透明導電性膜、其制造方法及具備其的觸摸面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供透明導電性膜、其制造方法及具備其的觸摸面板。透明導電性膜具有可以縮短結(jié)晶化時間的透明導電性薄膜。透明導電性膜，其特征在于，其為在透明的膜基材的至少一面具有透明導電性薄膜層疊體的透明導電性膜，所述膜基材為厚度2～200μm的塑料膜，所述透明導電性薄膜層疊體中，從所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)乳_始具有第一透明導電性薄膜和第二透明導電性薄膜，第一透明導電性薄膜為氧化錫的比例超過0且為6重量%以下的銦錫復合氧化物的結(jié)晶質(zhì)膜，第二透明導電性薄膜為氧化錫的比例3～25重量%的銦錫復合氧化物的結(jié)晶質(zhì)膜，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例比所述第一透明導電性薄膜大，所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為35nm以下。
【專利說明】透明導電性膜、其制造方法及具備其的觸摸面板
[0001]本申請是申請日為2011年11月04日、申請?zhí)枮?01110346353.3、發(fā)明名稱為透明導電性膜、其制造方法及具備其的觸摸面板的申請的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及在可見光區(qū)域具有透明性、且在膜基材上具有由至少2層透明導電性薄膜形成的透明導電性薄膜層疊體的透明導電性膜及具備其的觸摸面板。本發(fā)明的透明導電性膜除用于液晶顯示器、場致發(fā)光顯示器等顯示器方式、觸摸面板等中的透明電極以外，還用于防止透明物品帶電、阻斷電磁波等。對于觸摸面板而言，根據(jù)位置檢測的方法，有光學方式、超聲波方式、靜電容量方式、電阻膜方式等。本發(fā)明的透明導電性膜適宜用于靜電容量方式、特別是投影型靜電容量方式觸摸面板。
【背景技術】
[0003]目前，作為透明導電性膜，公知的是在玻璃上利用氧化銦形成有透明導電性薄膜的所謂的導電性玻璃，但由于基材是玻璃，因此撓性、加工性差，根據(jù)用途的不同，有時不能使用。
[0004]因此，近年來，從不僅撓性、加工性優(yōu)異、而且耐沖擊性優(yōu)異、輕量等優(yōu)點方面考慮，使用將以聚對苯二甲酸乙二醇酯膜為代表的各種塑料膜作為基材、利用氧化銦形成有透明導電性薄膜的透明導電性膜。
[0005]另外，對于上述透明導電性薄膜而言，為了應對低電阻、高透射率、高耐久性等要求，多使上述透明導電性薄膜結(jié)晶化而使用。作為該結(jié)晶化方法，通常為以下方法，即，在膜基材上形成非晶質(zhì)的透明導電性薄膜后，通過加熱等，使非晶質(zhì)的透明導電性薄膜結(jié)晶化的方法。但是，這樣的透明導電性膜還取決于膜基材的耐熱性，通常，結(jié)晶化時，難以將基材加熱至200°C以上。因此，存在以下問題，S卩，與在玻璃上形成透明導電性薄膜并通過高溫加熱使其結(jié)晶化的情況相比，使用了膜基材的透明導電性膜，透明導電性薄膜的結(jié)晶化所需要的時間更長。
[0006]為了在解決上述結(jié)晶化時間的問題的同時滿足高溫高濕下的可靠性，提出了在膜基材上設置2層結(jié)構(gòu)的透明導電性薄膜。例如，提出了從膜基材側(cè)開始設置由氧化錫的比例小的銦.錫復合氧化物形成的薄膜，并在該薄膜上設置由氧化錫的比例大的銦.錫復合氧化物形成的薄膜(專利文獻I)。
[0007]現(xiàn)有技術文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本特開2006-244771號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的問題
[0011]根據(jù)專利文獻1，與形成有I層透明導電性薄膜的情況相比較，結(jié)晶化時間縮短了一定程度。但是，期望進一步縮短透明導電性薄膜的結(jié)晶化時間。[0012]如上所述，透明導電性膜被用作觸摸面板、顯示器的透明電極。作為觸摸面板，由于可以多點觸控輸入、手勢輸入、安裝在智能手機上等，投影型靜電容量方式的觸摸面板正迅速普及。該投影型靜電容量方式觸摸面板為如下所述的結(jié)構(gòu):將對透明導電性薄膜實施了圖案化處理的一對透明導電性膜對向配置，使電流流過透明導電性膜，測量上下的透明導電性薄膜間的靜電容量(或者電壓的振幅、頻率等)這樣的結(jié)構(gòu)。對于投影型靜電容量方式觸摸面板而言，使手指等接近上側(cè)的透明導電性膜時，上下的透明導電性薄膜間的靜電容量發(fā)生變化，由此，探測所述接近部分的位置。對于投影型靜電容量方式觸摸面板而言，從傳感器的靈敏度?分辨率提高的觀點考慮，期望使用低電阻(例如，表面電阻為150 Ω/口左右)的透明導電性薄膜。即，期望降低電阻率。但是，對于使用了膜基材的透明導電性膜而言，與使用玻璃作為基材的膜相比，用于透明導電性薄膜的結(jié)晶化的加熱溫度的上限值低，因此，存在透明導電性膜中的結(jié)晶化的透明導電性薄膜的電阻率比使用玻璃作為基材的膜還高的問題。在上述專利文獻I中，公開了除可以縮短結(jié)晶化時間以外、還可以改善高溫高濕下的可靠性，但在專利文獻I中，不能降低透明導電性薄膜的電阻率。
[0013]本發(fā)明的目的在于，提供一種具有可以縮短結(jié)晶化時間的由結(jié)晶質(zhì)膜形成的透明導電性薄膜的透明導電性膜。
[0014]另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種具有可以縮短結(jié)晶化時間且可以降低電阻率的由結(jié)晶質(zhì)膜形成的透明導電性薄膜的透明導電性膜。
[0015]進而，本發(fā)明的目的還在于，提供一種使用了所述透明導電性膜的觸摸面板。
[0016]用于解決問題的方案
[0017]本申請發(fā)明人等為了解決上述目前存在的問題點，發(fā)現(xiàn)利用下述透明導電性膜等可以達成上述目的，從而完成了本發(fā)明。
[0018]即，本發(fā)明涉及一種透明導電性膜，其特征在于，是在透明的膜基材的至少一面具有由至少2層透明導電性薄膜形成的透明導電性薄膜層疊體的透明導電性膜，
[0019]所述透明導電性薄膜層疊體的透明導電性薄膜均為氧化銦或含有4價金屬元素的氧化物的銦系復合氧化物的結(jié)晶質(zhì)膜，
[0020]在所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)染哂醒趸熁蛞詛4價金屬元素的氧化物/ (4價金屬元素的氧化物+氧化銦)} X 100 (%)表示的4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物的第一透明導電性薄膜，
[0021]從所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)乳_始繼第一透明導電性薄膜之后具有所述4價金屬元素的氧化物的比例比所述第一透明導電性薄膜大的銦系復合氧化物的第二透明導電性薄膜。
[0022]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選所述第一透明導電性薄膜的氧化銦或銦系復合氧化物中的4價金屬元素的氧化物的比例與所述第二透明導電性薄膜的銦系復合氧化物中的4價金屬元素的氧化物的比例之差為3重量％以上。
[0023]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選所述第二透明導電性薄膜的銦系復合氧化物中的4價金屬元素的氧化物的比例為3~35重量％。
[0024]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選所述第一透明導電性薄膜的厚度比所述第二透明導電性薄膜的厚度小。優(yōu)選所述第一透明導電性薄膜的厚度與所述第二透明導電性薄膜的厚度之差為Inm以上。
[0025]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選所述第一透明導電性薄膜的厚度為I?17nm、所述第二透明導電性薄膜的厚度為9?34nm。
[0026]對于所述透明導電性膜而言，可以從所述透明的膜基材開始在至少第I層具有除所述第一透明導電性薄膜及所述第二透明導電性薄膜以外的第三透明導電性薄膜。作為所述第三透明導電性薄膜，氧化銦或以{4價金屬元素的氧化物/(4價金屬元素的氧化物+氧化銦)} X 100 (%)表示的4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物是適宜的。
[0027]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為35nm以下。
[0028]對于所述透明導電性膜而言，優(yōu)選相對于所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度的、所述第一透明導電性薄膜的厚度的比例為I?45%。
[0029]對于所述透明導電性膜而言，作為銦系復合氧化物，可以使用銦.錫復合氧化物，作為4價金屬元素的氧化物,可以使用錫氧化物。
[0030]對于所述透明導電性膜而言，所述透明導電性薄膜層疊體可以從膜基材側(cè)開始介由底涂層而設置。
[0031]另外，本發(fā)明還提供一種制造前述透明導電性膜的方法，其可以通過對如下所述的透明導電性膜實施加熱處理，使所述透明導電性膜中的至少2層透明導電性薄膜結(jié)晶化而得到，
[0032]所述透明導電性膜在透明的膜基材的至少一面具有由至少2層透明導電性薄膜形成的透明導電性薄膜層疊體，
[0033]所述透明導電性薄膜層疊體的透明導電性薄膜均為氧化銦或含有4價金屬元素的氧化物的銦系復合氧化物的非晶質(zhì)膜，
[0034]在所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)染哂醒趸熁蛞詛4價金屬元素的氧化物/ (4價金屬元素的氧化物+氧化銦)} X 100 (%)表示的4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物的第一透明導電性薄膜，
[0035]從所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)乳_始繼第一透明導電性薄膜之后具有所述4價金屬元素的氧化物的比例比所述第一透明導電性薄膜大的銦系復合氧化物的第二透明導電性薄膜。
[0036]本發(fā)明還涉及一種觸摸面板，其特征在于，具備所述透明導電性膜。
[0037]發(fā)明的效果
[0038]如上述專利文獻I等所示，2層結(jié)構(gòu)的透明導電性薄膜一直以來都是從膜基材側(cè)開始設置由氧化錫的比例小的銦.錫復合氧化物形成的薄膜，接著設置由氧化錫的比例大的銦.錫復合氧化物形成的薄膜，該2層結(jié)構(gòu)的透明導電性薄膜與I層透明導電性薄膜相t匕，可以一定程度地縮短結(jié)晶化時間。另一方面，本發(fā)明中，與以往相反，層疊的透明導電性薄膜通過從表面?zhèn)乳_始設置由氧化銦或4價金屬元素的氧化物(例如氧化錫)的比例小的銦系復合氧化物(例如銦.錫復合氧化物)形成的薄膜，接著設置由4價金屬元素的氧化物的比例大的銦系復合氧化物形成的薄膜，由此，與上述現(xiàn)有的2層結(jié)構(gòu)的構(gòu)成相比，進一步縮短了結(jié)晶化時間。[0039]通常，透明導電性薄膜使用銦系復合氧化物。這是為了利用以下現(xiàn)象，即，通過使氧化銦含有4價金屬元素的氧化物，由此在利用加熱等形成氧化銦的結(jié)晶時，3價的銦和4價的金屬元素之間發(fā)生置換，結(jié)晶質(zhì)膜中，剩余的電子成為載體。因此，銦系復合氧化物中，使4價金屬元素的氧化物的含量增加時，輸送電流的載體增加，因此，電阻率降低。
[0040]另一方面，對于氧化銦的結(jié)晶化而言，由于4價金屬元素的氧化物的含量增加會使阻礙結(jié)晶化的雜質(zhì)增加，在相同加熱溫度下進行結(jié)晶化時，4價金屬元素的氧化物的含量越多，結(jié)晶化時間越長。另外認為，氧化銦的結(jié)晶化只要可以以更低的能量形成晶核，結(jié)晶化時間就縮短。即認為，在上述結(jié)晶化中，確保晶核的形成所必須的能量是決定反應速度的最主要的因素。
[0041]另外，形成于膜基材上的氧化銦的薄膜受到來自膜基材的生成氣體的影響，因此，推測越是在距膜基材遠的位置(最表面?zhèn)?形成的薄膜，缺陷越少，越容易結(jié)晶化。
[0042]綜上所述，推測，在本發(fā)明中，在形成多層透明導電性薄膜時，通過在由4價金屬元素的氧化物的比例大的銦系復合氧化物形成的薄膜上形成由氧化銦或4價金屬元素的氧化物的比例小的銦系復合氧化物形成的薄膜，使4價金屬元素等雜質(zhì)的比例少、容易結(jié)晶化的薄膜位于表面?zhèn)龋ㄟ^采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以縮短非晶質(zhì)的透明導電性薄膜的結(jié)晶化時間。
[0043]如上所述，認為，在具有多個透明導電性薄膜的透明導電性膜中，在容易結(jié)晶化的位置配置容易結(jié)晶化的透明導電性薄膜，促進不易結(jié)晶化的非晶質(zhì)的透明導電性薄膜的結(jié)晶生長，由此，表現(xiàn)出本發(fā)明的縮短結(jié)晶化時間的效果。
[0044]如上所述，使透明導電性薄膜的氧化銦中所含的4價金屬元素的氧化物的比例增加時，輸送電流的載體增加，因此，電阻率降低。因此，為了縮短結(jié)晶化時間而降低4價金屬元素的氧化物的比例和降低電阻率因為二律背反，所以認為難以兼顧，本發(fā)明中，可以兼顧結(jié)晶化時間的縮短和電阻率的降低。對于本發(fā)明的透明導電性膜而言，多層透明導電性薄膜的表面?zhèn)鹊耐该鲗щ娦员∧な褂醚趸熁?價金屬元素的氧化物的含量小的銦系復合氧化物。這樣，表面?zhèn)鹊耐该鲗щ娦员∧げ缓?價金屬元素的氧化物、或其含量小，因此，反而會因結(jié)晶化的促進而使4價金屬元素的置換率增大，可以降低電阻率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的剖面示意圖。
[0046]圖2是表示本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的剖面示意圖。
[0047]圖3是表示本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的剖面示意圖。
[0048]圖4是表示本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的剖面示意圖。
[0049]圖5是表示使用本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的投影型靜電容量方式觸摸面板的傳感器部分的一例的剖面示意圖。
[0050]圖6是表示使用本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的投影型靜電容量方式觸摸面板的傳感器部分的一例的剖面示意圖。
[0051]圖7是表示使用本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的層疊體的剖面示意圖。
[0052]圖8是表示使用本發(fā)明的一實施方式的透明導電性膜的電阻膜方式觸摸面板的一例的剖面示意圖。[0053]附圖標記說明
[0054]I膜基材
[0055]2透明導電性薄膜層疊體
[0056]3底涂層
[0057]4粘合劑層
[0058]5基體膜
[0059]6樹脂層(硬涂層)
[0060]A透明導電性膜
【具體實施方式】
[0061]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。其中，省略了不需要說明的部分，另外，存在為了容易說明而進行放大或縮小等來圖示的部分。
[0062]圖1?圖3是表示本實施方式的透明導電性膜(A)的一例的剖面示意圖，任一個透明導電性膜(A)均在透明的膜基材(I)的一面形成有由至少2層透明導電性薄膜形成的透明導電性薄膜層疊體(2)。透明導電性薄膜均為氧化銦或含有4價金屬元素的氧化物的銦系復合氧化物。需要說明的是，透明導電性薄膜層疊體(2)具有至少2層透明導電性薄膜，可以具有3層以上透明導電性薄膜。需要說明的是，圖1?圖3中，僅在透明膜基材(I)的一面設置有透明導電性薄膜層疊體(2)，但也可以在膜基材(I)的另一面設置透明導電性薄膜。在另一面，透明導電性薄膜可以為I層，也可以為2層以上，2層以上透明導電性薄膜可以設為與透明導電性薄膜層疊體(2)同樣的構(gòu)成。
[0063]圖1的透明導電性膜㈧為透明導電性薄膜層疊體(2)具有2層透明導電性薄膜的情況，從透明導電性薄膜層疊體(2)的最表面開始的第I層為氧化銦或以{4價金屬元素的氧化物/ (4價金屬元素的氧化物+氧化銦)} X 100 (%)表示的4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物的第一透明導電性薄膜(21)，從最表面開始的第2層為4價金屬元素的氧化物的比例比上述第一透明導電性薄膜(21)大的銦系復合氧化物的第二透明導電性薄膜(22)。
[0064]圖2的透明導電性膜㈧為透明導電性薄膜層疊體(2)具有3層透明導電性薄膜的情況，為在從透明導電性薄膜層疊體(2)的最表面開始的第I層具有第一透明導電性薄膜(21)、在第2層具有第二透明導電性薄膜(22)、在第3層具有第三透明導電性薄膜(23)的情況。圖2為比圖1多I層第三透明導電性薄膜(23)的情況。第三透明導電性薄膜(23)相當于從透明的膜基材(I)開始的第I層。
[0065]另外，圖3為圖1中的透明導電性薄膜層疊體(2)從膜基材⑴側(cè)介由底涂層(3)設置的情況。需要說明的是，圖2的方式也可以設置和圖3同樣的底涂層(3)。
[0066]圖4為圖1的透明導電性膜㈧成為在膜基材⑴的一面具有透明導電性薄膜層疊體(2)、在另一面具有透明的粘合劑層(4)的結(jié)構(gòu)的情況。需要說明的是，圖4中表示出了使用圖1的透明導電性膜(A)形成透明導電性薄膜層疊體的情況，但也可以使用圖2或圖3的透明導電性膜㈧、或組合圖2、圖3而成的透明導電性膜㈧。
[0067]圖5、圖6是表示使用透明導電性膜㈧的投影型靜電容量方式觸摸面板的傳感器部分的一例的剖面示意圖。圖5、圖6中，例示了使用圖1所示的透明導電性膜(A)的情況，但也可以使用圖2、圖3的透明導電性膜(A)、或組合圖2、圖3而成的透明導電性膜(A)。圖
5、圖6為圖1所示的透明導電性膜㈧介由粘合劑層⑷對向配置的結(jié)構(gòu)。圖5中，透明導電性膜(A)的膜基材(I)之間介由粘合劑層(4)貼合。圖6中，介由另一個透明導電性膜(A)的透明導電性薄膜層疊體(2)貼合在其中一個透明導電性膜(A)的膜基材(I)上。圖5、圖6中，透明導電性薄膜層疊體(2)(透明導電性薄膜(21)及(22))被實施圖案化處理。圖5、圖6中，透明導電性膜(A)的配置可以沿上下任一方向構(gòu)成。圖6、圖7所示的觸摸面板的傳感器部分作為如下所述的透明開關基體起作用，即，當手指等靠近透明導電性薄膜層疊體(2)時，上側(cè)和下側(cè)的靜電容量的值發(fā)生變化，通過測量由該值發(fā)生變化而引起的電信號變化，變?yōu)閛n狀態(tài)，當使手指等離開時，恢復原來的off狀態(tài)。
[0068]圖7為在圖4所示的設置在透明導電性膜㈧上的粘合劑層⑷上層疊I層透明的基體膜(5)的情況。透明的基體膜(5)可以介由粘合劑層⑷層疊2層以上。另外，圖7為在基體膜(5)的外表面設置有硬涂層(樹脂層)6的情況。需要說明的是，圖7表示出了使用圖1的透明導電性膜㈧形成透明導電性薄膜層疊體的情況，但也可以使用圖2、圖3的透明導電性膜(A)、或組合圖2、圖3而成的透明導電性膜(A)。具有圖7的透明導電性膜(A)的層疊體通常可以適用于電阻膜方式的觸摸面板，也可以形成圖5、圖6的投影型靜電容量方式觸摸面板的傳感器部分。
[0069]圖8是概略性表示電阻膜方式的觸摸面板的剖面示意圖。如該圖所示，觸摸面板為上述透明導電性膜㈧和下側(cè)基板A'介由間隔物s對向配置的結(jié)構(gòu)。
[0070]下側(cè)基板A'為在另一透明基體(I')上層疊另一透明導電性薄膜(2')而成的構(gòu)成。但本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以將透明導電性膜(A)作為下側(cè)基板(A')使用。作為其它透明基體(P )的構(gòu)成材科，基本上可以使用與玻璃板、基體膜(5)同樣的材料。另外，關于其厚度等，可以設為與基體膜(5)同樣。作為其它的透明導電性薄膜(2')的構(gòu)成材料，基本上可以使用各種透明導電性薄膜，另外，可以設為與透明導電性薄膜層疊體⑵同樣的構(gòu)成。
[0071]作為間隔物S，只要為絕緣性的物質(zhì)，就沒有特別限定，可以采用現(xiàn)有公知的各種物質(zhì)。間隔物s的制造方法、尺寸、配置位置、數(shù)量也沒有特別限定。另外，作為間隔物s的形狀，可以采用大致球形、多角形狀等現(xiàn)有公知的形狀。
[0072]圖8所示的觸摸面板作為如下所述的透明開關基體起作用，S卩，從透明導電性膜(A)偵彳，利用輸入筆等抵抗間隔物s的彈力進行按壓打點時，透明導電性薄膜層疊體(2)、透明導電性薄膜(2')彼此接觸而在電氣上成為on狀態(tài)，解除上述按壓時，恢復原來的off狀態(tài)。
[0073]作為上述膜基材(I)，沒有特別限定，使用具有透明性的各種塑料膜。例如，作為其材料，可以舉出:聚酷系樹脂、乙Ife酷系樹脂、聚釀諷系樹脂、聚碳Ife酷系樹脂、聚酸胺系樹月旨、聚酰亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。其中，特別優(yōu)選為聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂。
[0074]上述膜基材(I)的厚度優(yōu)選在2?200 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2?120 μ m的范圍內(nèi)，進一步優(yōu)選為2?100 μ m。膜基材⑴的厚度不足2μπι時，膜基材⑴的機械強度不足，存在難以進行將該膜基材(I)卷成輥狀而連續(xù)形成透明導電性薄膜層疊體(2)、或者除此以外還連續(xù)形成底涂層(3)及粘合劑層⑷的操作的情況。
[0075]對于上述膜基材(I)，也可以預先對表面實施濺射、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子射線照射、化學轉(zhuǎn)化處理、氧化等蝕刻處理、底涂處理，使設置在其上的透明導電性薄膜層疊體(2)或底涂層(3)對上述膜基材(I)的密合性提高。另外，在設置透明導電性薄膜層疊體(2)或底涂層(3)之前，根據(jù)需要，可以通過溶劑清洗、超聲波清洗等進行除塵、清潔化。
[0076]膜基材(I)的形成透明導電性薄膜層疊體(2)側(cè)的面的算術平均粗糙度Ra優(yōu)選為1.0nm以下，更優(yōu)選為0.1xm以下，進一步優(yōu)選為0.6nm以下，特別優(yōu)選為0.5nm以下。通過減小膜基材(I)的表面粗糙度，可以通過較短時間的加熱使透明導電性薄膜層疊體(2)結(jié)晶化，并且，可以使結(jié)晶化后的透明導電性薄膜層疊體(2)為低電阻。透明基材表面的算數(shù)平均粗糙度Ra的下限值沒有特別限定，從賦予將基材卷成輥狀時的卷取性的觀點考慮，優(yōu)選為0.1nm以上，更優(yōu)選為0.2nm以上。需要說明的是，算術平均粗糙度Ra使用原子力顯微鏡(AFM、Digital Instruments Corporation Nonoscope IV)進行測定。
[0077]通常，從生產(chǎn)率、操作性的觀點考慮，由有機高分子成型物形成的膜在膜中含有填充物等，因此，表面的算術平均粗糙度Ra多為數(shù)nm以上。從使膜基材(I)的表面粗糙度在上述范圍的觀點考慮，優(yōu)選在膜基材(I)的形成透明導電性薄膜層疊體(2)側(cè)的面上形成底涂層(3)。通過在膜基材(I)表面形成底涂層(3)，可以緩和膜基材(I)的表面凹凸，減小表面粗糙度。
[0078]4價金屬元素的氧化物的含量大的銦系復合氧化物的透明導電薄膜難以結(jié)晶化，但如上所述使用具有規(guī)定的表面粗糙度的膜基材(I)的情況下，即使形成氧化銦或4價金屬元素的氧化物的含量大的非晶質(zhì)的第二透明導電性薄膜(22)時，也可以通過較短時間的熱處理完全結(jié)晶化。
[0079]圖3所示的底涂層(3)可以由無機物、有機物或者無機物與有機物的混合物形成。作為無機材料，例如，作為無機物，優(yōu)選使用SiOxU=I~2) ,MgF2^Al2O3等。另外，作為有機物，可以舉出:丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、硅氧烷系聚合物等有機物。特別是作為有機物，優(yōu)選使用由三聚氰胺樹脂和醇酸樹脂和有機硅烷縮合物的混合物形成的熱固化型樹脂。
[0080]底涂層(3)可以使用上述材料，利用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等干法、或濕法(涂布法)等形成。底涂層(3)可以為I層，也可以為2層以上的多層。底涂層(3)的厚度(多層時為各層的厚度)通常為I~300nm左右即可。
[0081]在膜基材(I)上，利用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等公知的薄膜形成法，由氧化銦或銦系復合氧化物形成由至少2層透明導電性薄膜形成的透明導電性薄膜層疊體(2)。作為用于形成這樣的薄膜的材料，根據(jù)上述薄膜形成法適當選擇，通常，優(yōu)選使用氧化銦和4價金屬元素的氧化物的燒結(jié)體材料。另外，反應性濺射法等薄膜形成法中，也可以使用金屬銦和金屬錫，邊使兩種金屬氧化邊形成薄膜。
[0082]作為上述4價金屬元素，例如可以舉出:錫、鋪、鉿、錯、鈦等。作為這些4價金屬元素的氧化物，可以舉出:氧化錫、氧化鈰、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦等。作為上述4價金屬元素，優(yōu)選使用錫。作為4價金屬元素的氧化物，優(yōu)選錫氧化物，作為銦系復合氧化物，優(yōu)選銦.錫復合氧化物。[0083]透明導電性薄膜層疊體(2)的制膜中的濺射法不僅可以采用使用DC電源的標準的磁控濺射法，也可以采用RF濺射法、RF+DC濺射法、脈沖濺射法、雙靶磁控濺射法等各種濺射法。
[0084]由這樣的透明導電性薄膜層疊而形成透明導電性薄膜層疊體(2)時，選擇上述薄膜形成材料即氧化銦和4價金屬元素的氧化物的比例(或金屬銦和4價金屬的比例)，從形成的透明導電性薄膜層疊體(2)的表面?zhèn)乳_始，形成氧化銦或以{4價金屬元素的氧化物/ (4價金屬元素的氧化物+氧化銦)} X 100 (%)表示的4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物的第一透明導電性薄膜(21)、和4價金屬元素的氧化物的比例比上述第一透明導電性薄膜(21)大的銦系復合氧化物的第二透明導電性薄膜
(22)，在表面?zhèn)刃纬裳趸熁?價金屬元素的氧化物的含量小的銦系復合氧化物。
[0085]上述第一透明導電性薄膜(21)優(yōu)選為氧化銦或上述4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下的銦系復合氧化物。使表面?zhèn)鹊牡芤煌该鲗щ娦员∧?21)的4價金屬元素的氧化物的含量為上述比例，從通過低溫且短時間的熱處理促進結(jié)晶化方面考慮是優(yōu)選的。上述第一透明導電性薄膜(21)的4價金屬元素的氧化物的比例超過6重量％時，用于結(jié)晶化的熱處理工序耗費時間。
[0086]另外，上述第二透明導電性薄膜(22)的4價金屬元素的氧化物的比例采用比上述第一透明導電性薄膜(21)的4價金屬元素的氧化物的比例大的值，但從電阻率的降低及結(jié)晶化時間的縮短的觀點考慮，第二透明導電性薄膜(22)的4價金屬元素的氧化物的比例與上述第一透明導電性薄膜(21)的4價金屬元素的氧化物的比例之差優(yōu)選為3重量％以上，上述4價金屬元素的氧化物的比例之差更優(yōu)選為3?35重量％，進一步優(yōu)選為3?25重量％，更進一步優(yōu)選為5?25重量％。上述第二透明導電性薄膜(22)的4價金屬元素的氧化物的比例通常優(yōu)選為3?35重量％，更優(yōu)選為3?25重量％，進一步優(yōu)選為5?25重量％，更進一步優(yōu)選為7?25重量％，再進一步優(yōu)選為8?25重量％。
[0087]上述第一透明導電性薄膜(21)的厚度從維持較高的透明導電性薄膜的撓曲性的觀點考慮，為I?17nm,優(yōu)選為I?12nm,進一步優(yōu)選為I?6nm。另外,上述第二透明導電性薄膜(22)的厚度通常為9?34nm，優(yōu)選為9?29nm，進一步優(yōu)選為9?24nm。
[0088]上述第一透明導電性薄膜(21)和第二透明導電性薄膜(22)的各厚度可以分別采用上述范圍，為了使電阻率降低，優(yōu)選以第一透明導電性薄膜(21)的厚度比上述第二透明導電性薄膜(22)的厚度小的方式形成上述第一透明導電性薄膜(21)和第二透明導電性薄膜(22)。上述第一透明導電性薄膜(21)的厚度和上述第二透明導電性薄膜(22)的厚度之差從降低電阻率的觀點考慮優(yōu)選為Inm以上，進一步優(yōu)選為I?33nm，更進一步優(yōu)選為I?20nmo
[0089]圖2所示的第三透明導電性薄膜(23)是除上述第一透明導電性薄膜(21)及上述第二透明導電性薄膜(22)之外設置的。第三透明導電性薄膜(23)由氧化銦或銦系復合氧化物形成。第三透明導電性薄膜(23)中的銦系復合氧化物的4價金屬元素的氧化物的比例沒有特別限定，可以從超過O且為35重量％以下的范圍選擇，從縮短結(jié)晶化時間的觀點考慮，優(yōu)選與上述第一透明導電性薄膜(21)同樣，4價金屬元素的氧化物的比例超過O且為6重量％以下，進一步優(yōu)選超過O且為5重量％以下。另外，第三透明導電性薄膜(23)的厚度通常為I?17nm，優(yōu)選為I?12nm，進一步優(yōu)選為I?6nm。需要說明的是，圖2中，從膜基材(I)側(cè)開始設置I層第三透明導電性薄膜(23)，也可以除上述第一透明導電性薄膜(21)及上述第二透明導電性薄膜(22)之外形成多層。
[0090]需要說明的是，優(yōu)選如上所述在透明導電性薄膜層疊體(2)的表面設置上述第一透明導電性薄膜(21)，也可以在上述第一透明導電性薄膜(21)上，在其表面?zhèn)冗M一步設置不影響本發(fā)明的層(未圖示)。
[0091]上述透明導電性薄膜層疊體(2)如上所述，具有上述第一透明導電性薄膜(21)及上述第二透明導電性薄膜(22)，從具備高透射率的觀點考慮，優(yōu)選使上述透明導電性薄膜層疊體(2)的總厚度為35nm以下，進一步優(yōu)選為30nm以下。
[0092]另外，從減小電阻率方面考慮，優(yōu)選以相對于上述透明導電性薄膜層疊體(2)整體的厚度的、上述第一透明導電性薄膜(21)的厚度的比例為I?45%的方式設計。上述第一透明導電性薄膜(21)的厚度的比例優(yōu)選為I?30%，進一步優(yōu)選為I?20%。
[0093]濺射制膜中使用的濺射靶根據(jù)透明導電性薄膜層疊體(2)的各薄膜，選擇氧化銦或銦系復合氧化物。另外，銦系復合氧化物中，4價金屬元素的氧化物的含量受到控制。使用這樣的靶的濺射制膜通過向排氣成高真空的濺射裝置內(nèi)導入惰性氣體氬氣而進行。作為濺射靶，使用銦或銦.4價金屬(例如銦-錫)的金屬靶的情況下，將氧氣等氧化劑連同氬氣一起導入，進行反應性濺射制膜。另外，在使用氧化銦或銦系復合氧化物的氧化物靶的情況下，除了導入氬氣之外，還可以再導入氧氣等。
[0094]制膜氣氛中的水分子的存在會使制膜中產(chǎn)生的懸空鍵終結(jié)，妨礙氧化銦或銦系復合氧化物的結(jié)晶生長，因此，優(yōu)選制膜氣氛中的水的分壓小。制膜時的水的分壓優(yōu)選相對于氬氣的分壓為0.1%以下，更優(yōu)選為0.07%以下。另外，制膜時的水的分壓優(yōu)選為2X IO-4Pa以下，更優(yōu)選為1.5X IO-4Pa以下，特別優(yōu)選為lX10_4Pa以下。為了使制膜時的水分壓在上述范圍，優(yōu)選的是，在開始制膜之前，將濺射裝置內(nèi)排氣至2X10_4Pa以下、優(yōu)選1.5X10_4Pa以下、更優(yōu)選lX10_4Pa以下，以使水的分壓在上述范圍，形成除去了裝置內(nèi)的水分、由基材產(chǎn)生的有機氣體等雜質(zhì)的氣氛。
[0095]濺射制膜時的基材溫度優(yōu)選超過100°C。通過使基材溫度高于100°C，即使為4價金屬的原子含量大的銦系復合氧化物的膜，后述的熱處理工序中的銦系復合氧化物的膜的結(jié)晶化也容易得到促進，進而，可以得到低電阻的結(jié)晶性的透明導電性薄膜層疊體(2)。這樣，加熱非晶質(zhì)的透明導電性薄膜層疊體(2)而進行結(jié)晶化時，從形成低電阻膜的結(jié)晶性的透明導電性薄膜層疊體(2)的觀點考慮，基材溫度更優(yōu)選為120°C以上，進一步優(yōu)選為1300C以上，特別優(yōu)選為140°C以上。另外，從抑制對基材的熱損傷的觀點考慮，基材溫度優(yōu)選為200°C以下，更優(yōu)選為180°C以下，進一步優(yōu)選為170°C以下，特別優(yōu)選為160°C以下。
[0096]需要說明的是，本說明書中，所謂“基材溫度”，為濺射制膜時基材的基底的設定溫度。例如，通過輥濺射裝置連續(xù)進行濺射制膜時的基材溫度，是指進行濺射制膜的筒輥(Canroll)的溫度。另外，以單片式(分批式)進行濺射制膜時的基材溫度，是指用于載置基材的基材乘載臺的溫度。
[0097]本發(fā)明的透明導電性薄膜從透明導電性薄膜層疊體(2)的表面?zhèn)乳_始，如上所述具有氧化銦或4價金屬元素的氧化物為特定比例的銦系復合氧化物的第一透明導電性薄膜(21)、及4價金屬元素的氧化物的比例比上述第一透明導電性薄膜(21)大的銦系復合氧化物的上述第二透明導電性薄膜(22)，透明導電性薄膜層疊體(2)為結(jié)晶質(zhì)膜。對于該結(jié)晶性的透明導電性薄膜層疊體(2)而言，通過在依次形成非晶質(zhì)性的透明導電性薄膜后，實施恰當?shù)臒崽幚恚狗蔷з|(zhì)性的透明導電性薄膜層疊體(2)結(jié)晶化，可以形成結(jié)晶質(zhì)膜。熱處理的方法可以基于公知的方法，使用例如紅外線加熱器、熱風循環(huán)式烘箱等加熱方式進行。這時，對于熱處理溫度而言，作為膜基材允許的溫度，設為150°C以下的溫度，本發(fā)明中，可以通過在這樣的低溫下進行短時間的熱處理而充分結(jié)晶化。具體而言，通過在150°C下實施2小時以內(nèi)的熱處理，可以形成良好的結(jié)晶質(zhì)膜。
[0098]熱處理工序中的加熱溫度優(yōu)選為120°C?150°C，更優(yōu)選為125°C?150°C，進一步優(yōu)選為130°C?150°C。另外，加熱時間可以滿足小于60分鐘，進而，可以滿足45分鐘以下，可以縮短結(jié)晶化時間。通過恰當選擇加熱溫度及加熱時間，可以轉(zhuǎn)化為完全結(jié)晶化的膜而不伴隨有生產(chǎn)率、品質(zhì)方面的變差。需要說明的是，從使非晶質(zhì)性的透明導電性薄膜層疊體
(2)完全結(jié)晶化的觀點考慮，加熱時間優(yōu)選為30分鐘以上。
[0099]需要說明的是，將透明導電性膜用于投影型靜電容量方式的觸摸面板、矩陣型的電阻膜方式觸摸面板等時，存在透明導電性薄膜層疊體(2)被圖案化為規(guī)定形狀(例如長方形狀)的情況，但通過熱處理使氧化銦或銦系復合氧化物的膜結(jié)晶化時，利用酸進行的蝕刻加工變難。另一方面，熱處理前的非晶質(zhì)的氧化銦或銦系復合氧化物的膜可以容易地進行蝕刻加工。因此，通過蝕刻將透明導電性薄膜層疊體(2)圖案化時，優(yōu)選在將透明導電性薄膜層疊體(2)制成膜之后、在熱處理工序之前進行蝕刻加工。
[0100]在上述膜基材(I)的另一面上，可以設置透明的粘合劑層(4)。作為透明的粘合劑層(4)，只要為具有透明性的層就可以沒有特別限定地使用。具體而言，例如可以恰當選擇以如下的物質(zhì)為基礎聚合物的層使用，所述物質(zhì)為:丙烯酸系聚合物、有機硅系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯基醚、醋酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環(huán)氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等聚合物。特別是從光學透明性優(yōu)異、表現(xiàn)出適度的潤濕性、聚集性及粘接性等粘合特性、且耐候性、耐熱性等也優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選使用丙烯酸系粘合劑。
[0101]該粘合劑層(4)利用其緩沖效果，具有提高設置在膜基材(I)的一面的透明導電性薄膜層疊體(2)的耐擦傷性、作為觸摸面板用的打點特性、所謂的筆輸入耐久性及面壓耐久性的作用。從更好地發(fā)揮該作用的觀點考慮，優(yōu)選的是，將粘合劑層(4)的彈性模量設定在I?ΙΟΟΝ/cm2的范圍，將厚度設定在I μπι以上、通常5?IOOym的范圍。
[0102]另外，粘合劑層(4)的厚度不足Iym時，不能期待其緩沖效果，因此存在難以使透明導電性薄膜層疊體(2)的耐擦傷性、作為觸摸面板用的筆輸入耐久性及面壓耐久性提高的傾向。相反，其厚度過厚時，有損透明性，在粘合劑層(4)的形成、貼合作業(yè)性、進而成本方面難以得到好的結(jié)果。
[0103]實施例
[0104]以下，使用實施例對本發(fā)明進行詳細說明，只要不超過本發(fā)明的主旨，本發(fā)明就不限定于以下的實施例。另外，各例中，份只要沒有特別說明就以重量為基準。
[0105](算術平均粗糙度)
[0106]使用原子力顯微鏡(AFMDigital Instruments Corporation “Nanscope IV，，)進行測定。
[0107]實施例1[0108]在厚度為23 μπι的由聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(以下稱為PET膜)形成的膜基材的一面，以厚度為30nm的方式形成三聚氰胺樹脂:醇酸樹脂:有機硅烷縮合物的重量比為2:2:1的熱固化型樹脂作為底涂層。底涂層表面的算術平均粗糙度Ra為0.5nm。
[0109]在該底涂層上，在由80體積％氬氣和20體積％氧氣組成的0.4Pa的氣氛中，利用使用氧化銦90%-氧化錫10%的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為20nm的由銦.錫復合氧化物形成的透明導電性薄膜。制膜時，將濺射裝置內(nèi)排氣至制膜時的水的分壓為8.0X KT5Pa后，導入氬氣及氧氣，在基材溫度140°C、水分壓8.0X KT5Pa的氣氛下進行制膜。此時的水的分壓相對于氬氣的分壓為0.05%。該透明導電性薄膜對應于從圖1的最表面開始第2層的第二透明導電性薄膜(22)。
[0110]另外，在上述第2層透明導電性薄膜上，進一步利用使用氧化銦的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為5nm的由銦.錫復合氧化物形成的透明導電性薄膜。制膜時，將濺射裝置內(nèi)排氣至制膜時的水的分壓為8.0X KT5Pa后，導入氬氣及氧氣，在基材溫度140°C、水分壓8.0X 10_5Pa的氣氛下進行制膜。此時的水的分壓相對于氬氣的分壓為
0.05%。該透明導電性薄膜對應于從圖1的最表面開始第I層的第一透明導電性薄膜(21)。
[0111]由此形成具有第I層及第2層非晶質(zhì)的透明導電性薄膜的透明導電性薄膜層疊體，制作透明導電性膜。接著，將該透明導電性膜在熱風循環(huán)式烘箱中在140°C實施熱處理，使上述透明導電性薄膜層疊體結(jié)晶化。
[0112]實施例2~7、9~13
[0113]將實施例1中第I層及第2層透明導電性 薄膜的形成所使用的氧化銦-氧化錫的燒結(jié)體材料中氧化錫的比例、各層的厚度如表1所示進行變更，除此以外，與實施例1同樣操作，制作透明導電性膜。另外，與實施例1同樣操作，使透明導電性薄膜層疊體結(jié)晶化。需要說明的是，表1中的氧化錫的比例為各層形成中濺射靶所使用的氧化銦或銦.錫復合氧化物中氧化錫的比例。氧化錫的比例為“0%”是使用氧化銦的情況。另外，透明導電性薄膜的厚度為結(jié)晶化前的厚度。認為氧化錫的比例、透明導電性薄膜的厚度在結(jié)晶化后也是同樣的值。
[0114]實施例8
[0115]與實施例1同樣操作，在膜基材的一面形成底涂層。在該底涂層上，在由80體積％氬氣和20體積％氧氣組成的0.4Pa的氣氛中，利用使用氧化銦97%-氧化錫3%的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為3nm的由銦.錫復合氧化物形成的透明導電性薄膜。制膜時，將濺射裝置內(nèi)排氣至制膜時的水的分壓為8.0X KT5Pa后，導入氬氣及氧氣，在基材溫度140°C、水分壓8.0X 10_5Pa的氣氛下進行制膜。此時的水的分壓相對于氬氣的分壓為
0.05%。該透明導電性薄膜對應于從圖2的最表面開始第3層的第三透明導電性薄膜(23)。
[0116]另外，在上述第3層透明導電性薄膜上，進一步利用使用氧化銦90%-氧化錫10%的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為19nm的由銦?錫復合氧化物形成的透明導電性薄膜。制膜時，將濺射裝置內(nèi)排氣至制膜時的水的分壓為8.0X KT5Pa后，導入氬氣及氧氣，在基材溫度140°C、水分壓8.0X 10_5Pa的氣氛下進行制膜。此時的水的分壓相對于氬氣的分壓為0.05%。該透明導電性薄膜對應于從圖2的最表面開始第2層的第二透明導電性薄膜(22)。
[0117]另外，在上述第2層透明導電性薄膜上，進一步利用使用氧化銦97%-氧化錫3%的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為3nm的由銦.錫復合氧化物形成的透明導電性薄膜。制膜時，將濺射裝置內(nèi)排氣至制膜時的水的分壓為8.0X KT5Pa后，導入氬氣及氧氣，在基材溫度140°C、水分壓8.0X 10_5Pa的氣氛下進行制膜。此時的水的分壓相對于氬氣的分壓為0.05%。該透明導電性薄膜對應于從圖2的最表面開始第I層的第一透明導電性薄膜
(21)。
[0118]由此，形成具有第I層、第2層及第3層的非晶質(zhì)的透明導電性薄膜的透明導電性薄膜層疊體，制作透明導電性膜。接著，將該透明導電性膜在熱風循環(huán)式烘箱中在140°C實施熱處理，使上述透明導電性薄膜層疊體結(jié)晶化。
[0119]比較例1
[0120]與實施例1同樣操作，在膜基材的一面形成底涂層。在該底涂層上，在由80體積％気氣和20體積％氧氣組成的0.4Pa的氣氛中，利用使用氧化銦90%-氧化錫10%的燒結(jié)體材料的反應性濺射法，形成厚度為25nm的由銦?錫復合氧化物形成的非晶質(zhì)的透明導電性薄膜。接著，將該透明導電性膜在熱風循環(huán)式烘箱中在150°C實施熱處理，使上述透明導電性薄膜層疊體結(jié)晶化。
[0121]比較例2~5
[0122]將實施例1中第I層及第2層的透明導電性薄膜的形成所使用的氧化銦-氧化錫的燒結(jié)體材料中氧化錫的比例、各層的厚度如表1所示進行變更，除此以外，與實施例1同樣操作，制作非晶質(zhì)的透明導電性膜。另外，與實施例1同樣操作，使透明導電性薄膜層疊體結(jié)晶化。將結(jié)晶化時間示于表1。
[0123](評價)
[0124]對于實施例及比較例中得到的透明導電性膜，進行下述評價。將結(jié)果示于表1。
[0125]〈各層的厚度〉
[0126]膜基材的厚度使用Mitutoyo Corporation制造的Microgauge式厚度計進行測定。底涂層、透明導電性薄膜的厚度使用大塚電子(株)制造的多通道光電探測器MCPD2000 (商品名)，以干涉譜的波形為基礎算出。
[0127]〈結(jié)晶化時間〉
[0128]各例中，測定直至透明導電性薄膜(層疊體)結(jié)晶化的時間(分鐘)。對于透明導電性薄膜(層疊體)的結(jié)晶化，利用熱風循環(huán)式烘箱在140°C進行加熱，由下述的“電阻值的變化(降低)結(jié)束的確認”和“蝕刻試驗”進行判定。
[0129]“電阻值的變化(降低)結(jié)束的確認”:利用熱風循環(huán)式烘箱在140°C進行加熱，每30分鐘測定一次表面電阻值。伴隨結(jié)晶化，表面電阻值降低，結(jié)束時，表面電阻值變?yōu)楹愣?，因此，在表面電阻值變?yōu)楹愣ǖ臅r間進行結(jié)晶化時間的確認。
[0130]“蝕刻試驗”:將透明導電性薄膜層疊體在5重量％濃度的鹽酸中浸潰15分鐘，用Tester (Custom corporation 制造.制品名 “Digital tester (M-04) ”,測定界限值 2M Ω )測定間隔15mm的2點間的電阻值(Ω )，進行透明導電性薄膜(層疊體)是否結(jié)晶化的判定。檢測出電阻值時，判定透明導電性薄膜(層疊體)結(jié)晶化。
[0131]〈表面電阻〉
[0132]使用4端子法，測定各透明導電性膜的透明導電性薄膜的表面電阻(Ω/ □)。
[0133]〈電阻率〉[0134]使用焚光X射線分析裝置(Rigaku Corporation制造)，測定透明導電性薄膜(層疊體)的膜厚，由上述表面電阻和膜厚算出電阻率。
【權利要求】
1.一種透明導電性膜，其特征在于，其為在透明的膜基材的至少一面具有透明導電性薄膜層疊體的透明導電性膜， 所述膜基材為厚度2~200 μ m的塑料膜， 所述透明導電性薄膜層疊體中，從所述透明導電性薄膜層疊體的表面?zhèn)乳_始具有第一透明導電性薄膜和第二透明導電性薄膜， 所述第一透明導電性薄膜為氧化錫的比例超過O且為6重量％以下的銦錫復合氧化物的結(jié)晶質(zhì)膜， 所述第二透明導電性薄膜為氧化錫的比例3~25重量％的銦錫復合氧化物的結(jié)晶質(zhì)膜， 所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例比所述第一透明導電性薄膜大， 所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為35nm以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述膜基材的厚度為2~120 μ m0
3.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述膜基材的厚度為2~100 μ m0
4.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述膜基材為包含聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂或聚烯烴系樹脂的塑料膜。
5.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述膜基材為聚對苯二甲酸乙`二醇酯膜。
6.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一透明導電性薄膜的厚度為I~17nm。
7.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一透明導電性薄膜的厚度為I~12nm。
8.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一透明導電性薄膜的厚度為I~6nm。
9.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~34nm。
10.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~29nm。
11.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~24nm。
12.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為5~25重量％。
13.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為7~25重量％。
14.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為8~25重量％。
15.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例與所述第一透明導電性薄膜的氧化錫的比例之差為3~25重量％。
16.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例與所述第一透明導電性薄膜的氧化錫的比例之差為5~25重量％。
17.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一透明導電性薄膜和所述第二透明導電性薄膜分別通過濺射法來形成。
18.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為30nm以下。
19.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述透明導電性薄膜層疊體由所述第一透明導電性薄膜和所述第二透明導電性薄膜這2個透明導電性薄膜構(gòu)成。
【文檔編號】G06F3/045GK103632753SQ201310506879
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2011年11月4日 優(yōu)先權日:2010年11月5日
【發(fā)明者】拝師基希, 梨木智剛, 野口知功, 淺原嘉文 申請人:日東電工株式會社