專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、主機(jī)裝置、程序、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及管理具有裝置壽命的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置 管理系統(tǒng)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、主機(jī)裝置、程序、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方 法。
背景技術(shù)：
近年，以NAND型閃存為代表的非易失性存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)媒體的半 導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(硅盤)作為硬盤裝置的代替，引人注目。作為其理由，與 硬盤裝置相比，列舉沒有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)等故障要素、低耗電、能24小時(shí)連 續(xù)使用、沒有工作音、具有對(duì)振動(dòng)等的耐沖擊性?？墒牵@種半導(dǎo)體存儲(chǔ) 裝置在數(shù)據(jù)的改寫次數(shù)上存在限制，通常在數(shù)萬次到數(shù)十萬次左右，成為 裝置壽命。而且，如果改寫集中在特定的區(qū)域(存儲(chǔ)元件)，壽命就進(jìn)一 步縮短。作為解決這樣的問題的技術(shù)，知道專利文獻(xiàn)1中記載的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)l:特開平05-204561號(hào)公報(bào)
在專利文獻(xiàn)1中記載了在閃存內(nèi)設(shè)置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域、代替 該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的錯(cuò)誤區(qū)域的代替存儲(chǔ)區(qū)域、把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中成為錯(cuò)誤 的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的代替存儲(chǔ)器的地址作為錯(cuò)誤信息具有的錯(cuò)誤存儲(chǔ)區(qū)域，并 且具有進(jìn)行向這些各區(qū)域的讀寫的存儲(chǔ)器控制器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(半導(dǎo) 體盤)。在這樣的結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)器控制器讀取錯(cuò)誤存儲(chǔ)區(qū)域的錯(cuò)誤信息， 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域正常時(shí)，向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行讀寫，異常時(shí)，向代替存儲(chǔ)區(qū) 域進(jìn)行讀寫。在寫入時(shí)，發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，査找不良?jí)K代替區(qū)域的空區(qū)域，向 空區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)，并且更新有錯(cuò)誤的存儲(chǔ)區(qū)域的錯(cuò)誤信息。通過進(jìn)行這樣 的控制，救濟(jì)閃存的改寫引起的錯(cuò)誤，謀求半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的壽命延長。
可是，雖然專利文獻(xiàn)1中記載的技術(shù)能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的壽命延長，但是無法喪失壽命。此外，提出了用于回避裝置壽命的各種技術(shù)(避
免向特定區(qū)域的改寫的集中的平滑化處理(ware leveling)等)，但是都不 是能使壽命無限的技術(shù)。
因此，在以往技術(shù)中，無法現(xiàn)實(shí)地把半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置作為硬盤裝置的 代替來使用。當(dāng)然，能作為禁止或限制改寫的嵌入設(shè)備、具有改寫次數(shù)的 可推測(cè)程度的音頻設(shè)備等的存儲(chǔ)裝置來利用，但是在應(yīng)用和運(yùn)用上產(chǎn)生限 制。此外，也考慮事先計(jì)算壽命來使用，或者定期更換的方法，但是前者 的時(shí)候，缺乏可靠性，后者的時(shí)候，在裝置壽命前更換成為必要，都無法 經(jīng)受現(xiàn)實(shí)的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這樣的問題，本發(fā)明的課題在于，提供作為硬盤裝置的代替，用 于實(shí)現(xiàn)能實(shí)用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)、半導(dǎo)體存儲(chǔ) 裝置、主機(jī)裝置、程序、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)管理具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ) 區(qū)域、代替該半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替區(qū)域的半導(dǎo)體存儲(chǔ)
裝置的裝置壽命，其特征在于，包括檢測(cè)不良?jí)K代替區(qū)域的消耗塊數(shù)的 消耗塊數(shù)檢測(cè)單元；根據(jù)消耗塊數(shù)檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)
裝置的裝置壽命，報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果的壽命報(bào)告單元。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方法中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域、代替該半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K
代替區(qū)域，其特征在于根據(jù)不良?jí)K代替區(qū)域的消耗履歷，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體存 儲(chǔ)裝置的裝置壽命，報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果。
根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，根據(jù)代替半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替區(qū) 域的消耗塊數(shù)(消耗履歷)，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的裝置壽命，報(bào)告該預(yù) 測(cè)結(jié)果，所以用戶能把握半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的裝置壽命。據(jù)此，能捕捉消耗 品，在適當(dāng)?shù)臅r(shí)期更換半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，所以不會(huì)違背用戶的意思，半導(dǎo) 體存儲(chǔ)裝置到達(dá)裝置壽命，不會(huì)失去數(shù)據(jù)的可靠性或者損失。
此外，根據(jù)不良?jí)K代替區(qū)域的消耗塊數(shù)(消耗履歷)，預(yù)測(cè)裝置壽命， 所以與把改寫次數(shù)計(jì)數(shù)從而預(yù)測(cè)裝置壽命的情形相比，能更正確地進(jìn)行壽命預(yù)測(cè)。此外，沒必要把改寫次數(shù)計(jì)數(shù)，所以計(jì)數(shù)器等的電路結(jié)構(gòu)和用于 存儲(chǔ)計(jì)數(shù)值的存儲(chǔ)器能變?yōu)椴灰?br> 在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，還具有階段地報(bào)告從消耗塊數(shù) 檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果取得的不良?jí)K代替區(qū)域的消耗率或剩余率的階段報(bào) 告單元。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，用戶能階段地把握不良?jí)K代替區(qū)域的消耗率或剩余率。 即用戶能確認(rèn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置到達(dá)裝置壽命的原委，所以能放心使用半導(dǎo) 體存儲(chǔ)裝置。
在所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，還具有把對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi) 的各塊的改寫次數(shù)平滑化的平滑化單元。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過平滑化處理，能延長裝置壽命。
在所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域和不良?jí)K代替 區(qū)域由非易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，使用非易失性存儲(chǔ)器，所以在電源遮斷后，也能保持?jǐn)?shù) 據(jù)。即使用易失性存儲(chǔ)器時(shí)成為必要的麻煩的處理(在電源遮斷前把半導(dǎo) 體存儲(chǔ)區(qū)域和不良?jí)K代替區(qū)域的數(shù)據(jù)暫時(shí)寫入其他非易失性存儲(chǔ)器中的 處理)、后備電池等變?yōu)椴槐匾?br> 在所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，壽命報(bào)告單元和/或階段報(bào)告單 元使用畫面的顯示、聲音的輸出、發(fā)送電子郵件、發(fā)送命令、電話中的任 意一種的方法，報(bào)告。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，使用畫面的顯示、聲音的輸出、發(fā)送電子郵件、發(fā)送命 令、電話的方法，對(duì)用戶能報(bào)告裝置壽命或不良?jí)K代替區(qū)域的消耗數(shù)。
在所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，壽命報(bào)告單元根據(jù)不良?jí)K代替 區(qū)域的單位時(shí)間的后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)的最壞值、平均值或者現(xiàn)在值中的 任意一個(gè)，預(yù)測(cè)裝置壽命。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，根據(jù)不良?jí)K代替區(qū)域的單位時(shí)間的后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù) (從不良?jí)K代替區(qū)域的消耗塊數(shù)(不良?jí)K總數(shù))減去工廠出廠時(shí)的先天性 不良?jí)K數(shù)所得到的值)，預(yù)測(cè)裝置壽命，所以能進(jìn)行消除先天性不良?jí)K數(shù) 的影響的更正確的預(yù)測(cè)。此外，使用最壞值進(jìn)行預(yù)測(cè)，能在成為裝置壽命 之前，可靠地報(bào)告裝置壽命。此外，使用平均值預(yù)測(cè)，即使后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)不均一地增加時(shí)，也能報(bào)告裝置壽命。此外，使用現(xiàn)在值預(yù)測(cè)，就 沒必要保存過去取得的后天性不良?jí)K數(shù)，在假定后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)均一 增加時(shí)，能進(jìn)行適合于實(shí)際使用環(huán)境的報(bào)告。
在所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)由半 導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、訪問半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的主機(jī)裝置構(gòu)成，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具 有用于實(shí)現(xiàn)消耗塊數(shù)檢測(cè)單元和平滑化單元的存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器，主機(jī)裝 置具有用于實(shí)現(xiàn)壽命報(bào)告單元、階段報(bào)告單元的主機(jī)側(cè)控制器。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，主機(jī)側(cè)控制器實(shí)現(xiàn)壽命報(bào)告單元、階段報(bào)告單元，所以 存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器可以只實(shí)現(xiàn)消耗塊數(shù)檢測(cè)單元和平滑化單元。即能實(shí)現(xiàn) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的控制負(fù)荷減輕和低廉化。
在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中，主機(jī)側(cè)控制器輪詢存儲(chǔ)裝置側(cè)控 制器，取得消耗塊數(shù)檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，主機(jī)側(cè)控制器輪詢存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器，能取得消耗塊數(shù) 檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果(不良?jí)K代替區(qū)域的消耗塊數(shù))，所以存儲(chǔ)裝置側(cè)控 制器只對(duì)它響應(yīng)就可以了。據(jù)此，能進(jìn)一步減輕存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器(半導(dǎo) 體存儲(chǔ)裝置側(cè))的控制負(fù)荷。
本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的特征在于適用于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管 理系統(tǒng)。
本發(fā)明的主機(jī)裝置的特征在于適用于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)。
本發(fā)明的程序的特征在于用于使計(jì)算機(jī)作為所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管 理系統(tǒng)的各單元來工作。
通過使用它們，作為硬盤裝置的代替，能提供用于實(shí)現(xiàn)能實(shí)用的半導(dǎo) 體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)。


圖1是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 的框圖。
圖2是表示管理工具的顯示例的圖。
圖3是說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的消耗率、剩余率和裝置壽命的計(jì)算處理
7的圖。
圖4是表示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理處理的程序流程圖。 圖5是說明在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置側(cè)計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域的消耗率的情形 的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)、半導(dǎo)體 存儲(chǔ)裝置、主機(jī)裝置、程序、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方法。圖1是表示半
導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的框圖。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng) SY由作為硬盤裝置的代替而使用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(例如硅盤)10、訪 問該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO的主機(jī)裝置(例如個(gè)人電腦)30、該主機(jī)裝置30 的周邊設(shè)備即顯示器36和揚(yáng)聲器37構(gòu)成。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10具有I/F塊11、存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12、 R0M13、 RAM14和NAND型閃存20，它們由未圖示的內(nèi)部總線連接。此外，NAND 型閃存20具有作為存儲(chǔ)媒體存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15、和代替該半 導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替區(qū)域16。
NAND型閃存20在位單價(jià)和容量的方面是有利的，所以是作為存儲(chǔ) 裝置用途常常使用的存儲(chǔ)器。
另外，對(duì)NAND型閃存20通常使用稱作SLC (單水平單元)的l單 元1位的閃存。在本實(shí)施例中，因?yàn)槟苓M(jìn)行壽命管理，所以也能使用改寫 次數(shù)的限制或可靠性差的稱作MLC (多水平單元)的增加1單元的位數(shù) 的閃存。通過這樣使用MLC，能實(shí)現(xiàn)大容量化并且提高成本優(yōu)點(diǎn)。
此外，在NAND型閃存20以外，也能用AND型閃存或帶后備電池 的SRAM構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15和不良?jí)K代替區(qū)域16。
I/F塊11進(jìn)行與主機(jī)裝置30的數(shù)據(jù)傳送，為了把該數(shù)據(jù)傳送速度高 速化，具有用于緩存來自主機(jī)裝置30的讀出/寫入數(shù)據(jù)和命令的存儲(chǔ)器(緩 存器，省略圖示)。另外，I/F塊11按照用途，能采用IDE、 SCSI、串行 ATA等數(shù)據(jù)傳送規(guī)格。
存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12除了 CPU21,還具有由該CPU21讀寫的地址變 換表22、代替區(qū)域管理表23和代替區(qū)域信息24。
8地址變換表22是進(jìn)行CPU21用于與主機(jī)裝置30交換的邏輯塊地址 與實(shí)際用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的物理塊地址的關(guān)聯(lián)時(shí)參照
的對(duì)應(yīng)列表。
如上所述，本實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10采用NAKD型閃存20，但 是該NAND型閃存20無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的覆蓋，所以進(jìn)行數(shù)據(jù)的改寫時(shí)，進(jìn) 行對(duì)已刪除塊寫入新數(shù)據(jù)，刪除改寫前的數(shù)據(jù)寫入的塊的處理。CPU21每 當(dāng)數(shù)據(jù)的改寫，按照地址變換表22的內(nèi)容，改寫相應(yīng)塊的數(shù)據(jù)(地址變 換表定義了來自主機(jī)裝置30的邏輯塊地址和半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的物理塊 地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系)。這時(shí)，CPU21對(duì)每塊(物理塊地址)把改寫次數(shù)或刪 除次數(shù)計(jì)數(shù)，如果它們變?yōu)槟吃O(shè)定數(shù)以上，就把數(shù)據(jù)替換到改寫次數(shù)少的 塊。即進(jìn)行向半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15內(nèi)的各塊的改寫次數(shù)平滑化地使塊的數(shù) 據(jù)移動(dòng)到其它塊，改寫相應(yīng)的地址變換表22的平滑化處理(平滑化單元)。
此外，由于改寫次數(shù)的增加，有時(shí)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15發(fā)生寫入錯(cuò) 誤，但是發(fā)生這樣的寫入錯(cuò)誤時(shí)，CPU21把相應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15內(nèi) 的不良?jí)K的地址分配給不良?jí)K代替區(qū)域16內(nèi)的代替塊，以后進(jìn)行訪問不 良?jí)K代替區(qū)域16的處理。另外，在工作時(shí)(通常使用時(shí))發(fā)生寫入錯(cuò)誤 的不良?jí)K(以后稱作"后天性不良?jí)K")的地址寫入代替區(qū)域管理表23， 禁止以后的訪問。而在NAND型閃存20，有時(shí)在工廠出廠時(shí)已經(jīng)存在不 良?jí)K，但是在代替區(qū)域管理表23也寫入該先天性不良?jí)K的地址。
代替區(qū)域信息24是用于管理半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命的數(shù)據(jù)， 具體而言，是關(guān)于不良?jí)K代替區(qū)域16的不良?jí)K總數(shù)(A)、工廠出廠時(shí)的 先天性不良?jí)K數(shù)(B)、在工作時(shí)變?yōu)椴涣嫉暮筇煨圆涣級(jí)K數(shù)(C)、單位時(shí) 間中的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)的數(shù)據(jù)(參照?qǐng)D3)。
不良?jí)K總數(shù)(A)是預(yù)先為了代替半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15內(nèi)的不良?jí)K而準(zhǔn) 備的不良?jí)K代替區(qū)域16的塊總數(shù)。此外，先天性不良?jí)K數(shù)(B)是按照制 造商的檢測(cè)規(guī)格，在工廠出廠時(shí)檢測(cè)出，登記的值。此外，后天性不良?jí)K 數(shù)(C)是每當(dāng)取得不良?jí)K代替區(qū)域16，把CPU21取得的塊數(shù)相加，改 寫的值。單位時(shí)間中的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)例如把每IO分鐘后天 性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)計(jì)數(shù)，根據(jù)與上次的計(jì)數(shù)值的差分，計(jì)算出。另外，后 面描述裝置壽命的詳細(xì)的計(jì)算方法等。此外，CPU21因?yàn)楸緦?shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO作為硬盤的代替而 使用，所以進(jìn)行分析硬盤用的命令，分配給NAND型閃存20的處理。
另外，只要地址變換表22、代替區(qū)域管理表23和代替區(qū)域信息24 都非易失地存儲(chǔ)就可以，存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12不一定是具有它們的結(jié)構(gòu)。 即也可以搭載用于存儲(chǔ)它們的通用存儲(chǔ)器芯片(EEPROM等)。
而ROM13具有存儲(chǔ)裝置內(nèi)固件26。在該存儲(chǔ)裝置內(nèi)固件26中除了 存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12 (CPU21)用于實(shí)現(xiàn)所述各處理的控制程序，還記錄 用于進(jìn)行通常處理(與主機(jī)裝置30的讀/寫、對(duì)來自主機(jī)裝置30的命令發(fā) 送的狀態(tài)的回信、電源接通時(shí)的初始化(電源遮斷時(shí)的回避處理等)的控 制程序。
此外，RAM14作為CPU21的處理時(shí)的工作區(qū)使用，存儲(chǔ)各種標(biāo)記等。 例如CPU21在后天性不良?jí)K在單位時(shí)間內(nèi)急劇增加時(shí)，或者在半導(dǎo)體存 儲(chǔ)裝置10發(fā)生異常時(shí)，把表示這些錯(cuò)誤信息的標(biāo)記反映到RAM14，并且 報(bào)告主機(jī)裝置30。如果主機(jī)裝置30收到該錯(cuò)誤信息的報(bào)告，就禁止向半 導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的寫入，報(bào)告該意思。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15把先天性不良?jí)K和后天性不良?jí)K發(fā)生作為前提， 組成該寫入算法。此外，錯(cuò)誤檢測(cè)中，不使用奇偶，使用具有訂正功能的 ECC。
不良?jí)K代替區(qū)域16如上所述，代替半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域15內(nèi)的不良?jí)K， 但是在幾乎消耗了全部區(qū)域的時(shí)刻，由主機(jī)裝置30判定為裝置壽命。換 言之，也作為用于判定裝置壽命的指標(biāo)使用。
接著，說明主機(jī)裝置30側(cè)的結(jié)構(gòu)。主機(jī)裝置30具有主機(jī)側(cè)控制器31 和主機(jī)側(cè)管理程序32。主機(jī)側(cè)控制器31根據(jù)主機(jī)側(cè)管理程序32，定期地 輪詢存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12，根據(jù)對(duì)它的存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12的響應(yīng)，取 得所述代替區(qū)域信息24或各種錯(cuò)誤信息。此外，根據(jù)取得的信息，預(yù)測(cè) (計(jì)算)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命，報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果(壽命報(bào)告單 元)。此外，同樣根據(jù)取得的信息，計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或剩 余率，階段地報(bào)告該消耗率或剩余率(階段報(bào)告單元)。
另外，"階段地報(bào)告該消耗率或剩余率"不是消耗率或剩余率超過某 給定值時(shí)進(jìn)行給定的報(bào)告，是指與這些值的大小無關(guān)，用戶能判斷值變化的原委地定期報(bào)告(例如百分率的條線顯示或圓顯示等)。此外，"報(bào)告裝
置壽命或不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或剩余率"是指在顯示器36上顯示這些值，或者通過揚(yáng)聲器37輸出聲音(聲音引導(dǎo)或給定的電子音的發(fā)生)。此外，主機(jī)裝置30具有因特網(wǎng)連接功能時(shí)，通過發(fā)送電子郵件，對(duì)成為其發(fā)送對(duì)象的個(gè)人電腦或各種信息終端報(bào)告，或者通過發(fā)送命令，對(duì)用網(wǎng)絡(luò)連接的服務(wù)器等報(bào)告(也可以是來自服務(wù)器的遠(yuǎn)程監(jiān)視)。進(jìn)而，主機(jī)裝置30具有電話連接功能時(shí)，通過電話，對(duì)成為其通話對(duì)象的對(duì)方報(bào)告。
此外，主機(jī)側(cè)控制器31把從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10取得的代替區(qū)域信息24作為存儲(chǔ)裝置管理數(shù)據(jù)41記錄，每當(dāng)輪詢時(shí)更新。例如，用戶使用未圖示的操作單元(鍵盤或鼠標(biāo)等)，查詢半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命、不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或剩余率時(shí)，根據(jù)該存儲(chǔ)裝置管理數(shù)據(jù)41，通過畫面的顯示或聲音的輸出等，報(bào)告它們的值。
主機(jī)側(cè)管理程序32存儲(chǔ)主機(jī)側(cè)控制器31用于進(jìn)行所述各種處理、或者與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的通常處理的控制程序。此外，用于報(bào)告半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命、不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或剩余率，或者進(jìn)行關(guān)于它們的各種設(shè)定的管理工具也包含在主機(jī)側(cè)管理程序32中。
圖2表示基于該管理工具的報(bào)告例(顯示例)50。這里，顯示了不良?jí)K代替區(qū)域16的合計(jì)大小51、表示不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗區(qū)域和殘存區(qū)域以及它們的比例的圓顯示(消耗率和剩余率)52、催促半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO (硅盤)的更換的警告顯示53、裝置壽命的計(jì)算結(jié)果54。
另外，警告顯示53是在判斷不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率為60% 90%時(shí)顯示的。在不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率超過90%時(shí)，代替警告顯示53，進(jìn)行表示禁止向半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的寫入的危險(xiǎn)顯示?？墒?，在不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率超過90%時(shí)，通過管理工具，能設(shè)定是否禁止寫入。
此外，在圖2的顯示例中，關(guān)于裝置壽命54，顯示2年 0日，但是也可以通過管理工具，設(shè)定小時(shí)單位或日數(shù)單位等顯示的裝置壽命54的單位。此外，也可以裝置壽命54變?yōu)?個(gè)月以下時(shí)使其顯示，也可以設(shè)定顯示裝置壽命54的基準(zhǔn)。
此外，圖2所示的基于管理工具的顯示50在主機(jī)裝置30的起動(dòng)時(shí)常駐OS (省略圖示)，存儲(chǔ)在任務(wù)欄上，也可以通過主機(jī)側(cè)管理程序32 (管理工具)的起動(dòng)來使其顯示。進(jìn)而，在管理工具中可以搭載用于進(jìn)行警告顯示或危險(xiǎn)顯示的閾值的設(shè)定功能、報(bào)告單元(半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY的管理公司的服務(wù)通話、向管理者的電子郵件、遠(yuǎn)程通信、電話等)的選擇功能。也可以搭載半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的更換引導(dǎo)功能(基于動(dòng)畫的畫面顯示、聲音的輸出等)、用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的更換的復(fù)制功能(經(jīng)由存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)/恢復(fù))。
下面，參照?qǐng)D3，說明基于所述主機(jī)側(cè)控制器31的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的消耗率、剩余率和裝置壽命的計(jì)算處理。另外，以下(a)和(b)所示的計(jì)算算法包含在主機(jī)側(cè)管理程序32中。此外，以下(c)所示的計(jì)算算法包含在存儲(chǔ)裝置內(nèi)固件26中。
此外，不良?jí)K代替區(qū)域16的不良?jí)K總數(shù)(A)、工廠出廠時(shí)的先天性不良?jí)K數(shù)(B)、在工作時(shí)變?yōu)椴涣嫉暮筇煨圆涣級(jí)K數(shù)(C)、單位時(shí)間中的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)的各值如上所述，是主機(jī)側(cè)控制器31從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10取得的代替區(qū)域信息24中包含的數(shù)據(jù)。
如圖3 (a)所示，不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗塊數(shù)由先天性不良?jí)K(B)和后天性不良?jí)K數(shù)(C)相加來計(jì)算。此外，不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率是不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗塊數(shù)除以不良?jí)K代替區(qū)域16的不良?jí)K總數(shù)(A)而得到的值，即根據(jù)計(jì)算式(B+C) /AW00來計(jì)算。進(jìn)而，不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率根據(jù)計(jì)算式(A-B-C) /AWOO來計(jì)算。
此外，如圖3 (b)所示，如果是E4小時(shí)的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)，就根據(jù)計(jì)算式(A-B-C)/E，計(jì)算裝置壽命，即到達(dá)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10變?yōu)椴荒苁褂玫氖Ｓ鄷r(shí)間。另外，根據(jù)單位時(shí)間的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)*把記錄后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)的單位時(shí)間變換為1小時(shí)的常數(shù)(oc)，計(jì)算1小時(shí)的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(E)。例如記錄后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)的單位時(shí)間如果為IO分鐘，a=l小時(shí)/10分鐘=6，變?yōu)镋-6木D。
此外，單位時(shí)間的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)能采用最壞值(Dl)、平均值(D2)、現(xiàn)在值(合計(jì)的最新值，D3)中的任意一個(gè)。在本實(shí)施例中，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的存儲(chǔ)媒體，使用NAND型閃存20，由于該存儲(chǔ)器特性和平滑化處理的影響，能夠預(yù)測(cè)后天性不良?jí)K均一地增加。因此，采用適合于實(shí)際使用環(huán)境的現(xiàn)在值(D3)。另外，使用最壞值(Dl)計(jì)算裝置壽命時(shí)，在成為裝置壽命之前能可靠地報(bào)告裝置壽命。此外，使用平均值(D2)計(jì)算時(shí)，即使后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)不均一地增加時(shí)，也能報(bào)告大致的裝置壽命。因此，按照存儲(chǔ)器特
性或使用用途，決定使用D1 D3中的任意一個(gè)值或者采用D1 D3中的任意的組合。此外，也可以在管理工具搭載選擇的功能。
此外，如圖3 (c)所示，根據(jù)D-上次的后天性不良?jí)K數(shù)(C)-這次的后天性不良?jí)K數(shù)(C)，計(jì)算單位時(shí)間的后天性不良?jí)K的發(fā)生數(shù)(D)?？墒?，存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12進(jìn)行圖3 (c)所示的計(jì)算處理，把計(jì)算結(jié)果的D的值作為代替區(qū)域信息24提供給主機(jī)裝置30。
下面，參照?qǐng)D4，說明基于所述主機(jī)側(cè)控制器31的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的管理處理流程。主機(jī)側(cè)控制器31在主機(jī)裝置30的電源接通時(shí)，以及根據(jù)由管理工具設(shè)定的輪詢間隔(計(jì)數(shù)器設(shè)定值)，對(duì)存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12輪詢，取得代替區(qū)域信息24 (所述A D的數(shù)據(jù))(SOl)。
接著，根據(jù)取得的代替區(qū)域信息24、圖3 (a)和(b)所示的計(jì)算式，計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率和裝置壽命(S02)。然后，判別不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率是否低于10% (是否危險(xiǎn)狀態(tài))(S03)，不低于10%時(shí)(S03: No)，判定為還不是危險(xiǎn)狀態(tài)。
判定為不是危險(xiǎn)狀態(tài)時(shí)，進(jìn)而判別不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率是否低于40% (是否警告狀態(tài))(S04)，是40%以上時(shí)(S04: Yes)，判定為警告狀態(tài)，與警告報(bào)告53 —起報(bào)告裝置壽命等(不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗區(qū)域、剩余區(qū)域和它們的比例52、裝置壽命54) (S05，參照?qǐng)D2)。此外，不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率為40%以上時(shí)(S04: No)，判定為還未變?yōu)榫鏍顟B(tài)，報(bào)告警告報(bào)告以外的裝置壽命等(S06)。
報(bào)告后，參照計(jì)數(shù)器設(shè)定值(S07)，在計(jì)數(shù)器的值低于設(shè)定值時(shí)，成為輪詢等待狀態(tài)。此外，計(jì)數(shù)器的值是設(shè)定值以上時(shí)，更新存儲(chǔ)裝置管理數(shù)據(jù)41 (S08),再次對(duì)存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12輪詢(SOO。
而在S03中，判定為危險(xiǎn)狀態(tài)時(shí)(不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率低于10%時(shí))(S03: Yes)，與危險(xiǎn)報(bào)告一起報(bào)告裝置壽命等(S09)。這里，作為危險(xiǎn)報(bào)告(例如基于管理工具的顯示50)，報(bào)告禁止向半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的寫入的意思或不能保障的意思。此外，通過管理工具，設(shè)定為在危險(xiǎn)
13狀態(tài)禁止寫入時(shí)(S10: Yes)，進(jìn)行了用于禁止寫入的處理之后(Sll)，結(jié)束半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的管理處理。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，根據(jù)不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗塊數(shù)(消耗履歷)，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命，報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果，所以用戶能把握半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命。據(jù)此，不會(huì)違背用戶的意思，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10到達(dá)裝置壽命，不會(huì)失去數(shù)據(jù)的可靠性、或者損失。此外，根據(jù)消耗塊數(shù)(消耗履歷)預(yù)測(cè)裝置壽命，與把改寫次數(shù)計(jì)數(shù)而預(yù)測(cè)裝置壽命時(shí)相比，能更正確地預(yù)測(cè)壽命。此外，沒必要把改寫次數(shù)計(jì)數(shù)，所以計(jì)數(shù)器等的電路結(jié)構(gòu)或用于存儲(chǔ)計(jì)數(shù)值的存儲(chǔ)器能變?yōu)椴灰軌蚝?jiǎn)化裝置結(jié)構(gòu)。
此外，階段地報(bào)告不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或剩余率，所以用戶能確認(rèn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO到達(dá)裝置壽命的原委，能放心使用。
此外，根據(jù)不良?jí)K代替區(qū)域16的單位時(shí)間的后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)，計(jì)算裝置壽命，所以能更正確地預(yù)測(cè)裝置壽命。使用單位時(shí)間的后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)的現(xiàn)在值(D3)預(yù)測(cè)，所以沒必要保存過去取得的后天性不良?jí)K數(shù)，如NAND型閃存20那樣，假定后天性不良?jí)K發(fā)生數(shù)均一地增加時(shí)，能進(jìn)行適合于實(shí)際使用環(huán)境的報(bào)告。
此外，如果在NAND型閃存20中采用MLC (多水平單元)，對(duì)l單元就能寫入多值，能實(shí)現(xiàn)大容量化并且提高成本優(yōu)點(diǎn)。此外，MLC與SLC(單水平單元)相比，關(guān)于讀寫電壓或溫度的容限少，所以具有錯(cuò)誤率高，裝置壽命(耐久性)差的缺點(diǎn)(在現(xiàn)在的技術(shù)水準(zhǔn)下，SLC是10萬次的改寫次數(shù)保證值，而MLC是1萬次以下)，但是根據(jù)本實(shí)施例，能預(yù)測(cè)裝置壽命，所以能掩蓋這樣的缺點(diǎn)。
此外，在主機(jī)裝置30側(cè)執(zhí)行關(guān)于不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率或半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的裝置壽命的報(bào)告，所以半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10側(cè)僅檢測(cè)消耗塊數(shù)就好，能夠減輕控制負(fù)荷，抑制成本。
另外，在所述的實(shí)施例中，在主機(jī)裝置30側(cè)，計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率等，但是也可以在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO側(cè)進(jìn)行。這時(shí)，如圖5所示，存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12內(nèi)的CPU21參照不良?jí)K代替區(qū)域16，檢測(cè)不良?jí)K總數(shù)，計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率。此外，把關(guān)于計(jì)算的消耗率的信息(在圖示的例子中，20%)寫入存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12內(nèi)的狀態(tài)寄
存器25中。而主機(jī)側(cè)控制器31定期輪詢存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器12，取得關(guān)于不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率的數(shù)據(jù)，從該值求出不良?jí)K代替區(qū)域16的剩余率，反映(顯示)到顯示器36上。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置IO側(cè)能搭載計(jì)算不良?jí)K代替區(qū)域16的消耗率的功能。此外，不僅消耗率，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10側(cè)還能計(jì)算剩余率，或者計(jì)算裝置壽命。進(jìn)而，還能搭載根據(jù)這些計(jì)算結(jié)果，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10側(cè)報(bào)告的功能。如果是在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10側(cè)進(jìn)行裝置壽命的計(jì)算和報(bào)告的結(jié)構(gòu)，則只用半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10就能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY，所以在主機(jī)裝置30側(cè)不需要特別的結(jié)構(gòu)(主機(jī)側(cè)管理程序32 (管理工具))。
此外，還能把所述實(shí)施例所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY的各構(gòu)成要素(各功能)作為程序提供。此外，還能把該程序在各種記錄媒體(CD-ROM、閃存等)中存儲(chǔ)從而提供。即將半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY的各構(gòu)成要素(各功能)進(jìn)行程序化的程序、記錄它的記錄媒體也包含在本發(fā)明的權(quán)利范圍中。
此外，不限制于所述實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10以及主機(jī)裝置30的裝置結(jié)構(gòu)或處理步驟等在不脫離本發(fā)明的范圍中能適當(dāng)變更。
權(quán)利要求
1. 一種對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的裝置壽命進(jìn)行管理的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域、和代替該半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替區(qū)域；該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)具有消耗塊的數(shù)量檢測(cè)單元，其對(duì)所述不良?jí)K代替區(qū)域的消耗塊的數(shù)量進(jìn)行檢測(cè)；和壽命報(bào)告單元，其基于所述消耗塊的數(shù)量檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的裝置壽命進(jìn)行預(yù)測(cè)，并報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，其特征在于， 還具有階段報(bào)告單元，其對(duì)從所述消耗塊的數(shù)量檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果得到的 所述不良?jí)K代替區(qū)域的消耗率或剩余率進(jìn)行階段性報(bào)告。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，其特征在于， 還具有平滑化單元，其對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)各塊的改寫次數(shù)進(jìn)行平滑化。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，其特征在于 所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域和所述不良?jí)K代替區(qū)域由非易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，其特征在于所述壽命報(bào)告單元和/或所述階段報(bào)告單元，利用畫面顯示、聲音輸 出、電子郵件發(fā)送、命令發(fā)送、電話中的任一方式進(jìn)行報(bào)告。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3 5中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)， 其特征在于所述壽命報(bào)告單元，基于所述不良?jí)K代替區(qū)域的單位時(shí)間中的后天性 不良?jí)K發(fā)生數(shù)量的最壞值、平均值或現(xiàn)在值中的任一項(xiàng)或組合，對(duì)所述裝 置壽命進(jìn)行預(yù)測(cè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3 6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)， 其特征在于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，由所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和訪問所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的主機(jī)裝置構(gòu)成；所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具有用以實(shí)現(xiàn)所述 消耗塊的數(shù)量檢測(cè)單元和所述平滑化單元的存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器；所述主機(jī) 裝置，具有用以實(shí)現(xiàn)所述壽命報(bào)告單元和所述階段報(bào)告單元的主機(jī)側(cè)控制 器。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)，其特征在于所述主機(jī)側(cè)控制器，輪詢所述存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器，取得所述消耗塊的 數(shù)量檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果。
9. 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其適用于權(quán)利要求1 8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)。
10. —種主機(jī)裝置，其適用于權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)。
11. 一種程序，其用于使計(jì)算機(jī)作為權(quán)利要求1 8中的任意一項(xiàng)所 述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)中的各單元來工作。
12. —種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的管理方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域、和代替該半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替 區(qū)域，所述管理方法基于所述不良?jí)K代替區(qū)域的消耗履歷，對(duì)所述半導(dǎo)體存 儲(chǔ)裝置的裝置壽命進(jìn)行預(yù)測(cè)，并報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果。
全文摘要
本發(fā)明提供一種作為硬盤裝置的代替，用于實(shí)現(xiàn)能實(shí)用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)等。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置管理系統(tǒng)SY，管理具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域(15)、代替該半導(dǎo)體存儲(chǔ)區(qū)域(15)內(nèi)的不良?jí)K的不良?jí)K代替區(qū)域(16)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)的裝置壽命，具有檢測(cè)不良?jí)K代替區(qū)域(16)的消耗塊數(shù)的存儲(chǔ)裝置側(cè)控制器(12)；根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)的裝置壽命，報(bào)告該預(yù)測(cè)結(jié)果的主機(jī)側(cè)控制器(31)。
文檔編號(hào)G06F12/16GK101479708SQ200780023570
公開日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2007年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日
發(fā)明者中村仁一 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社