專利名稱:具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎rfid電子標(biāo)簽及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)RFID領(lǐng)域,更具體的說涉及一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽及其制備方法,其適用于各種需要防偽、防拆的RFID應(yīng)用場(chǎng)合,尤其成為車輛管理、酒類、藥品、化妝品等高檔產(chǎn)品溯源及防偽的理想選擇。
背景技術(shù):
普通高頻易碎標(biāo)簽是以易碎印刷材料或PET為面料,背面絲印或凹印導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娪湍姆绞?,?shí)現(xiàn)當(dāng)易碎標(biāo)簽被貼上基材后再揭起時(shí),材料無規(guī)則斷裂。但因?yàn)楦哳l天線圖案基本上是以線圈為主,此類制備方法,線距線寬基本都到O. 25mm以上,標(biāo)簽的直徑基本都在25mm以上,芯片位的PIN中間距也大于O. 18mm,即芯片制成的良率低、全部銀漿線路,阻抗值變化大,標(biāo)簽性能的一致性差,且通常加熱加溫后仍可實(shí)現(xiàn)完整揭開,達(dá)不到易碎的功能。 隨著國(guó)家對(duì)財(cái)產(chǎn)安全、食品安全、藥品安全等越來越重視,基于13. 56MH的高頻易碎RFID電子標(biāo)簽在溯源與防偽上面越來越重要,將在越來越多的領(lǐng)域取代普通易碎標(biāo)簽。高頻易碎防偽RFID電子標(biāo)簽通常采用的技術(shù)方案,是將導(dǎo)電油墨或金屬顆粒通過絲網(wǎng)印刷在易碎紙質(zhì)材料及PET基材上面,而形成印刷RFID天線,但由于印刷天線精度低、導(dǎo)電物質(zhì)電阻阻抗不一致等原因,將無法制成高質(zhì)量的RFID電子標(biāo)簽,并且制成的RFID電子標(biāo)簽還具有適用范圍窄的缺陷。有鑒于此,本發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有易碎防偽RFID電子標(biāo)簽的上述缺陷深入研究,遂有
本案產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在加熱加溫后仍可實(shí)現(xiàn)完整揭開,即防偽性差的問題。為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的解決方案是
一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其中,包括承載基材、第一膠層、樹脂膜、蝕刻天線層、第一絕緣層、導(dǎo)電線路層、芯片、第二膠層以及圖案承載層,該樹脂膜位于承載基材與蝕刻天線層之間,該第一膠層位于樹脂膜與承載基材之間,該蝕刻天線層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型;該導(dǎo)電線路層與該蝕刻天線層一起構(gòu)成易碎RFID電子標(biāo)簽的復(fù)合高頻天線,該導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)蝕刻天線層上的跳線導(dǎo)通,該第一絕緣層設(shè)置該導(dǎo)電線路層與蝕刻天線層之間;該芯片與蝕刻天線層相連,該蝕刻天線層、導(dǎo)電線路層、第一絕緣層以及芯片構(gòu)成芯料組件,該圖案承載層通過第二膠層而粘結(jié)在整個(gè)芯料組件的另一側(cè)。進(jìn)一步,該易碎RFID電子標(biāo)簽還包括第二絕緣層,該第二絕緣層設(shè)置在導(dǎo)電線路層與第二膠層之間。進(jìn)一步,該易碎RFID電子標(biāo)簽還包括導(dǎo)電膠層,該導(dǎo)電膠層設(shè)置在芯片與第二膠層之間。進(jìn)一步,該圖案承載層的材料為易碎紙、銅版紙或PET膜,該圖案承載層的外表面還絲印有起標(biāo)示防偽作用的油墨層。進(jìn)一步,該蝕刻天線層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為
O.1-0. 25mm。本發(fā)明的第二目的在于提供一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽的制備方法,其中,包括如下步驟
①、選擇鋁箔或銅箔,并利用樹脂膜而與承載基材進(jìn)行復(fù)合,而形成復(fù)合基材;
②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料或絲印抗蝕刻濕膜油墨;
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片,采用曝光方法,將導(dǎo)線的線路圖形轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨上面;
④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm的蝕刻天線層;
⑤、在上述蝕刻好的蝕刻天線層上,絲印第一絕緣層,接著在第一絕緣層的位置上絲印導(dǎo)電線路層,再在導(dǎo)線線路層上絲印第二絕緣層;
⑥、將上述蝕刻天線層與芯片組裝在一起而制成芯料組件;
⑦、取圖案承載層,并在其一面上形成起防偽作用的標(biāo)示層,再在其另一面涂布第二膠層而與芯料組件組成易碎防偽RFID電子標(biāo)簽。進(jìn)一步,該第一絕緣層為厚度為8_30um的絕緣油墨,該導(dǎo)線線路層為厚度為5-50um的導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娪湍?,第二絕緣層為厚度為5-30um的絕緣油墨。進(jìn)一步,該步驟②中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的成型采用卷對(duì)卷貼合,該步驟③中曝光則是采用卷對(duì)卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。進(jìn)一步,該樹脂膜為可以防止二次加熱加溫30-200°C軟化的膠膜,以防止被完整揭起。
進(jìn)一步,在步驟⑥與步驟⑦之間,還包括在芯片上設(shè)置導(dǎo)電膠層的步驟。采用上述結(jié)構(gòu)后,本發(fā)明當(dāng)標(biāo)簽被貼在玻璃、瓶口和桌子等平整的表面上后再揭開時(shí),由于第二膠層的粘性,該圖案承載層無法完整揭起,即一撕動(dòng)該圖案承載層,該圖案承載層即會(huì)帶動(dòng)該導(dǎo)電線路層,從而使得導(dǎo)電線路層與蝕刻天線層之間斷開,即破壞線路,使得無法讀取芯片中的內(nèi)容,達(dá)到防拆的目的;由于該導(dǎo)電線路層與該蝕刻天線層之間跳線連接,使得在使用電吹風(fēng)等二次加溫加熱的方式也是無法實(shí)現(xiàn)完整揭起,從而確保了整個(gè)電子標(biāo)簽的防偽性。同時(shí)由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實(shí)現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移,接著再通過蝕刻的工藝,如此使得形成在承載基材、第一膠層和樹脂膜上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm,從而提高了整個(gè)蝕刻電子標(biāo)簽的整體性能。
圖I為本發(fā)明涉及一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽的剖視 圖2為本發(fā)明涉及一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽一種具體實(shí)施例的示意圖。
圖中
易碎RFID電子標(biāo)簽100
承載基材I第一膠層 11
樹脂膜2
蝕刻天線層3芯片 4
第一絕緣層5導(dǎo)電線路層6
第二膠層7圖案承載層8·
第二絕緣層9導(dǎo)電膠層 10。
具體實(shí)施例方式為了進(jìn)一步解釋本發(fā)明的技術(shù)方案,下面通過具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。如圖I所示,本發(fā)明涉及一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽100,其中,包括承載基材I、第一膠層11、樹脂膜2、蝕刻天線層3、芯片4、第一絕緣層5、導(dǎo)電線路層6、第二膠層7以及圖案承載層8。該樹脂膜2位于承載基材I與蝕刻天線層3之間,并優(yōu)選為可以防止二次加熱加溫30-200°C軟化的膠膜,以防止被完整揭起;該第一膠層11則位于樹脂膜2與承載基材I之間。該蝕刻天線層3為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型,優(yōu)選地,該蝕刻天線層3上線路的蝕刻精度公差能在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm。該導(dǎo)電線路層6與該蝕刻天線層3 —起構(gòu)成易碎RFID電子標(biāo)簽100的復(fù)合高頻天線,該導(dǎo)電線路層6實(shí)現(xiàn)蝕刻天線層3上的跳線導(dǎo)通,該第一絕緣層5設(shè)置該導(dǎo)電線路層6與蝕刻天線層3之間;該芯片4與蝕刻天線層3相連,該蝕刻天線層3、導(dǎo)電線路層6、第一絕緣層5以及芯片4構(gòu)成芯料組件,該圖案承載層8通過第二膠層7而粘結(jié)在整個(gè)芯料組件的另一側(cè)。更具體地,該易碎RFID電子標(biāo)簽100還包括第二絕緣層9,該第二絕緣層9設(shè)置在導(dǎo)電線路層6與第二膠層7之間;另外,該芯片4與第二膠層7之間還設(shè)置有導(dǎo)電膠層10。該圖案承載層8的材料則可以為易碎紙、銅版紙或PET膜,當(dāng)然也可以為其它易碎材料,該圖案承載層8的外表面還絲印有起標(biāo)示防偽作用的油墨層,具體地,該標(biāo)示防偽作用的圖案可以為條形碼、二維碼、文字、符號(hào)及各種商標(biāo)圖案或者其他防偽作用的標(biāo)識(shí)。由此,當(dāng)標(biāo)簽被貼在玻璃、瓶口和桌子等平整的表面上后,具體在電子標(biāo)簽投入使用時(shí),該承載基材I被被標(biāo)志物所替代;當(dāng)該標(biāo)簽被再次揭開時(shí),由于第二膠層7的粘性,該圖案承載層8無法完整揭起,即一撕動(dòng)該圖案承載層8,該圖案承載層8即會(huì)帶動(dòng)該導(dǎo)電線路層6,從而使得導(dǎo)電線路層6與蝕刻天線層3之間斷開,進(jìn)而破壞了真?zhèn)€天線線路,使得無法讀取芯片4中的內(nèi)容,達(dá)到防拆的目的;正是由于該導(dǎo)電線路層6與該蝕刻天線層3之間跳線連接,使得在使用電吹風(fēng)等二次加溫加熱的方式也是無法實(shí)現(xiàn)完整揭起,從而確保了整個(gè)電子標(biāo)簽的防偽性。同時(shí),由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實(shí)現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移,接著再通過蝕刻的工藝,如此使得形成在承載基材I和樹脂膜2上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm,從而提高了整個(gè)蝕刻電子標(biāo)簽的整體性能。
為了讓本發(fā)明涉及的一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽100能被充分公開,本發(fā)明還提供其制備方法,下面分為三個(gè)實(shí)施例來對(duì)其方法分別進(jìn)行描述
實(shí)施例一
該制備方法,包括如下步驟 ①、選擇厚度為18 60um的PET,該P(yáng)ET即為承載基材I中的一種,并在其上涂布或復(fù)合化學(xué)膠膜層后與厚度為8 50um的鋁箔進(jìn)行復(fù)合,形成單面PET復(fù)合鋁箔,該單面PET復(fù)合鋁箔為復(fù)合基材的一種;
②、在上述單面PET復(fù)合鋁箔上面卷對(duì)卷貼合感光型干膜材料或絲印抗蝕刻濕膜油
墨;
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片,采用卷對(duì)卷曝光機(jī),將導(dǎo)線的線路圖形轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨上面;
④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm的蝕刻天線層3 ;
⑤、在上述蝕刻好的蝕刻天線層3上,絲印第一絕緣層5,接著在第一絕緣層5的位置上絲印導(dǎo)電線路層6,再在導(dǎo)線線路層上絲印第二絕緣層9 ;在本實(shí)施例中,該第一絕緣層5為厚度為8-30um的絕緣油墨,該導(dǎo)線線路層為厚度為5-50um的導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娪湍?,第二絕緣層9為厚度為5-30um的絕緣油墨;
⑥、將上述蝕刻天線層3與芯片4組裝在一起而制成芯料組件,即INLAY;
⑦、取厚度為30-150um的圖案承載層8,并在其一面上形成起防偽作用的標(biāo)示層,即采用印刷或打印條碼、二維碼或其他圖案內(nèi)容,再在其另一面涂布第二膠層7而與芯料組件組成易碎防偽RFID電子標(biāo)簽。在實(shí)際成型時(shí),上述RFID電子標(biāo)簽僅為一半成品,在實(shí)際銷售之前,還包括撕去樹脂膜2外的承載基材,再利用一帶有第一膠層11的新承載基材(比如離型紙或離型膜)而與樹脂膜2復(fù)合,如此使得整個(gè)RFID電子標(biāo)簽可以利用第一膠層11而貼合在物品上。優(yōu)選地,該樹脂膜2為可以防止二次加熱加溫30-200°C軟化的膠膜,以防止被完整揭起。而在步驟⑥與步驟⑦之間,還包括在芯片4上設(shè)置導(dǎo)電膠層10的步驟。實(shí)施例二
在本實(shí)施例中,其與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)相同,其不同之處在于用銅箔來代替鋁箔,并且對(duì)于該導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娪湍暮穸葎t采用5-40um。實(shí)施例三
在本實(shí)施例中,其與第二實(shí)施例基本相同,其不同之處在于采用30-120um的銅版紙來替代30-150um的易碎紙。上述實(shí)施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或修飾,皆應(yīng)視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。
權(quán)利要求
1.一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其特征在于,包括承載基材、第一膠層、樹脂膜、蝕刻天線層、第一絕緣層、導(dǎo)電線路層、芯片、第二膠層以及圖案承載層,該樹脂膜位于承載基材與蝕刻天線層之間,該第一膠層位于樹脂膜與承載基材之間,該蝕刻天線層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型;該導(dǎo)電線路層與該蝕刻天線層一起構(gòu)成易碎RFID電子標(biāo)簽的復(fù)合高頻天線,該導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)蝕刻天線層上的跳線導(dǎo)通,該第一絕緣層設(shè)置該導(dǎo)電線路層與蝕刻天線層之間;該芯片與蝕刻天線層相連,該蝕刻天線層、導(dǎo)電線路層、第一絕緣層以及芯片構(gòu)成芯料組件,該圖案承載層通過第二膠層而粘結(jié)在整個(gè)芯料組件的另一側(cè)。
2.如權(quán)利要求I所述的具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其特征在于,該易碎RFID電子標(biāo)簽還包括第二絕緣層,該第二絕緣層設(shè)置在導(dǎo)電線路層與第二膠層之間。
3.如權(quán)利要求I所述的具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其特征在于,該易碎RFID電子標(biāo)簽還包括導(dǎo)電膠層,該導(dǎo)電膠層設(shè)置在芯片與第二膠層之間。
4.如權(quán)利要求I所述的具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其特征在于,該圖案承載層的材料為易碎紙、銅版紙或PET膜,該圖案承載層的外表面還絲印有起標(biāo)示防偽作用的油墨層。
5.如權(quán)利要求I所述的具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽,其特征在于,該蝕刻天線層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm。
6.一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽的制備方法,其特征在于,包括如下步驟 ①、選擇鋁箔或銅箔,并利用樹脂膜而與承載基材進(jìn)行復(fù)合,而形成復(fù)合基材; ②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料或絲印抗蝕刻濕膜油墨; ③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片,采用曝光方法,將導(dǎo)線的線路圖形轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨上面; ④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料或抗蝕刻濕膜油墨的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm,最小線距線寬為O. 1-0. 25mm的蝕刻天線層; ⑤、在上述蝕刻好的蝕刻天線層上,絲印第一絕緣層,接著在第一絕緣層的位置上絲印導(dǎo)電線路層,再在導(dǎo)線線路層上絲印第二絕緣層; ⑥、將上述蝕刻天線層與芯片組裝在一起而制成芯料組件; ⑦、取圖案承載層,并在其一面上形成起防偽作用的標(biāo)示層,再在其另一面涂布第二膠層而與芯料組件組成易碎防偽RFID電子標(biāo)簽。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,該第一絕緣層為厚度為8-30um的絕緣油墨,該導(dǎo)線線路層為厚度為5-50um的導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娪湍?,第二絕緣層為厚度為5-30um的絕緣油墨。
8.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,該步驟②中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的成型采用卷對(duì)卷貼合,該步驟③中曝光則是采用卷對(duì)卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。
9.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,該樹脂膜為可以防止二次加熱加溫30-200°C軟化的膠膜,以防止被完整揭起。
10.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,在步驟⑥與步驟⑦之間,還包括在芯片上設(shè)置導(dǎo)電膠層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有防轉(zhuǎn)移功能高頻易碎RFID電子標(biāo)簽及其制備方法,該標(biāo)簽包括承載基材、第一膠層、樹脂膜、蝕刻天線層、芯片、第一絕緣層、導(dǎo)電線路層、第二膠層以及圖案承載層,該樹脂膜位于承載基材與蝕刻天線層之間,該蝕刻天線層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型;該導(dǎo)電線路層與該蝕刻天線層一起構(gòu)成易碎RFID電子標(biāo)簽的復(fù)合高頻天線,該導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)蝕刻天線層上的跳線導(dǎo)通,該第一絕緣層設(shè)置該導(dǎo)電線路層與蝕刻天線層之間;該芯片與蝕刻天線層相連,該蝕刻天線層、導(dǎo)電線路層、第一絕緣層以及芯片構(gòu)成芯料組件,該圖案承載層通過第二膠層而粘結(jié)在整個(gè)芯料組件的另一側(cè)。本發(fā)明能確保整個(gè)電子標(biāo)簽的防偽性,大大提高了產(chǎn)品的安全性。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102915461SQ20121027830
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月7日
發(fā)明者李文忠 申請(qǐng)人:廈門英諾爾電子科技股份有限公司