專利名稱：實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的方法、固態(tài)硬盤和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的方法、 固態(tài)硬盤和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
RAID (Redundant Array of Independent Disks,獨立石茲盤冗余陣列)是將 多臺硬盤通過控制器結(jié)合成虛擬單臺大容量的磁盤使用，其特色是多臺硬盤 同時讀取速度加快并且能夠提供容錯性，RAID按照實現(xiàn)原理的不同可以分為 不同的級別，例如RAID0、 RAID1、 RAID5等。SSD ( Solid State Disk, 固 態(tài)硬盤)由控制單元和固態(tài)電子存儲芯片(通常為FLASH存儲器)陣列組成， 簡其抗震性佳，同時工作溫度很寬。SSD相對硬盤的最顯著優(yōu)勢就是速度， 在I/0性能指標(biāo)IOPs(即每秒多少次IO動作)方面，SSD可以達到硬盤的50 1000 倍，而其功耗相對于傳統(tǒng)硬盤HDD也非常低。但SSD由于采用了NandFlash作 為存儲介質(zhì)，故使用壽命受到存儲介質(zhì)的影響，SLC (Single Level Cell ，單階 存儲單元)的擦寫次數(shù)大概為IO次，而MLC ( Muti-Level Cell，多階存儲單元) 大概為1萬次。此外，SSD的成本較HDD (Hard Disk Drive,硬盤驅(qū)動器)高 也是阻止其規(guī)模應(yīng)用的一個劣勢。
現(xiàn)有技術(shù)中，存在一種存儲系統(tǒng)，該系統(tǒng)中利用SSD盤作為存儲介質(zhì)，為 了實現(xiàn)RAID,系統(tǒng)利用SSD盤進行構(gòu)建，并增加額外的SSD盤作為RAID系統(tǒng) 中容災(zāi)備份的冗余盤使用，當(dāng)存儲數(shù)據(jù)用的SSD盤發(fā)生錯誤的時候，可以通過 這些額外增加的SSD盤進行容錯恢復(fù)。
現(xiàn)有技術(shù)中還有一種存儲系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中不是所有的存儲介質(zhì)都采用 SSD,而是在關(guān)鍵運算的校驗盤部分使用SSD,以提高整體的運算讀取速度， 其余的部分使用傳統(tǒng)的HDD。發(fā)明人在實施上述技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)方案至少存在如下
缺陷
現(xiàn)有技術(shù)一的方案因為在系統(tǒng)級別中采用SSD盤，所以需要額外再增加 足夠的SSD盤才可以構(gòu)建這種RAID存儲系統(tǒng)，由于SSD盤的成本本身就很 高，所以整個存儲系統(tǒng)的成本更高。
現(xiàn)有技術(shù)二的方案在用戶需要高速存儲的時候不能完全滿足要求，因為 存儲系統(tǒng)的IOPS指標(biāo)仍然是HDD的速度。而且在某些級別的RAID系統(tǒng)中，會 頻繁擦寫SSD盤，由于SSD盤的介質(zhì)特性，導(dǎo)致此時的SSD盤更容易失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列RAID的方法、 固態(tài)硬盤和電子設(shè)備，能夠在構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列RAID成本較低的前提
下，又能夠保證數(shù)據(jù)可靠性。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案 一種實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列RAID的方法，包括
將固態(tài)硬盤內(nèi)部劃分為至少兩個存儲區(qū)域，所述每個存儲區(qū)域中包括至 少兩個子區(qū)域；
在所述存儲區(qū)域中分別構(gòu)建獨立磁盤冗余陣列RAID;
根據(jù)所述存儲區(qū)域中構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參 數(shù)，從組成存儲區(qū)域的子區(qū)域中，確定用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。 一種固態(tài)硬盤，包括
存儲控制器和存儲介質(zhì)，存儲控制器和存儲介質(zhì)相連接，所述存儲介質(zhì) 包括
至少兩個存儲區(qū)域，所述每個存儲區(qū)域中包括至少兩個子區(qū)域，每個存 儲區(qū)域分別構(gòu)建成獨立磁盤冗余陣列，其中，所述每個存儲區(qū)域的子區(qū)域中 包括根據(jù)所述存儲區(qū)域構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參數(shù) 確定的用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
5一種電子設(shè)備，包括中央處理器CPU和上述的固態(tài)硬盤，固態(tài)硬盤與中
央處理器CPU相連接，固態(tài)硬盤用于存儲數(shù)據(jù)，中央處理器CPU用于對固態(tài)
硬盤中存儲的數(shù)據(jù)進行處理。
由上述公開的技術(shù)方案可知，本發(fā)明實施例中，在固態(tài)硬盤的內(nèi)部進行
劃分出多個存儲區(qū)域，然后在各個存儲區(qū)域內(nèi)實現(xiàn)各自級別的RAID,并在各 個存儲區(qū)域內(nèi)部設(shè)置用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域，而且該存儲冗余數(shù)據(jù)的子 區(qū)域可以根據(jù)預(yù)設(shè)的參數(shù)和RAID級別進行靈活調(diào)整，所以本發(fā)明實施例中 用于容災(zāi)恢復(fù)的冗余數(shù)據(jù)存儲區(qū)域可以存在于整個系統(tǒng)中SSD內(nèi)部的各個部 分，而現(xiàn)有技術(shù)中提供的是將固定的整個SSD盤作為冗余數(shù)據(jù)的存儲單元， 存在對同一位置過度擦寫的現(xiàn)象，本發(fā)明實施例中解決了這個問題，避免同 一部分過度擦寫，提高了數(shù)據(jù)的可靠性，而且本發(fā)明實施例在SSD盤內(nèi)部就 實現(xiàn)了 RAID,不需要增加額外的專門用于存儲冗余數(shù)據(jù)的SSD盤，因此也 就節(jié)省了整個系統(tǒng)的成本。


施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面 描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不 付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實施例提供的實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的方法的流程圖2是本發(fā)明實施例一中利用SSD盤構(gòu)建獨立磁盤冗余陣列的示意圖3是本發(fā)明實施例 一 中 一個Flash通道中內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫的示意圖4是本發(fā)明實施例二中一個Flash通道內(nèi)恢復(fù)數(shù)據(jù)的示意圖5是本發(fā)明實施例二中利用SSD盤實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的示意圖6是本發(fā)明實施例二中一個ROW內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫的示意圖7是本發(fā)明實施例二中一個ROW內(nèi)恢復(fù)數(shù)據(jù)的示意圖；圖8是本發(fā)明實施例三提供的一種電子設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā) 明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述， 顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲 得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。
圖1示出了本發(fā)明實施例提供的實現(xiàn)獨立;茲盤冗余陣列的方法的流程圖，
如圖1所示，該方法包括
步驟S101:將固態(tài)硬盤內(nèi)部劃分成至少兩個存儲區(qū)域，每個存儲區(qū)域中 又包括至少兩個子區(qū)域；
步驟S102:在每個存儲區(qū)域中分別構(gòu)建獨立磁盤冗余陣列RAID;
步驟S103:根據(jù)該存儲區(qū)域構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定 的參數(shù)，從組成存儲區(qū)域的子區(qū)域中，確定用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
其中，根據(jù)獨立磁盤冗余陣列中陣列的組成方式的不同，可以將RAID 分成若干個級別，例如RAID 0、 RAID 1 、 RAID 0+1 、 RAID 3、 RAID 5等。
可以利用上述預(yù)先設(shè)定的參數(shù)來指定存儲區(qū)域中用來存儲冗余數(shù)據(jù)的子 區(qū)域的位置。
另外本發(fā)明實施例提供的方法中還可以包括
步驟S104:當(dāng)所述存儲區(qū)域中的子區(qū)域的數(shù)據(jù)發(fā)生失效后，將所述存儲 區(qū)域中其他的子區(qū)域的數(shù)據(jù)和用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域中的冗余數(shù)據(jù)進行 相應(yīng)的RAID運算，恢復(fù)失效數(shù)據(jù)。
本發(fā)明實施例方法可以根據(jù)實際需要對各個步驟順序進行調(diào)整。
根據(jù)本發(fā)明實施例，能夠在節(jié)省系統(tǒng)成本的前提下，提高數(shù)據(jù)的可靠性。本發(fā)明實施例還相應(yīng)提供一種固態(tài)硬盤，在該固態(tài)硬盤內(nèi)實現(xiàn)RAID,該
硬盤可以包括存儲控制器和存儲介質(zhì)，存儲控制器和存儲介質(zhì)相連接，上述
述存儲介質(zhì)包括
多個存儲區(qū)域，每個存儲區(qū)域中包括多個子區(qū)域，每個存儲區(qū)域分別構(gòu) 建成獨立磁盤冗余陣列，其中，所述每個存儲區(qū)域的子區(qū)域中包括根據(jù)該 存儲區(qū)域構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參數(shù)，確定的用于存 儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
這樣在不增加額外的SSD盤的情況下，本發(fā)明實施例提供的方法在SSD 盤內(nèi)部實現(xiàn)了RAID,節(jié)約了成本，而且可以通過預(yù)先設(shè)定的參數(shù)和RAID的 級別靈活選擇用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域，所以不會如現(xiàn)有技術(shù)中對固定 SSD盤內(nèi)部同一部分的過多擦寫，從而提高數(shù)據(jù)的可靠性。進一步地，由于 各個存儲區(qū)域中構(gòu)建RAID相對獨立，使得用戶可以根據(jù)需求選擇在不同的 存儲區(qū)域構(gòu)建級別的RAID容錯備份方案，所以靈活性也很大。
在本發(fā)明不同實施例中，根據(jù)上述劃分存儲區(qū)域方式的不同，實現(xiàn)RAID 的方式也不同，下面結(jié)合這些不同方式，對本發(fā)明實施例進行詳細描述。
實施例一
在介紹本實施例前，首先介紹一下SSD盤內(nèi)的組織結(jié)構(gòu)。SSD盤包括多 個Flash單元，其中Flash單元橫向分成各個ROW,可以記為ROWl、 ROW 2、 ROW 3……ROWN，縱向分成各個Flash通道(Flash Channel),可以記為 FC 1 、 FC 2、 FC 3......FC M。其中，ROW是Flash進行數(shù)據(jù)組織結(jié)構(gòu)管理的
單位，每個ROW內(nèi)包含多個Flash單元，分別對應(yīng)各個Flash通道，每個ROW 內(nèi)Flash的一定量的數(shù)據(jù)組成一個軟件內(nèi)部管理數(shù)據(jù)的單位。Flash通道是 Flash控制器與Flash單元進行交互的通道。Flash控制芯片以Flash通道為單 位對Flash單元進行管理控制，每條Flash通道上包括多個Flash單元，分別 對應(yīng)各個ROW。
圖2示出了本實施例提供的利用SSD盤實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的示意圖，如圖2所示，本實施例中根據(jù)SSD盤內(nèi)Flash通道劃分存儲區(qū)域，并在各個 Flash通道內(nèi)分別構(gòu)建RAID。每個Flash通道內(nèi)各個ROW對應(yīng)的Flash單元 作為存儲區(qū)域中的子區(qū)域。其中，根據(jù)各個Flash通道構(gòu)建的RAID的級別， 設(shè)置不同數(shù)目的用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元，這些用于存儲冗余數(shù)據(jù)的
Flash單元在相應(yīng)的Flash通道中。圖2中特別地，以額外增加Flash單元作為 Flash通道中存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元為例，用戶可以根據(jù)需要在不同的 Flash通道中構(gòu)建不同級別的RAID,例如，如圖2所示，在FC 0內(nèi)，設(shè)置兩 個存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元，而其他的Flash通道中設(shè)置一個存儲冗余數(shù)據(jù) 的Flash單元。
下面以其中一個Flash通道為例說明上述SSD盤內(nèi)讀寫和數(shù)據(jù)恢復(fù)的過 程。圖3示出了一個Flash通道中內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫的示意圖，圖3中以Fash通道 FCO為例，在每個FC內(nèi)部的某個Flash單元讀寫操作時，根據(jù)RAID的級別， 利用RAID運算得到包含校驗值的冗余數(shù)據(jù)，將所述冗余數(shù)據(jù)存入該FC內(nèi)部 的用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元中(圖中記為FlashO )。圖4示出了 一個Flash 通道內(nèi)恢復(fù)數(shù)據(jù)的示意圖，當(dāng)SSD盤內(nèi)一個Flash單元發(fā)生數(shù)據(jù)失效現(xiàn)象， 或者讀取數(shù)據(jù)發(fā)生了不可糾正的ECC ( Error Checking and Correcting,錯誤檢 查和糾正)時，此時可以利用FCO中余下的Flash單元中的數(shù)據(jù)以及用于存儲 冗余數(shù)據(jù)的Flash單元中的冗余數(shù)據(jù)，進行相應(yīng)的RAID運算，恢復(fù)失效Flash 數(shù)據(jù)，達到容錯恢復(fù)和高可靠性的存儲系統(tǒng)的應(yīng)用目的。
本發(fā)明實施例的各個單元可以集成于一體，也可以分離部署。上述單元 可以合并為一個單元，也可以進一步拆分成多個子單元。
根據(jù)本實施例，能夠在降低RAID系統(tǒng)成本的前提下，保證數(shù)據(jù)的可靠性。
實施例二
圖5示出了本實施例提供的利用SSD盤實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列的示意圖，如圖5所示，本實施例中根據(jù)SSD盤中的ROW劃分存儲區(qū)域，并在各個ROW 內(nèi)分別構(gòu)建RAID。每個ROW內(nèi)的各個Flash通道對應(yīng)的Flash單元作為存儲 區(qū)域的子區(qū)域。其中，根據(jù)各個ROW構(gòu)建的RAID的級別，設(shè)置不同數(shù)目的 用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元，這些用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元可以在 ROW內(nèi)原有的Flash單元中進行選擇，也可以另外增加一個Flash單元在相 應(yīng)的ROW內(nèi)。圖5特別地，以額外增加Flash單元作為ROW內(nèi)存儲冗余數(shù) 據(jù)的Flash單元為例，用戶可以根據(jù)需要在不同的ROW內(nèi)構(gòu)建不同級別的 RAID,如圖5所示，在ROW0內(nèi)設(shè)置一個用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元， 而其他的ROW內(nèi)設(shè)置兩個用于存儲冗余數(shù)據(jù)的Flash單元。
下面以其中一個ROW為例說明上述SSD盤內(nèi)讀寫和數(shù)據(jù)恢復(fù)的過程。 圖6示出了一個ROW內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫的示意圖，圖6中ROWO為例，在每個ROW 內(nèi)部的某個Flash單元讀寫操作時，根據(jù)RAID的級別，利用RAID運算得到 包含校驗值的冗余數(shù)據(jù)，將所述冗余數(shù)據(jù)存入該ROW內(nèi)部的用于存儲冗余數(shù) 據(jù)的Flash單元中。圖7示出了一個ROW內(nèi)恢復(fù)數(shù)據(jù)的示意圖，當(dāng)SSD盤內(nèi) 一個Flash單元發(fā)生數(shù)據(jù)失效現(xiàn)象，或者讀取數(shù)據(jù)發(fā)生了不可糾正的ECC (Error Checking and Correcting,錯誤檢查和糾正)時，此時可以利用FC0中 余下的Flash單元中的lt據(jù)以及用于存儲冗余凝:據(jù)的Flash單元中的冗余教:據(jù)， 進行相應(yīng)的RAID運算，恢復(fù)失效Flash數(shù)據(jù)，達到容錯恢復(fù)和高可靠性的存 儲系統(tǒng)的應(yīng)用目的。
本發(fā)明實施例的各個單元可以集成于一體，也可以分離部署。上述單元 可以合并為一個單元，也可以進一步拆分成多個子單元。
根據(jù)本實施例，能夠在降低RAID系統(tǒng)成本的前提下，保證數(shù)據(jù)的可靠性。
需要說明的是，上述兩個實施例中，子區(qū)域都分別對應(yīng)Flash單元，本領(lǐng) 域才支術(shù)人員應(yīng)該能夠理解，子區(qū)域也可以是一個Flash單元中的塊(Sector)。
實施例三本實施例與前幾個實施例的區(qū)別在于不采用SSD盤內(nèi)原有的組織結(jié)構(gòu)
進行劃分存儲區(qū)域，而是以任意存儲單元的集合為單位進行劃分存儲區(qū)域，
并在該存儲區(qū)域上構(gòu)建RAID。在實施例中劃分的存儲區(qū)域是一個邏輯結(jié)構(gòu)，
每個存儲區(qū)域中可以包括不同的ROW或者不同的FC中的部分，也可以包括
不同F(xiàn)lash單元內(nèi)的部分，對每個劃定的存儲區(qū)域可以各自構(gòu)建RAID，由此
可見本實施例提供的方案在實現(xiàn)RAID方面更加靈活。實際當(dāng)中可以通過軟
件對上述存儲區(qū)域進行劃分。本實施例中數(shù)據(jù)讀寫和數(shù)據(jù)恢復(fù)的過程與實施 例一中和實施例二中的相應(yīng)方法類似，這里不再贅述。
本發(fā)明實施例的各個單元可以集成于一體，也可以分離部署。上述單元 可以合并為一個單元，也可以進一步拆分成多個子單元。
實施例四
本實施例四提供一種電子設(shè)備，如圖8所示，該電子設(shè)備800包括固態(tài) 硬盤801和中央處理器CPU802，固態(tài)硬盤801與中央處理器CPU802相連接， 固態(tài)硬盤801用于存儲數(shù)據(jù)，中央處理器CPU802用于對固態(tài)硬盤801中存 儲的數(shù)據(jù)進行處理。
其中固態(tài)硬盤801中包括多個存儲區(qū)域，每個存儲區(qū)域中包括多個子 區(qū)域，每個存儲區(qū)域分別構(gòu)建成獨立磁盤冗余陣列，其中，所述每個存儲區(qū) 域的子區(qū)域中包括根據(jù)該存儲區(qū)域構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先 設(shè)定的參數(shù)，確定的用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
在實際應(yīng)用中，本實施例中的電子設(shè)備的類型可以包括計算機、或服 務(wù)器、或路由器、或交換機、或基站、或基站控制器、或數(shù)字用戶線路接入 復(fù)用器、或歸屬位置寄存器、或手機、或個人數(shù)碼助理、或機頂盒。
本實施例提供的電子設(shè)備中在不增加額外的SSD盤的情況下，本發(fā)明實 施例提供的方法在SSD盤內(nèi)部實現(xiàn)了 RAID，節(jié)約了成本，而且可以通過預(yù) 先設(shè)定的參數(shù)和RAID的級別靈活選擇用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域，所以不 會如現(xiàn)有技術(shù)中對固定SSD盤內(nèi)部同一部分的過多擦寫，從而提高數(shù)據(jù)的可
ii靠性。進一步地，由于各個存儲區(qū)域中構(gòu)建RAID相對獨立，使得用戶可以 根據(jù)需求選擇在不同的存儲區(qū)域構(gòu)建級別的RAID容錯備份方案，所以靈活 性也很大。
綜上所述，通過本發(fā)明實施例能夠降低構(gòu)建RAID系統(tǒng)成本的前4是下， 保證數(shù)據(jù)的可靠性。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各 示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結(jié)合來實 現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一 般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí) 行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個 特定的應(yīng)用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應(yīng)認為超 出本發(fā)明的范圍。
結(jié)合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以用硬件、處理 器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器 (RAM )、內(nèi)存、只讀存儲器(ROM )、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、 寄存器、硬盤、可移動磁盤、CD-ROM、或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所公知的任意其它形 式的存儲介質(zhì)中。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤 飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
1權(quán)利要求
1、一種實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列RAID的方法，其特征在于，包括將固態(tài)硬盤內(nèi)部劃分為至少兩個存儲區(qū)域，所述每個存儲區(qū)域中包括至少兩個子區(qū)域；在所述存儲區(qū)域中分別構(gòu)建獨立磁盤冗余陣列RAID；根據(jù)所述存儲區(qū)域中構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參數(shù)，從組成存儲區(qū)域的子區(qū)域中，確定用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括當(dāng)所述存儲區(qū)域中的子區(qū)域的數(shù)據(jù)失效后，將所述存儲區(qū)域中的其他子 區(qū)域的數(shù)據(jù)和用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域中的冗余數(shù)據(jù)進行相應(yīng)的獨立》茲盤 冗余陣列的運算，恢復(fù)失效數(shù)據(jù)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 硬盤中的閃存Flash通道，所述子區(qū)域為一個Flash通道中的各個行ROW對 應(yīng)的存儲單元。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 硬盤的ROW,所述子區(qū)域為一個ROW中的各個Flash通道對應(yīng)的存儲單元。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 硬盤內(nèi)的任意存儲單元組成的集合，所述子區(qū)域為所述集合中的各個存儲單元。
6、 一種固態(tài)硬盤，其特征在于，包括存儲控制器和存儲介質(zhì)，存儲控 制器和存儲介質(zhì)相連接，所述存儲介質(zhì)包括至少兩個存儲區(qū)域，所述每個存儲區(qū)域中包括至少兩個子區(qū)域，每個存 儲區(qū)域分別構(gòu)建成獨立磁盤冗余陣列，其中，所述每個存儲區(qū)域的子區(qū)域中 包括根據(jù)所述存儲區(qū)域構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參數(shù) 確定的用于存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)硬盤，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 石更盤中的Flash通道，所述子區(qū)域為一個Flash通道中的各個ROW對應(yīng)的存儲單元。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)硬盤，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 硬盤中的ROW,所述子區(qū)域為一個ROW中的各個Flash通道對應(yīng)的存儲單 元。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)硬盤，其特征在于，所述存儲區(qū)域為固態(tài) 硬盤中任意存儲單元組成的集合，所述子區(qū)域為所述集合中的各個存儲單元。
10、 一種電子設(shè)備，其特征在于，包括中央處理器CPU和如權(quán)利要求6 至9中任一項的固態(tài)硬盤，固態(tài)硬盤與中央處理器CPU相連接，固態(tài)硬盤用 于存儲數(shù)據(jù)，中央處理器CPU用于對固態(tài)硬盤中存儲的數(shù)據(jù)進行處理。
11、 如權(quán)利要求IO所述的電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備的類型包 括計算機、或服務(wù)器、或路由器、或交換機、或基站、或基站控制器、或 數(shù)字用戶線路接入復(fù)用器、或歸屬位置寄存器、或手機、或個人數(shù)碼助理、 或才幾頂盒。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了實現(xiàn)獨立磁盤冗余陣列RAID的方法、固態(tài)硬盤和電子設(shè)備，該方法包括將固態(tài)硬盤內(nèi)部劃分為至少兩個存儲區(qū)域，所述每個存儲區(qū)域中包括至少兩個子區(qū)域；在所述存儲區(qū)域中分別構(gòu)建獨立磁盤冗余陣列RAID；根據(jù)所述存儲區(qū)域中構(gòu)建的獨立磁盤冗余陣列的級別和預(yù)先設(shè)定的參數(shù)，從組成存儲區(qū)域的子區(qū)域中，確定用作存儲冗余數(shù)據(jù)的子區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明實施例，能夠在降低成本的前提下保證數(shù)據(jù)的可靠性。
文檔編號G06F11/14GK101504625SQ20091011816
公開日2009年8月12日 申請日期2009年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月4日
發(fā)明者嫻 唐, 楊繼濤 申請人:成都市華為賽門鐵克科技有限公司