本公開的一方面涉及顯示設(shè)備及其制造方法。

背景技術(shù)：

近期，顯示設(shè)備實(shí)現(xiàn)了用于接收用戶的觸摸輸入的觸摸識別功能以及圖像顯示功能。

由于顯示設(shè)備不需要單獨(dú)的輸入設(shè)備，例如鍵盤和鼠標(biāo)，其使用范圍已經(jīng)被擴(kuò)展。

在現(xiàn)有技術(shù)中，顯示設(shè)備通過在分別制造顯示面板和觸摸面板之后將觸摸面板接合到顯示面板的方法來制造。

然而，以上方法除顯示面板的制造工藝之外還需要觸摸面板的制造工藝。因此，在制造時(shí)間和費(fèi)用方面，以上方法被認(rèn)為是效率低的。因此，存在對現(xiàn)在公開的設(shè)備及其制造方法的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開的一方面，此處提供包括觸摸面板的顯示設(shè)備及其制造方法。

根據(jù)本公開的另一方面，此處提供具有簡化的制造工藝的包括觸摸面板的顯示設(shè)備及其制造方法。

根據(jù)一實(shí)施方式，一種顯示設(shè)備可以包括：包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板；布置在第一區(qū)域中的發(fā)光元件；布置在第二區(qū)域中的連接墊；布置在發(fā)光元件上的薄膜封裝層；包括第三區(qū)域和第四區(qū)域的第二基板；布置在第四區(qū)域中的傳感墊；觸摸傳感器層，包括布置在第三區(qū)域中的傳感電極以及連接在傳感電極和傳感墊之間的傳感線；布置在薄膜封裝層和觸摸傳感器層之間的中間層；以及連接在連接墊和傳感墊之間的導(dǎo)電構(gòu)件。

傳感電極可以包括傳感單元、使傳感單元互連的連接圖案以及布置在不同于傳感單元的層的層上并且與傳感單元電連接的輔助單元。

傳感線可以包括第一導(dǎo)線和布置在與第一導(dǎo)線的層不同的層上并且與第一導(dǎo)線電連接的第二導(dǎo)線。

觸摸傳感器層還可以包括絕緣層，并且絕緣層可以布置在傳感單元和輔助單元之間，并且在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間。

傳感墊可以包括第一導(dǎo)電圖案和與第一導(dǎo)電圖案接觸的第二導(dǎo)電圖案。

第一導(dǎo)線可以直接連接到第一導(dǎo)電圖案。

第二導(dǎo)線可以直接連接到第二導(dǎo)電圖案。

第二導(dǎo)線可以與第二導(dǎo)電圖案隔開預(yù)定距離并且通過第一導(dǎo)線電連接到第一導(dǎo)電圖案。

在第二導(dǎo)線和第二導(dǎo)電圖案之間的距離可以被設(shè)為10μm至1000μm。

傳感單元和輔助單元可以包括包含多個(gè)開口的網(wǎng)孔狀。

連接圖案可以包括包含多個(gè)開口的網(wǎng)孔狀。

薄膜封裝層可以包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層。

中間層可以具有粘性。

中間層可以交疊傳感電極以及傳感線。

中間層的厚度可以被設(shè)為5μm至30μm。

第一基板和第二基板可以是柔性的。

接合到第一基板的第三基板以及接合到第二基板的第四基板可以被包括。

第三基板和第四基板可以是剛性的。

第三區(qū)域可以交疊第一區(qū)域。

還可以包括布置在上部或下部的偏振膜。

導(dǎo)電構(gòu)件可以包括導(dǎo)電球。

根據(jù)本公開的另一方面，此處提供一種顯示設(shè)備的制造方法可以包括：準(zhǔn)備第一基板，將發(fā)光元件、薄膜封裝層以及連接墊形成到第一基板；準(zhǔn)備第二基板，將觸摸傳感器層和傳感墊形成到第二基板，該觸摸傳感器層包括傳感電極和傳感線，該傳感墊通過傳感線電連接到傳感電極；將中間層施加到薄膜封裝層或觸摸傳感器層；將導(dǎo)電構(gòu)件施加在連接墊和傳感墊上；反轉(zhuǎn)第二基板使得觸摸傳感器層可以面向薄膜封裝層；以及將第一基板通過中間層接合到第二基板。

施加中間層可以使用印刷方法、涂覆方法和分配方法中的一種。

第一基板和第二基板可以是柔性基板。當(dāng)準(zhǔn)備第一基板時(shí)，剛性第三基板可以用于第一基板的載板，并且當(dāng)準(zhǔn)備第二基板時(shí)，剛性第四基板可以用于第二載板的載板。

制造方法還可以包括去除第三和第四基板。

中間層可以具有粘性。

第一基板到第二基板的接合可以包括將連接墊通過導(dǎo)電構(gòu)件電連接到傳感墊。

傳感電極可以包括傳感單元、使傳感單元互連的連接圖案以及布置在不同于傳感單元的層的層上并且電連接到傳感單元的輔助單元。

傳感線可以包括第一導(dǎo)線以及布置在不同于第一導(dǎo)線的層的層上并且電連接到第一導(dǎo)線的第二導(dǎo)線。

第二基板的準(zhǔn)備可以包括進(jìn)一步形成布置在傳感單元和輔助單元之間以及第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線之間的絕緣層。

傳感墊可以包括第一導(dǎo)電圖案以及接觸第一導(dǎo)電圖案的第二導(dǎo)電圖案。

第一導(dǎo)線可以直接連接到第一導(dǎo)電圖案。

第二導(dǎo)線可以直接連接到第二導(dǎo)電圖案。

第二導(dǎo)線可以與第二導(dǎo)電圖案隔開預(yù)定距離并且通過第一導(dǎo)線電連接到第一導(dǎo)電圖案。

在第二導(dǎo)線和第二導(dǎo)電圖案之間的距離可以被設(shè)為10μm至1000μm。

傳感單元和輔助單元可以包括包含多個(gè)開口的網(wǎng)孔狀。

連接圖案可以包括包含多個(gè)開口的網(wǎng)孔狀。

薄膜封裝層可以包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層。

導(dǎo)電構(gòu)件可以包括導(dǎo)電球。

導(dǎo)電構(gòu)件的施加可以包括使用分配方法。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的示意剖視圖。

圖2是示出根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的示意剖視圖。

圖3a和3b是示出根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的示意剖視圖。

圖4是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第一基板及其配置元件的示意圖。

圖5是圖4的區(qū)域i-i'的剖視圖。

圖6是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第二基板及其配置元件的示意圖。

圖7是圖6的區(qū)域ii-ii'的剖視圖。

圖8是圖6的區(qū)域iii-iii'的剖視圖。

圖9是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第二基板及其配置元件的示意圖。

圖10是圖9的區(qū)域iv-iv'的剖視圖。

圖11是圖9的區(qū)域v-v'的剖視圖。

圖12a和12b是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的導(dǎo)電構(gòu)件的視圖。

圖13是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的傳感單元的視圖。

圖14a、14b、14c、14d、14e和14f是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的制造方法的視圖。

具體實(shí)施方式

本公開的實(shí)施方式參考附圖在此被詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參考附圖在下文更全面地描述示例實(shí)施方式；然而，其可以以不同形式實(shí)現(xiàn)并且不限于此處闡釋的實(shí)施方式。而是，這些實(shí)施方式被提供以有助于向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員傳達(dá)示例實(shí)施方式的范圍。在圖中，為了圖示的清晰，尺寸可以被夸大。當(dāng)一元件被稱作“連接到”另一元件時(shí)，它可以直接連接到所述另一元件，或者一個(gè)或更多居間元件也可以存在。相同附圖標(biāo)記始終指代相同元件。

在下文中，本公開的示例實(shí)施方式參考附圖被詳細(xì)描述。

圖1是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的端部分的示意圖。

參考圖1，根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1可以包括第一基板100、發(fā)光元件110、連接墊120、薄膜封裝層130、驅(qū)動(dòng)墊150、驅(qū)動(dòng)線160、柔性印刷電路板(fpcb)170、觸摸驅(qū)動(dòng)電路180、第二基板200、傳感墊220、觸摸傳感器層300、中間層400以及導(dǎo)電構(gòu)件410。

第一基板100和第二基板200可以設(shè)置為彼此相對。

第一基板100可以包括面向第二基板200的第一側(cè)101以及與第一側(cè)101相反的第二側(cè)102。

此外，第二基板200可以包括第一側(cè)201以及與第一側(cè)201相反并且面向第一基板100的第二側(cè)202。

第一基板100和第二基板200可以由具有柔性的材料形成并且因此可以是柔性的和折疊的。

此外，第一基板100和第二基板200可以由例如聚酰亞胺基材料、聚酰胺基材料以及丙烯基材料的有機(jī)材料形成。

發(fā)光元件110、連接墊120、薄膜封裝層130、驅(qū)動(dòng)墊150以及驅(qū)動(dòng)線160可以由第一基板100的第一側(cè)101形成。

發(fā)光元件110可以形成在第一基板100上并且通過分別發(fā)射特定光而向用戶提供預(yù)定圖像。

連接墊120可以布置在第一基板100上并且通過導(dǎo)電構(gòu)件410電連接到布置在第二基板200上的傳感墊220。

此外，連接墊120可以通過驅(qū)動(dòng)線160電連接到驅(qū)動(dòng)墊150。

薄膜封裝層130可以形成在發(fā)光元件110上并且保護(hù)發(fā)光元件110。

換言之，薄膜封裝層130可以通過使發(fā)光元件110避免暴露于濕汽和氧氣來保護(hù)發(fā)光元件110不被損壞。

驅(qū)動(dòng)墊150可以布置在連接墊120的外部并且連接到柔性印刷電路板170。

驅(qū)動(dòng)線160可以連接在連接墊120和驅(qū)動(dòng)墊150之間。

柔性印刷電路板170可以接合到驅(qū)動(dòng)墊150，控制觸摸傳感器層300的觸摸驅(qū)動(dòng)電路180可以安裝在柔性印刷電路板170上。

傳感墊220和觸摸傳感器層300可以形成在第二基板200的第二側(cè)202上。

觸摸傳感器層300可以包括用于識別用戶的觸摸并且電連接到傳感墊220的配置元件。

中間層400可以保護(hù)觸摸傳感器層300并且將第一基板100接合到第二基板200。

此外，中間層400可以具有粘性以執(zhí)行接合功能并且可以由具有絕緣、透明性以及柔性的材料形成。

例如，中間層400的厚度可以被設(shè)為5μm至30μm。

此外，中間層400可以布置在薄膜封裝層130和觸摸傳感器層300之間。

例如，中間層400可以被廣泛擴(kuò)展為包括薄膜封裝層130。

因此，中間層400可以連到薄膜封裝層130和第一基板100的鄰近于薄膜封裝層130的部分區(qū)域。

導(dǎo)電構(gòu)件410可以連接在布置在第一基板100中的連接墊120以及布置在第二基板200中的傳感墊220之間。

結(jié)果，觸摸傳感器層300可以通過傳感墊220、導(dǎo)電構(gòu)件410、連接墊120、驅(qū)動(dòng)線160、驅(qū)動(dòng)墊150以及柔性印刷電路板170被電連接到觸摸驅(qū)動(dòng)電路180。

因此，觸摸驅(qū)動(dòng)電路180可以控制觸摸傳感器層300的操作。

與本公開的一實(shí)施方式不同的，單獨(dú)保留用于保護(hù)觸摸傳感器層300的絕緣層和用于接合基板100和200的粘合劑的可替換結(jié)構(gòu)可以被考慮。然而，根據(jù)結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，這樣的結(jié)構(gòu)將導(dǎo)致制造時(shí)間和費(fèi)用的增加。

換言之，根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1可以由一個(gè)中間層400代替絕緣層和粘合劑。在這樣的一實(shí)施方式下，結(jié)構(gòu)可以變得簡單并且導(dǎo)致制造時(shí)間和成本的減小。

此外，中間層400吸附在接合基板100和200時(shí)產(chǎn)生的顆粒，其可以引起工藝產(chǎn)率的改善。

圖2是示出根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的端部分的示意圖。

參考圖2，根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1'還可以包括第三基板103和第四基板204。

第三基板103可以接合到第一基板100，并且第四基板204可以接合到第二基板200。

更具體地，第三基板103可以接合到第一基板100的第二側(cè)102，以及第四基板204可以接合到第二基板200的第一側(cè)201。

第三基板103和第四基板204可以起載板的作用以支撐第一基板100和第二基板200，第一基板100和第二基板200可以是柔性的。

為此，第三基板103和第四基板204可以具有剛性材料。例如，第三基板103和第四基板204可以由玻璃形成。

圖3a和3b是示出根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的端部分的示意圖。

參考圖3a和3b，根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1”和1”'還可以包括偏振板450。

例如，如圖3a所示，偏振板450可以被布置在觸摸傳感器層300的上部上。

因此，偏振板450可以布置在第二基板200和觸摸傳感器層300之間。

此外，如圖3b所示，偏振板450可以布置在觸摸傳感器層300的下部上。

因此，偏振板450可以布置在觸摸傳感器層300和中間層400之間。

圖4是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第一基板及其配置元件的視圖，以及圖5是圖4的區(qū)域i-i'的剖視圖。

參考圖4，第一基板100可以包括第一區(qū)域a1和第二區(qū)域a2。

發(fā)光元件110可以布置在第一區(qū)域a1中，并且表示為顯示圖像的顯示區(qū)域。

布置在第一基板100的顯示區(qū)域a1外部的剩余區(qū)域可以表示為非顯示區(qū)域，并且第二區(qū)域a2可以被限定在非顯示區(qū)域的部分區(qū)域中。

連接墊120和驅(qū)動(dòng)墊150可以布置在第二區(qū)域a2中以及第一區(qū)域a1的一側(cè)上。

薄膜封裝層130可以布置在第一區(qū)域a1上并且密封發(fā)光元件110。

中間層400可以形成為大于第一區(qū)域a1，并且相應(yīng)地布置在薄膜封裝層130上以及第一基板100的鄰近于薄膜封裝層130的部分區(qū)域上。

連接墊120可以布置在第二區(qū)域a2中并且包括第一連接墊121和第二連接墊122。

第一連接墊121和第二連接墊122可以通過導(dǎo)電構(gòu)件410電連接到布置在第二基板200上的傳感墊220。

第一連接墊121和第二連接墊122可以構(gòu)造為多個(gè)行。

驅(qū)動(dòng)墊150可以布置在第二區(qū)域a2中以及在第一和第二連接墊121和122的外部用于與柔性印刷電路板170接合。

然而，驅(qū)動(dòng)墊150的位置可以在可用于連接柔性印刷電路板170的區(qū)域中被不同地改變。

此外，驅(qū)動(dòng)墊150可以構(gòu)造為多個(gè)行。

驅(qū)動(dòng)線160可以布置在第二區(qū)域a2中并且將第一和第二連接墊121和122與驅(qū)動(dòng)墊150連接。

第一和第二連接墊121和122可以分別布置在基于驅(qū)動(dòng)墊150的一側(cè)和另一側(cè)上。

例如，參考圖4，第一連接墊121可以布置在驅(qū)動(dòng)墊150的右側(cè)上以及第二連接墊122可以布置在驅(qū)動(dòng)墊150的左側(cè)上。

第一和第二連接墊121和122、驅(qū)動(dòng)墊150以及驅(qū)動(dòng)線160可以由相同材料和由相同工藝形成。

參考圖5，發(fā)光元件110可以包括第一電極111、發(fā)光層112以及第二電極113。

發(fā)光層112可以布置在第一電極111和第二電極113之間。此外，第一電極111和第二電極113可以分別起陽極電極和陰極電極的作用。

例如，期望的是發(fā)光層112可以包括用于自發(fā)光的有機(jī)發(fā)射層。

發(fā)光層112可以由在其中空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層以及電子傳輸層被堆疊在其上的結(jié)構(gòu)形成，并且還包括空穴注入層和電子注入層。

基于以上描述的結(jié)構(gòu)，通過使從第一電極111注入的空穴與從第二電極113注入的電子結(jié)合可以產(chǎn)生激子，并且由于來自產(chǎn)生的激子的能量，導(dǎo)致特定波長的光可以被發(fā)光層110發(fā)射。

多個(gè)像素p可以布置在第一區(qū)域a1中。

像素p可以構(gòu)造為包括驅(qū)動(dòng)晶體管tr和發(fā)光元件110的像素電路(未示出)。

在圖5中，為了解釋的方便，直接涉及發(fā)光元件110的驅(qū)動(dòng)晶體管tr被示出。除驅(qū)動(dòng)晶體管tr之外，像素電路(未示出)還可以包括另一晶體管和電容器以控制發(fā)光元件110的發(fā)射。

驅(qū)動(dòng)晶體管tr可以形成在第一基板100上并且相應(yīng)于每個(gè)發(fā)光元件110安裝。

驅(qū)動(dòng)晶體管tr可以包括柵電極510、柵絕緣層520、半導(dǎo)體層530以及源/漏電極540a和540b。

柵電極510可以形成在第一基板100上。

柵絕緣層520可以形成在柵電極510上。例如，柵絕緣層520可以由例如硅氧化物層(siox)或硅氮化物層(sinx)的絕緣材料形成。

半導(dǎo)體層530可以形成在柵絕緣層520上。例如，半導(dǎo)體層530可以由多晶硅形成，多晶硅可以是通過使用激光而結(jié)晶的非晶硅。

此外，半導(dǎo)體層530可以由非晶硅和氧化物半導(dǎo)體形成。

源/漏電極540a和540b可以布置在半導(dǎo)體層530的兩側(cè)上。

保護(hù)層550可以布置在驅(qū)動(dòng)晶體管tr上并且包括暴露源電極540a和漏電極540b的接觸孔560。在圖5中，由接觸孔560暴露的漏電極540b作為一示例被示出。

柵電極510和源/漏電極540a和540b可以由例如鉬(mo)、鎢(w)、鈦(ti)、鋁(al)的金屬和金屬的合金或者其疊層結(jié)構(gòu)形成，但是不限于此。

第一電極111可以形成在保護(hù)層550的上部，以及第一電極111可以通過接觸孔560連接到源電極540a或漏電極540b。在圖5中，通過接觸孔560連接到漏電極540b的第一電極111作為一示例被示出。

例如，保護(hù)層550可以由諸如硅氧化物層或硅氮化物層的絕緣材料形成。

像素限定層570可以布置在保護(hù)層550上。此外，像素限定層570可以暴露第一電極111的至少一部分區(qū)域。

例如，像素限定層570可以由例如丙烯基有機(jī)化合物、聚酰胺、聚酰亞胺的有機(jī)絕緣材料形成，但是不限于此，并且可以由多種類型的絕緣材料形成。

薄膜封裝層130可以形成在發(fā)光元件110上。更具體地，薄膜封裝層130可以布置在第二電極113上。

此外，薄膜封裝層130可以由在其上堆疊多個(gè)層的結(jié)構(gòu)形成。例如，薄膜封裝層130可以包括至少一個(gè)有機(jī)層131和至少一個(gè)無機(jī)層132。

在圖5中，包括一個(gè)有機(jī)層131和一個(gè)無機(jī)層132的薄膜封裝層130被示出。然而，薄膜封裝層130可以包括多個(gè)有機(jī)層131和多個(gè)無機(jī)層132，并且多個(gè)有機(jī)層131和多個(gè)無機(jī)層132可以被交替堆疊。

中間層400可以形成在薄膜封裝層130上。

圖6是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第二基板及其配置元件的示意圖。圖7是圖6的區(qū)域ii-ii'的剖視圖。圖8是圖6的區(qū)域iii-iii'的剖視圖。

具體地，為了解釋的方便，相比于圖1，在圖6到8中第二基板200被反轉(zhuǎn)。

參考圖6，第二基板200可以包括第三區(qū)域a3和第四區(qū)域a4。

第三區(qū)域a3是在其中布置傳感電極610和620并且表示為識別用戶的觸摸的觸摸有源區(qū)域的區(qū)域。

此外，第三區(qū)域a3可以與第一基板100的第一區(qū)域a1相應(yīng)，并且第一區(qū)域a1和第三區(qū)域a3可以彼此交疊。

布置在第二基板200的第三區(qū)域a3外部的剩余區(qū)域可以表示為非有源觸摸區(qū)域，并且第四區(qū)域a4可以限定在非有源觸摸區(qū)域的部分區(qū)域中。

圖1中描述的傳感墊220可以布置在第四區(qū)域a4中并且布置在第三區(qū)域a3的一側(cè)上。

參考圖7和8，傳感墊220可以包括第一傳感墊710和第二傳感墊720。

第一傳感墊710和第二傳感墊720可以分別形成在與第一連接墊121和第二連接墊122相應(yīng)的位置處。

因此，第一傳感墊710和第二傳感墊720可以通過導(dǎo)電構(gòu)件410分別電連接到第一連接墊121和第二連接墊122。

此外，第一和第二傳感墊710和720的每個(gè)可以分別包括堆疊的兩層導(dǎo)電圖案。

例如，第一傳感墊710可以包括彼此接觸的第一導(dǎo)電圖案711和第二導(dǎo)電圖案712，并且第二傳感墊720可以包括彼此接觸的第一導(dǎo)電圖案721和第二導(dǎo)電圖案722。

絕緣層600可以布置在第一導(dǎo)電圖案711和721以及第二導(dǎo)電圖案712和722之間。第一導(dǎo)電圖案711和721以及第二導(dǎo)電圖案712和722可以通過在絕緣層600中形成的各自的接觸孔718和728彼此連接。

例如，第一導(dǎo)電圖案711和721可以布置在第二基板200上，并且第二導(dǎo)電圖案712和722可以布置在絕緣層600上。此外，絕緣層600可以包括在第一導(dǎo)電圖案711交疊第二導(dǎo)電圖案712和第一導(dǎo)電圖案721交疊第二導(dǎo)電圖案722的區(qū)域中形成的接觸孔718和728。

同時(shí)，圖1描述的觸摸傳感器層300可以包括傳感電極610和620以及傳感線810和820。

傳感電極610和620可以布置在第三區(qū)域a3中，并且傳感線810和820可以連接在傳感電極610和傳感墊710之間以及在傳感電極620和傳感墊720之間。

傳感電極610和620可以包括在交叉方向上被布置的第一傳感電極610和第二傳感電極620。

例如，第一傳感電極610可以形成為在第一方向上(例如在x軸方向上)延伸，并且多個(gè)第一傳感電極610可以在交叉第一方向的第二方向上(例如在y軸方向上)布置。

此外，第二傳感電極620可以形成為在第二方向上延伸，并且多個(gè)第二傳感電極620可以沿第一方向布置。

第一傳感電極610和第二傳感電極620可以由透明導(dǎo)電材料以及諸如不透明金屬的其它導(dǎo)電材料形成。

例如，第一傳感電極610和第二傳感電極620可以由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、石墨烯、碳納米管、銀納米線(agnw)形成。

傳感電極610和620可以包括傳感單元611和621、使傳感單元611和621互連的連接圖案612和622，以及布置在不同于傳感單元611和621的層上并且與傳感單元611和621電連接的輔助單元613和623。

例如，第一傳感電極610中的每個(gè)可以包括第一傳感單元611、第一連接圖案612以及第一輔助單元613。

多個(gè)第一傳感單元611可以沿第一方向布置，以及第一連接圖案612可以連接彼此相鄰的第一傳感單元611。

第一輔助單元613可以布置在不同于第一傳感單元611的層上并且電連接到第一傳感單元611。

絕緣層600可以布置在第一傳感單元611和第一輔助單元613之間，并且第一傳感單元611和第一輔助單元613可以通過在絕緣層600中形成的接觸孔618被連接。

例如，第一傳感單元611和第一連接圖案612可以布置在第二基板200上，并且第一輔助單元613可以布置在絕緣層600上。此外，絕緣層600可以包括在第一傳感單元611交疊第一輔助單元613的區(qū)域中形成的接觸孔618。

第二傳感電極620中的每個(gè)可以包括第二傳感單元621、第二連接圖案622以及第二輔助單元623。

多個(gè)第二傳感單元621可以沿第二方向布置，并且第二連接圖案622可以連接彼此相鄰的第二傳感單元621。

第二輔助單元623可以布置在不同于第二傳感單元621的層上，并且電連接到第二傳感單元621。

絕緣層600可以布置在第二傳感單元621和第二輔助單元623之間，并且第二傳感單元621和第二輔助單元623可以通過在絕緣層600中形成的接觸孔628被連接。

例如，第二傳感單元621和第二連接圖案622可以布置在絕緣層600上，并且第二輔助單元623可以布置在第二基板200上。

此外，絕緣層600可以包括在第二傳感單元621和第二輔助單元623交疊的區(qū)域中形成的接觸孔628。

傳感線810和820可以包括第一傳感線810和第二傳感線820。

第一傳感線810可以連接在第一傳感電極610和第一傳感墊710之間。

第二傳感線820可以連接在第二傳感電極620和第二傳感墊720之間。

傳感線810和820可以布置在第三區(qū)域a3的外部，并且包括第一導(dǎo)線811和821以及布置在不同于第一導(dǎo)線811和821的層上并且與第一導(dǎo)線811和821電連接的第二導(dǎo)線812和822。

例如，第一傳感線810中的每個(gè)可以包括第一導(dǎo)線811和第二導(dǎo)線812。

此外，第二傳感線820中的每個(gè)可以包括第一導(dǎo)線821和第二導(dǎo)線822。

絕緣層600可以布置在第一導(dǎo)線811和821與第二導(dǎo)線812和822之間，并且第一導(dǎo)線811和第二導(dǎo)線812以及第一導(dǎo)線821和第二導(dǎo)線822可以通過在絕緣層600中形成的接觸孔818和828被連接。

例如，第一導(dǎo)線811和821可以布置在第二基板200上，以及第二導(dǎo)線812和822可以布置在絕緣層600上。此外，絕緣層600可以包括在第一導(dǎo)線811和821交疊第二導(dǎo)線812和822的區(qū)域中形成的接觸孔818和828。

第一導(dǎo)線811和821可以直接連接到第一導(dǎo)電圖案711和721，并且第二導(dǎo)線812和822可以直接連接到第二導(dǎo)電圖案712和722。

例如，參考圖7，第一傳感線810的第一導(dǎo)線811可以直接連接第一傳感電極610與第一傳感墊710的第一導(dǎo)電圖案711，并且第一傳感線810的第二導(dǎo)線812可以直接連接第一傳感電極610與第一傳感墊710的第二導(dǎo)電圖案712。

此外，參考圖8，第二傳感線820的第一導(dǎo)線821可以直接連接第二傳感電極620和第二傳感墊720的第一導(dǎo)電圖案721，并且第二傳感線820的第二導(dǎo)線822可以直接連接第二傳感電極620和第二傳感墊720的第二導(dǎo)電圖案722。

如以上描述的，傳感電極610和620、傳感墊710和720以及傳感線810和820可以包括雙層結(jié)構(gòu)并且通過減小電阻改善觸摸靈敏度。

圖9是根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的第二基板及其配置元件的示意圖，并且圖10是圖9的區(qū)域iv-iv'的剖視圖。圖11是圖9的區(qū)域v-v'的剖視圖。

與圖6到8的一實(shí)施方式的差異被描述，并且其重復(fù)被省略。

第一傳感墊710和第二傳感墊720可以通過導(dǎo)電構(gòu)件410分別電連接到第一連接墊121和第二連接墊122。

導(dǎo)電構(gòu)件410可以布置在第一傳感墊710的第二導(dǎo)電圖案712上以及第二傳感墊720的第二導(dǎo)電圖案722上。

然而，導(dǎo)電構(gòu)件410可以通過基板100和200的施加工序和接合工序的工藝余量(processmargin)被覆蓋在布置第二導(dǎo)電圖案712和722的區(qū)域上以及布置第二導(dǎo)線812和822的相鄰區(qū)域上。

在結(jié)合圖6到8的一實(shí)施方式中，通過導(dǎo)電構(gòu)件410在第二導(dǎo)線812和822之間的短路，或者在第二導(dǎo)線812和822以及第二導(dǎo)電圖案712和722之間的短路可能產(chǎn)生。

因此，在關(guān)于圖9到11的一實(shí)施方式中，通過去除布置在鄰近第二導(dǎo)電圖案712和722的區(qū)域r1和r2中的第二導(dǎo)線812和822防止借助導(dǎo)電構(gòu)件410的預(yù)料外的短路。

例如，第一傳感線810的第二導(dǎo)線812可以與第一傳感墊710的第二導(dǎo)電圖案712隔開預(yù)定距離d1，以及第二傳感線820的第二導(dǎo)線822可以與第二傳感墊720的第二導(dǎo)電圖案722隔開預(yù)定距離d2。

第二導(dǎo)電圖案712和722與第二導(dǎo)線812和822的距離d1和d2可以通過考慮到導(dǎo)電構(gòu)件410的工藝余量被確定，例如距離d1和d2可以被設(shè)為10μm到1000μm。

此外，第二導(dǎo)電圖案712和722與第二導(dǎo)線812和822的距離d1和d2可以被設(shè)為約400μm，例如所述距離可以被設(shè)為350μm到450μm。

圖12a和12b是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的導(dǎo)電構(gòu)件的視圖。

參考圖12a，導(dǎo)電構(gòu)件410可以包括導(dǎo)電球411。導(dǎo)電球411可以布置在第一傳感墊710和第一連接墊121之間并且可以電連接第一傳感墊710和第一連接墊121。

例如，導(dǎo)電球411可以接觸第一傳感墊710的第二導(dǎo)電圖案712和第一連接墊121。

參考圖12b，導(dǎo)電構(gòu)件410可以包括導(dǎo)電球411和樹脂412。樹脂412可以包括多個(gè)導(dǎo)電球411，可以被應(yīng)用于第一傳感墊710和第一連接墊121之間，并且可以電連接第一傳感墊710和第一連接墊121。

例如，樹脂412中包括的導(dǎo)電球411可以接觸第一傳感墊710的第二導(dǎo)電圖案712和第一連接墊121。

第二傳感墊720和第二連接墊122可以以與第一傳感墊710連接到第一連接墊121的方式相同的方式被連接。

圖13是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的傳感單元的視圖。具體地，第一傳感電極610中包括的第一傳感單元611和第一連接圖案612在圖13中被示出。此外，為了解釋的方便，第一傳感單元611以實(shí)線被示出，并且第一連接圖案612以虛線被示出。

如以上描述的，第一傳感單元611可以沿預(yù)定方向布置，并且第一連接圖案612可以連接彼此鄰近的第一傳感單元611。

第一傳感單元611的每個(gè)可以包括包含多個(gè)開口692的網(wǎng)孔狀。

第一傳感單元611可以被構(gòu)造為薄金屬線691并且形成多個(gè)開口692。

此外，盡管未示出，但是電連接到第一傳感單元611的第一輔助單元613可以包括與第一傳感單元611相同的網(wǎng)孔狀。

第一連接圖案612可以包括與第一傳感單元611相同的包括多個(gè)開口694的網(wǎng)孔狀。

第一連接圖案612可以構(gòu)造為薄金屬線693并且形成多個(gè)開口694。

盡管第一傳感電極610被示出，但是第二傳感電極620可以具有與第一傳感電極610相同的形狀。

換言之，第二傳感電極620中包括的第二傳感單元621、第二連接圖案622以及第二輔助單元623可以包括與第一傳感單元611、第一連接圖案612以及第一輔助單元613相同的形狀。

圖14a到14f示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的制造方法。

參考圖14a，在其上形成發(fā)光元件110、薄膜封裝層130以及連接墊120的第一基板被準(zhǔn)備。

當(dāng)?shù)谝换?00是柔性的時(shí)，剛性第三基板103可以布置在第一基板100的下部(例如第二側(cè)(102))上并且作為載板。

在另一實(shí)施方式中，第三基板103的使用可以被省略。

由于關(guān)于第一基板100的配置元件在圖4和5中被示出，所以其描述被省略。

參考圖14b，在其上形成觸摸傳感器層300和傳感墊220的第二基板被準(zhǔn)備。

如圖6到8中描述的，觸摸傳感器層300可以包括傳感電極610和620以及傳感線810和820，并且傳感線810和820可以連接在傳感電極610和620與傳感墊220之間。

當(dāng)?shù)诙?00是柔性的時(shí)，剛性第四基板204可以布置在第二基板200的下部(例如第一側(cè)(201))上并且作為載板。

當(dāng)準(zhǔn)備第二基板時(shí)，第二基板200可以被布置使得第二側(cè)202面向上部以形成觸摸傳感器層300和傳感墊220。

準(zhǔn)備第一基板和準(zhǔn)備第二基板可以同時(shí)執(zhí)行或者根據(jù)特定順序被順序執(zhí)行。

在另一實(shí)施方式中，第四基板204的使用可以被省略。

由于關(guān)于第二基板200的配置元件在圖6和8中示出，所以其描述被省略。

參考圖14c，可以執(zhí)行施加中間層400以及施加導(dǎo)電構(gòu)件410。

如圖14c中描述的，中間層400可以形成在第二基板200的觸摸傳感器層300上。

可替換地，中間層400可以形成在第一基板100的薄膜封裝層130上。

例如，中間層400可以由諸如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷以及噴嘴印刷的印刷方法，諸如狹縫涂布、旋涂以及噴涂的涂覆方法，以及使用分配器的分配方法中的至少一種形成。

因此，由于中間層400可以不使用通過常規(guī)掩模的光刻形成，制造工藝中使用的掩模的數(shù)量可以減小，并且制造工藝變得簡單化。

此外，如圖14c中描述的，導(dǎo)電構(gòu)件410可以形成在第二基板200的傳感墊220上。

一般地，導(dǎo)電構(gòu)件410可以形成在第一基板100的連接墊120上。

例如，導(dǎo)電構(gòu)件410可以通過使用分配器的分配方法形成。

分配器可以包括預(yù)定施加余量，并且在傳感線810和820之間可以產(chǎn)生短路。因此，用以保護(hù)不產(chǎn)生短路的構(gòu)造在圖9到11中被示出。

施加中間層400以及施加導(dǎo)電構(gòu)件410可以同時(shí)執(zhí)行或者以特定順序被順序執(zhí)行。

參考圖14d，反轉(zhuǎn)第二基板200可以被執(zhí)行。

為使第二基板200接合到第一基板100，第二基板200可以被反轉(zhuǎn)使得第二基板200的觸摸傳感器層300面向第一基板100。

因此，第二基板200的觸摸傳感器層300可以與第一基板100的薄膜封裝層130相對。

與如以上描述的準(zhǔn)備第二基板不同，第二基板200可以被布置使得第二側(cè)202面向下部。

參考圖14e，可以執(zhí)行將第一基板100接合到第二基板200。

第一基板100和第二基板200可以通過具有粘性的中間層400被接合。

例如，中間層400的一側(cè)可以接觸到薄膜封裝層130以及第一基板100的鄰近薄膜封裝層130的部分，并且中間層400的另一側(cè)可以接觸到觸摸傳感器層300。

接觸墊120和傳感墊220可以通過接合基板100和200由導(dǎo)電構(gòu)件410被電互連。

參考圖14f，可以執(zhí)行去除第三基板103和第四基板204。

當(dāng)在準(zhǔn)備第一基板和第二基板中第三基板103和第四基板204被用作載板時(shí)，第三基板103和第四基板204可以被清除以實(shí)現(xiàn)柔性顯示設(shè)備。

在準(zhǔn)備第一基板和第二基板中，如果不使用第三基板103和第四基板204，或者柔性顯示設(shè)備不必須被實(shí)現(xiàn)，則清除步驟可以被省略。

可以執(zhí)行將柔性印刷電路板170接合到驅(qū)動(dòng)墊150。

根據(jù)如以上描述的本公開的一實(shí)施方式，包括觸摸面板的顯示設(shè)備及其制造方法可以被提供。

此外，根據(jù)本公開，具有簡化的制造工藝的顯示設(shè)備及其制造方法被提供。

實(shí)施方式在此被提供以有助于向本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的精神和范圍。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)通過本發(fā)明的權(quán)利要求被理解。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行在形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不背離如所附權(quán)利要求中闡釋的本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于說明書的詳細(xì)描述，而是由權(quán)利要求的范圍限定。

本申請要求享有2015年12月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0176679號的優(yōu)先權(quán)，其全文內(nèi)容通過全文引用合并于此。