冗余金屬圖案形成方法
【專利摘要】一種冗余金屬圖案形成方法，將待填充的版圖進行網(wǎng)格化處理，利用第一冗余金屬圖案將版圖第一區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值，利用第二冗余金屬圖案對版圖第二區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。由于所述第一區(qū)域網(wǎng)格內的版圖金屬密度較小，關鍵路徑的寄生耦合電容較小，最終因為冗余金屬圖案形成的RC延遲較小，且第二區(qū)域的版圖金屬密度都通過填充冗余金屬向最優(yōu)值逼近，保證了版圖整體金屬密度的均勻性，從而保證了化學機械研磨工藝后芯片的平整度。
【專利說明】冗余金屬圖案形成方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，特別涉及一種冗余金屬圖案形成方法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體制造技術的不斷發(fā)展，集成電路特征尺寸在不斷的縮小，大馬士革銅互連工藝被廣泛的運用到半導體制造工藝中，已成為集成電路多層互連結構的主流制造工藝。在制造銅互連結構過程中，對芯片表面進行平坦化是其中關鍵的技術之一。到目前為止，化學機械拋光(CMP)工藝是唯一成功且大規(guī)模運用的平坦化工藝。
[0003]但利用化學機械拋光工藝對銅互連結構進行平坦化過程中存在的最大問題是:拋光后芯片表面的形貌高度和版圖中金屬的密度密切相關。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，這主要是由于在化學機械拋光過程中，銅金屬與其周圍的材料的移除速率不同，造成金屬互連線較密區(qū)域的介質層的高度低于金屬互連線較疏區(qū)域的介質層高度，并會對金屬互連線之間的介質層進行過研磨，形成凹陷區(qū)，嚴重降低芯片表面的平整度。所述芯片表面的非平整性可能會導致在隨后的光刻工藝中產(chǎn)生聚焦困難，降低光刻的分辨率和圖形的成像質量，此外，所述芯片表面的非平整性還會使得金屬互連層和介質層的高度嚴重偏離標準值，會對金屬互連線的寄生參數(shù)產(chǎn)生嚴重影響，從而影響芯片性能，降低芯片的成品率。
[0004]由于拋光后芯片表面的形貌高度和版圖中互連線的密度密切相關，為了提高平整度，現(xiàn)有技術中通常采用冗余金屬填充(du_y fill)工藝，在版圖的空白區(qū)域加入無邏輯功能的矩形金屬塊(冗余金屬)，以達到版圖中金屬密度均勻的要求。
[0005]更多關于冗余金屬填充的工藝請參考專利號為US7681166B2的美國專利文獻。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明解決的問題是提供一種冗余金屬圖案形成方法，在關鍵線路兩側的冗余金屬采用填充最少化原則進行填充，對其余區(qū)域的冗余金屬采用填充最均勻化原則進行填充，既能有效的保證芯片的平整度，又能最大限度的降低因冗余金屬增加導致RC延遲增加產(chǎn)生的不良影響。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明技術方案提出了一種冗余金屬圖案填充的方法，包括:提供待填充的版圖，所述版圖具有關鍵路徑和非關鍵路徑；將待填充的版圖進行網(wǎng)格化處理，使得待填充的版圖分成等大小的網(wǎng)格，所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域為第一區(qū)域，除了所述第一區(qū)域以外的網(wǎng)格區(qū)域為第二區(qū)域；利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值；利用第二冗余金屬圖案對第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度都向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。
[0008]可選的，所述第一區(qū)域的網(wǎng)格內第一冗余金屬圖案為若干平行的長方形，所述長方形長邊所在的方向與關鍵路徑相交或垂直。[0009]可選的，所述第二區(qū)域的網(wǎng)格內第二冗余金屬圖案的形狀為長方形，所述長方形的長邊所在的方向與第二區(qū)域內最靠近的非關鍵路徑平行。
[0010]可選的，所述第一冗余金屬圖案、第二冗余金屬圖案的形狀為長方形、正方形、菱形、三角形、L形、T形或十字形。
[0011]可選的，利用設計規(guī)則檢測裝置依次對每一個網(wǎng)格內的版圖進行版圖金屬密度檢測，當所述網(wǎng)格位于第一區(qū)域且對應的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的下限值時，利用第一冗余金屬圖案將對應網(wǎng)格的版圖金屬密度提高到版圖金屬密度的下限值；當所述網(wǎng)格位于第二區(qū)域且對應的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的最優(yōu)值時，利用第二冗余金屬圖案將對應網(wǎng)格的版圖金屬密度提高到版圖金屬密度的最優(yōu)值。
[0012]可選的，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格。
[0013]可選的，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格及與具有關鍵路徑的網(wǎng)格相鄰的網(wǎng)格。
[0014]可選的，所述版圖金屬密度的下限值范圍為10%~30%。
[0015]可選的,所述版圖金屬密度的最優(yōu)值范圍為30%~60%。
[0016]可選的，所述相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值的范圍為30%~50%。
[0017]可選的，所述關鍵路徑為從輸入端到輸出端，總延遲大于預定延遲時間的路徑。
[0018]可選的，所述非關鍵路徑為從輸入端到輸出端，總延遲小于或等于預定延遲時間的路徑。
[0019]可選的，所述關鍵路徑包括時鐘線、信號線、輸入總線和輸出總線。
[0020]可選的，先利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再利用第二冗余金屬圖案將第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。
[0021]可選的，先利用第二冗余金屬圖案將第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。
[0022]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0023]本發(fā)明實施例利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值，使得所述第一區(qū)域網(wǎng)格內的版圖金屬密度較小，關鍵路徑的寄生耦合電容較小，最終因為冗余金屬圖案形成的RC延遲較小，有助于關鍵路徑避免發(fā)生數(shù)字信號溢出。利用第二冗余金屬圖案對第二區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度都向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值，保證了版圖整體金屬密度的均勻性，從而保證了化學機械研磨工藝后芯片的平整度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1至圖4是本發(fā)明實施例的冗余金屬圖案填充過程的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0025]為了使得拋光后芯片表面的形貌較為平整，需要使芯片版圖的各個區(qū)域的金屬密度盡可能均勻，而在版圖設計過程中，往往會有部分區(qū)域的金屬互連線密度較高，需要利用冗余金屬填充工藝對版圖中的空白區(qū)域進行填充。傳統(tǒng)的冗余金屬填充工藝是首先基于一些芯片設計規(guī)則，例如冗余金屬的圖案尺寸、冗余金屬到器件或電路的距離等，對版圖的空白區(qū)域填充冗余金屬圖案，只要空白區(qū)域允許，就會在空白區(qū)域中填充盡可能多的冗余金屬圖案，使得版圖各個區(qū)域中的金屬密度與版圖中金屬密度最高處的金屬密度相接近。但較多的冗余金屬會增加互連線之間的耦合寄生電容，從而導致互連線的RC延遲變大，此夕卜，如果填充了過量的冗余金屬，會影響電路的邏輯功能，導致電路系統(tǒng)失效。
[0026]因此，本發(fā)明提供了一種冗余金屬圖案形成方法，將待填充的版圖進行網(wǎng)格化處理，所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域為第一區(qū)域，除了所述第一區(qū)域以外的網(wǎng)格區(qū)域為第二區(qū)域，利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值，利用第二冗余金屬圖案對第二區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。由于關鍵路徑自身的延遲已經(jīng)很大，決定了電路的時序，對周邊版圖寄生效應敏感，受外加干擾影響大。因為冗余金屬圖案形成的RC延遲較大時會使得總RC延遲大于時鐘信號周期，使信號發(fā)生溢出，因此，所述第一區(qū)域網(wǎng)格內的版圖金屬密度較小，關鍵路徑的寄生耦合電容較小，最終因為冗余金屬圖案形成的RC延遲較小，有助于關鍵路徑避免發(fā)生數(shù)字信號溢出。且第二區(qū)域的版圖金屬密度都通過填充冗余金屬向最優(yōu)值逼近，相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值，保證了版圖整體金屬密度的均勻性，從而保證了化學機械研磨工藝后芯片的平整度。
[0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0028]在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0029]本發(fā)明實施例提供了一種冗余金屬圖案填充的方法，請參考圖f圖3，為本發(fā)明實施例的冗余金屬圖案填充的方法的示意圖，具體包括:
[0030]請參考圖1，提供待填充的版圖10，所述版圖10具有關鍵路徑11和非關鍵路徑12。
[0031]所述版圖10為利用版圖設計工具將對應的電路圖設計形成的版圖文件，由于布線規(guī)則和電路分布的限制，版圖中各個位置的互連線、導電插塞的分布密度各不相同。因此所述版圖中具有空白區(qū)域用于填充冗余金屬圖案，以提高芯片版圖中各個區(qū)域的金屬密度的均勻性。
[0032]所述版圖中的互連線分為關鍵路徑和非關鍵路徑，其中，關鍵路徑為數(shù)字電路設計中延時較長，調用較為頻繁的互連線，所述關鍵路徑從輸入端到輸出端之間，總延遲大于預定延遲時間。非關鍵路徑為其余的數(shù)字電路設計中延時較短的互連線，所述非關鍵路徑從輸入端到輸出端之間，總延遲小于或等于預定延遲時間。所述預定延遲時間一般大于或等于對應時鐘信號的周期的一半，使得當關鍵路徑附近的環(huán)境發(fā)生改變，耦合寄生電容發(fā)生改變時，關鍵路徑的RC延遲可能會大于對應時鐘信號的周期，從而可能會發(fā)生信號溢出。所述關鍵路徑多為對時序較為敏感的信號線、時鐘線、輸入總線和輸出總線等，所述非關鍵路徑多為對時序不太敏感的電源線等。[0033]在本實施例中，請參考圖1，以一條直線的關鍵路徑11和兩條互相平行且與所述關鍵路徑11平行的非關鍵路徑12為例作說明，其中所述關鍵路徑11和非關鍵路徑12之間的空白區(qū)域作為填充冗余金屬圖案的區(qū)域。在其他實施例中，所述關鍵路徑和非關鍵路徑兩側都可以形成冗余金屬圖案來填充空白區(qū)域。由于在進行電路設計的過程中，需要判斷互連線為關鍵路徑或非關鍵路徑，以調整電路的連接關系避免互連線的RC延遲過大，避免導致信號溢出。因此，在進行版圖設計過程中，直接將電路設計中獲取的關鍵路徑對應的版圖互連線作為本發(fā)明實施例中的關鍵路徑11，不需要額外進行檢測。由于獲取關鍵路徑的方法為本領域技術人員的公知技術，在此不作詳述。
[0034]請參考圖2，將待填充的版圖10進行網(wǎng)格化處理，使得待填充的版圖10分成等大小的網(wǎng)格20，所述關鍵路徑11對應的網(wǎng)格區(qū)域為第一區(qū)域21，除了所述第一區(qū)域21以外的網(wǎng)格區(qū)域為第二區(qū)域22，并對每一個網(wǎng)格進行版圖金屬密度檢測。
[0035]在本實施例中，利用設計規(guī)則檢測軟件將所述待填充的版圖10進行網(wǎng)格化處理，后續(xù)所述設計規(guī)則檢測軟件依次對每一個網(wǎng)格進行版圖金屬密度檢測，獲得每個網(wǎng)格的版圖金屬密度。
[0036]在其他實施例中，還可以利用版圖設計工具將所述待填充的版圖10進行網(wǎng)格化處理，將所述網(wǎng)格化的版圖文件導入到設計規(guī)則檢測軟件，并利用所述設計規(guī)則檢測軟件依次對每一個網(wǎng)格進行版圖金屬密度檢測，獲得每個網(wǎng)格對應版圖的金屬密度。
[0037]在本實施例中，所述網(wǎng)格為等大小的正方形，在其他實施例中，所述網(wǎng)格還可以為等大小的長方形等其他圖形。
[0038]為了既能有效的保證芯片的平整度，又能最大限度的降低因冗余金屬增加導致關鍵路徑RC延遲增加產(chǎn)生的不良影響，因此需將所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域和除了所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域以外的其他網(wǎng)格區(qū)域采用不同的填充原則分別進行填充。
[0039]所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域為第一區(qū)域。在本實施例中，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格，即圖2中的第一區(qū)域21內的三個網(wǎng)格，除去所述第一區(qū)域21的其余區(qū)域為第二區(qū)域22。在其它實施例中，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格及與所述具有關鍵路徑的網(wǎng)格相鄰的網(wǎng)格。
[0040]請參考圖3，利用第一冗余金屬圖案30將第一區(qū)域21內網(wǎng)格的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值。
[0041]由于關鍵路徑自身的延時已經(jīng)很大，如果為了保證芯片的平整性而在所述關鍵路徑兩側填充大量的冗余金屬圖案，額外冗余金屬圖案會增加互連線之間的耦合寄生電容，使得所述關鍵路徑的RC延遲變得更大，會惡化關鍵路徑的延時情況，甚至使得關鍵路徑的總延遲大于時鐘信號周期，使信號發(fā)生溢出。因此需要在所述關鍵路徑兩側采用填充最少化原則，即在第一區(qū)域采用填充最少化原則，填充盡可能少的第一冗余金屬圖案。但由于第一區(qū)域過低的版圖金屬密度會影響芯片研磨后的平整度，因此需要將所述第一區(qū)域對應的版圖金屬密度調整至大于或等于所述版圖金屬密度的下限值，所述版圖金屬密度的下限值的范圍為10%?30%。
[0042]在本實施例中，在所述第一區(qū)域21的網(wǎng)格內，采用填充最少化原則進行填充。當所述網(wǎng)格測得的版圖金屬密度大于或等于版圖金屬密度的下限值時，不對所述網(wǎng)格內的空白區(qū)域進行填充。當所述網(wǎng)格測得的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的下限值時，在所述第一區(qū)域網(wǎng)格內的關鍵路徑兩側的空白區(qū)域進行填充，使得所述第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度等于版圖金屬密度的下限值。所述在空白區(qū)域填充的第一冗余金屬圖案的形狀為長方形、正方形、菱形、三角形、L形、T形或十字形等其中的一種或幾種。在本實施例中，所述第一冗余金屬圖案的形狀為若干平行的長方形，所述長方形長邊所在的方向與關鍵路徑垂直，在其他實施例中，所述長方形長邊所在的方向與關鍵路徑相交且相交的角度大于45度。由于在滿足網(wǎng)格的版圖金屬密度等于金屬密度的下限值的前提下，當所述長方形長邊所在的方向與關鍵路徑垂直時，互連線之間的耦合寄生電容最小，使得因第一冗余金屬填充導致RC延遲增加的幅度最小，能減小關鍵路徑的總延遲時間，避免發(fā)生信號溢出。
[0043]在其它實施例中，當所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格及與所述具有關鍵路徑的網(wǎng)格相鄰的網(wǎng)格時，由于所述第一區(qū)域的網(wǎng)格都采用填充最少化原則進行填充，在靠近所述關鍵路徑的兩側填充的第一冗余金屬圖案盡可能的少，從而使得因第一冗余金屬填充導致RC延遲增加的幅度較小，能盡可能減小關鍵路徑的總延遲時間，避免發(fā)生信號溢出。
[0044]請參考圖4，利用第二冗余金屬圖案40對第二區(qū)域22內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域22內網(wǎng)格的版圖金屬密度向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。
[0045]為了盡可能使芯片經(jīng)過化學機械研磨后表面平坦，需要將所述版圖的各個區(qū)域的金屬密度盡可能均衡。由于在器件或互連線密集區(qū)域的版圖金屬密度往往會較高，為了使得所述版圖的各個區(qū)域的版圖金屬密度盡可能均衡，在其他器件或互連線稀疏的區(qū)域需要利用冗余金屬圖案提高版圖金屬密度，逼近甚至達到版圖金屬密度的最優(yōu)值。根據(jù)不同芯片設計對應有不同的最優(yōu)值，所述最優(yōu)值一般為未填充冗余金屬圖案時各個網(wǎng)格中金屬密度的最大值或略小于所述最大值的一個值，使得當后續(xù)填充冗余金屬圖案后，各個網(wǎng)格內的金屬密度都能接近或 等于所述最優(yōu)值，從而保證化學機械研磨的均勻性。所述最優(yōu)值的范圍為30%飛0%。因此，在第二區(qū)域中，例如沒有互連線的網(wǎng)格和具有非關鍵路徑12的網(wǎng)格內，采用填充最均勻化原則進行填充。
[0046]當所述網(wǎng)格測得的版圖金屬密度大于或等于版圖金屬密度的最優(yōu)值時，不對所述第二區(qū)域網(wǎng)格內的空白區(qū)域進行填充。當所述網(wǎng)格的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的最優(yōu)值時，依據(jù)版圖設計規(guī)則將第二區(qū)域的空白區(qū)域都預設填充有冗余金屬圖案，使得所述第二區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度盡可能接近或等于最優(yōu)值，然后再將第一區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度和與第二區(qū)域中最靠近第一區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度進行比較，獲得兩者之間的版圖金屬密度差。當所述版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值，不需要對所述第二區(qū)域中最靠近第一區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。當所述金屬密度差大于或等于相鄰網(wǎng)格金屬密度波動范圍的最大值，對所述第二區(qū)域中最靠近第一區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域中最靠近第一區(qū)域的網(wǎng)格的版圖金屬密度與相鄰網(wǎng)格的版圖金屬密度之差小于相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值，避免相鄰兩個網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差過大，會使得化學機械研磨后的芯片表面不平坦。在本實施例中，所述相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值的范圍為30%~50 %。
[0047]所述第二區(qū)域網(wǎng)格內的空白區(qū)域填充的第二冗余金屬圖案的形狀為長方形、正方形、菱形、三角形、L形、T形或十字形等其中的一種或幾種。在本實施例中，所述第二冗余金屬圖案40的形狀為若干長方形，所述長方形長邊所在的方向與非關鍵路徑平行。由于化學機械研磨后芯片表面的形貌和均勻度不僅與版圖中的金屬密度密切相關，還與金屬圖形的形狀、大小、排列方向等密切相關，當所述第二冗余金屬圖案40的排列方向與非關鍵路徑12的互連線的排列方向一致時，所述第二冗余金屬圖案40能有效地能保護對非關鍵路徑12的互連線和非關鍵路徑之間介質層的過刻蝕。
[0048]在本實施例中，先對第一區(qū)域網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再對第二區(qū)域網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。在其它實施例中，還可以先對第二區(qū)域網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再對第一區(qū)域網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。
[0049]綜上，本發(fā)明實施例通過利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值，利用第二冗余金屬圖案對第二區(qū)域內網(wǎng)格內的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。既使得所述第一區(qū)域網(wǎng)格內的版圖金屬密度較小，關鍵路徑的寄生耦合電容較小，最終因為冗余金屬圖案形成的RC延遲較小，有助于關鍵路徑避免發(fā)生數(shù)字信號溢出，而且第二區(qū)域的版圖金屬密度通過填充第二冗余金屬向最優(yōu)值逼近，相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值，保證了版圖整體金屬密度的均勻性，從而保證了化學機械研磨工藝后芯片的平整度。
[0050]本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
【權利要求】
1.一種冗余金屬圖案填充的方法，其特征在于，包括: 提供待填充的版圖，所述版圖具有關鍵路徑和非關鍵路徑； 將待填充的版圖進行網(wǎng)格化處理，使得待填充的版圖分成等大小的網(wǎng)格，所述關鍵路徑對應的網(wǎng)格區(qū)域為第一區(qū)域，除了所述第一區(qū)域以外的網(wǎng)格區(qū)域為第二區(qū)域； 利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度調整至大于或等于版圖金屬密度的下限值； 利用第二冗余金屬圖案對第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，使得所述第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度都向版圖金屬密度的最優(yōu)值逼近，且相鄰網(wǎng)格之間的版圖金屬密度差小于預設的相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值。
2.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域的網(wǎng)格內第一冗余金屬圖案為若干平行的長方形，所述長方形長邊所在的方向與關鍵路徑相交或垂直。
3.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述第二區(qū)域的網(wǎng)格內第二冗余金屬圖案的形狀為長方形，所述長方形的長邊所在的方向與第二區(qū)域內最靠近的非關鍵路徑平行。
4.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述第一冗余金屬圖案、第二冗余金屬圖案的形狀為長方形、正方形、菱形、三角形、L形、T形或十字形。
5.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，利用設計規(guī)則檢測裝置依次對每一個網(wǎng)格內的版圖進行版圖金屬密度檢測，當所述網(wǎng)格位于第一區(qū)域且對應的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的下限值時，利用第一冗余金屬圖案將對應網(wǎng)格的版圖金屬密度提高到版圖金屬密度的下限值；當所述網(wǎng)格位于第二區(qū)域且對應的版圖金屬密度小于版圖金屬密度的最優(yōu)值時，利用第二冗余金屬圖案將對應網(wǎng)格的版圖金屬密度提高到版圖金屬密度的最優(yōu)值。
6.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格。
7.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域為具有關鍵路徑的網(wǎng)格及與具有關鍵路徑的網(wǎng)格相鄰的網(wǎng)格。
8.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述版圖金屬密度的下限值范圍為10%~30%。
9.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述版圖金屬密度的最優(yōu)值范圍為30%~60%。
10.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述相鄰網(wǎng)格版圖金屬密度波動最大值的范圍為30%~50%。
11.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述關鍵路徑為從輸入端到輸出端，總延遲大于預定延遲時間的路徑。
12.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述非關鍵路徑為從輸入端到輸出端，總延遲小于或等于預定延遲時間的路徑。
13.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，所述關鍵路徑包括時鐘線、信號線、輸入總線和輸出總線。
14.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，先利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再利用第二冗余金屬圖案將第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整。
15.如權利要求1所述的冗余金屬圖案形成方法，其特征在于，先利用第二冗余金屬圖案將第二區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度進行調整，再利用第一冗余金屬圖案將第一區(qū)域內網(wǎng)格的版圖金屬密度 進行調整。
【文檔編號】G06F17/50GK103838887SQ201210476464
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年11月21日 優(yōu)先權日:2012年11月21日
【發(fā)明者】范忠, 呂冬琴, 李雪, 張立夫 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司