技術領域

示例性實施例涉及一種觸摸感測單元、顯示裝置以及制造該觸摸感測單元的方法。更具體地，示例性實施例涉及一種可防止因彎曲而產生的裂紋的擴展并提供細長輪廓(slim profile)的觸摸感測單元、一種顯示裝置和一種制造該觸摸感測單元的方法。

背景技術：

顯示裝置通過顯示各種圖像為用戶提供信息。顯示裝置可包括顯示面板和觸摸感測單元。最近，已研制了可彎曲的顯示裝置。與平板顯示裝置相比，柔性顯示裝置可以折疊、卷起(wrap)或彎曲。具有可改變形狀的柔性顯示裝置可以是便攜式的并且可改善用戶便利性。

觸摸感測單元是能夠通過使用用戶的手或者物體通過從屏幕(諸如顯示面板)上示出的菜單選擇指令來輸入用戶的命令的輸入裝置。例如，觸摸感測單元設置在顯示面板的正面上，并且將用戶的手或者物體直接接觸的接觸位置轉換成電信號。因此，在接觸位置處選擇的指令菜單被識別為輸入信號。這樣的觸摸感測單元可代替連接到顯示面板的單獨的輸入裝置(諸如鍵盤和鼠標)并進行操作，并且其使用范圍逐漸擴展。

在該背景技術部分公開的上述信息僅用于增強對發(fā)明構思的背景的理解，因此，它可能包含不構成在本國中已被本領域普通技術人員所知曉的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)要素：

示例性實施例提供一種可提供細長輪廓并可防止因彎曲運動而導致的裂紋的擴展的觸摸感測單元。

示例性實施例還提供一種可提供細長輪廓并可防止因彎曲運動而導致的裂紋的擴展的顯示裝置。

示例性實施例還提供一種制造可提供細長輪廓并可防止因彎曲運動而導致的裂紋的擴展的觸摸感測單元的方法。

額外的方面將在下面的詳細描述中進行闡述，并且部分地通過公開將是清楚的，或者可通過發(fā)明構思的實踐而了解。

示例性實施例公開一種觸摸感測單元，所述觸摸感測單元包括絕緣層和導電圖案。絕緣層包括第一無機絕緣層、第一自組裝單層(SAM)和第二無機絕緣層。第一自組裝單層設置在第一無機絕緣層上。第二無機絕緣層設置在第一自組裝單層上。

示例性實施例還公開一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板和觸摸感測單元。觸摸感測單元設置在顯示面板上。觸摸感測單元包括絕緣層和導電圖案。絕緣層包括第一無機絕緣層、第一自組裝單層和第二無機絕緣層。第一自組裝單層設置在第一無機絕緣層上。第二無機絕緣層設置在第一自組裝單層上。

示例性實施例還公開一種制造觸摸感測單元的方法，所述方法包括形成絕緣層和形成與所述絕緣層接觸的導電圖案。絕緣層的形成包括形成第一無機絕緣層、在第一無機絕緣層上形成第一自組裝單層以及在第一自組裝單層上形成第二無機絕緣層。

上述的總體描述和以下的詳細描述是示例性的和解釋性的，并意圖提供所保護主題的進一步解釋。

附圖說明

附圖示出發(fā)明構思的示例性實施例，并與描述一起用于解釋發(fā)明構思的原理，其中，包括附圖以提供對發(fā)明構思的進一步理解，并且附圖被并入此說明書中并且構成此說明書的一部分。

圖1A和圖1B是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的透視圖。

圖2A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的示意性平面圖。

圖2B是與圖2A中的線I-I'對應的示意性剖視圖。

圖2C是與圖2A中的線I-I'對應的示意性剖視圖。

圖3A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的示意性平面圖。

圖3B是與圖3A中的線II-II'對應的示意性剖視圖。

圖3C是與圖3A中的線II-II'對應的示意性剖視圖。

圖4A和圖4B是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置的透視圖。

圖5A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括在顯示裝置中的顯示面板中所包括的一個像素的電路圖。

圖5B是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括在顯示裝置中的顯示面板中所包括的一個像素的平面圖。

圖5C是與圖5B中的線III-III'對應的根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置的示意性剖視圖。

圖6是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的流程圖。

圖7A、圖7B、圖7C、圖7D和圖7E是示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的剖視圖。

圖8A、圖8B、圖8C和圖8D是示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的剖視圖。

具體實施方式

在以下的描述中，出于解釋的目的，闡述許多具體細節(jié)以提供對各種示例性實施例的徹底理解。然而，清楚的是，各種示例性實施例可以在沒有這些具體細節(jié)或有一個或更多個等同布置的情況下被實施。在其它情況下，為了避免不必要地使各種示例性實施例模糊，以框圖形式示出公知的結構和裝置。

在附圖中，出于清楚和描述的目的，會夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸。另外，同樣的附圖標記表示同樣的元件。

當元件或層被稱為“在”另一元件或層“上”、“連接到”或“結合到”另一元件或層時，該元件或層可以直接在所述另一元件或層上、直接連接到或結合到所述另一元件或層，或者可以存在中間元件或層。然而，當元件或層被稱為“直接在”另一元件或層“上”、“直接連接到”或“直接結合到”另一元件或層時，不存在中間元件或層。出于該公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個(種)(者)”和“從由X、Y和Z組成的組中選擇的至少一個(種)(者)”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者諸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ為例的X、Y和Z中的兩個或更多個的任意組合。同樣的標記始終表示同樣的元件。如這里使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項的任意組合和所有組合。

盡管這里可以使用術語第一、第二等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語用來將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本公開的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。

出于描述的目的，這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空間相對術語來描述如在附圖中示出的一個元件或特征與另一元件或特征的關系。除了在圖中描繪的方位之外，空間相對術語還意圖包括裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉，則被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將隨后被定位為“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性術語“在……下方”可以包括在……上方和在……下方兩種方位。另外，裝置可以另外定位(例如，旋轉90度或在其它方位處)，這樣，相應地解釋這里使用的空間相對描述語。

這里使用的術語是出于描述具體實施例的目的而不旨在限制。如這里使用的，除非上下文另外清楚地指示，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復數(shù)形式。另外，術語“包括”、“包含”用在本說明書中時，說明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在此參照是理想示例性實施例和/或中間結構的示意圖的剖視圖來描述各種示例性實施例。這樣，由例如制造技術和/或公差而造成的圖示的形狀的變化將是預期的。因此，這里公開的示例性實施例不應該被理解為局限于區(qū)域的具體示出的形狀，而是將包括由例如制造造成的形狀的偏差。附圖中示出的區(qū)域實際上是示意性的，并且它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制。

除非另有定義，否則在此使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本公開是其一部分的領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。除非在此明確這樣定義，否則術語(諸如在通用字典中定義的術語)應被解釋為具有與相關領域的環(huán)境中它們的含義相一致的含義，而將不以理想的或過于正式的含義來進行解釋。

圖1A和圖1B是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的透視圖。

參照圖1A和圖1B，根據(jù)示例性實施例的觸摸感測單元TSU可在第一模式或第二模式下操作。參照圖1A，觸摸感測單元TSU可在第一模式下基于彎曲軸BX沿一個方向彎曲。參照圖1B，觸摸感測單元TSU可在第二模式下不彎曲。彎曲可指由于外力將觸摸感測單元TSU彎曲成某一形狀。

在圖1A中，當觸摸感測單元TSU關于彎曲軸BX彎曲時，觸摸感測單元TSU的面對的側面之間的距離是恒定的。然而，發(fā)明構思不限于此，通過彎曲的觸摸感測單元TSU的面對的側面之間的距離可以不是恒定的。另外，觸摸感測單元TSU的面對的側面的面積在觸摸感測單元TSU基于彎曲軸BX沿第一方向彎曲時是相同的。然而，發(fā)明構思不限于此，通過彎曲的觸摸感測單元TSU的面對的側面的面積可彼此不同。

再次參照圖1A和圖1B，觸摸感測單元TSU可包括觸摸彎曲部BF1和觸摸非彎曲部NBF1。觸摸彎曲部BF1可在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的彎曲軸BX彎曲。觸摸彎曲部BF1可在第二模式下不彎曲。

觸摸彎曲部BF1的一側可具有第一曲率半徑R1。第一曲率半徑R1可在例如大約1mm至大約10mm的范圍內。觸摸非彎曲部NBF1可連接到觸摸彎曲部BF1。觸摸非彎曲部NBF1在第一模式和第二模式下均不彎曲。

觸摸感測單元TSU可識別用戶的直接觸摸、用戶的間接觸摸、物體的直接觸摸或物體的間接觸摸。直接觸摸意味著用戶或物體與觸摸感測單元TSU直接接觸。間接觸摸意味著即使用戶或物體不與觸摸感測單元TSU直接接觸，然而用戶或物體被定位在觸摸感測單元TSU可以將用戶或物體識別為被觸摸的距離處，觸摸感測單元TSU也識別為被觸摸。

圖2A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的示意性平面圖。圖2B是與圖2A中的線I-I'對應的示意性剖視圖。圖2C是與圖2A中的線I-I'對應的示意性剖視圖。

圖3A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元的示意性平面圖。圖3B是與圖3A中的線II-II'對應的示意性剖視圖。圖3C是與圖3A中的線II-II'對應的示意性剖視圖。

參照圖2A至圖2C和圖3A至圖3C，觸摸感測單元TSU包括絕緣層INL和導電圖案CP。絕緣層INL可在第一模式下彎曲，在第二模式下不彎曲。絕緣層INL包括第一無機絕緣層IOL1、第一自組裝單層SAML1和第二無機絕緣層IOL2。

第一無機絕緣層IOL1包括第一無機絕緣材料。第一無機絕緣層IOL1的厚度t1可大于第一自組裝單層SAML1的厚度t2。第一無機絕緣層IOL1的厚度t1可在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。

第一自組裝單層SAML1可包括硅。第一自組裝單層SAML1可包括硅烷化合物。第一自組裝單層SAML1可包括通常使用的任何材料，而沒有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巰基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亞乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氫癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一種。

第一自組裝單層SAML1的厚度t2可小于第一無機絕緣層IOL1的厚度t1和第二無機絕緣層IOL2的厚度t3中的每個。第一自組裝單層SAML1的厚度t2可在例如大約1nm至大約10nm的范圍內。

根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元已經被示出為包括具有單個層的第一自組裝單層SAML1。然而，第一自組裝單層SAML1可具有多層。

一般而言，由于彎曲會在無機絕緣層中產生裂紋。在無機絕緣層中產生的裂紋在無機絕緣層內擴展。第一自組裝單層SAML1是有機絕緣層，并且可防止無機絕緣層中產生的裂紋的擴展。

第二無機絕緣層IOL2設置在第一自組裝單層SAML1上。第二無機絕緣層IOL2包括第二無機絕緣材料。第二無機絕緣材料可以與第一無機絕緣材料相同或者不同。

第二無機絕緣層IOL2的厚度t3可與第一無機絕緣層IOL1的厚度t1相同或者不同。第二無機絕緣層IOL2的厚度t3可大于第一自組裝單層SAML1的厚度t2。第二無機絕緣層IOL2的厚度t3可以在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。

參照圖2C和圖3C，絕緣層INL還可包括第二自組裝單層SAML2。第二自組裝單層SAML2可設置在第二無機絕緣層IOL2上。

第二自組裝單層SAML2可包括硅。第二自組裝單層SAML2可包括硅烷化合物。第二自組裝單層SAML2可包括通常使用的任何材料，而沒有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巰基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亞乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氫癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一種。

第二自組裝單層SAML2的厚度可小于第一無機絕緣層IOL1的厚度t1和第二無機絕緣層IOL2的厚度t3。

在圖2B和圖3B中，示出包括兩個無機絕緣層和一個自組裝單層的示例性實施例，在圖2C和圖3C中，示出包括兩個無機絕緣層和兩個自組裝單層的示例性實施例。然而，發(fā)明構思不限于此，無機絕緣層的個數(shù)可以是兩個或更多個，自組裝單層的個數(shù)可以是兩個或更多個。

再次參照圖2A至圖2C和圖3A至圖3C，導電圖案CP與絕緣層INL接觸。參照圖2A、圖2B、圖3A和圖3B，導電圖案CP可與第一無機絕緣層IOL1和第二無機絕緣層IOL2中的至少一個接觸。參照圖2A、圖2C、圖3A和圖3C，導電圖案CP可與第一無機絕緣層IOL1和第二自組裝單層SAML2中的至少一個接觸。

更具體地，參照圖2A和圖2B，導電圖案CP與第一無機絕緣層IOL1和第二無機絕緣層IOL2中的每個接觸。參照圖2A和圖2C，導電圖案CP與第一無機絕緣層IOL1和第二自組裝單層SAML2中的每個接觸。參照圖3A和圖3B，導電圖案CP與第二無機絕緣層IOL2接觸。參照圖3A和圖3C，導電圖案CP與第二自組裝單層SAML2接觸。

導電圖案CP可在第一模式下彎曲，在第二模式下不彎曲。導電圖案CP的至少一部分被包括在觸摸彎曲部(圖1A中的BF1)中。導電圖案CP還可被包括在觸摸非彎曲部(圖1A中的NBF1)中。

導電圖案CP可包括感測電極TE、互連布線TL1和TL2、扇出布線PO1和PO2以及焊盤部PD1和PD2。參照圖3A至圖3C，導電圖案CP還可包括橋BD1和BD2。

再次參照圖2A至圖2C和圖3A至圖3C，感測電極TE包括第一感測電極Tx和第二感測電極Rx。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx彼此電絕緣。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個可具有各種形狀，諸如菱形、正方形、矩形、圓形或者沒有結構的形狀(例如，諸如樹枝(dendrite)結構的糾纏分支的形狀)。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個可具有網格形狀。

第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個可以是通常使用那些，而沒有具體限制，并且可包括例如金屬、合金和透明導電氧化物中的至少一種。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個可包括例如Cu、Ti、Al、Ag、Au、Pt、Mo、銀鈀銅(APC)的合金、銀鈀(AP)的合金、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)中的至少一種。金屬和合金中的每個可具有諸如球體形狀和電線形狀(wire shape)的各種形狀。

例如，利用直接觸摸或者間接觸摸，可在包括在感測電極TE中的第一感測電極Tx與第二感測電極Rx之間產生電容的變化。根據(jù)電容的變化，施加到第一感測電極Tx的感測信號可被延遲并被提供到第二感測電極Rx。觸摸感測單元TSU可根據(jù)感測信號的延遲值感測觸摸坐標。

在根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元TSU中，觸摸感測單元TSU可被驅動為電容型。然而，發(fā)明構思不限于此，觸摸感測單元TSU可被驅動為電阻型。另外，觸摸感測單元TSU可被驅動為自電容型和互電容型中的一種。

參照圖2A至圖2C，第一感測電極Tx和第二感測電極Rx可設置在不同的層中。第一感測電極Tx可沿第二方向DR2延伸并可在第三方向DR3上分開。第一感測電極Tx設置在絕緣層INL下方。第一感測電極Tx與第一無機絕緣層IOL1接觸。第一感測電極Tx覆蓋有第一無機絕緣層IOL1。

第二感測電極Rx可沿第三方向DR3延伸并可在第二方向DR2上彼此分開。第二感測電極Rx設置在第一感測電極Tx上。第二感測電極Rx設置在絕緣層INL上。第二感測電極Rx與第二無機絕緣層IOL2接觸。

參照圖3A至圖3C，第一感測電極Tx和第二感測電極Rx可設置在同一層中。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個可設置在絕緣層INL上。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx在同一平面上彼此分開。

第一感測電極Tx可在第二方向DR2和第三方向DR3上分開。在第二方向DR2上分開的第一感測電極Tx通過第一橋BD1連接。第二感測電極Rx可在第二方向DR2和第三方向DR3上分開。在第三方向DR3上分開的第二感測電極Rx通過第二橋BD2連接。第二橋BD2可設置在第一橋BD1上。盡管沒有示出，但是絕緣層INL可設置在第二橋BD2與第一橋BD1之間。

第一感測電極Tx和第二感測電極Rx設置在絕緣層INL上。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個與第二無機絕緣層IOL2接觸。

再次參照圖2A至圖2C和圖3A至圖3C，互連布線TL1和TL2與感測電極TE電連接。互連布線TL1和TL2包括第一互連布線TL1和第二互連布線TL2。第一互連布線TL1可與第一感測電極Tx和第一扇出布線PO1連接。第二互連布線TL2可與第二感測電極Rx和第二扇出布線PO2連接。

扇出布線PO1和PO2與互連布線TL1和TL2以及焊盤部PD1和PD2連接。扇出布線PO1和PO2包括第一扇出布線PO1和第二扇出布線PO2。第一扇出布線PO1與第一互連布線TL1和第一焊盤部PD1連接。第二扇出布線PO2與第二互連布線TL2和第二焊盤部PD2連接。

焊盤部PD1和PD2與感測電極TE電連接。焊盤部PD1和PD2包括第一焊盤部PD1和第二焊盤部PD2。第一焊盤部PD1與第一扇出布線PO1連接。第一焊盤部PD1可與第一感測電極Tx電連接。第二焊盤部PD2與第二扇出布線PO2連接。第二焊盤部PD2可與第二感測電極Rx電連接。

現(xiàn)有技術的典型的觸摸感測單元不包括無機絕緣層內的第一自組裝單層，在由于彎曲而產生裂紋的情況下，所述裂紋會擴展到整個無機絕緣層。

然而，根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元包括設置在第一無機絕緣層與第二無機絕緣層之間的第一自組裝單層。因此，即使會在第一無機絕緣層或第二無機絕緣層中產生裂紋，第一自組裝單層也可防止所述裂紋的擴展。因此，根據(jù)示例性實施例的觸摸感測單元可具有高的耐用性。

另外，根據(jù)示例性實施例的觸摸感測單元使用第一自組裝單層作為有機絕緣層，并且當與使用有機絕緣層而不是第一自組裝單層時的情況相比時，其可具有減小厚度的絕緣層。

在下文中，將解釋根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。在下文中，將主要討論不是根據(jù)上述示例性實施例的觸摸感測單元的部件或者除了根據(jù)上述示例性實施例的觸摸感測單元之外的部件。

圖4A和圖4B是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置的透視圖。

參照圖4A和圖4B，根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置包括顯示面板DP和觸摸感測單元TSU。顯示面板DP包括顯示彎曲部BF2和顯示非彎曲部NBF2。顯示彎曲部BF2在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的彎曲軸BX彎曲。顯示彎曲部BF2在第二模式下不彎曲。顯示非彎曲部NBF2與顯示彎曲部BF2連接。顯示非彎曲部NBF2在第一模式下和第二模式下均不彎曲。

在下文中，顯示面板DP的示例性實施例是有機發(fā)光顯示面板。然而，發(fā)明構思不限于此并可包括液晶顯示面板、等離子體顯示面板、電泳顯示面板、微機電系統(tǒng)(MEMS)顯示面板或者電潤濕顯示面板。

觸摸感測單元TSU包括觸摸彎曲部BF1和觸摸非彎曲部NBF1。觸摸彎曲部BF1在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的彎曲軸BX彎曲。觸摸彎曲部BF1在第二模式下不彎曲。導電圖案(圖2A和圖3A中的CP)的至少一部分被包括在觸摸彎曲部BF1中。導電圖案(圖2A和圖3A中的CP)可被包括在觸摸非彎曲部NBF1中。

觸摸彎曲部BF1的一側可具有第一曲率半徑R1。第一曲率半徑R1可在例如大約1mm至大約10mm的范圍內。觸摸非彎曲部NBF1與觸摸彎曲部BF1連接。觸摸非彎曲部NBF1在第一模式和第二模式下均不彎曲。

圖5A是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括在顯示裝置中的顯示面板中所包括的一個像素的電路圖。圖5B是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括在顯示裝置中的顯示面板中所包括的一個像素的平面圖。圖5C是與圖5B中的線III-III'對應的根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置的示意性剖視圖。

參照圖5A和圖5B，每個像素PX可連接到由柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅動電壓線DVL組成的布線部分。每個像素PX包括薄膜晶體管TFT1和TFT2、與薄膜晶體管TFT1和TFT2連接的有機發(fā)光器件(OEL)以及電容器Cst。

在發(fā)明構思的示例性實施例中，一個像素與一條柵極線、一條數(shù)據(jù)線和一條驅動電壓線連接。然而，發(fā)明構思不限于此，多個像素可與一條柵極線、一條數(shù)據(jù)線和一條驅動電壓線連接。另外，一個像素可與至少一條柵極線、至少一條數(shù)據(jù)線和至少一條驅動電壓線連接。

柵極線GL沿第二方向DR2延伸。數(shù)據(jù)線DL沿與柵極線GL交叉的第三方向DR3延伸。驅動電壓線DVL沿與數(shù)據(jù)線DL的方向基本上相同的方向的第三方向DR3延伸。柵極線GL將掃描信號傳輸?shù)奖∧ぞw管TFT1和TFT2，數(shù)據(jù)線DL將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)奖∧ぞw管TFT1和TFT2，驅動電壓線DVL將驅動電壓提供到薄膜晶體管TFT1和TFT2。

每個像素可發(fā)射具有特定顏色的光，例如，紅光、綠光和藍光中的一種。有色光的種類不局限于此并且還可包括例如白光、青色光、品紅色光或黃光。

薄膜晶體管TFT1和TFT2可包括用于控制有機發(fā)光器件OEL的驅動薄膜晶體管TFT2和用于開關驅動薄膜晶體管TFT2的開關薄膜晶體管TFT1。在發(fā)明構思的示例性實施例中，每個像素PX包括兩個薄膜晶體管TFT1和TFT2。然而，發(fā)明構思不限于此。每個像素PX可包括一個薄膜晶體管和一個電容器，每個像素PX可設置有三個或更多個薄膜晶體管以及兩個或更多個電容器。

開關薄膜晶體管TFT1包括第一柵電極GE1、第一源電極SE1和第一漏電極DE1。第一柵電極GE1與柵極線GL連接，第一源電極SE1與數(shù)據(jù)線DL連接。第一漏電極DE1經由第五接觸孔CH5與第一共電極CE1連接。開關薄膜晶體管TFT1根據(jù)施加到柵極線GL的掃描信號將施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津寗颖∧ぞw管TFT2。

驅動薄膜晶體管TFT2包括第二柵電極GE2、第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第二柵電極GE2與第一共電極CE1連接。第二源電極SE2與驅動電壓線DVL連接。第二漏電極DE2經由第三接觸孔CH3與陽極EL1連接。

陽極EL1與驅動薄膜晶體管TFT2的第二漏電極DE2連接。共電壓被施加到陰極EL2，發(fā)射層EML根據(jù)驅動薄膜晶體管TFT2的輸出信號而發(fā)射光以顯示圖像。以下將更詳細地解釋陽極EL1和陰極EL2。

電容器Cst連接在驅動薄膜晶體管TFT2的第二柵電極GE2與第二源電極SE2之間，充入并維持輸入到驅動薄膜晶體管TFT2的第二柵電極GE2的數(shù)據(jù)信號。電容器Cst可包括經由第六接觸孔CH6與第一漏電極DE1連接的第一共電極以及與第一共電極CE1和驅動電壓線DVL連接的第二共電極CE2。

參照圖5A至圖5C，柔性基底FB可以是通常使用的任意一種，而沒有限制，并且可包括例如塑料、有機聚合物等。形成柔性基底FB的有機聚合物可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺、聚醚砜等?？煽紤]到機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易處理性、防水性等來選擇柔性基底FB。柔性基底FB可以是透明的。

在柔性基底FB上，可設置基底緩沖層(未示出)。基底緩沖層(未示出)防止雜質擴散到開關薄膜晶體管TFT1和驅動薄膜晶體管TFT2?；拙彌_層(未示出)可使用氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等來形成，并且可根據(jù)柔性基底FB的材料和工藝條件而被省略。

在柔性基底FB上，設置有第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2。第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2使用半導體材料來形成并被操作為開關薄膜晶體管TFT1和驅動薄膜晶體管TFT2中的每個的有源層。第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2中的每個可包括源極部SA、漏極部DA和設置在源極部SA和漏極部DA之間的溝道部CA。第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2中的每個可通過選擇無機半導體或有機半導體來形成。源極部SA和漏極部DA可摻雜有n型雜質或p型雜質。

在第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2上，設置有柵極絕緣層GI。柵極絕緣層GI覆蓋第一半導體圖案SM1和第二半導體圖案SM2?？衫糜袡C絕緣材料或無機絕緣材料形成柵極絕緣層GI。

在柵極絕緣層GI上，設置有第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。第一柵電極GE1和第二柵電極GE2中的每個可形成為覆蓋與第一半導體圖案SM1或者第二半導體圖案SM2的漏極部DA對應的區(qū)域。

在第一柵電極GE1和第二柵電極GE2上，設置有基底絕緣層IL。基底絕緣層IL覆蓋第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。可使用有機絕緣材料或無機絕緣材料來形成基底絕緣層IL。

在基底絕緣層IL上，設置有第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第二漏電極DE2經由形成在柵極絕緣層GI和基底絕緣層IL中的第一接觸孔CH1與第二半導體圖案SM2的漏極部DA接觸，第二源電極SE2經由形成在柵極絕緣層GI和基底絕緣層IL中的第二接觸孔CH2與第二半導體圖案SM2的源極部SA接觸。第一源電極SE1經由形成在柵極絕緣層GI和基底絕緣層IL中的第四接觸孔CH4與第一半導體圖案SM1的源極部(未示出)接觸，第一漏電極DE1經由形成在柵極絕緣層GI和基底絕緣層IL中的第五接觸孔CH5與第一半導體圖案SM1的漏極部(未示出)接觸。

鈍化層PL設置在第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2上。鈍化層PL可起使開關薄膜晶體管TFT1和驅動薄膜晶體管TFT2鈍化的作用，或者可用作用于使開關薄膜晶體管TFT1和驅動薄膜晶體管TFT2的頂表面平坦化的平坦化層。

在鈍化層PL上，設置有陽極EL1。陽極EL1可以是例如正電極。陽極EL1經由形成在鈍化層PL中的第三接觸孔CH3與驅動薄膜晶體管TFT2的第二漏電極DE2連接。

在鈍化層PL上，設置有將與每個像素PX對應的發(fā)射層EML隔開的像素限定層PDL。像素限定層PDL暴露陽極EL1的頂表面并從柔性基底FB突出。像素限定層PDL可包括金屬氟離子化合物，而沒有限制。例如，像素限定層PDL可使用LiF、BaF₂和CsF中的至少一種金屬氟離子化合物來形成。在金屬氟離子化合物的厚度比預定的具體厚度大的情況下，可配置絕緣性質。像素限定層PDL的厚度可在例如從大約10nm至大約100nm的范圍內。

由像素限定層PDL圍繞的區(qū)域設置有有機發(fā)光器件OEL。有機發(fā)光器件OEL包括陽極EL1、空穴傳輸區(qū)HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)ETR和陰極EL2。

陽極EL1是導電的。陽極EL1可以是像素電極或者正電極。陽極EL1可以是透射電極、透反射電極或者反射電極。在陽極EL1是透射電極的情況下，陽極EL1可使用例如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明金屬氧化物來形成。在陽極EL1是透反射電極或者反射電極的情況下，陽極EL1可包括Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一種。

有機層設置在陽極EL1上，并且包括發(fā)射層EML。有機層還可包括空穴傳輸區(qū)HTR和電子傳輸區(qū)ETR。

空穴傳輸區(qū)HTR設置在陽極EL1上?？昭▊鬏攨^(qū)HTR可包括空穴注入層、空穴傳輸層、緩沖層和電子阻擋層中的至少一種?？昭▊鬏攨^(qū)HTR可具有使用單種材料形成的單層、使用多種不同的材料形成的單層或者使用多種不同的材料形成的具有多個層的多層。

例如，空穴傳輸區(qū)HTR可具有使用多種不同的材料形成的單層的結構，或者可具有從陽極EL1由空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層、空穴注入層/緩沖層、空穴傳輸層/緩沖層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層層壓的結構，而沒有限制。

當空穴傳輸區(qū)HTR包括空穴注入層時，空穴傳輸區(qū)HTR可包括諸如銅酞菁的酞菁化合物、N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯胺基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基胺基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)等，而沒有限制。

當空穴傳輸區(qū)HTR包括空穴傳輸層時，空穴傳輸區(qū)HTR可包括諸如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑的咔唑衍生物、氟類衍生物、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)、諸如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的三苯胺類衍生物、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、4,4'-亞環(huán)己基雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等，而沒有限制。

發(fā)射層EML可設置在空穴傳輸區(qū)HTR上。發(fā)射層EML可包括使用單種材料形成的單層、使用多種不同的材料形成的單層或者使用多種不同的材料形成的具有多個層的多層結構。

發(fā)射層EML可使用通常使用的材料來形成，而沒有限制，并可包括例如發(fā)射紅光、綠光或藍光的材料。發(fā)射層EML可包括磷光材料或熒光材料。另外，發(fā)射層EML可包括主體或摻雜劑。

主體可以是通常使用的任何材料而沒有具體的限制，并可包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯亞芳基(DSA)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯(lián)苯(CDBP)、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(MADN)等。

當發(fā)射層EML發(fā)射紅光時，發(fā)射層EML可包括包含例如三(二苯甲酰甲基)菲咯啉銪(PBD:Eu(DBM)3(Phen))的磷光材料或者苝。當發(fā)射層EML發(fā)射紅光時，包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可選自于金屬配合物或者諸如雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥(PIQIr(acac))、雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(PQIr)和八乙基卟啉鉑(PtOEP)的有機金屬配合物。

當發(fā)射層EML發(fā)射綠光時，發(fā)射層EML可包括包含例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)的磷光材料。當發(fā)射層EML發(fā)射綠光時，包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可選自于諸如面式-三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)的金屬配合物或者有機金屬配合物。

當發(fā)射層EML發(fā)射藍光時，發(fā)射層EML還可包括包含從由例如螺-DPVBi、螺-6P、聯(lián)苯乙烯-苯(DSB)、聯(lián)苯乙烯-亞芳基(DSA)、聚芴(PFO)類聚合物和聚(對苯撐乙烯)(PPV)類聚合物組成的組中選擇的至少一種的磷光材料。當發(fā)射層EML發(fā)射藍光時，包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可選自于諸如(4,6-F2ppy)₂Irpic的金屬配合物或者有機金屬配合物。稍后將具體描述發(fā)射層EML。

電子傳輸區(qū)ETR設置在發(fā)射層EML上。電子傳輸區(qū)可包括電子阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種，而沒有限制。

當電子傳輸區(qū)包括電子傳輸層時，電子傳輸區(qū)可包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,08)-(1,1'-聯(lián)苯基-4-羥基)鋁(BAlq)、雙(苯并喹啉-10-羥基)鈹(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或它們的混合物，而沒有限制。

當電子傳輸區(qū)包括電子注入層時，電子傳輸區(qū)可包括LiF、羥基喹啉鋰(LiQ)、Li₂O、BaO、NaCl、CsF、鑭系金屬(諸如Yb)或者金屬鹵化物(諸如RbCl和RbI)，而沒有限制。電子注入層也可使用空穴傳輸材料和絕緣的有機金屬鹽的混合材料來形成。有機金屬鹽可以是具有大約4eV或更大的能帶隙的材料。具體地，有機金屬鹽可包括例如金屬醋酸鹽、金屬苯酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮鹽(metal acetylacetonate)或金屬硬脂酸鹽。電子注入層的厚度可在從大約至大約的范圍內，并還可在從大約至大約的范圍內。當電子注入層的厚度滿足上述范圍時，可獲得令人滿意的電子注入性質而沒有引起驅動電壓的大幅度增大。

陰極EL2可設置在電子傳輸區(qū)ETR上。陰極EL2可以是共電極或者負電極。陰極EL2可以是透射電極、透反射電極或者反射電極。當陰極EL2是透射電極時，陰極EL2可包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mg、BaF、Ba、Ag、它們的化合物或者它們的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。

當陰極EL2是透反射電極或反射電極時，陰極EL2可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它們的化合物或者它們的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。陰極EL2可具有包括反射層或透反射層以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明導電層的多層的結構，所述反射層或透反射層使用上述Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它們的化合物或者它們的混合物來形成。

陰極EL2可與輔助電極連接。輔助電極可包括通過沉積Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它們的化合物或者它們的混合物形成的層以及在所述層上使用例如ITO、IZO、ZnO、ITZO、Mo、Ti等形成的透明金屬氧化物。

當有機發(fā)光器件OEL是頂發(fā)射型時，陽極EL1可以是反射電極，陰極EL2可以是透射電極或者透反射電極。當有機發(fā)光器件OEL是底發(fā)射型時，陽極EL1可以是透射電極或者透反射電極，陰極EL2可以是反射電極。

在有機發(fā)光器件OEL中，根據(jù)施加到陽極EL1和陰極EL2中的每個的電壓，從陽極EL1注入的空穴可經由空穴傳輸區(qū)HTR傳輸?shù)桨l(fā)射層EML，從陰極EL2注入的電子可經由電子傳輸區(qū)ETR傳輸?shù)桨l(fā)射層EML。電子和空穴在發(fā)射層EML中復合以產生激子，激子可經由從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)而發(fā)光。

在陰極EL2上，設置有密封層SL。密封層SL覆蓋陰極EL2。密封層SL可包括有機層和無機層中的至少一種。密封層SL可以是例如薄膜密封層。密封層SL使有機發(fā)光器件OEL鈍化。

參照圖2A至圖2C、圖3A至圖3C、圖4A、圖4B以及圖5A至圖5C，觸摸感測單元TSU設置在密封層SL上。在示例性實施例中，觸摸感測單元TSU與密封層SL接觸。然而，發(fā)明構思不限于此，可在觸摸感測單元TSU與密封層SL之間設置諸如黏合層的單獨的層。

參照圖2A至圖2C、圖4A、圖4B和圖5A至圖5C，第一感測電極Tx可設置在密封層SL上或者與密封層SL接觸。絕緣層INL設置在密封層SL和第一感測電極Tx上，并與密封層SL和第一感測電極Tx中的每個第一感測電極Tx接觸。更具體地，第一無機絕緣層IOL1設置在密封層SL和第一感測電極Tx上，并與密封層SL和第一感測電極Tx中的每個第一感測電極Tx接觸。

第一自組裝單層SAML1設置在第一無機絕緣層IOL1上。第二無機絕緣層IOL2設置在第一自組裝單層SAML1上。第二感測電極Rx與第二無機絕緣層IOL2接觸。

參照圖3A至圖3C、圖4A、圖4B和圖5A至圖5C，絕緣層INL設置在密封層SL上，并與密封層SL接觸。更具體地，第一無機絕緣層IOL1設置在密封層SL上，并與密封層SL接觸。第一自組裝單層SAML1設置在第一無機絕緣層IOL1上。第二無機絕緣層IOL2設置在第一自組裝單層SAML1上。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個與第二無機絕緣層IOL2接觸。

現(xiàn)有技術的典型的顯示裝置中包括的觸摸感測單元不包括位于無機絕緣層中的第一自組裝單層，在由于彎曲而產生裂紋的情況下，所述裂紋會擴展到整個無機絕緣層。

然而，包括在根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置中的觸摸感測單元包括設置在第一無機絕緣層和第二無機絕緣層之間的第一自組裝單層。因此，即使當在第一無機絕緣層或第二無機絕緣層中產生裂紋時，第一自組裝單層也可防止所述裂紋的擴展。因此，根據(jù)示例性實施例的觸摸感測單元可具有高的耐用性。

另外，包括在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置中的觸摸感測單元使用第一自組裝單層作為有機絕緣層，并且當與使用有機絕緣層而不是第一自組裝單層的情況相比時，其可具有厚度減小的絕緣層。

在下文中，將解釋根據(jù)示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法。在下文中，將主要描述不是根據(jù)上述示例性實施例的觸摸感測單元的部件或者除了根據(jù)上述示例性實施例的觸摸感測單元之外的部件。

圖6是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的流程圖。

參照圖1A、圖1B、圖2A至圖2C、圖3A至圖3C和圖6，制造根據(jù)示例性實施例的觸摸感測單元TSU的方法包括形成絕緣層INL的步驟(S100)和形成與絕緣層INL接觸的導電圖案CP的步驟(S200)。形成絕緣層INL的步驟(S100)包括形成第一無機絕緣層IOL1的步驟以及在第一無機絕緣層IOL1上形成第一自組裝單層SAML1并且在第一自組裝單層SAML1上形成第二無機絕緣層IOL2的步驟。

圖7A至圖7E是示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的剖視圖。

參照圖2A、圖2B、圖6和圖7A至圖7E，形成導電圖案CP的步驟(S200)包括形成第一感測電極Tx的步驟和在絕緣層INL上形成第二感測電極Rx的步驟。在形成絕緣層INL的步驟(S100)中，可在第一感測電極Tx上形成絕緣層INL。

參照圖7A，形成第一感測電極Tx。參照圖7B，在第一感測電極Tx上形成第一無機絕緣層IOL1。可例如通過沉積第一無機絕緣材料來形成第一無機絕緣層IOL1。第一無機絕緣層IOL1的厚度可在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。第一感測電極Tx與第一無機絕緣層IOL1接觸。第一感測電極Tx覆蓋有第一無機絕緣層IOL1。

參照圖7C，在第一無機絕緣層IOL1上形成第一自組裝單層SAML1。第一自組裝單層SAML1可通過例如經由沉積工藝來形成。

第一自組裝單層SAML1可包括硅。第一自組裝單層SAML1可包括硅烷化合物。第一自組裝單層SAML1可包括通常使用的任何材料，而沒有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巰基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亞乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氫癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一種。

第一自組裝單層SAML1的厚度可小于第一無機絕緣層IOL1的厚度。第一自組裝單層SAML1的厚度可在例如大約1nm至大約10nm的范圍內。

參照圖7D，在第一自組裝單層SAML1上形成第二無機絕緣層IOL2?？赏ㄟ^例如沉積第二無機絕緣材料來形成第二無機絕緣層IOL2。第二無機絕緣材料可與第一無機絕緣材料相同或者不同。第二無機絕緣層IOL2的厚度可在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。

參照圖7E，可在第二無機絕緣層IOL2上形成第二感測電極Rx。第二感測電極Rx與第二無機絕緣層IOL2接觸。

圖8A至圖8D是示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造觸摸感測單元的方法的剖視圖。

參照圖3A、圖3B、圖6和圖8A至8D，形成導電圖案CP的步驟可包括在絕緣層INL上形成第一感測電極Tx的步驟和在絕緣層INL上形成第二感測電極Rx以在同一平面上與第一感測電極Tx分開的步驟。

參照圖8A，形成第一無機絕緣層IOL1。第一無機絕緣層IOL1包括第一無機絕緣材料。第一無機絕緣層IOL1的厚度可大于第一自組裝單層SAML1的厚度。第一無機絕緣層IOL1的厚度可在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。

參照圖8B，在第一無機絕緣層IOL1上形成第一自組裝單層SAML1。第一自組裝單層SAML1可包括硅。第一自組裝單層SAML1可包括硅烷化合物。第一自組裝單層SAML1可包括通常使用的任何材料，而沒有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巰基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亞乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氫癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一種。

第一自組裝單層SAML1的厚度可小于第一無機絕緣層IOL1的厚度。第一自組裝單層SAML1的厚度可在例如大約1nm至大約10nm的范圍內。

參照圖8C，在第一自組裝單層SAML1上形成第二無機絕緣層IOL2。第二無機絕緣層IOL2包括第二無機絕緣材料。第二無機絕緣材料可與第一無機絕緣材料相同或者不同。

第二無機絕緣層的厚度可與第一無機絕緣層的厚度相同或者不同。第二無機絕緣層IOL2的厚度可大于第一自組裝單層SAML1的厚度。第二無機絕緣層IOL2的厚度可在例如大約100nm至大約3,000nm的范圍內。

參照圖8D，可在第二無機絕緣層IOL2上形成第一感測電極Tx和第二感測電極Rx。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx在同一平面上彼此分開。第一感測電極Tx和第二感測電極Rx中的每個與第二無機絕緣層IOL2接觸。

通過制造現(xiàn)有技術的典型的觸摸感測單元的方法制造的觸摸感測單元不包括位于無機絕緣層中的自組裝單層，在由于彎曲而產生裂紋的情況下，所述裂紋會擴展到整個無機絕緣層。

然而，通過根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的制造方法制造的觸摸感測單元包括位于第一無機絕緣層與第二無機絕緣層之間的第一自組裝單層。因此，即使當在第一無機絕緣層或第二無機絕緣層中產生裂紋時，第一自組裝單層也可防止所述裂紋的擴展。因此，根據(jù)實施例的觸摸感測單元可具有高耐用性。

另外，通過根據(jù)示例性實施例的制造方法制造的觸摸感測單元使用第一自組裝單層作為有機絕緣層，并且當與如現(xiàn)有技術中使用有機絕緣層而不使用第一自組裝單層時的情況相比，其可具有減小厚度的絕緣層。

根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的觸摸感測單元，可減少由于彎曲導致的裂紋的產生。

根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的顯示裝置，可防止由于彎曲而產生的裂紋的擴展，并且可實現(xiàn)細長的輪廓。

根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例，可提供一種制造能夠實現(xiàn)細長輪廓并防止由于彎曲而產生的裂紋的擴展的觸摸感測單元的方法。

盡管已經在這里描述了某些示例性實施例和實施方案，但是其它實施例和修改通過該描述將是明顯的。因此，發(fā)明構思不限于這樣的實施例，而在于所給出的權利要求和各種明顯的修改的更寬的范圍以及等同布置。