1.一種數(shù)字信號采集電路，其特征在于，包括：
數(shù)字信號采集電路，所述數(shù)字信號采集電路包括：輸入保護(hù)電路、采集電路和第一隔離電路，所述采集電路包括：第一防反二極管、第二防反二極管、分壓電阻、三極管、第一限流電阻、發(fā)光二極管和控制電流電阻；
所述輸入保護(hù)電路的輸出端與所述第一防反二極管的正極和所述第二防反二極管的負(fù)極連接；所述第一防反二極管的負(fù)極與所述分壓電阻和所述第一限流電阻連接；所述第一防反二極管的負(fù)極通過所述分壓電阻連接所述三極管的集電極和所述第二限流電阻的第一端，所述第二限流電阻的第二端連接所述第一隔離電路；所述第一防反二極管的負(fù)極通過所述第一限流電阻連接所述三極管的基極和所述發(fā)光二極管的正極；所述發(fā)光二極管的負(fù)極連接所述第二防反二極管的正極和所述控制電流電阻的第一端；所述三極管的發(fā)射級連接所述控制電流電阻的第二端和所述第一隔離電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字信號采集電路，其特征在于，還包括:
自檢控制電路，所述自檢控制電路包含自檢控制電路正端和自檢控制電路負(fù)端；
所述自檢控制電路正端包含第一控制端和正輸出端，所述自檢控制電路正端通過所述第一控制端的輸入信號控制所述正輸入端輸出高電平；
所述自檢控制電路負(fù)端包含第二控制端和負(fù)輸出端，所述自檢控制電路負(fù)端通過所述第二控制端的輸入信號控制所述負(fù)輸出端輸出低電平；
所述采集電路包括正輸入端和負(fù)輸入端，所述正輸入端與所述正輸出端連接，所述負(fù)輸入端與所述負(fù)輸出端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)字信號采集電路，其特征在于，所述負(fù)端電路包括：
第一低電壓控制電路、第二隔離電路和N溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET驅(qū)動電路；
所述第一低電壓控制電路包括：第三限流電阻、第一小功率N溝道MOSFET和第一小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動電路；所述第一小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動電路包括：第一濾波電容、第二濾波電容、第四限流電阻、第一電阻和第一二極管；
所述第二隔離電路包括：第二光電耦合器；
所述N溝道MOSFET驅(qū)動電路包括：N溝道MOSFET、第五限流電阻、第六限流電阻和第一穩(wěn)壓二極管；
所述自檢控制電路負(fù)端的所述第一控制端連接所述第四限流電阻的第一端和所述第一二極管的負(fù)極；所述第四限流電阻的第二端連接所述第一小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第一濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第二濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的源極；所述第一二極管的正極通過所述第一電阻連接所述第一小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第一濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第二濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的源極；所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極連接所述第二光電耦合器的初級輸出端；所述第二光電耦合器的初級輸入端通過所述第三限流電阻連接電源；所述第二光電耦合器的次級輸入端通過所述第六限流電阻連接電源，所述第二光電耦合器的次級輸入端還連接所述第一穩(wěn)壓二極管的負(fù)極；所述第二光電耦合器的次級輸出端連接所述N溝道MOSFET的柵極和所述第五限流電阻的第一端；所述第五限流電阻的第二端連接所述N溝道MOSFET的源極和所述第一穩(wěn)壓二極管的正極；所述N溝道MOSFET的漏極連接所述自檢控制電路負(fù)端的負(fù)輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)字信號采集電路，其特征在于，所述正端電路包括：
第二低電壓控制電路、第三隔離電路和P溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFEF驅(qū)動電路；
所述第二低電壓控制電路包括：第七限流電阻、第二小功率N溝道MOSFET和第二小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動電路；所述第二小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動電路包括：第三濾波電容、第四濾波電容、第八限流電阻、第二電阻和第二二極管；
所述第三隔離電路包括：第三光電耦合器；
所述P溝道MOSFET驅(qū)動電路包括：P溝道MOSFET、第九限流電阻、第十限流電阻和第二穩(wěn)壓二極管；
所述自檢控制電路正端的所述第二控制端連接所述第八限流電阻的第一端和所述第二二極管的負(fù)極；所述第八限流電阻的第二端連接所述第二小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第三濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第四濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的源極；所述第二二極管的正極通過所述第二電阻連接所述第二小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第三濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第四濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的源極；所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極連接所述第三光電耦合器的初級輸出端；所述第三光電耦合器的初級輸入端通過所述第七限流電阻連接電源；所述第三光電耦合器的次級輸出端通過所述第十限流電阻接地，所述第三光電耦合器的次級輸出端還連接所述第二穩(wěn)壓二極管的正極；所述第二穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接所述P溝道MOSFET的漏極、所述第九限流電阻的第一端和電源；所述第九限流電阻的第二端連接所述P溝道MOSFET的柵極和所述第三光電耦合器的次級輸入端；所述P溝道MOSFET的源極連接所述自檢控制電路正端的正輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字信號采集電路，其特征在于，所述輸入保護(hù)電路包括：
電感和瞬態(tài)抑制TVS二極管；
所述電感的第一端連接所述數(shù)字信號采集電路的輸入端；所述電感的第二端連接所述第一防反二極管的正極、所述第二防反二極管的負(fù)極和所述TVS二極管的負(fù)極；所述TVS二極管的正極接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字信號采集電路，其特征在于，所述隔離電路包括：
第一光電耦合器和第十一限流電阻；
所述第一光電耦合器的初級輸入端與所述第二限流電阻連接；所述第一光電耦合器的初級輸出端所述三極管的發(fā)射極和所述控制電流電阻連接；所述第一光電耦合器的次級輸出端接地；所述第一光電耦合器的次級輸入端連接所述第十一限流電阻和所述數(shù)字信號采集電路的輸出端。
7.一種數(shù)字信號采集板卡，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的數(shù)字信號采集電路。