專利名稱：一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信息存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法。
背景技術(shù)：
隨著智能數(shù)字儀表的發(fā)展，對(duì)電度的測(cè)量和存儲(chǔ)時(shí)間要求越來越高，一旦存儲(chǔ)芯片的使用壽命到了，必將造成實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的丟失，產(chǎn)生嚴(yán)重的后果。但是在現(xiàn)有技術(shù)中，由于芯片的生產(chǎn)工藝和材料的影響導(dǎo)致了在現(xiàn)有的電度存儲(chǔ)技術(shù)上(將不同的時(shí)刻電度存儲(chǔ)到AT24C64固定的存儲(chǔ)區(qū)里)，限制了該芯片的使用壽命，從而縮短了智能數(shù)字儀表的使用壽命O

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，將數(shù)字儀表電度值存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器的不同存儲(chǔ)區(qū)域，延長(zhǎng)數(shù)字儀表的使用壽命，保證數(shù)字儀表的可靠性以及能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:提供一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟:A、開始，等待CPU發(fā)送電度寫入指令；B、存入t時(shí)刻電度值，若CPU發(fā)送電度寫入指令，進(jìn)入下一步；若CPU沒有發(fā)送電度與入指令，繼續(xù)等待；C、讀取數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼；D、產(chǎn)生t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，在找到的(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼基礎(chǔ)上遞增I得到t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼；E、存儲(chǔ)t時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值；將得到的t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值一起存入到存儲(chǔ)芯片中；F、結(jié)束，返回到步驟A，繼續(xù)等待CPU發(fā)送電度寫入指令。所述存儲(chǔ)芯片的各個(gè)分區(qū)由以下方法得到:根據(jù)用戶輸入的分區(qū)指令，按照一個(gè)邏輯塊只屬于一個(gè)分區(qū)的原則，將存儲(chǔ)芯片劃分為至少兩個(gè)區(qū)；每個(gè)分區(qū)至少包括兩個(gè)邏輯塊；第一個(gè)邏輯塊包括起始地址，最后一個(gè)邏輯塊包括結(jié)束地址。將所述存儲(chǔ)芯片劃分為256個(gè)分區(qū)。所述存儲(chǔ)芯片型號(hào)為AT24C64。所述數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片各個(gè)分區(qū)的第一個(gè)位置。所述t=l時(shí)刻，存儲(chǔ)芯片的各個(gè)分區(qū)沒有數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，此時(shí)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼為0x01, t=l時(shí)刻的電度值和電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片第一區(qū)。本發(fā)明提供的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法具有以下有益效果:首先設(shè)置數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，將數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼與電度值一起存儲(chǔ)，通過數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼的唯一性保證數(shù)字儀表不同時(shí)刻的電度值存入存儲(chǔ)芯片的不同分區(qū)內(nèi)，充分有效的利用存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)空間，不僅提高了存儲(chǔ)芯片的利用率，而且延長(zhǎng)了數(shù)字儀表的使用壽命，保證數(shù)字儀表的可靠性以及能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。


圖1為數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法流程圖；圖2為數(shù)字儀表電度值讀取方法流程圖；圖3為存儲(chǔ)芯片分區(qū)存儲(chǔ)不意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明，但它們不是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限制。以采用AT24C64存儲(chǔ)芯片的數(shù)字儀表為例，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的描述，但它們不是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限制。AT24C64存儲(chǔ)芯片是數(shù)字儀表中常用的存儲(chǔ)芯片，簡(jiǎn)單、方便，一般只具有讀、寫功能，不分區(qū)。這樣就造成，在使用過程中，將不同時(shí)刻儀表的電度值存儲(chǔ)到固定的存儲(chǔ)區(qū)里，由于一塊存儲(chǔ)芯片的讀寫次數(shù)有限，這樣就會(huì)縮短存儲(chǔ)芯片的使用壽命，進(jìn)而影響數(shù)字儀表的正常使用。用戶可以根據(jù)用戶輸入的分區(qū)指令，按照一個(gè) 邏輯塊只屬于一個(gè)分區(qū)的原則，將存儲(chǔ)芯片劃分為至少兩個(gè)區(qū)；每個(gè)分區(qū)至少包括兩個(gè)邏輯塊；第一個(gè)邏輯塊包括起始地址，最后一個(gè)邏輯塊包括結(jié)束地址。AT24C64存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)容量(最大存儲(chǔ)容量為8192字節(jié))，按照每個(gè)區(qū)存儲(chǔ)容量為32個(gè)字節(jié)，將存儲(chǔ)芯片最多劃分為256個(gè)區(qū)，具體方法如下:對(duì)存儲(chǔ)芯片寫入地址(0x00)定義為第一區(qū)的起始地址，地址(Oxlf)定義為第一區(qū)的結(jié)束地址，通過以上方式第一區(qū)的分區(qū)就完成了(起始地址為0x00，結(jié)束地址為Oxlf，存儲(chǔ)容量為32個(gè)字節(jié))；按照創(chuàng)建第一區(qū)的方式完成第二區(qū)的創(chuàng)建，第二期的起始地址0x20，結(jié)束地址0X3f，存儲(chǔ)容量為32個(gè)字節(jié)；依次類推，第二百五十六區(qū)的起始地址為OxlfeO，結(jié)束地址為Oxlfff，存儲(chǔ)容量為32個(gè)字節(jié)。如圖1所示，當(dāng)數(shù)字儀表需要電度存儲(chǔ)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)在不同的時(shí)刻存儲(chǔ)到不同的分區(qū)，數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，包括以下步驟:A、開始，等待CPU發(fā)送電度寫入指令；B、存入t時(shí)刻電度值，若CPU發(fā)送電度寫入指令，進(jìn)入下一步；若CPU沒有發(fā)送電度與入指令，繼續(xù)等待；C、讀取數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼[以所有數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼數(shù)值最大者為(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼];D、產(chǎn)生t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，在找到的(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼基礎(chǔ)上遞增I得到t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼；E、存儲(chǔ)t時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值；將得到的t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值一起存入到存儲(chǔ)芯片中；
F、結(jié)束，返回到步驟A，繼續(xù)等待CPU發(fā)送電度寫入指令。數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片各個(gè)分區(qū)的第一個(gè)位置。如圖3所示，對(duì)于t=l時(shí)刻，存儲(chǔ)芯片的各個(gè)分區(qū)沒有數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，此時(shí)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼為0x01，t=l時(shí)刻的電度值和電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片第一區(qū)的第一個(gè)位置上；再將t=l時(shí)刻電度值存儲(chǔ)到第一區(qū)的其它位置，由此完成t=l時(shí)刻電度值的存儲(chǔ)；t=2時(shí)刻電度值的存儲(chǔ)具體操作為，當(dāng)CPU發(fā)出電度寫入命令后，CPU先讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到t=l時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼(0x01 )，在此基礎(chǔ)上遞增I得到t=2時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼(0x02)，將t=2時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼(0x02)存儲(chǔ)到存儲(chǔ)芯片的第二區(qū)第一個(gè)位置，再將t=2時(shí)刻電度值存儲(chǔ)到第二區(qū)的其它位置，通過上述方式完成t=2時(shí)刻電度值的存儲(chǔ)；依次類推當(dāng)t= 256時(shí)刻的電度值存儲(chǔ)時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼為(OxfT)，存儲(chǔ)在第二百五十六區(qū)第一個(gè)位置后，再將電度值存儲(chǔ)在第二百五十六區(qū)的其它位置，完成t=256時(shí)刻電度值的存儲(chǔ)；此時(shí)，存儲(chǔ)芯片分區(qū)已存滿，當(dāng)t=257時(shí)刻的電度值又從第一區(qū)開始存儲(chǔ)，如此循環(huán)。通過上述這種存儲(chǔ)方法存儲(chǔ)，大大延長(zhǎng)了 AT24C64存儲(chǔ)芯片的使用壽命，延長(zhǎng)了數(shù)字儀表的使用壽命。如圖2所示，當(dāng)數(shù)字儀表需要讀取t-Ι時(shí)刻(以t時(shí)刻為當(dāng)前時(shí)刻，t-Ι為前一時(shí)亥IJ)的電度值時(shí)，其讀取方法包括以下步驟:A、開始，等待CPU發(fā)送電度讀取指令；B、讀取t-Ι時(shí)刻電度值，若CPU發(fā)送電度讀取指令，進(jìn)入下一步；若CPU沒有發(fā)送電度讀取指令，繼續(xù)等待；C、讀取數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼[以所有數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼數(shù)值最大者為(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼];D、根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼確定t-Ι時(shí)刻電度值的分區(qū)；E、讀取t-Ι時(shí)刻電度值；F、結(jié)束，返回到步驟A，繼續(xù)等待CPU發(fā)送電度讀取指令。若要讀取O (t-Ι)之間某一時(shí)刻t’的電度值，首先要找到t-Ι時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，然后CPU采用t’/n(n表示為分區(qū)數(shù))得到整數(shù)“m”和余數(shù)“z”，“m”標(biāo)示為存儲(chǔ)的循環(huán)周期個(gè)數(shù)，“z”表示未存滿一個(gè)循環(huán)周期中的時(shí)刻，最后CPU根據(jù)t-Ι時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼減去(mXn+z)并轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制得到t’時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，根據(jù)t’時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼確定t’時(shí)刻電度值的存儲(chǔ)分區(qū)，即可得到O (t-Ι)時(shí)刻中的某一時(shí)刻t’的電度值。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟: A、開始，等待CPU發(fā)送電度寫入指令； B、存入t時(shí)刻電度值，若CPU發(fā)送電度寫入指令，進(jìn)入下一步；若CPU沒有發(fā)送電度寫入指令，繼續(xù)等待； C、讀取數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到(t-1)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼； D、產(chǎn)生t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，在找到的(t-Ι)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼基礎(chǔ)上遞增I得到t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼； E、存儲(chǔ)t時(shí)刻的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值；將得到的t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值一起存入到存儲(chǔ)芯片中； F、結(jié)束，返回到步驟A，繼續(xù)等待CPU發(fā)送電度寫入指令。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于:所述存儲(chǔ)芯片的各個(gè)分區(qū)由以下方法得到 :根據(jù)用戶輸入的分區(qū)指令，按照一個(gè)邏輯塊只屬于一個(gè)分區(qū)的原則，將存儲(chǔ)芯片劃分為至少兩個(gè)區(qū)；每個(gè)分區(qū)至少包括兩個(gè)邏輯塊；第一個(gè)邏輯塊包括起始地址，最后一個(gè)邏輯塊包括結(jié)束地址。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于:將所述存儲(chǔ)芯片劃分為256個(gè)分區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于:所述存儲(chǔ)芯片型號(hào)為AT24C64。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于:所述數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片各個(gè)分區(qū)的第一個(gè)位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，其特征在于:所述t= I時(shí)亥IJ，存儲(chǔ)芯片的各個(gè)分區(qū)沒有數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，此時(shí)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼為0x01，t = I時(shí)刻的電度值和電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼存入存儲(chǔ)芯片第一區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，若CPU發(fā)送電度寫入指令，首先讀取存儲(chǔ)芯片中的各個(gè)分區(qū)的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，并找到(t-1)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼；在找到的(t-1)時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼基礎(chǔ)上遞增1得到t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼；將得到的t時(shí)刻電度值的數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼和電度值一起存入到存儲(chǔ)芯片中。本發(fā)明提供的數(shù)字儀表電度分區(qū)存儲(chǔ)方法，首先設(shè)置數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼，將數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼與電度值一起存儲(chǔ)，通過數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)碼的唯一性保證數(shù)字儀表不同時(shí)刻的電度值存入存儲(chǔ)芯片的不同分區(qū)內(nèi)，充分有效的利用存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)空間，不僅提高了存儲(chǔ)芯片的利用率，而且延長(zhǎng)了數(shù)字儀表的使用壽命，保證數(shù)字儀表的可靠性以及能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
文檔編號(hào)G06F12/02GK103226515SQ20131009050
公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月20日
發(fā)明者李正兵 申請(qǐng)人:成都瑞科電氣有限公司