只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法，在只讀存儲(chǔ)器版圖上預(yù)留列譯碼金屬線可編程通孔布局，并加入冗余列譯碼金屬線，通過位置可編程通孔的布局排列，隨機(jī)化排布列地址，相應(yīng)改變只讀存儲(chǔ)器中編碼的版圖的物理位置，使得每個(gè)通孔掩膜板只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列中的通孔排列的物理順序不再有規(guī)律可循的，增大了通過只讀存儲(chǔ)器版圖反向破解存儲(chǔ)內(nèi)容的難度，提高了只讀存儲(chǔ)器的安全性。
【專利說明】只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路電路設(shè)計(jì)技術(shù)，特別涉及一種只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通孔掩模版只讀存儲(chǔ)器單元如圖1所示，通孔掩模版只讀存儲(chǔ)器單元101為一個(gè)NM0S，其中NMOS的柵極接WL (字線)信號(hào)，控制NMOS的開啟與關(guān)閉；NM0S的源極與襯底接地，漏極通過通孔開關(guān)100與BL (位線)信號(hào)連接。只讀存儲(chǔ)器單元的通孔存在，則為編碼”0” ；只讀存儲(chǔ)器單元沒有通孔，則為編碼” I” ；反之亦可。
[0003]只讀存儲(chǔ)器單比特輸出電路常用布局架構(gòu)如圖2所示，列地址譯碼電路與行地址譯碼電路共同控制，將選定的WL信號(hào)與BL信號(hào)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)單元的電信號(hào)傳送至靈敏放大器電路，采樣分析后輸出至數(shù)據(jù)輸出端口 Dout。
[0004]常見的列地址譯碼是固定的，假設(shè)列譯碼結(jié)果按從左至右排列，則下表1中的電氣存儲(chǔ)編碼轉(zhuǎn)換為通孔排列版圖如圖3所示。
[0005]表1
[0006]
【權(quán)利要求】
1.一種只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法，其特征在于，包括以下步驟: 一.在列地址譯碼版圖中，設(shè)置列譯碼金屬線、位線選擇管控制信號(hào)金屬線，得到譯碼布線后列地址譯碼版圖； 列譯碼金屬線與位線選擇管控制信號(hào)金屬線交叉； 二.在譯碼布線后列地址譯碼版圖中，每一個(gè)列譯碼金屬線與多個(gè)位線選擇管控制信號(hào)金屬線的多個(gè)交叉點(diǎn)中隨機(jī)選擇一個(gè)交叉點(diǎn)放置列譯碼通孔，得到通孔后列地址譯碼版圖； 三.根據(jù)客戶提供的碼點(diǎn)文件，確定每個(gè)電氣地址存儲(chǔ)單元的編碼信息；電氣地址與列譯碼金屬線一一對(duì)應(yīng)； 根據(jù)步驟二中的列譯碼通孔的隨機(jī)放置位置信息，確定每一電氣地址同物理地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系；物理地址與位線選擇管控制信號(hào)金屬線一一對(duì)應(yīng)； 根據(jù)每個(gè)電氣地址存儲(chǔ)單元的編碼信息，及每一電氣地址同物理地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系，在無通孔的只讀存儲(chǔ)單元陣列版圖中的相應(yīng)物理地址存儲(chǔ)單元放置存儲(chǔ)單元通孔，得到通孔后存儲(chǔ)單元陣列版圖； 四.將通孔后列地址譯碼版圖、通孔后存儲(chǔ)單元陣列版圖，同只讀存儲(chǔ)器其他部分的版圖合并，產(chǎn)生完整只讀存儲(chǔ)器版圖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法，其特征在于， 步驟一中，在列地址譯碼版圖中，設(shè)置列譯碼金屬線、冗余列譯碼金屬線、位線選擇管控制信號(hào)金屬線，得到譯碼布線后列地址譯碼版圖； 列譯碼金屬線、冗余列譯碼金屬線與位線選擇管控制信號(hào)金屬線交叉； 列譯碼金屬線同冗余列譯碼金屬線平行并且規(guī)格相同； 步驟二中，在譯碼布線后列地址譯碼版圖中，每一個(gè)列譯碼金屬線與多個(gè)位線選擇管控制信號(hào)金屬線的多個(gè)交叉點(diǎn)中隨機(jī)選擇一個(gè)交叉點(diǎn)放置列譯碼通孔，每一個(gè)冗余列譯碼金屬線與多個(gè)位線選擇管控制信號(hào)金屬線的多個(gè)交叉點(diǎn)中隨機(jī)選擇一個(gè)交叉點(diǎn)放置冗余列譯碼通孔，得到通孔后列地址譯碼版圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法，其特征在于，冗余列譯碼金屬線的數(shù)目少于或等于列譯碼金屬線的數(shù)目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器版圖生成方法，其特征在于，完整只讀存儲(chǔ)器版圖為⑶SII數(shù)據(jù)文件。
【文檔編號(hào)】G06F17/50GK103886114SQ201210555255
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】楊光華 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司