專利名稱：一種燒寫e的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及燒錄儀，尤其是一種脫離電腦快速批量燒寫E2PROM的方法和裝置。
背景技術(shù)：
串行I2C總線技術(shù)在彩電機(jī)芯上已得到了廣泛應(yīng)用，它在縮短開發(fā)周期、簡化電路、提高可靠性及批量生產(chǎn)調(diào)試等方面起著相當(dāng)積極的作用；而串行非易失存儲器E2PROM(俗稱碼片)作為I2C總線器件的重要成員之一，已被廣泛應(yīng)用于家用電器、儀器儀表及通訊等電子設(shè)備中，在這些電子設(shè)備的批量生產(chǎn)時，對存儲器原始數(shù)據(jù)的燒寫成為必不可少的一個環(huán)節(jié)。
目前實現(xiàn)E2PROM數(shù)據(jù)燒寫的方案是專用燒錄儀，它利用電腦的串并口連接燒錄裝置，使用時需要安裝專用軟件，并預(yù)先進(jìn)行類型設(shè)置和燒錄位號設(shè)置，且必須按設(shè)定數(shù)量和位號放置，燒錄時遇到不成功的個體E2PROM，即終止其它E2PROM燒寫，使用該專用燒錄儀的缺點(diǎn)是1、投資成本高，需要電腦和專用燒錄儀；2、適時性遠(yuǎn)不如單片機(jī)高，效率不高，燒寫時間長；3、人為誤設(shè)置容量小的類型，專用儀器不能識別，造成數(shù)據(jù)不能完整燒寫，即無預(yù)糾錯功能；4、操作復(fù)雜，需要專業(yè)培訓(xùn)；5、由于16Kbit及以下與以上容量類型虛擬I2C軟件協(xié)議有區(qū)別，部分專用儀器不能批量燒寫24C32及以上類型E2PROM，兼容性差。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能脫離電腦及快速批量燒寫E2PROM的裝置和方法。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的該一種燒寫E2PROM的裝置包括單片機(jī)、E2PROM母片存儲器、至少兩個待寫存儲器及電子開關(guān)，該單片機(jī)通過I2C總線分別與母片存儲器及電子開關(guān)連接，該單片機(jī)用以讀取E2PROM母片存儲器的數(shù)據(jù)，并通過電子開關(guān)控制而使各待寫存儲器依次連接到單片機(jī)上，從而將E2PROM母片存儲器各頁的數(shù)據(jù)分別寫入到各待寫存儲器中。
該一種燒寫E2PROM的方法是通過單片機(jī)控制電子開關(guān)輪流切換而使單片機(jī)依次訪問各待寫存儲器，從而將E2PROM母片存儲器的各頁數(shù)據(jù)分別寫入到各待寫存儲器上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)1)以單片機(jī)為主控件而實現(xiàn)可脫離電腦快速批量燒寫E2PROM；2)通過單片機(jī)依次訪問各待寫存儲器，而實現(xiàn)分時燒寫，從而有效的利用了時間并提高了燒寫效率；3)無需專用的燒錄儀，從而節(jié)省了成本；4)可燒寫24全系列E2PROM，兼容性好。

圖1是本發(fā)明一種燒寫E2PROM的裝置的電路原理框圖。
圖2是本發(fā)明的工作流程圖。
圖3是本發(fā)明的電路原理圖。
具體實施方式請參閱圖1至圖3，本發(fā)明一種燒寫E2PROM的裝置用于對24全系列E2PROM進(jìn)行燒寫，其選用ATMEL公司的AT89C51嵌入式單片機(jī)芯片充當(dāng)裝置的控制核心，芯片內(nèi)固化有軟件，主要完成虛擬三組I2C總線時序模擬，與E2PROM母片存儲器U2及16個待寫存儲器E1-E16之間的數(shù)據(jù)交換(讀、寫、校驗)，該可燒寫的E2PROM母片存儲器包括24C01(1Kbit)、24C02(2Kbit)、24C04(4Kbit)、24C08(8Kbit)、24C16(16Kbit)、24C32(32Kbit)、24C64(64Kbit)、24C128(128Kbit)、24C256(256Kbit)、24C512(512Kbit)及LV系列等10種容量類型。
該一種燒寫E2PROM的裝置包括電路部分、控制部分及輸入輸出部分。該電源部分可以給該裝置提供+5V的電壓，220V市電經(jīng)T1隔離變壓器變壓為9V交流電，經(jīng)RB1橋堆整流，經(jīng)C04、C05濾波后由U8(7805)穩(wěn)壓成直流5V，再經(jīng)C06、C07濾波后給系統(tǒng)供電。
控制部分包括單片機(jī)U1、電子開關(guān)U4-U7、裝置自身用存儲器U3及E2PROM母片存儲器U2。單片機(jī)U1(如AT89C51)由晶振X1及電容C02、C03提供工作時鐘，由電容C01、電阻R02提供開機(jī)自動復(fù)位信號，開關(guān)K1及電阻R02及R01構(gòu)成手動復(fù)位電路供系統(tǒng)異常需復(fù)位時用；為兼容24全系列E2PROM(因一組總線上允許連接的E2PROM根據(jù)類型數(shù)量是有限制的)，這里采用3組獨(dú)立的I2C總線，母片存儲器U2所在I2C總線0的“SDA0”、“SCL0”端口分別接單片機(jī)U1的“P2.1”、“P2.0”端，R13、R14為I2C總線0的上拉電阻，母片存儲器U2的7腳寫保護(hù)通過R17接電源，以確保母片存儲器U2中的數(shù)據(jù)在整個燒寫校驗過程中不變；I2C總線1由電子開關(guān)U4-U7輪流切換將16個待寫存儲器E1-E16與單片機(jī)U1的P1.7(SDA1)、P1.6(SCL1)端分別連接構(gòu)成，R11、R12、R18-R49為總線上拉電阻，通過單片機(jī)U1的P1.0-P1.3四個端口控制電子開關(guān)U4-U7，使一個時刻只有一片待寫存儲器連接到單片機(jī)U1的I2C總線1上進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問，其中數(shù)據(jù)線是連接到電子開關(guān)U4及U5上，時鐘線連接到電子開關(guān)U6及U7上，該電子開關(guān)U4及U6是控制待寫存儲器E1-E8，電子開關(guān)U5及U7是控制待寫存儲器E9-E16；裝置自身用存儲器(U3)所在I2C總線2的“SDA2、SCL2”端分別接單片機(jī)U1的“P1.5、P2.2”端，通過裝置自身用存儲器U3記憶有掉電前或上次選擇的待寫存儲器類型的代碼數(shù)據(jù)，用于開機(jī)或復(fù)位后默認(rèn)的待寫存儲器類型，避免重復(fù)設(shè)置。
輸入輸出部分包括啟動觸發(fā)電路、類型選擇觸發(fā)電路及LED顯示電路由啟動開關(guān)K2、R04、R06構(gòu)成裝置的啟動觸發(fā)電路，即單片機(jī)U1的P2.7端檢測到有效的低電平信號就啟動操作；由K3、R05、R07構(gòu)成裝置的類型選擇觸發(fā)電路，即單片機(jī)U1的P2.6端檢測到有效的低電平信號就切換待寫存儲器的類型；DM-162為LCD液晶屏，用于詳盡顯示所選待寫存儲器型號、出錯提示、系統(tǒng)工作狀態(tài)及燒寫結(jié)果等；由R08-R09及LED1-LED3構(gòu)成的LED顯示電路直觀指示系統(tǒng)當(dāng)前的工作狀態(tài)，分別指示“等待燒寫”、“燒寫OK”、“燒寫有不成功的”三種狀態(tài)。
該一種燒寫E2PROM的裝置的工作進(jìn)程如下裝置開機(jī)后，單片機(jī)U1(AT89C51)通過I2C總線2讀取裝置自身用存儲器U3特定單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)是為上次掉電或類型選擇后待寫存儲器類型代號值，用于掉電記憶；此后單片機(jī)U1處于循環(huán)等待“類型選擇”和“啟動開關(guān)”的輸入觸發(fā)，若有“類型選擇”輸入，則類型在24C01-24C512之間輪流切換，并將所選型號在LCD液晶屏(DM-162)上顯示，同時將型號代碼存儲到裝置自身用存儲器U3中；當(dāng)“啟動開關(guān)”觸發(fā)，單片機(jī)U1首先通過I2C總線0訪問母片存儲器U2，檢查所選容量類型型號是否有誤，以保證數(shù)據(jù)的正確與完整性，接著單片U1讀取母片存儲器U2中起始單元的1頁(24C01-24C16為8字節(jié)、24C32-24C512為16字節(jié))數(shù)據(jù)到單片機(jī)U1的RAM中，通過單片機(jī)U1控制同步打開兩電子開關(guān)(U4、U6)的X0輸出，此時單片機(jī)U1通過I2C總線1訪問待寫存儲器E1，將該頁數(shù)據(jù)寫入E1中，由于24系列頁寫后E2PROM進(jìn)入內(nèi)部編程狀態(tài)，這需要時間即頁寫時間，一般最大為10MS左右，這里不急于E1的下頁燒寫，也不用等待11MS，而是通過單片機(jī)U1關(guān)閉U4、U6的X0通道，改為X1通道，讓待寫存儲器E2連接到I2C總線1上，并也對起始頁進(jìn)行寫操作，依次類推分別打開端口X2-X7，而將該起始頁的數(shù)據(jù)分別寫到待寫存儲器E3-E16上(通過計算，當(dāng)燒寫完E16時，E1的頁寫時間已經(jīng)足夠了，不用等待延時)，這期間根據(jù)I2C總線1數(shù)據(jù)通訊速率，對每個待寫存儲器建立時間動態(tài)跟蹤參數(shù)，用來應(yīng)付個別位置的存儲器寫失敗或空放的情況，保證對單個待寫存儲器的頁寫時間，并對燒寫失敗或空放位置建立出錯標(biāo)志，下次該位置E2PROM不參與訪問，這里利用了分時讀寫和時間智能動態(tài)統(tǒng)計技術(shù)，在保證可靠燒寫的同時，最有效地利用了時間，提高了燒寫效率；接著單片機(jī)U1再讀取母片存儲器U2的下頁單元數(shù)據(jù)，并通過控制電子開關(guān)U4-U7將待寫存儲器E1-E16依次連接到I2C總線上進(jìn)行燒寫，直至燒寫全部完成；此時進(jìn)入數(shù)據(jù)校驗環(huán)節(jié)，因24系列E2PROM讀數(shù)據(jù)一次可以全部讀出，且不需要延時，這里不采用頁訪問模式，而是采用單片機(jī)U1的RAM最大暫存允許數(shù)量讀取數(shù)據(jù)，以節(jié)約總線頻繁啟動和停止所浪費(fèi)的時間，對燒寫成功的待寫存儲器E1-E16進(jìn)行快速讀取校驗，最后將燒寫校驗結(jié)果通過LED和LCD報告出來，完成整個燒寫過程。另外，對每個待寫存儲器E1-E16燒寫下一頁的數(shù)據(jù)之前有檢測該存儲器上頁頁寫時間是否滿足要求的處理，并自動記錄所有單頁燒寫實際時間的遞加統(tǒng)計，以最大限度在保證頁燒寫時間的前提下提高燒寫效率。
本發(fā)明的工作流程包括電子開關(guān)控制、時間最優(yōu)化運(yùn)算、容量類型及所在位置的自動檢測等，與裝置自身用存儲器U3的數(shù)據(jù)交換(用于記憶上次選擇待寫存儲器類型的數(shù)據(jù))，以及完成系統(tǒng)狀態(tài)的輸入、輸出控制，其具體的工作流程請參閱圖2。
權(quán)利要求
1.一種燒寫E2PROM的裝置，其特征在于它包括單片機(jī)、E2PROM母片存儲器、至少兩個待寫存儲器及電子開關(guān)，該單片機(jī)通過I2C總線分別與母片存儲器及電子開關(guān)連接，該單片機(jī)用以讀取E2PROM母片存儲器的數(shù)據(jù)，并通過電子開關(guān)控制而使各待寫存儲器依次連接到單片機(jī)上，從而將E2PROM母片存儲器各頁的數(shù)據(jù)分別寫入到各待寫存儲器中。
2.如權(quán)利要求1所述的一種燒寫E2PROM的裝置，其特征在于所述的E2PROM為24系列。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種燒寫E2PROM的裝置，其特征在于還包括裝置自身用存儲器，其與單片機(jī)通過I2C總線連接，該裝置用于記憶上次選擇待寫存儲器類型的數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求3所述的一種燒寫E2PROM的裝置，其特征在于還包括啟動觸發(fā)電路，單片機(jī)檢測到低電平信號則觸發(fā)該啟動觸發(fā)電路的啟動開關(guān)，從而使單片機(jī)通過I2C總線訪問E2PROM母片存儲器，檢測所選的容量類型型號是否正確。
5.如權(quán)利要求1所述的一種燒寫E2PROM的裝置，其特征在于還包括與單片機(jī)連接的顯示電路，該顯示電路用以顯示該裝置的工作狀態(tài)。
6.一種燒寫E2PROM的方法，其特征在于它通過單片機(jī)控制電子開關(guān)輪流切換而使單片機(jī)依次訪問各待寫存儲器，從而將E2PROM母片存儲器的各頁數(shù)據(jù)分別寫入到各待寫存儲器上。
7.如權(quán)利要求6所述的一種燒寫EEPROM的方法，其特征在于它包括如下步驟1)將E2PROM母片存儲器的起始頁的數(shù)據(jù)讀入到單片機(jī)；2)通過單片機(jī)控制電子開關(guān)切換而使各個待寫存儲器依次訪問單片機(jī)，將起始頁的數(shù)據(jù)分別寫入到各個待寫存儲器中；3)將E2PROM母片存儲器的下一頁的數(shù)據(jù)讀入到單片機(jī)，并通過單片機(jī)控制電子開關(guān)而將該頁數(shù)據(jù)分別寫到各個待寫存儲器中，依此類推直至將E2PROM母片存儲器的其它頁數(shù)據(jù)分別寫入到各待寫存儲器中。
8.如權(quán)利要求7所述的一種燒寫E2PROM的方法，其特征在于它還包括如下步驟對每個待寫存儲器燒寫下一頁的數(shù)據(jù)之前有檢測該存儲器上頁頁寫時間是否滿足要求的處理，并自動記錄所有單頁燒寫實際時間的遞加統(tǒng)計，以最大限度在保證頁燒寫時間的前提下提高燒寫效率。
9.如權(quán)利要求7所述的一種燒寫E2PROM的方法，其特征在于它還包括數(shù)據(jù)校驗步驟。
全文摘要
本發(fā)明一種燒寫E
文檔編號G06F12/00GK1624665SQ20031011112
公開日2005年6月8日 申請日期2003年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日
發(fā)明者王勇, 吳偉, 楊軍治 申請人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司