反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法及裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，用于獲得反應(yīng)腔室的真空環(huán)境；包括以下步驟：檢測(cè)反應(yīng)腔室的初始?jí)毫?；開(kāi)始烘烤加溫；實(shí)時(shí)獲取反應(yīng)腔室的壓力，從而得到反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)；根據(jù)反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)判斷反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)；當(dāng)壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法具有Bake?Out時(shí)間短、效率高的優(yōu)點(diǎn)，并能夠保證反應(yīng)腔室滿(mǎn)足工藝要求的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明還提出了一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]反應(yīng)腔室烘烤工藝需要很高的真空條件，一般情況下真空要求達(dá)到IO-STorr量級(jí)。由于工藝腔內(nèi)部吸附有水等雜質(zhì)，單純靠真空泵抽很難達(dá)到要求的真空環(huán)境?，F(xiàn)在，一般通過(guò)燈絲加熱的方式將吸附在工藝腔內(nèi)部的雜質(zhì)烘烤出來(lái)，再經(jīng)分子泵或冷凝泵抽走，從而獲得反應(yīng)腔室烘烤工藝需要的真空環(huán)境。這一方法稱(chēng)為Bake Out。
[0003]現(xiàn)有的腔室烘烤技術(shù)是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)設(shè)定加熱燈絲的加熱功率和加熱時(shí)間，Bake Out完成后，測(cè)試本地真空(Base Pressure)和壓升率(Rate Of Rise)是否滿(mǎn)足工藝需求，如不滿(mǎn)足要求繼續(xù)Bake Out直到滿(mǎn)足要求為止。為了避免Bake Out不充分,重復(fù)BakeOut的問(wèn)題，一般會(huì)設(shè)定較長(zhǎng)的時(shí)間以保證Bake Out充分。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn):在烘烤過(guò)程中存在重復(fù)Bake Out的問(wèn)題，而且Bake Out時(shí)間比較長(zhǎng)，工作效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的旨在至少解決所述技術(shù)缺陷之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。
[0006]為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，該控制方法具有Bake Out時(shí)間短、效率高的優(yōu)點(diǎn)。
[0007]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面的實(shí)施例提出了一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，用于獲得所述反應(yīng)腔室的真空環(huán)境；包括以下步驟:檢測(cè)反應(yīng)腔室的初始?jí)毫?；開(kāi)始烘烤加溫；實(shí)時(shí)獲取所述反應(yīng)腔室的壓力，從而得到所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)；根據(jù)所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)判斷所述反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)；當(dāng)所述壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。
[0009]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，能夠一次性完成Bake Out,避免重復(fù)多次Bake Out,從而減少Bake Out時(shí)間,提高Bake Out的效率。另外,該方法根據(jù)反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力變化趨勢(shì)自動(dòng)控制Bake Out的時(shí)間，具有精度高的優(yōu)點(diǎn)，從而保證反應(yīng)腔室內(nèi)滿(mǎn)足工藝要求。
[0010]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0011]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)。
[0012]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。
[0013]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述壓力狀態(tài)包括第一壓力狀態(tài)至第四壓力狀態(tài)。[0014]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成上升狀態(tài)，所述第二壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述第三壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成下降狀態(tài)，所述第四壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述預(yù)定狀態(tài)為所述第四壓力狀態(tài)。
[0015]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第四壓力狀態(tài)的壓力值小于所述第二壓力狀態(tài)的壓力值。
[0016]本發(fā)明第二方面的實(shí)施例提出了一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，用于獲得所述反應(yīng)腔室的真空環(huán)境，包括:檢測(cè)模塊，用于實(shí)時(shí)檢測(cè)反應(yīng)腔室中的壓力；計(jì)算模塊，用于計(jì)算相鄰兩次壓力之差，從而獲得所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)；判斷模塊，用于根據(jù)所述壓力變化趨勢(shì)判斷所述反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)；以及控制模塊，用于當(dāng)所述壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。
[0017]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，能夠一次性完成Bake Out,避免重復(fù)多次Bake Out,從而減少Bake Out時(shí)間,提高Bake Out的效率。另外,該方法根據(jù)反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力變化趨勢(shì)自動(dòng)控制Bake Out的時(shí)間，具有精度高的優(yōu)點(diǎn)，從而保證反應(yīng)腔室內(nèi)滿(mǎn)足工藝要求。
[0018]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0019]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)。
[0020]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。
[0021]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述壓力狀態(tài)包括第一壓力狀態(tài)至第四壓力狀態(tài)。
[0022]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成上升狀態(tài)，所述第二壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述第三壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成下降狀態(tài)，所述第四壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述預(yù)定狀態(tài)為所述第四壓力狀態(tài)。
[0023]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第四壓力狀態(tài)的壓力值小于所述第二壓力狀態(tài)的壓力值。
[0024]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]本發(fā)明所述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法的原理圖；
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法的流程圖；以及
[0028]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。[0030]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所
示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0031]在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解所述術(shù)語(yǔ)的具體含義。
[0032]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法及裝置。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，用于獲得反應(yīng)腔室的真空環(huán)境，包括以下步驟:檢測(cè)反應(yīng)腔室的初始?jí)毫?；開(kāi)始烘烤加溫；實(shí)時(shí)獲取反應(yīng)腔室的壓力，從而得到反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)；根據(jù)反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)判斷反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)；當(dāng)壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)腔室為但不限于:PVD (Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)、M0CVD等各種半導(dǎo)體設(shè)備的反應(yīng)腔室。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定狀態(tài)為反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)，或者預(yù)定狀態(tài)為反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。
[0034]作為一個(gè)具體的示例，如圖1所示，為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法的原理圖。
[0035]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法(Bake Out過(guò)程)中反應(yīng)腔室的壓力(P)隨時(shí)間(t)的變化將整個(gè)Bake Out流程劃分為A、B、C和D四個(gè)階段，分別對(duì)應(yīng)上述四個(gè)壓力狀態(tài)。
[0036]A階段，即第一壓力狀態(tài)，Bake Out開(kāi)始階段，由于反應(yīng)腔室溫度上升及烘烤出來(lái)的氣體導(dǎo)致的反應(yīng)腔室壓力上升量大于真空泵抽氣造成的氣壓下降量，因此反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力整體表現(xiàn)為腔室壓力上升，即第一壓力狀態(tài)下腔室壓力成上升狀態(tài)，如圖1所示，腔室內(nèi)壓力由PO上升至P1。
[0037]B階段，即在第二壓力狀態(tài)下，具體地，隨著B(niǎo)ake Out時(shí)間的延續(xù)，腔室溫度基本穩(wěn)定，烘烤出來(lái)的氣體和真空泵的抽取量相當(dāng)，基本達(dá)到一個(gè)平衡，腔室壓力穩(wěn)定在Pl處，即第二壓力狀態(tài)下腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)。
[0038]C階段，即在第三壓力狀態(tài)下，腔室內(nèi)吸附的殘氣進(jìn)一步減少，腔室壓力隨真空泵的抽取逐漸減少，即第三壓力狀態(tài)下腔室的壓力成下降狀態(tài)。如圖1所示，由Pi逐漸降至P2。
[0039]D階段，即在第四壓力狀態(tài)下，Bake Out出的殘氣和真空泵的抽取再一次達(dá)到平衡，壓力穩(wěn)定在P2，即第四壓力狀態(tài)下腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)。此時(shí)，Bake Out已經(jīng)將絕大部分的吸附氣體烘烤出來(lái)了，可以停止流程。再次結(jié)合圖1，在該實(shí)例中，第四壓力狀態(tài)的壓力值小于第二壓力狀態(tài)的壓力值，即P2〈P0?？梢岳斫獾氖牵谠撌纠?，預(yù)定狀態(tài)為第四壓力狀態(tài)。
[0040]如圖2所示，為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法的流程圖。具體地，結(jié)合圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，包括以下步驟:
[0041]步驟S201，開(kāi)始。即Bake Out開(kāi)始。
[0042]步驟S202，獲取腔室初始?jí)毫?，記為PO。具體地，Bake Out開(kāi)始后，首先獲取腔室的初始?jí)毫O，其中，初始?jí)毫梢酝ㄟ^(guò)但不限于:軟件、壓力計(jì)等獲取。
[0043]步驟S203,設(shè)定Bake Out功率,開(kāi)始加溫,并記錄初始時(shí)間(記為t0)。具體而言，Bake Out流程可集成在PMC和CTC軟件上，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，設(shè)定Bake Out功率，開(kāi)始對(duì)腔室進(jìn)行加溫，并且記錄此時(shí)的初始時(shí)間to。
[0044]步驟S204，判斷A階段是否完成。具體地，在Bake Out開(kāi)始后，即t0時(shí)流程進(jìn)入A階段，如果完成，則執(zhí)行步驟S205 ;如果未完成，則重復(fù)執(zhí)行步驟S204，即繼續(xù)判斷A階段是否完成。
[0045]步驟S205，記錄腔室壓力Pl及時(shí)間tl。
[0046]具體地，在判斷A階段完成后，軟件記錄此時(shí)腔室的壓力值Pl及此時(shí)的時(shí)間tl。
[0047]步驟S206，判斷B階段是否完成。
[0048]具體地，在A階段完成后，流程進(jìn)入B階段，如果完成則執(zhí)行步驟S207 ;如果未完成，則重復(fù)執(zhí)行步驟S206，即繼續(xù)判斷B階段是否完成。
[0049]步驟S207，記錄時(shí)間t2。具體地，由于B階段腔室內(nèi)的壓力處于穩(wěn)定狀態(tài)，即壓力值為P1，所以當(dāng)B階段完成時(shí)，壓力值還是P1，記錄此時(shí)的時(shí)間t2。
[0050]步驟S208，判斷C階段是否完成。具體地，在B階段完成后，流程進(jìn)入C階段，判斷C階段是否完成，如果完成，則執(zhí)行步驟S209 ;如果未完成，則重復(fù)執(zhí)行步驟S208，即繼續(xù)判斷C階段是否完成。
[0051]步驟S209，記錄腔室壓力P2及時(shí)間t3。
[0052]具體地，在判斷C階段完成后，軟件記錄此時(shí)的腔室壓力值P2及此時(shí)的時(shí)間t3。
[0053]步驟S210，完成Bake Out，停止加熱。具體地，在C階段完成后，流程進(jìn)入D階段，此時(shí)，腔室內(nèi)的壓力穩(wěn)定在P2，停止加熱，Bake Out流程結(jié)束。
[0054]在上述步驟中，判定A、B、C和D階段是否完成可通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn)，具體地，通過(guò)真空規(guī)實(shí)時(shí)讀取腔室的壓力，根據(jù)腔室的壓力變化判斷Bake Out處于哪一個(gè)階段。更為具體地，實(shí)時(shí)讀取腔室的壓力，根據(jù)前后兩次的壓力的差值判斷壓力的變化趨勢(shì)，例如:后一次測(cè)得的壓力大于前一次測(cè)得的壓力表明壓力上升，反之表明壓力下降，前后壓力值相等表明壓力恒定。Bake out開(kāi)始，當(dāng)前時(shí)刻為t0，則在t0時(shí)刻流程進(jìn)入A階段，軟件監(jiān)控腔室壓力變化，如果壓力一直處于上升趨勢(shì)，則表明仍處于A階段，如果壓力恒定、保持不變，則表明Bake out進(jìn)入B階段；繼續(xù)監(jiān)控腔室壓力的變化，如果壓力保持不變表明仍處于B階段，如果壓力變化趨勢(shì)為下降趨勢(shì)，則表明Bake out進(jìn)入C階段；繼續(xù)監(jiān)控腔室壓力的變化，如果壓力繼續(xù)處于下降趨勢(shì)，則表明仍處于C階段，繼續(xù)監(jiān)控腔室壓力的變化，如果壓力恒定保持不變，則表明Bake out進(jìn)入D階段，此時(shí)，可以認(rèn)為Bake out已經(jīng)將絕大部分的吸附氣體烘烤出來(lái)，判定Bake out完成，即可認(rèn)為Bake out結(jié)束,從而結(jié)束烘烤。
[0055]在上述示例中，當(dāng)獲取腔室初始?jí)毫O后，可通過(guò)軟件自動(dòng)設(shè)定Bake Out的功率，開(kāi)始對(duì)腔室進(jìn)行加溫，并且記錄此時(shí)的初始時(shí)間to。
[0056]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，能夠一次性完成Bake Out,避免重復(fù)多次Bake Out,從而減少Bake Out時(shí)間,提高Bake Out的效率。另外,該方法根據(jù)反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力變化趨勢(shì)自動(dòng)控制Bake Out的時(shí)間，具有精度高的優(yōu)點(diǎn)，從而保證反應(yīng)腔室內(nèi)滿(mǎn)足工藝要求。
[0057]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置的示意圖。
[0058]如圖3所示，本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例提出了一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置300，用于獲得反應(yīng)腔室的真空環(huán)境，包括:檢測(cè)模塊310、計(jì)算模塊320、判斷模塊330和控制模塊340。
[0059]具體地，檢測(cè)模塊310用于實(shí)時(shí)檢測(cè)反應(yīng)腔室中的壓力。計(jì)算模塊320用于計(jì)算相鄰兩次壓力之差，從而獲得反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)。判斷模塊330用于根據(jù)反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)判斷反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，壓力狀態(tài)包括第一壓力狀態(tài)、第二壓力狀態(tài)、第三壓力狀態(tài)及第四壓力狀態(tài)，且第一壓力狀態(tài)中腔室的壓力成上升狀態(tài)，第二壓力狀態(tài)中腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，第三壓力狀態(tài)中腔室的壓力成下降狀態(tài)，第四壓力狀態(tài)中腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)。其中第四壓力狀態(tài)的壓力值小于第二壓力狀態(tài)的壓力值，例如:第四壓力狀態(tài)的壓力值為P2，第二壓力狀態(tài)的壓力值為PljP P2〈P1?？刂颇K340用于當(dāng)壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定狀態(tài)為反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)，或者預(yù)定狀態(tài)為反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。可以理解的是，預(yù)定狀態(tài)也為上述的第四壓力狀態(tài)。
[0060]作為一個(gè)具體地示例，上述反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置300的工作過(guò)程如下:
[0061]烘烤開(kāi)始后，即Bake Out開(kāi)始，首先由檢測(cè)模塊310檢測(cè)并記錄腔室內(nèi)的初始?jí)毫Γ洖镻O，然后對(duì)腔室進(jìn)行加熱，隨著溫度的升高，腔室內(nèi)的壓力也隨之發(fā)生變化。計(jì)算模塊320通過(guò)計(jì)算相鄰兩次壓力之差獲取腔室內(nèi)壓力的變化趨勢(shì)，判斷模塊330根據(jù)此變化趨勢(shì)判斷反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)。具體地，Bake Out開(kāi)始后，腔室中的壓力為第一壓力狀態(tài)，即壓力逐漸增大，當(dāng)壓力升到某一個(gè)值(記為Pl)且保持不變時(shí)，此時(shí)腔室中的壓力狀態(tài)為第二壓力狀態(tài)，即壓力保持不變，當(dāng)腔室內(nèi)的壓力值從Pl開(kāi)始減小時(shí)，腔室中的壓力狀態(tài)為第三壓力狀態(tài)，即壓力逐漸減小。當(dāng)腔室內(nèi)的壓力再次下降到某一個(gè)值(記為P2)且保持不變時(shí)，此時(shí)，腔室中的壓力狀態(tài)為第四壓力狀態(tài)，即壓力保持在P2不變。其中，P2〈P1。進(jìn)一步地，控制模塊340根據(jù)腔室中的壓力狀態(tài)判斷是否結(jié)束烘烤，并當(dāng)壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。例如:當(dāng)控制模塊330判斷當(dāng)前腔室中的壓力狀態(tài)為第四壓力狀態(tài)時(shí)，可認(rèn)為Bake Out已經(jīng)將絕大部分的吸附氣體烘烤出來(lái)，可以判定此時(shí)腔室內(nèi)已經(jīng)基本滿(mǎn)足工藝要求，因此，BakeOut結(jié)束，停止對(duì)腔室加熱，即烘烤結(jié)束。
[0062]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，能夠一次性完成Bake Out,避免重復(fù)多次Bake Out,從而減少Bake Out時(shí)間,提高Bake Out的效率。另外,該方法根據(jù)反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力變化趨勢(shì)自動(dòng)控制Bake Out的時(shí)間，具有精度高的優(yōu)點(diǎn)，從而保證反應(yīng)腔室內(nèi)滿(mǎn)足工藝要求。
[0063]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)所述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0064]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，用于獲得所述反應(yīng)腔室的真空環(huán)境；其特征在于，包括以下步驟: 檢測(cè)反應(yīng)腔室的初始?jí)毫Γ? 開(kāi)始烘烤加溫； 實(shí)時(shí)獲取所述反應(yīng)腔室的壓力，從而得到所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)； 根據(jù)所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)判斷所述反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)； 當(dāng)所述壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，其特征在于，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，其特征在于，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，其特征在于，所述壓力狀態(tài)包括第一壓力狀態(tài)至第四壓力狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，其特征在于，其中，所述第一壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成上升狀態(tài)，所述第二壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述第三壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成下降狀態(tài)，所述第四壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述預(yù)定狀態(tài)為所述第四壓力狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制方法，其特征在于，其中，所述第四壓力狀態(tài)的壓力值小于所述第二壓力狀態(tài)的壓力值。
7.一種反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，用于獲得所述反應(yīng)腔室的真空環(huán)境；其特征在于，包括: 檢測(cè)模塊，用于實(shí)時(shí)檢測(cè)反應(yīng)腔室中的壓力； 計(jì)算模塊，用于計(jì)算相鄰兩次壓力之差，從而獲得所述反應(yīng)腔室的壓力變化趨勢(shì)； 判斷模塊，用于根據(jù)所述壓力變化趨勢(shì)判斷所述反應(yīng)腔室所處的壓力狀態(tài)；以及 控制模塊，用于當(dāng)所述壓力狀態(tài)達(dá)到預(yù)定狀態(tài)時(shí)結(jié)束烘烤。
8.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，其特征在于，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室獲得真空環(huán)境的狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，其特征在于，所述預(yù)定狀態(tài)為所述反應(yīng)腔室的壓力經(jīng)歷了下降趨勢(shì)后一直保持不變的狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，其特征在于，所述壓力狀態(tài)包括第一壓力狀態(tài)至第四壓力狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，其特征在于，其中，所述第一壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成上升狀態(tài)，所述第二壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述第三壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力成下降狀態(tài)，所述第四壓力狀態(tài)中所述腔室的壓力為穩(wěn)定狀態(tài)，所述預(yù)定狀態(tài)為所述第四壓力狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)腔室烘烤的實(shí)時(shí)控制裝置，其特征在于，其中，所述第四壓力狀態(tài)的壓力值小于所述第二壓力狀態(tài)的壓力值。
【文檔編號(hào)】G05B19/04GK103853055SQ201210495300
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月28日
【發(fā)明者】邊國(guó)棟 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司