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一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置的制造方法

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一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及激光晶體檢測(cè)設(shè)備,特別是一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]消光比是衡量激光晶體性能優(yōu)劣的重要指標(biāo),它的定義如下:將晶體放置在兩平行偏光鏡間和兩正交偏光鏡間,使用光源從晶體一端入射,在出射端測(cè)量光功率,分別得到兩個(gè)值A(chǔ)和B,消光比即A和B之比取對(duì)數(shù)再乘以10。我們?cè)谑褂眉す饩w之前,需要了解與掌握晶體的各種性質(zhì),包括其物理和激光特性等,才能判斷某種晶體是否滿足我們的使用要求。同時(shí),激光晶體的質(zhì)量,直接影響使用者實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性和研究?jī)r(jià)值。例如晶體的消光比對(duì)于出射激光的光束質(zhì)量有直接的影響。
[0003]在做激光晶體消光比檢測(cè)前需要對(duì)激光光路作一些調(diào)整檢測(cè),這就需要用到一些標(biāo)靶設(shè)備。目前使用比較普遍的是雙光闌法,在調(diào)節(jié)光源角度后需要調(diào)整第一個(gè)光闌使光路剛好從其中央穿過(guò)或者光源使其發(fā)出光纖剛好從第一個(gè)光闌中央通過(guò),在反復(fù)調(diào)整中增加大量操作而且容易在調(diào)節(jié)過(guò)程中造成新的歪斜度;在調(diào)節(jié)不可見管光路系統(tǒng)時(shí)將紅外感應(yīng)片貼近光闌觀察光斑是否位于光闌中央的精確度也受紅外感應(yīng)片與光闌平面角度的影響。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種使用方便可靠,可快速輔助調(diào)節(jié)激光光路的激光晶體消光比檢測(cè)用標(biāo)靶裝置。
[0005]—種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,包括底座,底座上設(shè)有導(dǎo)軌滑槽,底座上方設(shè)有水平位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái),垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有標(biāo)靶臺(tái),標(biāo)靶臺(tái)上設(shè)有標(biāo)靶和水準(zhǔn)泡,標(biāo)靶上設(shè)有十字形標(biāo)線。
[0006]優(yōu)選地,所述標(biāo)靶為倍頻片,倍頻片標(biāo)靶在調(diào)整不可見光光路時(shí)不受倍頻片平面與光路軸線切線所成角度影響。
[0007]優(yōu)選地,所述水準(zhǔn)泡設(shè)有刻度,精度為5'。高精度的水準(zhǔn)泡可以為調(diào)試員調(diào)試提供參考,使調(diào)試員快速發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,有利于提高調(diào)試員的工作效率。
[0008]本實(shí)用新型提供的一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,簡(jiǎn)單實(shí)用,不容易偏離準(zhǔn)線,可以幫助調(diào)試人員快速有效的調(diào)整好設(shè)備,減少工作量的同時(shí)提高了他們的工作效率,是一個(gè)非常棒的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置使用結(jié)構(gòu)示意圖;
[0010]圖2為本實(shí)用新型一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置的標(biāo)靶結(jié)構(gòu)示意圖;
[0011]圖3為本實(shí)用新型一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置的標(biāo)靶臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖1-3中,I為激光發(fā)射臺(tái),2為導(dǎo)軌,3為底座,4為水平位移調(diào)節(jié)臺(tái),5為垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái),6為水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái),7為標(biāo)靶臺(tái),8為標(biāo)靶,9為十字形標(biāo)線,10為水準(zhǔn)泡。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了更好的對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行闡述,下面將結(jié)合附圖作詳細(xì)說(shuō)明。
[0014]如圖1-3所示,一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,包括底座3,底座3上設(shè)有導(dǎo)軌滑槽,底座3上方設(shè)有水平位移調(diào)節(jié)臺(tái)4,水平位移調(diào)節(jié)臺(tái)4上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái)5,垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái)5上方設(shè)有水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái)6,水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái)6上方設(shè)有標(biāo)靶臺(tái)7,標(biāo)靶臺(tái)7上設(shè)有標(biāo)靶8和水準(zhǔn)泡10,標(biāo)靶7上設(shè)有十字形標(biāo)線9。標(biāo)靶8為倍頻片,水準(zhǔn)泡10設(shè)有刻度,精度為Y。
[0015]工作時(shí),激光發(fā)射機(jī)I發(fā)射激光,標(biāo)靶裝置在導(dǎo)軌2上滑動(dòng)到距離激光發(fā)射機(jī)I較近的位置,然后觀察水準(zhǔn)泡10以及調(diào)節(jié)各參數(shù),接著慢慢滑動(dòng)標(biāo)靶裝置,觀察光斑在標(biāo)靶8上的位置變化,作進(jìn)一步調(diào)整,直至標(biāo)靶裝置在導(dǎo)軌2各點(diǎn)位置上的光斑都符合要求時(shí),調(diào)試結(jié)束,接著做激光晶體消光比檢測(cè)試驗(yàn)。
[0016]上述【具體實(shí)施方式】不能認(rèn)為是對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步限定,本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本【實(shí)用新型內(nèi)容】作出的非實(shí)質(zhì)性改變均應(yīng)落入本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,包括底座,其特征在于:所述底座上設(shè)有導(dǎo)軌滑槽,底座上方設(shè)有水平位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái),垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有標(biāo)靶臺(tái),標(biāo)靶臺(tái)上設(shè)有標(biāo)靶和水準(zhǔn)泡,標(biāo)靶上設(shè)有十字形標(biāo)線。2.如權(quán)利要求1所述的一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,其特征在于:所述標(biāo)靶為倍頻片。3.如權(quán)利要求1所述的一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,其特征在于:所述水準(zhǔn)泡設(shè)有刻度,精度為Y。
【專利摘要】一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,包括底座,底座上設(shè)有導(dǎo)軌滑槽,底座上方設(shè)有水平位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái),垂直位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái),水平角位移調(diào)節(jié)臺(tái)上方設(shè)有標(biāo)靶臺(tái),標(biāo)靶臺(tái)上設(shè)有標(biāo)靶和水準(zhǔn)泡,標(biāo)靶上設(shè)有十字形標(biāo)線。本實(shí)用新型提供的一種用于激光晶體消光比檢測(cè)的標(biāo)靶裝置,簡(jiǎn)單實(shí)用,不容易偏離準(zhǔn)線,可以幫助調(diào)試人員快速有效的調(diào)整好設(shè)備,減少工作量的同時(shí)提高了他們的工作效率,是一個(gè)非常棒的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
【IPC分類】G01N21/01
【公開號(hào)】CN204855350
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520571374
【發(fā)明人】陳基平, 林星, 徐璐
【申請(qǐng)人】福建科彤光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月3日
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