背景技術(shù)：

需要電力來(lái)運(yùn)行電子系統(tǒng)。例如，計(jì)算系統(tǒng)內(nèi)的存儲(chǔ)器需要電力來(lái)供應(yīng)存儲(chǔ)器陣列和邏輯門。換句話說(shuō)，電子系統(tǒng)內(nèi)的所有部件都需要電力。然而，電子系統(tǒng)的電力需求越低越好。為了減少電力，許多電子系統(tǒng)以兩種模式操作。一種模式是主動(dòng)模式。在主動(dòng)模式下，在電子系統(tǒng)內(nèi)發(fā)生活動(dòng)。例如，在主動(dòng)模式下，可以寫(xiě)入到存儲(chǔ)器或從存儲(chǔ)器中讀取，或者處理器可以處理數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)可以在其中工作的第二模式是待機(jī)模式。在待機(jī)模式下，發(fā)生少量活動(dòng)；因此系統(tǒng)需要較少電力。例如，保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，或在低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)中將晶體管偏置。因此，在待機(jī)模式下，將電壓提供到電子系統(tǒng)中的負(fù)載；然而，電壓不需要引起大電流。實(shí)際上，電壓可以僅需要供應(yīng)泄漏電流或流過(guò)各個(gè)柵極以支持泄漏電流的電流。因此，電路設(shè)計(jì)者可以設(shè)計(jì)具有兩個(gè)電壓軌的電子系統(tǒng)，一個(gè)電壓軌用于在主動(dòng)模式時(shí)為系統(tǒng)供電，而另一個(gè)電壓軌用于在待機(jī)模式時(shí)為系統(tǒng)供電。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

上述問(wèn)題大部分通過(guò)用于產(chǎn)生低壓差電壓的系統(tǒng)和方法得到解決。在一些實(shí)施例中，低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器系統(tǒng)包含電壓源、壓降電路和負(fù)載。電壓源被配置為供應(yīng)第一電壓下的第一信號(hào)。壓降電路包含肖特基二極管并且被配置為基于LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第一模式而接收第一信號(hào)并且產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)。第二電壓小于所述第一電壓。負(fù)載被配置為基于LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第二模式而接收第一電壓下的第一信號(hào)，并且基于所述LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第一模式下而接收第二電壓下的輸出信號(hào)。

另一說(shuō)明性實(shí)施例是用于產(chǎn)生LDO電壓的方法。該方法可以包含生成第一電壓下的第一信號(hào)。基于LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第一模式，該方法可以包含由包括肖特基二極管的壓降電路產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)。第二電壓小于所述第一電壓。基于LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在所述第一模式，該方法可以包含由負(fù)載接收所述第二電壓下的輸出信號(hào)。基于LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第二模式，該方法可以包含由所述負(fù)載接收第一電壓下的第一信號(hào)。

又另一說(shuō)明性實(shí)施例是包含電壓源、壓降電路和存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。電壓源被配置為供應(yīng)第一電壓下的第一信號(hào)。壓降電路被配置為基于存儲(chǔ)器系統(tǒng)工作在第一模式而接收第一信號(hào)并且產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)，第二電壓小于第一電壓。存儲(chǔ)器被配置為基于存儲(chǔ)器系統(tǒng)工作在所述第一模式而接收第二電壓下的輸出信號(hào)，并且基于存儲(chǔ)器系統(tǒng)工作在第二模式而接收第一電壓下的第一信號(hào)。壓降電路包括第一肖特基二極管，第一肖特基二極管被配置為接收第一信號(hào)并且產(chǎn)生第三電壓下的第二信號(hào)。第三電壓小于第一電壓。

附圖說(shuō)明

為了更詳細(xì)地描述各個(gè)示例，現(xiàn)將參考附圖，其中：

圖1示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器系統(tǒng)的框圖；

圖2A示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的壓降電路的電路圖；

圖2B示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的壓降電路的電路圖；

圖3示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的肖特基二極管的框圖；

圖4示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于產(chǎn)生低壓差電壓的方法的流程圖；以及

圖5示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于產(chǎn)生低壓差電壓的方法的流程圖。

符號(hào)和命名

貫穿以下描述以及權(quán)利要求使用的某些術(shù)語(yǔ)是指特定系統(tǒng)組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解，公司會(huì)用不同的名稱來(lái)指代同一組件。本文檔無(wú)意區(qū)分名稱不同而功能相同的組件。在以下討論中以及在權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“包括”以開(kāi)放形式使用，因此這些術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為表示“包含，但不限于……”。而且，術(shù)語(yǔ)“耦合”旨在表示間接或直接連接。因此，如果第一裝置耦合到第二裝置，則所述連接可以通過(guò)直接連接或通過(guò)經(jīng)由其它裝置和連接的間接連接。敘述“基于”旨在表示“至少部分基于”。因此，如果X基于Y，則X可以基于Y以及任何數(shù)目的其它因素。

具體實(shí)施方式

以下論述涉及本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。盡管這些實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以是優(yōu)選的，但是所公開(kāi)的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限制包含權(quán)利要求的公開(kāi)的范圍，或以其它方式用作限制包含權(quán)利要求的公開(kāi)的范圍。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，以下描述具有廣泛應(yīng)用并且任何實(shí)施例的論述僅表示該實(shí)施例的示例，并且并不意在暗示包含權(quán)利要求的公開(kāi)的范圍局限于所述實(shí)施例。

電子系統(tǒng)運(yùn)行需要電力。然而，需要向系統(tǒng)提供最低電力量，使得系統(tǒng)可以按預(yù)期的方式工作。為了減少電力，許多電子系統(tǒng)以兩種模式操作。在主動(dòng)模式下，在電子系統(tǒng)內(nèi)發(fā)生活動(dòng)。例如，在主動(dòng)模式下，可以寫(xiě)入到存儲(chǔ)器或從存儲(chǔ)器中讀取，或者處理器可以處理數(shù)據(jù)。在待機(jī)模式(即，低功率模式)下，發(fā)生少量活動(dòng)；因此系統(tǒng)需要較少電力。例如，保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，或在LVCMOS中偏置晶體管。因此，在待機(jī)模式下，將電壓提供到電子系統(tǒng)中的負(fù)載；然而，電壓不需要引起(source)大電流。實(shí)際上，電壓可以僅需要供應(yīng)泄漏電流或流過(guò)各個(gè)柵極以支持泄漏電流的電流。因此，電路設(shè)計(jì)者可以設(shè)計(jì)具有兩個(gè)電壓軌的電子系統(tǒng)，一個(gè)電壓軌用于在主動(dòng)模式時(shí)為系統(tǒng)供電，而另一個(gè)電壓軌用于在低功率模式時(shí)為系統(tǒng)供電。

在許多情況下，在主動(dòng)模式時(shí)提供到系統(tǒng)的電壓大于在低功率模式時(shí)提供到系統(tǒng)的電壓。設(shè)計(jì)電力管理系統(tǒng)，例如，直流(DC)到DC調(diào)節(jié)器(例如，低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器或任何其它類型的線性電壓調(diào)節(jié)器)以工作在主動(dòng)模式下時(shí)將電力提供到負(fù)載(即從電力管理系統(tǒng)接收電壓的電路)。在常規(guī)系統(tǒng)中，許多電路設(shè)計(jì)者采取復(fù)雜電路來(lái)產(chǎn)生第二電壓軌，以在低功率模式下為系統(tǒng)供電。在許多常規(guī)系統(tǒng)中，開(kāi)關(guān)(例如，p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PMOS)或n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS))用于將電力管理系統(tǒng)為主動(dòng)模式產(chǎn)生的電壓降低(即，減小)到以工作在低功率模式時(shí)供應(yīng)到負(fù)載的較低電壓。對(duì)于PMOS晶體管，閾值電壓可以低至0.2V。然而，具有此低閾值電壓的PMOS晶體管泄漏較多；因此通常不使用這些PMOS晶體管。因此，通常使用具有0.5V以及更高的閾值電壓的PMOS晶體管。因此，由PMOS晶體管產(chǎn)生的壓降最小為0.5V。在許多應(yīng)用中，不需要此種大的壓降。例如，如果電力管理系統(tǒng)提供1V源電壓并且當(dāng)負(fù)載工作在低功率模式下時(shí)需要0.8V，則用于實(shí)現(xiàn)壓降的PMOS晶體管的使用可能無(wú)效，因?yàn)樗鯬MOS晶體管將僅產(chǎn)生0.5V。此外，用于產(chǎn)生壓降的p-n二極管的使用會(huì)產(chǎn)生類似較大的壓降，因?yàn)閜-n二極管具有大約0.5V的閾值。換句話說(shuō)，在消耗低電力量時(shí)，需要壓降的更精細(xì)粒度。

根據(jù)所公開(kāi)的原理，LDO調(diào)節(jié)器提供許多應(yīng)用需要的粒度、消耗較少電力或不消耗電力并且能夠內(nèi)置于CMOS工藝中，所述LDO調(diào)節(jié)器并入用于在低功率模式期間產(chǎn)生從電壓源到負(fù)載的壓降的肖特基二極管(也稱為熱載流子二極管)。與p-n二極管不同，肖特基二極管具有約0.1V至0.3V的閾值。因此，單個(gè)肖特基二極管可以產(chǎn)生低至0.1V的壓降。此外，通過(guò)串聯(lián)連接多個(gè)肖特基二極管，可以產(chǎn)生粒度較大的壓降。例如，利用串聯(lián)的三個(gè)肖特基二極管可以產(chǎn)生0.3V的壓降(即，每肖特基二極管0.1V的壓降)。以此方式，可以產(chǎn)生消耗極少電力甚至不消耗電力的?；瘔航狄栽诠ぷ鞯凸β誓Ｊ较聲r(shí)將電力提供到負(fù)載。

盡管常規(guī)數(shù)字CMOS工藝產(chǎn)生許多p-n二極管，但是通常不可獲得肖特基二極管。然而，可以利用CMOS工藝制造肖特基二極管。每當(dāng)金屬接觸與摻雜半導(dǎo)體接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生肖特基二極管。然而，在常規(guī)CMOS工藝中，硅化物用于在半導(dǎo)體與金屬接觸之間產(chǎn)生電阻接觸，由此使肖特基二極管短路。然而，通過(guò)應(yīng)用硅化物塊或阻止用于使肖特基二極管短路的步驟，可以在需要肖特基二極管的任何位置中利用數(shù)字CMOS工藝來(lái)制造肖特基二極管。

圖1示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100的框圖。LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100可以包含電壓源102、壓降電路104和負(fù)載106。LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100可以被配置為工作在兩種模式：1)主動(dòng)模式以及2)低功率模式。每當(dāng)負(fù)載106有效并且執(zhí)行主動(dòng)功能(例如，處理數(shù)據(jù)和/或在存儲(chǔ)器中讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù))時(shí)，LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式下。每當(dāng)負(fù)載106有待機(jī)并且不主動(dòng)執(zhí)行功能(例如，保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)和/或?qū)VCMOS中的晶體管偏置)時(shí)，LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100在低功率模式下操作。電壓源102可以是產(chǎn)生電壓的任何裝置。在一些實(shí)施例中，電壓源102被配置為保持與負(fù)載電阻無(wú)關(guān)的固定電壓。例如，電壓源102可以是電壓調(diào)節(jié)器，例如，線性調(diào)節(jié)器和/或LDO調(diào)節(jié)器。電壓源102被配置為供應(yīng)第一電壓下的DC信號(hào)122。換句話說(shuō)，電壓源102可以供應(yīng)恒定電壓下的DC信號(hào)122。

如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式下，則壓降電路104被配置為從電壓源102接收DC信號(hào)122并且產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)124，所述第二電壓低于DC信號(hào)122中產(chǎn)生的電壓。換句話說(shuō)，壓降電路104被配置為產(chǎn)生一電壓下的輸出信號(hào)124，該電壓小于DC信號(hào)122中產(chǎn)生的電壓。如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式下，則在一些實(shí)施例中，LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100被配置使得壓降電路104不接收DC信號(hào)122。在替代實(shí)施例中，如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式，則壓降電路104接收DC信號(hào)122；然而，壓降電路104被配置使得輸出信號(hào)124具有與DC信號(hào)122相同的電壓。

如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式，則負(fù)載106被配置為接收第二電壓下的輸出信號(hào)124，所述第二電壓低于在DC信號(hào)122中產(chǎn)生的電壓。另外，輸出信號(hào)124向負(fù)載106提供泄漏電流。然而，如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式下，那么在實(shí)施例中，負(fù)載106可以被配置為從電壓源102接收DC信號(hào)122。在一些實(shí)施例中，負(fù)載106直接從電壓源102接收DC信號(hào)122。在替代實(shí)施例中，如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式下，則負(fù)載106可以被配置為接收輸出信號(hào)124，但與DC信號(hào)122處于相同電壓。

負(fù)載106可以是任何類型的電子負(fù)載。例如，負(fù)載106可以是存儲(chǔ)器(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和/或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM))。當(dāng)LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在主動(dòng)模式時(shí)，作為存儲(chǔ)器的負(fù)載106可以被配置為讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式時(shí)，作為存儲(chǔ)器的負(fù)載106可以被配置為保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。在其它實(shí)施例中，負(fù)載106是LVCMOS中的晶體管。當(dāng)LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式時(shí)，作為L(zhǎng)VCMOS中的晶體管的負(fù)載106接收第二電壓下的輸出信號(hào)124，該第二電壓低于可以偏置晶體管的DC信號(hào)122中的電壓。

在示例中，電壓源102可以產(chǎn)生1V下的DC信號(hào)122。當(dāng)充當(dāng)存儲(chǔ)器的負(fù)載106正在讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，負(fù)載106可以接收1V下的DC信號(hào)122或從1V下的壓降電路104接收輸出信號(hào)124。然而，當(dāng)充當(dāng)存儲(chǔ)器的負(fù)載106正在保留數(shù)據(jù)并且未主動(dòng)地讀取和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)，負(fù)載106從小于1V的電壓(例如，0.8V)下的壓降電路104接收輸出信號(hào)124。

圖2A示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的壓降電路104的電路圖。在圖2A中所示的示例中，壓降電路104可以包括單個(gè)肖特基二極管202。肖特基二極管202可以是具有低正向壓降的任何類型的熱載流子二極管。在一些實(shí)施例中，肖特基二極管202的正向壓降在0.1V至0.3V之間。如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式下，則肖特基二極管202被配置為從第一電壓下的電壓源102接收DC信號(hào)122并且產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)124，該第二電壓低于第一電壓。因?yàn)樾ぬ鼗O管202的正向壓降可以在0.1V至0.3V之間，所以輸出信號(hào)124可以承載為0.1V至0.3V的比DC信號(hào)122的電壓更小的電壓。

例如，電壓源102可以產(chǎn)生1V下的DC信號(hào)122。當(dāng)LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式下時(shí)，肖特基二極管202被配置為從電壓源102接收1V下的DC信號(hào)122。如果肖特基二極管202具有0.2V的正向壓降，則肖特基二極管202產(chǎn)生0.8V下的輸出信號(hào)124。因?yàn)樾ぬ鼗O管202具有低正向壓降，所以壓降電路104可以以較小增量降低DC信號(hào)122電壓。

圖2B示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的壓降電路104的電路圖。在圖2B中所示的示例中，壓降電路104可以包括串聯(lián)的肖特基二極管252-256。肖特基二極管254和256之間的省略號(hào)指示壓降電路104可以支持任何適當(dāng)數(shù)目(例如，兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)以及更多個(gè))的肖特基二極管，但是為清晰起見(jiàn)示出三個(gè)。類似于來(lái)自圖2A的肖特基二極管202，在一些實(shí)施例中，肖特基二極管252-256具有0.1V至0.3V之間的正向壓降。如果LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式下，則肖特基二極管252被配置為從第一電壓下的電壓源102接收DC信號(hào)122并且產(chǎn)生第二電壓下的肖特基輸出信號(hào)262，所述第二電壓低于第一電壓。因?yàn)樾ぬ鼗O管252的正向壓降可以在0.1V至0.3V之間，所以肖特基輸出信號(hào)262可以承載為0.1V至0.3V的比DC信號(hào)122的電壓更小的電壓。肖特基二極管254可以被配置為接收由第二電壓下的肖特基二極管252產(chǎn)生的肖特基輸出信號(hào)262并且產(chǎn)生低于第二電壓的第三電壓下的肖特基輸出信號(hào)264。因?yàn)樾ぬ鼗O管254的正向壓降可以在0.1V至0.3V之間，所以肖特基輸出信號(hào)264可以承載比肖特基輸出信號(hào)262的第二電壓更小的電壓，該電壓為0.1V至0.3V。肖特基二極管256可以被配置為接收由第三電壓下的肖特基二極管254產(chǎn)生的肖特基輸出信號(hào)264并且產(chǎn)生低于第三電壓的第四電壓下的輸出信號(hào)124。因?yàn)樾ぬ鼗O管256的正向壓降可以在0.1V至0.3V之間，所以輸出信號(hào)124可以承載比肖特基輸出信號(hào)264的第三電壓更小的電壓，該電壓為0.1V至0.3V。

例如，電壓源102可以產(chǎn)生1V下的DC信號(hào)122。當(dāng)LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100工作在低功率模式下時(shí)，肖特基二極管252被配置為從電壓源102接收1V下的DC信號(hào)122。如果肖特基二極管252具有0.2V的正向壓降，則肖特基二極管252產(chǎn)生0.8V下的肖特基輸出信號(hào)262。肖特基二極管254隨后可以接收0.8V下的肖特基輸出信號(hào)262。如果肖特基二極管254具有0.2V的正向壓降，則肖特基二極管254產(chǎn)生0.6V下的肖特基輸出信號(hào)264。肖特基二極管256隨后可以接收0.6V下的肖特基輸出信號(hào)264。如果肖特基二極管256具有0.2V的正向壓降，則肖特基二極管256產(chǎn)生0.4V下的輸出信號(hào)124。因?yàn)樾ぬ鼗O管252-256具有低正向壓降，所以壓降電路104可以通過(guò)粒化方式降低DC信號(hào)122電壓。

圖3示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的肖特基二極管202的框圖。肖特基二極管202形成于金屬接觸306和半導(dǎo)體302的結(jié)點(diǎn)處。金屬接觸306可以包括鎢(W)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉑(Pt)和/或任何其它過(guò)渡金屬。半導(dǎo)體302可以是硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和/或任何半導(dǎo)體材料、合金和/或元素。在一些實(shí)施例中，例如硼(B)、鋁(Al)、氮(N)和/或鎵(Ga)的p型摻雜物用于摻雜半導(dǎo)體302。在替代實(shí)施例中，例如磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和/或鉍(Bi)的n型摻雜物用于摻雜半導(dǎo)體302。

在常規(guī)CMOS工藝中，不需要肖特基二極管。因此，稱為硅化物的工藝(各個(gè)制造商之間可以不同)用于“消除(kill)”接觸306與半導(dǎo)體302之間的結(jié)點(diǎn)。換句話說(shuō)，芯片的制造商可以利用硅化物工藝來(lái)將肖特基二極管變成芯片上的電阻性接觸。根據(jù)所公開(kāi)的原理，硅化物塊304可以添加到工藝中以阻止硅化物“消除”肖特基二極管。在一些實(shí)施例中，硅化物塊304可以包含移除用于使肖特基二極管202短路的步驟的逆向工藝，使得硅化物不形成于接觸306和半導(dǎo)體302的結(jié)點(diǎn)處。在不具有硅化物的情況下，接觸306與半導(dǎo)體302之間的結(jié)點(diǎn)是肖特基二極管202。因此，可以利用CMOS工藝在芯片上制造肖特基二極管202和/或肖特基二極管252-256。

圖4和圖5示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于產(chǎn)生低壓差電壓的方法400和500的流程圖。盡管為了方便起見(jiàn)按順序描繪，但是方法400和500中所示的動(dòng)作中的至少一些動(dòng)作可以通過(guò)不同次序執(zhí)行和/或并行執(zhí)行。另外，一些實(shí)施例可以僅執(zhí)行所示動(dòng)作中的一些動(dòng)作或可以執(zhí)行額外動(dòng)作。在一些實(shí)施例中，方法400和500的操作中的至少一些操作以及本文描述的其它操作可以通過(guò)由執(zhí)行存儲(chǔ)在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的指令或狀態(tài)機(jī)的處理器實(shí)施的電壓源102、壓降電路104和/或負(fù)載106來(lái)執(zhí)行。

方法400在框402中開(kāi)始于產(chǎn)生第一電壓下的第一信號(hào)，例如DC信號(hào)122。在一些實(shí)施例中，電壓源102可以產(chǎn)生第一信號(hào)。在框404中，方法400繼續(xù)確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)(例如，LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100)是否工作在第一模式(例如，低功率模式)下。如果在框404中，確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第一模式下，則方法400在框406中繼續(xù)，其中通過(guò)壓降電路(例如，壓降電路104)產(chǎn)生第二電壓下的輸出信號(hào)(例如，輸出信號(hào)124)。第二電壓被配置為小于在第一信號(hào)中產(chǎn)生的第一電壓。在框408中，方法400繼續(xù)，其中通過(guò)負(fù)載(例如，負(fù)載106)接收輸出信號(hào)。如果在框404中確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)不工作在第一模式下(例如，工作在第二模式下，例如工作在主動(dòng)模式下)，則方法400在框410中繼續(xù)，其中通過(guò)負(fù)載接收第一電壓下的第一信號(hào)。

方法500在框502中開(kāi)始于產(chǎn)生第一電壓下的第一信號(hào)，例如DC信號(hào)122。在一些實(shí)施例中，電壓源102可以產(chǎn)生第一信號(hào)。在框504中，方法500繼續(xù)確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)(例如，LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)100)是否工作在第一模式(例如，低功率模式)下。如果在框504中確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)工作在第一模式下，則方法500在框506中繼續(xù)通過(guò)第一肖特基二極管(例如，肖特基二極管252)接收第一信號(hào)。在框508中，方法500繼續(xù)產(chǎn)生第二電壓下的第二信號(hào)，例如肖特基信號(hào)262。第二電壓小于第一電壓。在一些實(shí)施例中，通過(guò)第一肖特基二極管產(chǎn)生第二信號(hào)。

方法500在框510中繼續(xù)通過(guò)第二肖特基二極管(例如，肖特基二極管254)接收第二信號(hào)。在框512中，方法500繼續(xù)產(chǎn)生第三電壓下的第三信號(hào)，例如，肖特基信號(hào)264和/或輸出信號(hào)124。第三電壓小于第二電壓。在一些實(shí)施例中，通過(guò)第二肖特基二極管產(chǎn)生第三信號(hào)。如果在框504中確定LDO調(diào)節(jié)器系統(tǒng)不工作在第一模式下(例如，其工作在第二模式，例如工作在主動(dòng)模式下)，則方法500在框516中繼續(xù)通過(guò)負(fù)載接收第一電壓下的第一信號(hào)。

以上論述旨在說(shuō)明本發(fā)明的原理和各個(gè)實(shí)施例。在完全了解以上公開(kāi)內(nèi)容之后，各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見(jiàn)的。旨在將以上權(quán)利要求解釋為涵蓋所有此類變型和修改。