邊緣，位于第二導(dǎo)電層與第二光學(xué)膠層之間。所述第二COP薄膜厚度為70μm。所述第二光學(xué)膠層為UV固化型光學(xué)膠，厚度為20μm。

以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。