專利名稱：一種復(fù)合式自膨脹型封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于粘接技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，特別涉及電子器件方面的粘接技術(shù)。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別(RFID)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無須人工干預(yù)，可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID技術(shù)一般已知并可以用于多種應(yīng)用，例如管理庫(kù)存、電子訪問控制、安全系統(tǒng)、收費(fèi)公路上的汽車自動(dòng)識(shí)別、以及電子物品監(jiān)視。 現(xiàn)有的RFID芯片一般借助膠層采用粘貼的方式粘貼到目標(biāo)物品或商品上，例如，中國(guó)專利(授權(quán)公告號(hào)CN200986778Y)提供了一種帶有RFID芯片的粘貼標(biāo)簽，其在不干膠層上粘貼有RFID芯片及天線。用這種方式固定的RFID電子標(biāo)簽，通常采用熱熔膠或有機(jī)膠層來實(shí)現(xiàn)。如果對(duì)RFID電子標(biāo)簽實(shí)現(xiàn)循環(huán)利用，就必須從目標(biāo)物體上移除RFID電子標(biāo)簽，而現(xiàn)有的粘結(jié)方式只側(cè)重連接的牢固性，而忽略了移除的便捷性。因此，提出一種兼顧粘結(jié)和移除并重的連接體是非常必要的。 鑒于上述技術(shù)現(xiàn)狀，本發(fā)明提供了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體及其制造方法，它可以作為中間體設(shè)置在RFID電子標(biāo)簽和目標(biāo)物體之間，通過膠層將RFID電子標(biāo)簽固定在目標(biāo)物體上，當(dāng)移除RFID電子標(biāo)簽時(shí)，只需用力擠壓該封裝體，即可實(shí)現(xiàn)自身爆破，從而使RFID電子標(biāo)簽與目標(biāo)物體分離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，同時(shí)，還提供了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法。 —種復(fù)合式自膨脹型封裝體，它包括發(fā)泡物質(zhì)A，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)B的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。 進(jìn)一步，所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，還包括如下技術(shù)特征
所述的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，是采用有機(jī)塑料膜來實(shí)現(xiàn)的。 所述的發(fā)泡物質(zhì)A，是采用HC1溶液、醋酸溶液、稀硫酸溶液、稀硝酸溶液中至少一種來實(shí)現(xiàn)的。 所述的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層，是采用有機(jī)塑料膜來實(shí)現(xiàn)的。所述的發(fā)泡物質(zhì)B，是采用NaHC03、 Na2C03、 KHC03、 K2C03、 CaHC03、 CaC03來實(shí)現(xiàn)的。
—種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體如前面所述，該方法包括有如下制作步驟
步驟1 ，封裝發(fā)泡物質(zhì)A ; 步驟2，在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層外封裝發(fā)泡物質(zhì)B ;
步驟3，在發(fā)泡物質(zhì)B外封裝發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。
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進(jìn)一步，所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，還包括如下技術(shù)特征 所述的步驟1，采用微膠囊成型的技術(shù)，先霧化發(fā)泡物質(zhì)A，然后噴射被霧化的發(fā)
泡物質(zhì)A包覆層。 所述的步驟2，采用先潤(rùn)濕發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，然后再粘裹發(fā)泡物質(zhì)B的方法進(jìn)行。
所述的步驟3，采用霧化的方式處理發(fā)泡物質(zhì)B包覆層，然后施加于已設(shè)置有發(fā)泡物質(zhì)B的微粒上。 其中，所述的發(fā)泡物質(zhì)A優(yōu)選為HC1溶液或醋酸溶液，所述的發(fā)泡物質(zhì)B優(yōu)選為NaHC03。 發(fā)泡物質(zhì)A包覆層的抗強(qiáng)度小于發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn) 本發(fā)明提供的復(fù)合式自膨脹型封裝體，包括發(fā)泡物質(zhì)A，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)A的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)B的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。它可以做為中間體設(shè)置在RFID電子標(biāo)簽和目標(biāo)物體之間，通過膠層將RFID電子標(biāo)簽固定在目標(biāo)物體上，當(dāng)移除RFID電子標(biāo)簽時(shí)，只需用力擠壓該封裝體，即可實(shí)現(xiàn)自身爆破，從而使RFID電子標(biāo)簽與目標(biāo)物體分離。該封裝體在應(yīng)用時(shí)，兼顧RFID電子標(biāo)簽的粘結(jié)和移除，提高了 RFID電子標(biāo)簽移除的便捷性，方便了對(duì)RFID電子標(biāo)簽的循環(huán)利用。


圖1是為本發(fā)明所述的
圖2是為本發(fā)明所述的
圖3是為本發(fā)明所述的
圖4是為本發(fā)明所述的
圖中的標(biāo)號(hào)說明
復(fù)合式自膨脹型封裝體B-130,發(fā)泡物質(zhì)B包覆層-140。
具體實(shí)施例方式
下面參照著附圖，對(duì)本發(fā)明所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體及其制造方法，做詳細(xì)介紹。
圖1的說明 參圖1所示，該圖展示了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體100的結(jié)構(gòu)圖，該復(fù)合式自膨脹型封裝體100包括發(fā)泡物質(zhì)A 110，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A110的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B 130，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)B 130的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。 其中，發(fā)泡物質(zhì)A 110，是用于與發(fā)泡物質(zhì)B130進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，釋放氣體，實(shí)現(xiàn)封裝體自膨脹功能的物質(zhì)，它是采用HC1溶液、醋酸溶液、稀硫酸溶液、稀硝酸溶液中至少一種來實(shí)現(xiàn)的。 其中，發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，是包覆在發(fā)泡物質(zhì)A110的外圍，用來隔離發(fā)泡物質(zhì)
一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的結(jié)構(gòu)圖。一種復(fù)合式自膨脹型封裝體制造方法的流程圖。一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施例圖。一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施例圖。
-100，發(fā)泡物質(zhì)A-llO，發(fā)泡物質(zhì)A包覆層-120，發(fā)泡物質(zhì)
4A110和發(fā)泡物質(zhì)B 130的隔離層，它的抗強(qiáng)度小于發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。它是采用有機(jī)
塑料膜來實(shí)現(xiàn)的，可以是聚乙烯塑料、聚苯乙烯塑料、聚氯乙烯塑料中至少一種。 其中，發(fā)泡物質(zhì)B 130，是用于與發(fā)泡物質(zhì)A110進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，釋放氣體，實(shí)現(xiàn)封
裝體自膨脹功能的物質(zhì)，它是采用NaHC03、 Na2C03、 KHC03、 K2C03、 CaHC03、 CaC03中至少一種來
實(shí)現(xiàn)的。 其中，發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140，是包覆在發(fā)泡物質(zhì)B130的外圍的包覆層，它的抗強(qiáng)度大于發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，它是采用有機(jī)塑料膜來實(shí)現(xiàn)的，可以是聚乙烯塑料、聚苯乙
烯塑料、聚氯乙烯塑料中至少一種。
圖2的說明 參圖2所示，該圖展示了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法的流程圖，該方法包括有如下制作步驟 步驟l，封裝發(fā)泡物質(zhì)AllO。采用微膠囊成型的技術(shù)，先霧化發(fā)泡物質(zhì)A110，然后噴射被霧化的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120。 步驟2，在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120外封裝發(fā)泡物質(zhì)B130。先潤(rùn)濕發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，然后再粘裹發(fā)泡物質(zhì)B130。 步驟3，在發(fā)泡物質(zhì)B130外封裝發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。采用霧化的方式處理發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140，然后施加于已設(shè)置有發(fā)泡物質(zhì)B130的微粒上。 在制造復(fù)合型自膨脹封裝體時(shí)，發(fā)泡物質(zhì)AllO優(yōu)選為HCl溶液或醋酸溶液，發(fā)泡物質(zhì)B130優(yōu)選為NaHC03。發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120和發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140采用有機(jī)塑料薄膜來實(shí)現(xiàn)，并且，發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120的抗強(qiáng)度小于發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。
具體實(shí)施例一 參圖3所示，該圖展示了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體100的結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例圖，該復(fù)合式自膨脹型封裝體100包括發(fā)泡物質(zhì)A 110，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)AllO的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B 130，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)B 130的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。在本實(shí)施例中，發(fā)泡物質(zhì)A IOO選用HCl溶液，發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120選用聚乙烯塑料薄膜來實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)著發(fā)泡物質(zhì)A 100選用HCl溶液，發(fā)泡物質(zhì)B 130選用NaHC03粉末，發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140選用聚乙烯塑料薄膜來實(shí)現(xiàn)。 在本實(shí)施例中，該復(fù)合式自膨脹型封裝體100的制造方法為 采用微膠囊成型的技術(shù)，先霧化HCl溶液，然后噴射被霧化的聚乙烯塑料；先潤(rùn)濕
聚乙烯塑料，然后再粘裹NaHC03粉末；采用霧化的方式處理聚乙烯塑料，然后施加于已設(shè)置
有NaHC03粉末的微粒上。 具體實(shí)施例二 參圖4所示，該圖展示了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體100的結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例圖，該復(fù)合式自膨脹型封裝體100包括發(fā)泡物質(zhì)A 110，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)AllO的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B 130，以及設(shè)置在發(fā)泡物質(zhì)B 130的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140。在本實(shí)施例中，發(fā)泡物質(zhì)A IOO選用稀硫酸溶液，發(fā)泡物質(zhì)A包覆層120選用聚氯乙烯塑料薄膜來實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)著發(fā)泡物質(zhì)A 100選用稀硫酸溶液，發(fā)泡物質(zhì)B130選用CaC03粉末，發(fā)泡物質(zhì)B包覆層140選用聚乙烯塑料薄膜來實(shí)現(xiàn)。 在本實(shí)施例中，該復(fù)合式自膨脹型封裝體100的制造方法為 采用微膠囊成型的技術(shù)，先霧化稀硫酸溶液，然后噴射被霧化的聚氯乙烯塑料；先 潤(rùn)濕聚氯乙烯塑料，然后再粘裹CaC03粉末；采用霧化的方式處理聚乙烯塑料，然后施加于 已設(shè)置有CaC03粉末的微粒上。 以上是對(duì)本發(fā)明的描述而非限定，基于本發(fā)明思想的其它實(shí)施方式，均在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，其特征在于，該復(fù)合式自膨脹型封裝體包括發(fā)泡物質(zhì)A，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A的外圍的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B，以及設(shè)置在前述的發(fā)泡物質(zhì)B的外圍的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，其特征在于所述的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，是采用有機(jī)塑料膜來實(shí)現(xiàn)的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，其特征在于所述的發(fā)泡物質(zhì)A，是采用HC1溶液、醋酸溶液、稀硫酸溶液、稀硝酸溶液中至少一種來實(shí)現(xiàn)的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，其特征在于所述的發(fā)泡物質(zhì)B包覆層，是采用有機(jī)塑料膜來實(shí)現(xiàn)的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體，其特征在于所述的發(fā)泡物質(zhì)B，是采用NaHC03、 Na2C03、 KHC03、 K2C03、 CaHC03、 CaC03來實(shí)現(xiàn)的。
6. —種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體如前面權(quán)利要求1所述，其特征在于，該方法包括有如下制作步驟步驟l，封裝發(fā)泡物質(zhì)A;步驟2，在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層外封裝發(fā)泡物質(zhì)B ;步驟3，在發(fā)泡物質(zhì)B外封裝發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，其特征在于所述的步驟1，采用微膠囊成型的技術(shù)，先霧化發(fā)泡物質(zhì)A，然后噴射被霧化的發(fā)泡物質(zhì)A包覆層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，其特征在于所述的步驟2，采用先潤(rùn)濕發(fā)泡物質(zhì)A包覆層，然后再粘裹發(fā)泡物質(zhì)B的方法進(jìn)行。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，其特征在于所述的步驟3，采用霧化的方式處理發(fā)泡物質(zhì)B包覆層，然后施加于已設(shè)置有發(fā)泡物質(zhì)B的微粒上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，其特征在于其中，所述的發(fā)泡物質(zhì)A優(yōu)選為HC1溶液或醋酸溶液，所述的發(fā)泡物質(zhì)B優(yōu)選為NaHC03。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法，其特征在于發(fā)泡物質(zhì)A包覆層的抗強(qiáng)度小于發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種復(fù)合式自膨脹型封裝體及其制造方法，屬于粘接技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域。該復(fù)合式自膨脹型封裝體包括發(fā)泡物質(zhì)A、發(fā)泡物質(zhì)A包覆層、發(fā)泡物質(zhì)B，以及發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。該復(fù)合式自膨脹型封裝體的制造方法為封裝發(fā)泡物質(zhì)A；在發(fā)泡物質(zhì)A包覆層外封裝發(fā)泡物質(zhì)B；在發(fā)泡物質(zhì)B外封裝發(fā)泡物質(zhì)B包覆層。該封裝體在應(yīng)用時(shí)，兼顧RFID電子標(biāo)簽的粘結(jié)和移除，提高了RFID電子標(biāo)簽移除的便捷性，方便了對(duì)RFID電子標(biāo)簽的循環(huán)利用。
文檔編號(hào)G06K19/067GK101787246SQ20091020213
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者馬宇塵 申請(qǐng)人:上海杰遠(yuǎn)環(huán)?？萍加邢薰?br>