專利名稱：用于tft-lcd蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法與系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于預(yù)測薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)制程的面板品質(zhì)虛 擬量測方法及其系統(tǒng)，特別是一種應(yīng)用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法及其 系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
目前，在TFT-LCD的前段制程中，蝕刻制程是在以光阻劑部份覆蓋在要保留的薄 膜上，并曝光顯影后，用物理或化學(xué)的方式將之去除的制程，以形成所需要的圖案。蝕刻制 程依照蝕刻精度、蝕刻手段及目的的不同可分為濕式蝕刻法及干式蝕刻法兩大種類。其 中，干式蝕刻法包含了電漿蝕刻法，以及反應(yīng)性離子蝕刻法；而濕蝕刻則是使用各種化學(xué)溶 液，經(jīng)由與被露出的薄膜產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的。蝕刻技術(shù)的好壞決定電路的關(guān) 鍵尺寸(CD)，故在蝕刻制程完成之后，會(huì)進(jìn)行蝕刻后檢視，以判斷蝕刻過程中是否有變異發(fā) 生，確保面板生產(chǎn)過程的良率。目前，基于成本的考慮，大部份TFT-LCD的制程對于生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的面板品質(zhì)檢測方 法都采用抽樣檢查的方式，即每天對該機(jī)臺(tái)抽樣1 3個(gè)同一規(guī)格的面板產(chǎn)品，以便監(jiān)測生 產(chǎn)的質(zhì)量是否穩(wěn)定，從而決定面板產(chǎn)品的質(zhì)量。然而，若面板在制造的過程中出現(xiàn)問題，就 必須等待檢測時(shí)才會(huì)發(fā)現(xiàn)，而此時(shí)出現(xiàn)問題的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)可能已經(jīng)產(chǎn)出多批不良品。因此，從 制程的操作變量發(fā)生變化到面板質(zhì)量出現(xiàn)問題，便會(huì)有一定的時(shí)間落后。所以，如何在最短 的時(shí)間內(nèi)發(fā)現(xiàn)面板的質(zhì)量是否出現(xiàn)問題，便是面板制造商面臨的主要問題之一。為了提高 機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)效率，多數(shù)的生產(chǎn)線同時(shí)都會(huì)有多種不同規(guī)格的面板同時(shí)生產(chǎn)，常規(guī)的抽樣量 測方法通常是會(huì)對每種面板進(jìn)行抽樣，這無疑會(huì)增加檢測的工作量，延長面板的生產(chǎn)時(shí)間。 因此，如何降低抽檢的成本，提高抽檢效率，同樣也是面板廠商面臨的主要問題之一。虛擬量測(VM)技術(shù)是解決上述問題的主要手段之一，其基本概念是利用大量的 可以在線測量的過程變量，如先進(jìn)制程控制數(shù)據(jù)(APC)去估計(jì)生產(chǎn)面板的質(zhì)量，以便于在 生產(chǎn)機(jī)臺(tái)發(fā)生異常時(shí)能及時(shí)發(fā)現(xiàn)，并且同時(shí)鑒別出不良品，以節(jié)約后續(xù)制程的能源，并提高 生產(chǎn)的良率。然而，APC系統(tǒng)的數(shù)據(jù)量龐大，且某些變量存在強(qiáng)烈的相關(guān)性，傳統(tǒng)的處理方 法是采用統(tǒng)計(jì)回歸的方法，而其中應(yīng)用最多的，就是主成分回歸分析(PCR)與部分最小平 方(PLS)方法。但對于PCR/PLS方法來說，它是將數(shù)據(jù)壓縮之后來取代原始變量，以致于現(xiàn) 場工程師無法理解各個(gè)變量對面板質(zhì)量的影響，也無法找到發(fā)生變異的關(guān)鍵因素。因此， 為了能更好地了解或掌握生產(chǎn)系統(tǒng)，以有物理意義的變量來建立預(yù)估模型無疑是非常有利 的。這些有物理意義的變量對系統(tǒng)的故障診斷，以及提高系統(tǒng)的運(yùn)行效率都是很有參考價(jià) 值的。另外，在TFT-LCD制程中存在很多的不可測的變量，比如在TFT-LCD的蝕刻制程中， 蝕刻液的實(shí)際消耗量或蝕刻液中離子的濃度等，皆無法精確的量測。然而這些變量卻會(huì)直 接影響蝕刻制程后面板的最終關(guān)鍵尺寸值。因此，在虛擬量測系統(tǒng)中必須考慮這些因素的 影響，來提高預(yù)估精度。 Μ白勺禾呈白勺“Method of monitoring and/or controlling asemiconductormanufacturing apparatus and a system" 15 I禾1J. 6616759 號(hào))， 提出了一種基于PLS方法而計(jì)算出制程新的參數(shù)設(shè)定值，此方法并不能讓工程師理解各 個(gè)變量對面板質(zhì)量的影響；而應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓溫度預(yù)測的“Method for predicting temperature, test wafer for use intemperature prediction and method for evaluating lamp heating system”(美國專利第6666577號(hào))，則提出了一種預(yù)測晶圓 制程溫度的方法，此方法只能適用于特定種類的機(jī)臺(tái)，缺乏通用性。中國專利申請?zhí)枮?200610108408. 6、名稱為“半導(dǎo)體制造的虛擬量測預(yù)估與建立預(yù)估模型的方法與系統(tǒng)”公開 一種建立預(yù)估模型的方法，此方法建立多個(gè)預(yù)估模型，并用相關(guān)指標(biāo)選擇最佳模型，但其缺 陷是若多個(gè)預(yù)估的相關(guān)指標(biāo)都低于給定閾值時(shí)，系統(tǒng)會(huì)出現(xiàn)無輸出值。中國專利申請?zhí)枮?200610149890. 8、名稱為“量測方法以及虛擬量測系統(tǒng)”提出一種基于類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建立虛擬 量測模型的方法，其缺陷是模型的訓(xùn)練時(shí)間長，模型的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且容易出現(xiàn)局部最優(yōu)的 現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種用于預(yù)測TFT-LCD制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法及 其系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有虛擬量測方法因?qū)?shù)據(jù)壓縮來取代原始變量，以致于現(xiàn)場工程師無法 理解各個(gè)變量對面板質(zhì)量的影響，也無法找到發(fā)生變異的關(guān)鍵因素的問題；同時(shí)降低多產(chǎn) 品抽樣量測的頻率；此外，解決制程不可測變量對面板品質(zhì)的影響，提高虛擬量測的精度。本發(fā)明的虛擬量測方法采用的技術(shù)方案是采用如下步驟1)先進(jìn)制程控制單元獲取至少一制程機(jī)臺(tái)的制程參數(shù)資料值后，原始數(shù)據(jù)處理單 元將各制程參數(shù)數(shù)據(jù)值先減去制程參數(shù)數(shù)據(jù)值的平均值，再除以制程參數(shù)數(shù)據(jù)值的標(biāo)準(zhǔn)偏 差；2)量測機(jī)臺(tái)獲取抽樣量測加工后的面板品質(zhì)量測值，面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元將 抽樣的面板品質(zhì)量測值先減去面板品質(zhì)量測值的平均值，再除以面板品質(zhì)量測值的標(biāo)準(zhǔn)偏 差；3)關(guān)鍵參數(shù)挑選單元以逐步回歸的方式從制程參數(shù)數(shù)據(jù)值中挑選關(guān)鍵制程參數(shù) 數(shù)據(jù)值，且當(dāng)制程參數(shù)數(shù)據(jù)值其中之一的偏F值大于且進(jìn)入閾值時(shí)，則該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值 即被設(shè)定為關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值；4)線性模型預(yù)估單元?jiǎng)t根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值及其對應(yīng)的實(shí)際面板品質(zhì)量測 值的關(guān)系，以線性最小二乘算法建立初始預(yù)估模型；5)在初始預(yù)估模型的基礎(chǔ)上將同一配方下誤差的總變動(dòng)量，依產(chǎn)品種類解成不同 的部份，多產(chǎn)品效益處理單元根據(jù)同一配方下各個(gè)面板的產(chǎn)品效益產(chǎn)生初始多產(chǎn)品預(yù)估模 型；6)干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值，由初始多產(chǎn)品預(yù)估模型得到估 計(jì)值，并計(jì)算該估計(jì)值與各估計(jì)值所對應(yīng)的實(shí)際面板品質(zhì)量測值之間的誤差值，以時(shí)間序 列回歸算法處理該誤差值，產(chǎn)生干擾項(xiàng)系數(shù)后建立虛擬量測模型單元。本發(fā)明的虛擬量測系統(tǒng)采用的技術(shù)方案是包含一制程機(jī)臺(tái)、一先進(jìn)制程控制單 元和一量測機(jī)臺(tái)、制程機(jī)臺(tái)的輸出連接先進(jìn)制程控制單元的輸入，先進(jìn)制程控制單元的輸 出連接原始數(shù)據(jù)處理單元的輸入，原始數(shù)據(jù)處理單元的輸出連接關(guān)鍵參數(shù)挑選單元的輸入，關(guān)鍵參數(shù)挑選單元的輸出連接線性模型預(yù)估單元的輸入，線性模型預(yù)估單元的輸出連 接多產(chǎn)品效益處理單元的輸入，多產(chǎn)品效益處理單元的輸出連接干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元的輸 入，干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元的輸出連接虛擬量測模型單元的輸入；所述量測機(jī)臺(tái)的輸出連接 面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元的輸入，面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元的輸出連接多產(chǎn)品效益處理單元的 輸入；將干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元與關(guān)鍵參數(shù)挑選單元相連。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)由逐步回歸方法挑選出關(guān)鍵的制程參數(shù)來建立虛擬量測模型，藉此可提高現(xiàn) 場工程師對該些制程參數(shù)對面板質(zhì)量影響的了解。(2)藉由ANCOVA建立虛擬量測模型，藉此可對同一制程配方但不同規(guī)格的各式面 板進(jìn)行質(zhì)量預(yù)測，降低抽樣量測的頻率，減輕預(yù)估模型的復(fù)雜度。(3)由時(shí)間序列技術(shù)彌補(bǔ)不可測參數(shù)對面板質(zhì)量的影響。


圖1為本發(fā)明用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測系統(tǒng)的構(gòu)造示意圖；圖2為本發(fā)明挑選關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值示意圖；圖3為本發(fā)明用于預(yù)測TFT-LCD制程面板品質(zhì)的虛擬量測系統(tǒng)實(shí)施例示意圖；圖4為本發(fā)明時(shí)間序列法擬合結(jié)果示意圖；圖5為本發(fā)明多產(chǎn)品虛擬量測結(jié)果示意圖；圖中110.制程機(jī)臺(tái)；120.先進(jìn)制程控制單元；130.原始數(shù)據(jù)處理單元；131.制 程參數(shù)資料值；140.關(guān)鍵參數(shù)挑選單元；141.關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值；150.線性模型預(yù)估單 元；160.多產(chǎn)品效益處理單元；161.初始多產(chǎn)品預(yù)估模型；170.干擾項(xiàng)處理單元；171.干 擾項(xiàng)系數(shù)；180.虛擬量測模型單元；190.量測機(jī)臺(tái)；191.產(chǎn)品品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元；192.產(chǎn) 品品質(zhì)量測值；210.第一模型；220.第二模型；230.第三模型；240.第四模型；250.第五 模型；260.第四制程參數(shù)集合；270.第三制程參數(shù)集合；280.第二制程參數(shù)集合；290.第 一制程參數(shù)集合；310.酸液；320.蝕刻槽；330.面板；340.輸送裝置；350.供液裝置；360. 輸送泵；370.儲(chǔ)存槽；380.噴頭裝置。
具體實(shí)施例方式參閱圖1，本發(fā)明用于預(yù)測TFT-LCD制程面板品質(zhì)的虛擬量測系統(tǒng)包含一制程機(jī) 臺(tái)110、一先進(jìn)制程控制單元120、一原始數(shù)據(jù)處理單元130、一關(guān)鍵參數(shù)挑選單元140、一線 性模型預(yù)估單元150、一量測機(jī)臺(tái)190、一面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元191、一多產(chǎn)品效益處理單 元160、一干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元170、以及一虛擬量測模型單元180。制程機(jī)臺(tái)110的輸出 連接先進(jìn)制程控制單元120的輸入，先進(jìn)制程控制單元120的輸出連接原始數(shù)據(jù)處理單元 130的輸入，原始數(shù)據(jù)處理單元130的輸出連接關(guān)鍵參數(shù)挑選單元140的輸入，關(guān)鍵參數(shù)挑 選單元140的輸出連接線性模型預(yù)估單元150的輸入，線性模型預(yù)估單元150的輸出連接 多產(chǎn)品效益處理單元160的輸入，多產(chǎn)品效益處理單元160的輸出連接干擾項(xiàng)系數(shù)處理單 元170的輸入，干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元170的輸出連接虛擬量測模型單元180的輸入。量測 機(jī)臺(tái)190的輸出連接面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元191的輸入，面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元191的輸 出連接多產(chǎn)品效益處理單元160的輸入；同時(shí)，將干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元170與關(guān)鍵參數(shù)挑選單元140相連。先進(jìn)制程控制單元120獲取至少一制程機(jī)臺(tái)110的APC系統(tǒng)的制程參數(shù)資料值 131后；再以原始數(shù)據(jù)處理單元130對該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)， 原始數(shù)據(jù)處理單元130將各制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131先減去制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131的平均值，再 除以制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131的標(biāo)準(zhǔn)偏差。量測機(jī)臺(tái)190獲取抽樣量測加工后的面板品質(zhì)量測 值192，再以面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元191對該面板品質(zhì)量測值192進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)， 面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元191將抽樣的面板品質(zhì)量測值192先減去面板品質(zhì)量測值192的平 均值，再除以面板品質(zhì)量測值192的標(biāo)準(zhǔn)偏差。以關(guān)鍵參數(shù)挑選單元140從制程參數(shù)數(shù)據(jù) 值131中挑選與面板品質(zhì)量測值192最相關(guān)的關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141，挑選時(shí)，關(guān)鍵參數(shù) 挑選單元140以逐步回歸的方式，即按著制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131對面板品質(zhì)貢獻(xiàn)大小，由大 到小地逐個(gè)引入回歸方程；而已被引入回歸方程的制程參數(shù)，在引入新的制程參數(shù)后也可 能失去重要性，而需要從回歸方程中剔除出去。這樣，就由制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131中挑選最相 關(guān)的關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141，且當(dāng)制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131其中之一的偏F值大于且進(jìn)入閾 值時(shí)，則該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131即被設(shè)定為關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141，而當(dāng)制程參數(shù)數(shù)據(jù)值 131其中之一的偏F值小于且剔除閾值時(shí)，則該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值即不被設(shè)定為關(guān)鍵制程參 數(shù)數(shù)據(jù)值其中之一。線性模型預(yù)估單元150則根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141及其對應(yīng)的實(shí) 際面板品質(zhì)量測值192的關(guān)系，以實(shí)際面板品質(zhì)量測值與預(yù)估面板品質(zhì)值的誤差平方和最 小為準(zhǔn)則，用線性最小二乘算法建立一初始預(yù)估模型151 ；在初始預(yù)估模型151的基礎(chǔ)上， 藉由共變異數(shù)分析方法(ANCOVA)，即將同一配方下誤差的總變動(dòng)量，依產(chǎn)品種類解成不同 的部份，再以假設(shè)檢定的方法來判斷這些產(chǎn)品因素是否確實(shí)能解釋資料的變動(dòng)。多產(chǎn)品效 益處理單元160根據(jù)同一配方下各個(gè)面板的產(chǎn)品效益產(chǎn)生一初始多產(chǎn)品預(yù)估模型161 ；干 擾項(xiàng)系數(shù)處理單元170根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141，由初始多產(chǎn)品預(yù)估模型161得到估計(jì) 值，并計(jì)算該估計(jì)值與各估計(jì)值所對應(yīng)的實(shí)際面板品質(zhì)量測值192之間的誤差值，按時(shí)間 序列排序，再籍由曲線擬合與參數(shù)估計(jì)的時(shí)間序列回歸算法，處理該誤差值，產(chǎn)生一干擾項(xiàng) 系數(shù)171后，建立虛擬量測模型單元180。參閱圖2，關(guān)鍵參數(shù)挑選單元140從制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131中挑選與面板品質(zhì)量測值 192最相關(guān)的關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值141時(shí)，一開始先在所有的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131中尋找出 對最終面板品質(zhì)最有貢獻(xiàn)的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131，即最大的偏F值，再將其加入模型中形成 圖2中的第一模型210，接著，將剩下的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131個(gè)別加入第一模型210中，計(jì)算 其偏F值，來確定該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131是否對模型有所貢獻(xiàn)，大于進(jìn)入閾值，然后挑選出 最有貢獻(xiàn)的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131加入模型中形成第二模型220，當(dāng)?shù)诙Ｐ椭械闹瞥虆?shù) 數(shù)據(jù)值131超過3個(gè)之后，就需做制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131的剔除檢定，也就是將制程參數(shù)數(shù)據(jù) 值131個(gè)別移出第二模型看其偏F值是否有小于剔除閾值，然后挑選出偏F值最小的制程 參數(shù)數(shù)據(jù)值131予以刪除后再繼續(xù)加入其他制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131。如此一直執(zhí)行下去直至 達(dá)到所設(shè)定所需的制程參數(shù)數(shù)據(jù)131值個(gè)數(shù)后，或者是當(dāng)剩下的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值131個(gè)別 加入模型都小于進(jìn)入閾值時(shí)，即會(huì)停止。偏F值的計(jì)算步驟為由以下公式⑴、(2)先計(jì)算面板品質(zhì)的估計(jì)值，并根據(jù)實(shí) 際的面板品質(zhì)量測值192，由公式(5)得到回歸的平方和SSR(I)、SSR(2)，以及殘差平方和 MSE(I)，再籍由公式(3)算出偏F值。
式中
權(quán)利要求
一種用于TFT LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法，其特征是采用如下步驟1)先進(jìn)制程控制單元(120)獲取至少一制程機(jī)臺(tái)(110)的制程參數(shù)資料值(131)后，原始數(shù)據(jù)處理單元(130)將各制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)先減去制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)的平均值，再除以制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)的標(biāo)準(zhǔn)偏差；2)量測機(jī)臺(tái)(190)獲取抽樣量測加工后的面板品質(zhì)量測值(192)，面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元(191)將抽樣的面板品質(zhì)量測值(192)先減去面板品質(zhì)量測值(192)的平均值，再除以面板品質(zhì)量測值(192)的標(biāo)準(zhǔn)偏差；3)關(guān)鍵參數(shù)挑選單元(140)以逐步回歸的方式從制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)中挑選關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(141)，且當(dāng)制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)其中之一的偏F值大于且進(jìn)入閾值時(shí)，則該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)被設(shè)定為關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(141)；4)線性模型預(yù)估單元(150)根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(141)及其對應(yīng)的實(shí)際面板品質(zhì)量測值(192)的關(guān)系，以線性最小二乘算法建立初始預(yù)估模型(151)；5)在初始預(yù)估模型(151)的基礎(chǔ)上將同一配方下誤差的總變動(dòng)量，依產(chǎn)品種類解成不同的部份，再以假設(shè)檢定的方法來判斷這些產(chǎn)品因素是否確實(shí)能解釋資料的變動(dòng)，多產(chǎn)品效益處理單元(160)根據(jù)同一配方下各個(gè)面板的產(chǎn)品效益產(chǎn)生初始多產(chǎn)品預(yù)估模型(161)；6)干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元(170)根據(jù)關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(141)，由初始多產(chǎn)品預(yù)估模型(161)得到估計(jì)值，并計(jì)算該估計(jì)值與各估計(jì)值所對應(yīng)的實(shí)際面板品質(zhì)量測值(192)之間的誤差值，以時(shí)間序列回歸算法處理該誤差值，產(chǎn)生干擾項(xiàng)系數(shù)(171)后建立虛擬量測模型單元(180)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法，其特征 是步驟3)中關(guān)鍵參數(shù)挑選單元(140)從制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)中挑選與面板品質(zhì)量測值 (192)最相關(guān)的關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(141)時(shí)，先在所有的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)中尋找出 對最終面板品質(zhì)最大的偏F值，再將其加入模型中形成第一模型(210)，再將剩下的制程參 數(shù)數(shù)據(jù)值(131)個(gè)別加入第一模型(210)中計(jì)算其偏F值，確定該制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131) 是否大于進(jìn)入閾值，然后挑選出最大的偏F值加入模型中形成第二模型(220)，當(dāng)?shù)诙Ｐ?(220)中的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)超過3個(gè)后，將其個(gè)別移出第二模型(220)看其偏F值是 否有小于剔除閾值，然后挑選出偏F值最小的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)予以刪除后再繼續(xù)加 入其他制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)，如此一直執(zhí)行直至達(dá)到設(shè)定所需的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131) 個(gè)數(shù)后，或當(dāng)剩下的制程參數(shù)數(shù)據(jù)值(131)個(gè)別加入模型都小于進(jìn)入閾值時(shí)即停止。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法，其特征是 由公式y(tǒng) = α+βΑ+ ε、y = α + β Α+β 2χ2+ ε先計(jì)算面板品質(zhì)的估計(jì)值，并根據(jù)實(shí)際的B = (XXt)'1 XYSSR = BXY面板品質(zhì)量測值(192)，由公式χα = py得到回歸的平方和SSR(I)、SSR(2)以及殘MSE =邑 Ν-ρ
4. 一種用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測系統(tǒng)，包含一制程機(jī)臺(tái)(110)、一先 進(jìn)制程控制單元(120)和一量測機(jī)臺(tái)(190)、制程機(jī)臺(tái)(110)的輸出連接先進(jìn)制程控制單元 (120)的輸入，其特征是先進(jìn)制程控制單元(120)的輸出連接原始數(shù)據(jù)處理單元(130)的 輸入，原始數(shù)據(jù)處理單元(130)的輸出連接關(guān)鍵參數(shù)挑選單元(140)的輸入，關(guān)鍵參數(shù)挑選 單元(140)的輸出連接線性模型預(yù)估單元(150)的輸入，線性模型預(yù)估單元(150)的輸出 連接多產(chǎn)品效益處理單元(160)的輸入，多產(chǎn)品效益處理單元(160)的輸出連接干擾項(xiàng)系 數(shù)處理單元(170)的輸入，干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元(170)的輸出連接虛擬量測模型單元(180) 的輸入；所述量測機(jī)臺(tái)(190)的輸出連接面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元(191)的輸入，面板品質(zhì)數(shù) 據(jù)處理單元(191)的輸出連接多產(chǎn)品效益處理單元(160)的輸入；將干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元 (170)與關(guān)鍵參數(shù)挑選單元(140)相連。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于TFT-LCD蝕刻制程的面板品質(zhì)虛擬量測方法與系統(tǒng)，先進(jìn)制程控制單元獲取至少一制程機(jī)臺(tái)的制程參數(shù)資料值；量測機(jī)臺(tái)獲取面板品質(zhì)量測值，面板品質(zhì)數(shù)據(jù)處理單元將抽樣的面板品質(zhì)量測值先減去面板品質(zhì)量測值的平均值，再除以面板品質(zhì)量測值的標(biāo)準(zhǔn)偏差；關(guān)鍵參數(shù)挑選單元挑選關(guān)鍵制程參數(shù)數(shù)據(jù)值，線性模型預(yù)估單元以線性最小二乘算法建立初始預(yù)估模型；多產(chǎn)品效益處理單元產(chǎn)生初始多產(chǎn)品預(yù)估模型；干擾項(xiàng)系數(shù)處理單元得到估計(jì)值，以時(shí)間序列回歸算法處理該誤差值，產(chǎn)生干擾項(xiàng)系數(shù)后建立虛擬量測模型單元。本發(fā)明能對同一制程配方但不同規(guī)格的各式面板進(jìn)行質(zhì)量預(yù)測，降低抽樣量測的頻率，減輕預(yù)估模型的復(fù)雜度。
文檔編號(hào)G05B13/04GK101976045SQ20101026232
公開日2011年2月16日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者潘天紅, 盛碧琦, 陳山 申請人:江蘇大學(xué)