本發(fā)明涉及電容屏設(shè)計(jì)技術(shù)，尤其涉及一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，更涉及一種滿足該方法的電容屏。

背景技術(shù)：
電容式觸摸屏是在玻璃表面鍍上一層透明的特殊金屬導(dǎo)電物質(zhì)。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過測量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。如果電容屏的通道阻值過大，將會(huì)影響IC的識(shí)別能力，常規(guī)方法就是降低材料的面阻值(如從80-100歐降低到30-60歐)。此種方法有兩種實(shí)現(xiàn)PATTERN方式，一是黃光工藝，將PATTERN間隙改為0.03以下后做曝光顯影蝕刻。此種方法因間隙做到0.03mm以下，可能更少這樣就有很多地方可能存在導(dǎo)通。而是將材料做消影處理，將材料做到30-60歐或者更低時(shí)，消影效果不好，消影成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，通過圖案表面鍍金屬使電容屏的通道阻值降低，解決因通道過長電阻超高造成的IC無法驅(qū)動(dòng)問題；本發(fā)明還提供一種滿足該方法的電容屏。為有效解決上述問題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，該方法包括以下步驟：(1)由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成電容屏，在所述ITO玻璃或膜基板上制作圖案；(2)將制作完成的圖案表面進(jìn)行鍍金屬處理；(3)將鍍金屬處理完成的ITO玻璃或膜基板進(jìn)行表面處理；(4)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過程并封裝成型。特別的，所述步驟(1)還包括以下步驟：將需要制作圖案的的ITO玻璃或膜基板清洗干凈后，做保護(hù)處理并在制作的圖案之間留出不大于0.03mm的間隙。特別的，所述步驟(2)還包括以下步驟：在鍍金屬處理后，可根據(jù)電容屏的功能設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行活化、清洗、蝕刻及化學(xué)鍍金處理，將電容屏金屬區(qū)域的走線及局部控制電路走線實(shí)施完成。特別的，所述步驟(3)還包括以下步驟：所述表面處理過程通過水洗及無腐蝕性的化學(xué)制劑結(jié)合使用，去除所述ITO玻璃或膜基板上的金屬殘留物。特別的，所述步驟(4)還包括以下步驟：在圖案上鍍金屬完成后的ITO玻璃或膜基板經(jīng)貼合后組成電容屏樣板，并在該樣板上覆蓋保護(hù)玻璃或保護(hù)膜組成完成的電容屏。一種滿足上述方法的電容屏，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述ITO玻璃/膜基板表面包括規(guī)則的幾何圖案，該幾何圖案上包括鍍金層。特別的，所述布線區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線分布。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，通過圖案表面鍍金屬使電容屏的通道阻值降低，解決因通道過長電阻超高造成的IC無法驅(qū)動(dòng)問題；本發(fā)明還提供一種滿足該方法的電容屏，不會(huì)因間隙做到0.03mm以下，造成很多地方可能存在導(dǎo)通的情況，亦不會(huì)影響到消影效果，有效控制產(chǎn)品成本。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。附圖說明圖1是本發(fā)明公開的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法流程圖；圖2是本發(fā)明公開的電容屏組成結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式實(shí)施例：如圖1及圖2所示，本實(shí)施例中的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法包括以下步驟：一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，該方法包括以下步驟：(1)由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成電容屏，在所述ITO玻璃或膜基板上制作圖案；將需要制作圖案的的ITO玻璃或膜基板清洗干凈后，做保護(hù)處理并在制作的圖案之間留出不大于0.03mm的間隙。(2)將制作完成的圖案表面進(jìn)行鍍金屬處理；在鍍金屬處理后，可根據(jù)電容屏的功能設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行活化、清洗、蝕刻及化學(xué)鍍金處理，將電容屏金屬區(qū)域的走線及局部控制電路走線實(shí)施完成。(3)將鍍金屬處理完成的IT0玻璃或膜基板進(jìn)行表面處理；所述表面處理過程通過水洗及無腐蝕性的化學(xué)制劑結(jié)合使用，去除所述ITO玻璃或膜基板上的金屬殘留物。(4)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過程并封裝成型。在圖案上鍍金屬完成后的ITO玻璃或膜基板經(jīng)貼合后組成電容屏樣板，并在該樣板上覆蓋保護(hù)玻璃或保護(hù)膜組成完成的電容屏。如圖2所示，一種滿足上述方法的電容屏，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述ITO玻璃/膜基板表面包括規(guī)則的幾何圖案，該幾何圖案上包括鍍金層。所述布線區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線分布。本實(shí)施例重要技術(shù)原理為：將需要制作的材料清洗干凈做保護(hù)處理留出0.03mm或以下的間隙。將此材料經(jīng)過電鍍金屬處理。清洗表面保護(hù)材料。通過圖案表面鍍金屬使電容屏的通道阻值降低，解決因通道過長電阻超高造成的IC無法驅(qū)動(dòng)問題；本發(fā)明還提供一種滿足該方法的電容屏，不會(huì)因間隙做到0.03mm以下，造成很多地方可能存在導(dǎo)通的情況，亦不會(huì)影響到消影效果，有效控制產(chǎn)品成本。申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方法及裝置結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述方法及結(jié)構(gòu)才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明所選用實(shí)現(xiàn)方法等效替換及及步驟的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，凡采用和本發(fā)明相似結(jié)構(gòu)及其方法來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的所有方式，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。