專利名稱：具有魯棒性啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，具體地講，涉及一種具有魯 棒性啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路。
背景技術(shù)：
帶隙電壓基準(zhǔn)電路廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路和電源管理電路。帶隙電 壓基準(zhǔn)電路用于產(chǎn)生一個(gè)不隨溫度、工藝和電壓變化的恒定電壓。

圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)中的帶隙電壓基準(zhǔn)電路的電路圖。參照?qǐng)D1，帶隙電壓基準(zhǔn)電路包括二極管Dl和D2、電阻器R1、R2和R3、運(yùn)算放大 器OPAMP以及PMOS管Ml和M2，其中，二極管Dl的正極經(jīng)電阻器Rl連接到運(yùn)算放大器OPAMP 的輸入端A，二極管D2的正極連接到運(yùn)算放大器OPAMP的輸入端B，二極管Dl和D2的負(fù)極 接地GND ；運(yùn)算放大器OPAMP的輸出端C接到PMOS管Ml和M2的柵極；PMOS管Ml和M2的 源極連接到電壓為VDD的電源，PMOS管Ml的漏極經(jīng)電阻器R2連接到運(yùn)算放大器OPAMP的 輸入端A，PMOS管M2的漏極經(jīng)電阻器R3連接到運(yùn)算放大器OPAMP的輸入端B。運(yùn)算放大 器的輸出端C連接到晶體管Ml和M2的柵極，控制流過Ml和M2的電流Il和12，晶體管Ml 和M2以及運(yùn)算放大器構(gòu)成反饋電路，從而使運(yùn)算放大器的輸入電壓相等，即VA = VB。以下，將參照?qǐng)D1詳細(xì)描述帶隙電壓基準(zhǔn)電路的工作原理。在圖1中，將流過二極管Dl的電流定義為II，將流過二極管D2的電流為定義為 12，假設(shè)兩條支路流過的電流的關(guān)系為12 = NX II，而二極管D2的面積是二極管Dl的M 倍，或者說二極管D2相當(dāng)于M個(gè)二極管Dl并聯(lián)。根據(jù)流過二極管的電流公式
權(quán)利要求
一種帶有啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，在所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路中，共柵極的第一PMOS晶體管M1和第二PMOS晶體管M2與運(yùn)算放大器構(gòu)成反饋電路，M1和M2的源極接電源，M1和M2的柵極接運(yùn)算放大器的輸出端，M1的漏極連接運(yùn)算放大器的負(fù)向輸入端，M2的漏極連接運(yùn)算放大器的正向輸入端，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包括啟動(dòng)控制電路和啟動(dòng)控制管，所述啟動(dòng)控制電路包括比較器和上電信號(hào)檢測(cè)電路，所述上電信號(hào)檢測(cè)電路包括電容C1、兩個(gè)共柵極的第三PMOS型晶體管M3和第四PMOS型晶體管M4以及第五NMOS型晶體管M5，其中，將M3和M5的柵極和漏極連接到比較器的正向輸入端，M3和M4的源極接電源，M5的源極接地，將M4的漏極和電容C1的正極板連接到比較器的反向輸入端，并將C1的負(fù)極板接地；將比較器的輸出端連接到啟動(dòng)控制管的柵極，將啟動(dòng)控制管的源極接地，并將啟動(dòng)控制管的漏極連接到所述反饋電路中的M1和M2的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于，所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路還包 括第一電阻器R1和第一二極管D1，D1的正極經(jīng)R1連接到運(yùn)算放大器的正向輸入端，D1的 負(fù)極接地。
3.如權(quán)利要求2所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于，所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路還包 括第二二極管D2，D2的正極接運(yùn)算放大器的反向輸入端，D2的負(fù)極接地。
4.如權(quán)利要求1所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于，所述反饋電路中的Ml經(jīng)電阻 器R2連接到運(yùn)算放大器的正向輸入端。
5.如權(quán)利要求1所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于，所述反饋電路中的M2經(jīng)電阻 器R3連接到運(yùn)算放大器的反向輸入端。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有魯棒性啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路。所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路可以有效地使CMOS工藝帶隙基準(zhǔn)電路在上電過程中脫離零工作狀態(tài)，而正常啟動(dòng)，并且在上電結(jié)束后有效關(guān)斷啟動(dòng)控制管，使之不影響帶隙電壓基準(zhǔn)電路正常工作。因此，該啟動(dòng)電路應(yīng)用在CMOS帶隙基準(zhǔn)電路中具有很好的魯棒性。
文檔編號(hào)G05F3/24GK101995899SQ200910160579
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日
發(fā)明者高彬 申請(qǐng)人:三星半導(dǎo)體(中國(guó))研究開發(fā)有限公司;三星電子株式會(huì)社