專利名稱：一種隨機存取存儲器幀緩沖裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種隨機存取存儲器(RAM)幀緩沖裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
在數(shù)字圖像處理中，一般將需要處理的圖像數(shù)據(jù)存儲在靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)幀緩沖裝置中，然后圖像處理模塊根據(jù)需要訪問該SRAM幀緩沖裝置，讀取圖像數(shù)據(jù)。
如圖1所示現(xiàn)有技術(shù)中的SRAM幀緩沖裝置包括用于存儲圖像數(shù)據(jù)的SRAM和用于控制該SRAM的幀緩沖控制器。幀緩沖控制器包括與外部圖像處理模塊相連接的圖像處理模塊接口、與SRAM相連接的SRAM接口部件、以及用于實現(xiàn)控制的控制邏輯。該SRAM幀緩沖控制器通過圖像處理模塊接口與外部的圖像處理模塊相連接，并傳遞圖像數(shù)據(jù)的地址信息、圖像數(shù)據(jù)以及控制信息；幀緩沖控制器通過所述SRAM接口部件與SRAM傳遞圖像數(shù)據(jù)的地址信息、圖像數(shù)據(jù)、以及控制信息；控制邏輯用于根據(jù)圖像處理模塊的訪問產(chǎn)生各種控制信息，從而完成對SRAM的讀取操作，例如在圖像處理模塊訪問該SRAM幀緩沖裝置讀取數(shù)據(jù)時，控制邏輯產(chǎn)生對SRAM接口部件和圖像處理模塊接口的控制信息，然后SRAM接口部件和圖像處理模塊接口根據(jù)控制邏輯的控制信息互相確定工作狀態(tài)，當(dāng)SRAM接口部件為傳輸(Transfer)狀態(tài)、圖像處理模塊接口為接收(Receive)狀態(tài)時，圖像處理模塊從SRAM幀緩沖裝置讀取數(shù)據(jù)。
采用如圖1所示的SRAM幀緩沖裝置，在圖像處理模塊訪問該SRAM幀緩沖裝置讀取數(shù)據(jù)期間，SRAM會一直處于正常工作狀態(tài)。但是，圖像處理模塊在讀取一次數(shù)據(jù)之后，有很長一段時間在處理數(shù)據(jù)而不讀取數(shù)據(jù)，那么在這段時間內(nèi)SRAM依然處于正常工作狀態(tài)，而SRAM幀緩沖裝置的正常工作狀態(tài)比低功耗狀態(tài)多耗費很多能量，這樣會使得手機、數(shù)碼相機等含有SRAM幀緩沖裝置的設(shè)備的電池消耗過快，縮短了電池的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出了一種RAM幀緩沖裝置及其控制方法，其目的在于降低RAM幀緩沖裝置所耗費的能量。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供了一種RAM幀緩沖裝置，至少包括用于保存幀數(shù)據(jù)的RAM、以及用于控制所述RAM幀緩沖裝置的幀緩沖控制器，其中所述幀緩沖控制器至少包括用于連接圖像處理模塊的圖像處理模塊接口、用于連接所述RAM的RAM接口部件、以及連接于圖像處理模塊接口和RAM接口部件之間的控制邏輯，所述幀緩沖控制器進(jìn)一步包括功耗控制模塊，連接于圖像處理模塊接口和RAM接口部件之間，用于在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
在上述方案中，所述RAM為SRAM。
所述RAM包括睡眠模式使能信號ZZ引腳；所述功耗控制模塊通過將ZZ引腳置為無效電平設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將ZZ引腳置為有效電平設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
在上述方案中，所述RAM為SDRAM。
所述SDRAM包括時鐘使能信號CKE引腳；所述功耗控制模塊通過將CKE引腳置為有效電平設(shè)置所述SDRAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將CKE引腳置為無效電平設(shè)置所述SDRAM處于低功耗狀態(tài)。
所述功耗控制模塊進(jìn)一步與控制邏輯相連接；所述控制邏輯進(jìn)一步用于控制功耗控制模塊處于工作狀態(tài)或非工作狀態(tài)；所述功耗控制模塊處于工作狀態(tài)時，使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制；所述功耗控制模塊處于非工作狀態(tài)時，禁止使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制。
本發(fā)明還提供了額一種RAM幀緩沖裝置的控制方法，該方法涉及圖像處理模塊和RAM幀緩沖裝置，所述RAM幀緩沖裝置至少包括RAM和幀緩沖控制器，該方法包括以下步驟A.圖像處理模塊通知幀緩沖控制器圖像處理開始；B.幀緩沖控制器在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
在上述方案中，所述RAM為SRAM。
所述RAM包括ZZ引腳；在步驟B中，所述幀緩沖控制器通過將ZZ引腳置為無效電平設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將ZZ引腳置為有效電平設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
在上述方案中，所述RAM為SDRAM。
所述SDRAM包括CKE引腳；在步驟B中，所述幀緩沖控制器通過將CKE引腳置為有效電平設(shè)置所述SDRAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將CKE引腳置為無效電平設(shè)置所述SDRAM處于低功耗狀態(tài)。
在所述步驟A之前進(jìn)一步包括預(yù)先根據(jù)圖像處理模塊所采用的圖像處理算法設(shè)置幀緩沖控制器得到圖像處理模塊圖像處理開始的通知后，在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
較佳地，所述圖像處理算法為三步搜索法；所述步驟B包括幀緩沖控制器在圖像處理模塊第一次訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在圖像處理模塊根據(jù)第一次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)；在圖像處理模塊第二次訪問幀緩沖裝置的時間段，設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在圖像處理模塊根據(jù)第二次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)；在所述圖像處理模塊第三次訪問幀緩沖裝置的時間段，設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在所述圖像處理模塊根據(jù)第三次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
從上述方案中可以看出，由于本發(fā)明根據(jù)預(yù)先設(shè)置的圖像處理算法中圖像處理模塊訪問RAM幀緩沖裝置的規(guī)律，在圖像處理模塊不訪問RAM幀緩沖裝置時將RAM置于低功耗狀態(tài)，在圖像處理模塊訪問RAM幀緩沖裝置時將RAM置于正常工作狀態(tài)，從而降低了RAM幀緩沖裝置所耗費的能量。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中SRAM幀緩沖裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明中SRAM幀緩沖裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為三步搜索法的示意圖；圖4為本發(fā)明第一實施例的流程圖；圖5為三星公司k7m803625B型號SRAM的管腳示意圖；圖6為本發(fā)明中SDRAM幀緩沖裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下舉實施例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，本發(fā)明在幀緩沖控制器中增加了功耗控制模塊，該功耗控制模塊根據(jù)圖像處理算法中圖像處理模塊訪問RAM幀緩沖裝置的規(guī)律，在圖像處理模塊不需要訪問RAM幀緩沖裝置時將RAM置于低功耗狀態(tài)，在圖像處理模塊需要訪問RAM幀緩沖裝置時將RAM置于正常工作狀態(tài)，以實現(xiàn)降低RAM幀緩沖裝置所耗費的能量。
圖2是本發(fā)明第一實施例中SRAM幀緩沖裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中包括SRAM幀緩沖裝置和圖像處理模塊，該SRAM幀緩沖裝置包括SRAM和幀緩沖控制器，SRAM用于保存圖像數(shù)據(jù)，幀緩沖控制器用于對SRAM幀緩沖裝置進(jìn)行控制。所述幀緩沖控制器包括圖像處理模塊接口、SRAM接口部件、控制邏輯和功耗控制模塊，其中圖像處理模塊接口、SRAM接口部件的作用與現(xiàn)有技術(shù)中相同，圖像處理模塊接口用于連接圖像處理模塊，傳遞圖像數(shù)據(jù)、地址信息以及控制信息，SRAM接口部件用于連接SRAM和幀緩沖控制器，并傳遞圖像數(shù)據(jù)、地址信息以及控制信息。連接于SRAM接口部件和圖像處理模塊接口之間的控制邏輯，用于根據(jù)圖像處理模塊的訪問產(chǎn)生控制信息，從而完成對SRAM的讀取操作。功耗控制模塊，連接于SRAM接口部件與圖像處理模塊接口之間，并且與控制邏輯相連接，功耗控制模塊根據(jù)預(yù)先設(shè)定的圖像處理模塊需要訪問所述SRAM幀緩沖裝置的時間規(guī)律，在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述SRAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述SRAM處于低功耗狀態(tài)。
控制邏輯還可以進(jìn)一步通過控制信息控制功耗控制模塊的處于工作狀態(tài)或非工作狀態(tài)，在功耗控制模塊處于非工作狀態(tài)的時候，禁止使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制，SRAM接口部件與圖像處理模塊接口之間傳遞現(xiàn)有技術(shù)中正常的控制信息；在功耗控制模塊處于工作狀態(tài)的時候，使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制，功耗控制模塊進(jìn)一步會通過SRAM接口部件向SRAM發(fā)送置SRAM于正常工作狀態(tài)和低功耗狀態(tài)的控制信息。
假設(shè)圖像處理模塊采用的算法為如圖3所示的三步搜索算法，三步搜索算法的搜索過程分三個步驟完成，下面以16×16字節(jié)的宏塊為單位說明三步搜索法第一步，搜索參考幀中大小為9×9個宏塊的窗口的中心宏塊和位于周圍8個頂點的宏塊，即圖3中用“1”標(biāo)注的圓點，得出與當(dāng)前宏塊最為匹配的宏塊；第二步，以第一步搜索得到的最為匹配的宏塊為中心、大小為5×5個宏塊的新窗口，搜索該窗口周圍8個頂點的宏塊，即圖3中用“2”標(biāo)注的圓點，得出與當(dāng)前宏塊最為匹配的宏塊；第三步，以第二步搜索得到的最為匹配的宏塊為中心、大小為3×3個宏塊的新窗口，搜索該窗口周圍8個頂點的宏塊，即圖3中用“3”標(biāo)注的圓點，得出與當(dāng)前宏塊最為匹配的宏塊。
假設(shè)三步搜索法中第一步搜索需要時間T1，第二步搜索需要時間T2，第三步搜索需要時間T3，從SRAM幀緩沖裝置讀取第一步搜索所用的數(shù)據(jù)需要時間T01，讀取第二步搜索所用的數(shù)據(jù)需要時間T02，讀取第三步搜索所用的數(shù)據(jù)需要時間T03。預(yù)先在功耗控制模塊中進(jìn)行如下設(shè)置接收到圖像處理模塊通知功耗控制模塊開始進(jìn)行特定算法的圖像處理后，在圖像處理模塊需要訪問SRAM幀緩沖裝置時，控制SRAM處于正常工作狀態(tài)，在圖像處理模塊不需要訪問SRAM幀緩沖裝置時，控制SRAM處于低功耗狀態(tài)。具體地說，功耗控制模塊在得到通知后，在圖像處理模塊訪問SRAM幀緩沖器讀取三步搜索法第一步需要的數(shù)據(jù)的T01時間段內(nèi)，控制SRAM處于正常工作狀態(tài)；然后在讀取完9×9個宏塊的數(shù)據(jù)后，功耗控制模塊控制SRAM在圖像處理模塊不需要訪問SRAM幀緩沖裝置的時間T1內(nèi)處于低功耗狀態(tài)；T1后圖像處理模塊需要訪問SRAM幀緩沖裝置的T02時間段內(nèi)，控制SRAM處于正常工作狀態(tài)；在第二次讀取數(shù)據(jù)后，功耗控制模塊控制SRAM在圖像處理模塊不需要訪問SRAM幀緩沖裝置的時間T2內(nèi)處于低功耗狀態(tài)；T2后圖像處理模塊需要訪問SRAM幀緩沖裝置的T03時間段內(nèi)，再控制SRAM處于正常工作狀態(tài)；在第三次讀取數(shù)據(jù)后，功耗控制模塊控制SRAM在圖像處理模塊不需要訪問SRAM幀緩沖裝置的時間T3內(nèi)處于低功耗狀態(tài)；T3后圖像處理模塊需要訪問SRAM幀緩沖裝置時再控制SRAM處于正常工作狀態(tài)。圖像處理模塊搜索的時間T1、T2、T3以及圖像處理模塊每次訪問SRAM幀緩沖裝置的時間T01、T02、T03，可以是直接定義的時間，也可以是按照時鐘周期來定義，例如T1等于N1個時鐘周期、T2等于N2個時鐘周期、T3等于N3個時鐘周期、T01等于N01個時鐘周期、T02等于N02個時鐘周期、T03等于N03個時鐘周期。
進(jìn)行上述設(shè)置后，參考圖4，采用圖2中SRAM幀緩沖控制器的工作流程如下步驟401，圖像處理模塊通知SRAM幀緩沖控制器中的功耗控制模塊，圖像處理器開始進(jìn)行特定算法的圖像處理。在第一實施例中，特定算法的圖像處理指采用三步搜索算法進(jìn)行運動估計。圖像處理模塊可以通過三步搜索法第一次讀取數(shù)據(jù)的請求通知功耗控制模塊圖像處理過程的開始，也可以通過其它方式通知功耗控制模塊圖像處理過程的開始，例如圖像處理模塊向功耗控制模塊發(fā)送一個信號等方式。
步驟402，SRAM幀緩沖控制器根據(jù)圖像處理模塊的訪問請求，該請求中包括圖像數(shù)據(jù)的地址，從SRAM中讀取參考幀的9×9個宏塊的圖像數(shù)據(jù)和當(dāng)前幀的一個宏塊圖像數(shù)據(jù)即當(dāng)前宏塊，并發(fā)送給圖像處理模塊。在此時間段T01內(nèi)，功耗控制模塊將SRAM置于正常工作狀態(tài)。所述時間段T01等于N01個時鐘周期。
步驟403，功耗控制模塊在時間段T1內(nèi)，將SRAM置于低功耗狀態(tài)，T1后將SRAM置于正常工作狀態(tài)。所述時間段T1等于N1個時鐘周期。
步驟404，SRAM幀緩沖控制器根據(jù)圖像處理模塊的訪問請求，該請求中包括圖像數(shù)據(jù)的地址，從SRAM中讀取參考幀的5×5個宏塊的圖像數(shù)據(jù)和當(dāng)前幀的當(dāng)前宏塊，并發(fā)送給圖像處理模塊。在此時間段T02內(nèi)，功耗控制模塊將SRAM置于正常工作狀態(tài)。
步驟405，功耗控制模塊在時間段T2內(nèi)，將SRAM置于低功耗狀態(tài)，T2后將SRAM置于正常工作狀態(tài)。所述時間段T2等于N2個時鐘周期。
步驟406，SRAM幀緩沖控制器根據(jù)圖像處理模塊的訪問請求，該請求中包括圖像數(shù)據(jù)的地址，從SRAM中讀取參考幀的3×3個宏塊的圖像數(shù)據(jù)和當(dāng)前幀的當(dāng)前宏塊，并發(fā)送給圖像處理模塊。在此時間段T03內(nèi)，功耗控制模塊將SRAM置于正常工作狀態(tài)。
步驟407，功耗控制模塊在時間段T3內(nèi)，將SRAM置于低功耗狀態(tài)，T3后將SRAM置于正常工作狀態(tài)。所述時間段T3等于N3個時鐘周期。
步驟408，圖像處理模塊通知SRAM幀緩沖控制器中的功耗控制模塊，特定算法的圖像處理結(jié)束，即三步搜索法結(jié)束。由于步驟407之后，SRAM已經(jīng)處于正常工作狀態(tài)，所以也可以不執(zhí)行步驟408。
以三星(Samsung)公司k7m803625B型號SRAM為例，說明上述流程中SRAM幀緩沖控制將SRAM置為低功耗狀態(tài)和正常工作狀態(tài)的過程。如圖5所示，該SRAM共有100個引腳，其中標(biāo)號為64的引腳為睡眠模式使能信號(ZZ)引腳，該ZZ引腳在高電平時有效，即高電平為有效電平、低電平為無效電平。當(dāng)SRAM的ZZ引腳為高電平時，該SRAM被置為低功耗的睡眠模式(Sleep Mode)，該模式下SRAM的功耗僅為正常工作狀態(tài)的20％；當(dāng)SRAM的ZZ引腳為低電平時，該SRAM被置為正常工作狀態(tài)。本發(fā)明的SRAM功耗控制模塊就是通過將SRAM的ZZ引腳置為低電平將SRAM置為低功耗狀態(tài)，通過將SRAM的CKE引腳置為高電平將SRAM置為正常工作狀態(tài)。
將其它的SRAM置為低功耗狀態(tài)或正常工作狀態(tài)的過程與上面的例子相似，可能不同的是引腳的名稱或者電平的高低。
在第一實施例中，所述幀緩沖裝置為SRAM幀緩沖裝置，在本發(fā)明的第二實施例中所述幀緩沖裝置為同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM)幀緩沖裝置。如圖6所示，SDRAM幀緩沖裝置包括SDRAM和幀緩沖控制器，SDRAM用于保存圖像數(shù)據(jù)，幀緩沖控制器用于對SDRAM幀緩沖裝置進(jìn)行控制。所述幀緩沖控制器包括圖像處理模塊接口、SDRAM接口部件、控制邏輯和功耗控制模塊，其中圖像處理模塊接口、SDRAM接口部件的作用與現(xiàn)有技術(shù)以及第一實施例中SRAM幀緩沖裝置的圖像處理模塊接口、SRAM接口部件相同，圖像處理模塊接口用于連接圖像處理模塊，傳遞圖像數(shù)據(jù)、地址信息以及控制信息，SDRAM接口部件用于連接SDRAM和幀緩沖控制器，并傳遞圖像數(shù)據(jù)、地址信息以及控制信息。連接于SDRAM接口部件和圖像處理模塊之間的控制邏輯，用于根據(jù)圖像處理模塊的訪問，產(chǎn)生控制信息，從而完成對SDRAM的讀取操作。功耗控制模塊，連接于SDRAM接口部件與圖像處理模塊接口之間，并且與控制邏輯相連接，功耗控制模塊根據(jù)預(yù)先設(shè)定的圖像處理模塊需要訪問所述SDRAM幀緩沖裝置的時間規(guī)律，在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述SDRAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述SDRAM處于低功耗狀態(tài)。
控制邏輯還可以進(jìn)一步通過控制信息控制功耗控制模塊的處于工作狀態(tài)或非工作狀態(tài)，在功耗控制模塊處于非工作狀態(tài)的時候，SDRAM接口部件與圖像處理模塊接口之間傳遞正常的控制信息；在功耗控制模塊處于工作狀態(tài)的時候，功耗控制模塊進(jìn)一步會通過SDRAM接口部件向SDRAM發(fā)送置SRAM于正常工作狀態(tài)和低功耗狀態(tài)的控制信息。
SDRAM幀緩沖裝置與SRAM幀緩沖裝置在結(jié)構(gòu)上不同的是存儲器部分，一個是SDRAM，一個是SRAM；其它部分的接口和功能相同。
采用SDRAM幀緩沖裝置的工作流程與SRAM幀緩沖裝置的工作流程相同，這里不再贅述。第二實施例中功耗控制模塊通過向SDRAM的時鐘使能信號(CKE)引腳輸出高電平、低電平將SDRAM置為低功耗狀態(tài)和正常工作狀態(tài)。當(dāng)SDRAM的CKE引腳為無效電平即低電平時，SDRAM處于低功耗模式，該模式下SDRAM的功耗僅為正常工作狀態(tài)的3％；當(dāng)SDRAM的CKE引腳為有效電平即高電平時，SDRAM處于正常工作狀態(tài)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種隨機存取存儲器RAM幀緩沖裝置，至少包括用于保存幀數(shù)據(jù)的RAM、以及用于控制所述RAM幀緩沖裝置的幀緩沖控制器，其中所述幀緩沖控制器至少包括用于連接圖像處理模塊的圖像處理模塊接口、用于連接所述RAM的RAM接口部件、以及連接于圖像處理模塊接口和RAM接口部件之間的控制邏輯，其特征在于，所述幀緩沖控制器進(jìn)一步包括功耗控制模塊，連接于圖像處理模塊接口和RAM接口部件之間，用于在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的幀緩沖裝置，其特征在于，所述RAM為靜態(tài)隨機存儲器SRAM。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的幀緩沖裝置，其特征在于，所述RAM包括睡眠模式使能信號ZZ引腳；所述功耗控制模塊通過將ZZ引腳置為無效電平設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將ZZ引腳置為有效電平設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的幀緩沖裝置，其特征在于，所述RAM為同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的幀緩沖裝置，其特征在于，所述SDRAM包括時鐘使能信號CKE引腳；所述功耗控制模塊通過將CKE引腳置為有效電平設(shè)置所述SDRAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將CKE引腳置為無效電平設(shè)置所述SDRAM處于低功耗狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的幀緩沖裝置，其特征在于，所述功耗控制模塊進(jìn)一步與控制邏輯相連接；所述控制邏輯進(jìn)一步用于控制功耗控制模塊處于工作狀態(tài)或非工作狀態(tài)；所述功耗控制模塊處于工作狀態(tài)時，使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制；所述功耗控制模塊處于非工作狀態(tài)時，禁止使能所述功耗控制模塊對所述RAM的功耗狀態(tài)控制。
7.一種RAM幀緩沖裝置的控制方法，該方法涉及圖像處理模塊和RAM幀緩沖裝置，所述RAM幀緩沖裝置至少包括RAM和幀緩沖控制器，其特征在于，該方法包括以下步驟A.圖像處理模塊通知幀緩沖控制器圖像處理開始；B.幀緩沖控制器在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述RAM為SRAM。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述RAM包括ZZ引腳；在步驟B中，所述幀緩沖控制器通過將ZZ引腳置為無效電平設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將ZZ引腳置為有效電平設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述RAM為SDRAM。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述SDRAM包括CKE引腳；在步驟B中，所述幀緩沖控制器通過將CKE引腳置為有效電平設(shè)置所述SDRAM處于正常工作狀態(tài)，以及通過將CKE引腳置為無效電平設(shè)置所述SDRAM處于低功耗狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟A之前進(jìn)一步包括預(yù)先根據(jù)圖像處理模塊所采用的圖像處理算法設(shè)置幀緩沖控制器得到圖像處理模塊圖像處理開始的通知后，在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述圖像處理算法為三步搜索法；所述步驟B包括幀緩沖控制器在圖像處理模塊第一次訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在圖像處理模塊根據(jù)第一次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)；在圖像處理模塊第二次訪問幀緩沖裝置的時間段，設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在圖像處理模塊根據(jù)第二次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)；在所述圖像處理模塊第三次訪問幀緩沖裝置的時間段，設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)；在所述圖像處理模塊根據(jù)第三次訪問幀緩沖裝置所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的時間段，設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種RAM幀緩沖裝置，該裝置包括用于保存幀數(shù)據(jù)的RAM、以及用于控制所述RAM幀緩沖裝置的幀緩沖控制器，其中所述幀緩沖控制器至少包括用于連接圖像處理模塊的圖像處理模塊接口、用于連接所述RAM的RAM接口部件、以及用于實現(xiàn)控制的控制邏輯，所述幀緩沖控制器進(jìn)一步包括功耗控制模塊，用于根據(jù)預(yù)先設(shè)定的圖像處理算法在所述圖像處理模塊需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于正常工作狀態(tài)，在所述圖像處理模塊不需要訪問幀緩沖裝置的時間段設(shè)置所述RAM處于低功耗狀態(tài)。本發(fā)明還提供了一種RAM幀緩沖裝置的控制方法。本發(fā)明有效地降低了RAM幀緩沖裝置所消耗的能量。
文檔編號G06F12/00GK1750625SQ20051009339
公開日2006年3月22日 申請日期2005年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月23日
發(fā)明者白鋒, 懷千江 申請人:北京中星微電子有限公司