體梳狀齒的數(shù)量與腐蝕薄弱部位的覆蓋面積有關(guān)。
[0123] 其中，每一個(gè)間距表示不同的腐蝕程度。由于在各個(gè)相鄰的梳狀齒金屬走線(xiàn)之間 存在電壓差，該電壓差使在相鄰的梳狀齒金屬走線(xiàn)之間產(chǎn)生電場(chǎng)，但由于電化學(xué)腐蝕的影 響，使得高壓對(duì)應(yīng)的金屬走線(xiàn)的離子向低壓對(duì)應(yīng)的金屬走線(xiàn)遷移，從而使得對(duì)插的梳狀電 極結(jié)構(gòu)的金屬走線(xiàn)兩個(gè)端點(diǎn)之間的電壓逐漸變小至某一預(yù)設(shè)值。梳狀齒的間距不同，對(duì)插 的梳狀電極結(jié)構(gòu)的金屬走線(xiàn)兩個(gè)端點(diǎn)之間的電壓逐漸變小至某一預(yù)設(shè)值的時(shí)間也不同。因 此可以根據(jù)對(duì)插的梳狀電極結(jié)構(gòu)的金屬走線(xiàn)兩個(gè)端點(diǎn)之間的電壓確定電化學(xué)腐蝕的時(shí)間， 從而確定電子設(shè)備的腐蝕失效壽命。
[0124] 獲取各個(gè)腐蝕功能檢測(cè)電路的對(duì)插的梳狀電極結(jié)構(gòu)的金屬走線(xiàn)兩端點(diǎn)之間的電 壓值，從而根據(jù)各個(gè)電壓值確定該電子設(shè)備的腐蝕失效壽命。
[0125] 第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，可以采用如圖3所示的腐蝕功能檢測(cè)電路（此結(jié)構(gòu)可 以稱(chēng)為阿基米德電路）來(lái)實(shí)現(xiàn)腐蝕程度的檢測(cè)。該腐蝕功能檢測(cè)電路包括：兩條阿基米德 螺旋形狀的金屬走線(xiàn)及電阻；其中一條阿基米德螺旋形狀金屬走線(xiàn)的最外圈的線(xiàn)端接地， 另一條阿基米德螺旋形狀金屬走線(xiàn)的最外圈的線(xiàn)端通過(guò)所述電阻連接所述電子設(shè)備，所述 兩條阿基米德螺旋形狀的金屬走線(xiàn)之間不相交。
[0126] 其中，可以是兩條金屬走線(xiàn)從最里圈到最外圈螺旋時(shí)按照預(yù)定的間距；還可以是 兩條金屬走線(xiàn)按照從間距H2到間距H1從最里圈到最外圈螺旋，如圖3所示。
[0127] 具體螺旋的圈數(shù)與腐蝕薄弱部位的覆蓋面積有關(guān)。即：覆蓋面積越大螺旋的圈數(shù) 越多。腐蝕薄弱部位可以連接多個(gè)該電化學(xué)腐蝕對(duì)應(yīng)的腐蝕功能檢測(cè)電路（阿基米德電 路），并且在各個(gè)腐蝕功能檢測(cè)電路的兩條金屬線(xiàn)之間的間距不同或者間距變化的范圍不 同。
[0128] 其中，每一個(gè)間距或者間距變化的范圍表示不同的腐蝕程度。由于在兩條金屬走 線(xiàn)之間存在電壓差，該電壓差使在相鄰的梳狀齒金屬走線(xiàn)之間產(chǎn)生電場(chǎng)，但由于電化學(xué)腐 蝕的影響，使得高壓對(duì)應(yīng)的金屬走線(xiàn)的離子向低壓對(duì)應(yīng)的金屬走線(xiàn)遷移，從而使得兩條金 屬走線(xiàn)之間的電壓逐漸變小至某一預(yù)設(shè)值。兩條技術(shù)走線(xiàn)之間的間距或者間距范圍不同 (例如H2~H1)不同，兩條金屬走線(xiàn)之間的電壓逐漸變小至某一預(yù)設(shè)值的時(shí)間也不同。因 此，還可以根據(jù)兩條金屬走線(xiàn)之間在最外圈的電壓，即檢測(cè)上述電阻與阿基米德螺旋金屬 走線(xiàn)相連的一端的電壓值，如圖3所示的監(jiān)測(cè)點(diǎn)，確定電化學(xué)腐蝕的時(shí)間，從而確定電子設(shè) 備的腐蝕失效壽命。
[0129] 可選的，可以提前制定電壓值、間距及腐蝕失效壽命的對(duì)照表。較佳的，提前制定 環(huán)境參量值與電壓值、間距及腐蝕失效壽命的對(duì)照表。如表1所示。
[0130] 在測(cè)量到對(duì)應(yīng)的走線(xiàn)間距的腐蝕功能檢測(cè)電路的電壓后，測(cè)量環(huán)境參量（如表1 所示的工作溫度、相對(duì)濕度及離子濃度），根據(jù)表格確定腐蝕失效壽命。
[0131] 第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，可以采用如圖4所示的腐蝕功能檢測(cè)電路（此結(jié)構(gòu)可 以稱(chēng)為阿基米德電路）來(lái)實(shí)現(xiàn)腐蝕程度的檢測(cè)。該腐蝕功能檢測(cè)電路包括：兩條阿基米德 螺旋形狀的金屬走線(xiàn)及TDR ;其中一條阿基米德螺旋形狀金屬走線(xiàn)的最外圈的線(xiàn)端接地， 另一條阿基米德螺旋形狀金屬走線(xiàn)的最外圈的線(xiàn)端通過(guò)所述TDR連接所述電子設(shè)備，所述 兩條阿基米德螺旋形狀的金屬走線(xiàn)之間不相交，且間距從最里圈至最外圈逐漸增大。
[0132] 利用如圖4所示的電化學(xué)腐蝕功能檢測(cè)電路實(shí)現(xiàn)腐蝕程度的檢測(cè)時(shí)：可以由TDR 發(fā)送一個(gè)尖脈沖，然后檢測(cè)反射的尖脈沖的位置來(lái)判斷腐蝕發(fā)生的情況。具體為：在該阿基 米德螺旋金屬走線(xiàn)未發(fā)生腐蝕的情況下脈沖會(huì)傳輸?shù)侥┒它c(diǎn)然后再反射回來(lái)；但是在阿基 米德螺旋金屬走線(xiàn)發(fā)生腐蝕后，可能會(huì)出現(xiàn)金屬走線(xiàn)發(fā)生斷路或者兩條金屬走線(xiàn)之間發(fā)生 短路的情況，在腐蝕點(diǎn)就有脈沖反射回來(lái)，其中，腐蝕點(diǎn)包括斷點(diǎn)和短路點(diǎn)。例如，如圖4所 示的腐蝕功能檢測(cè)電路中金屬走線(xiàn)出現(xiàn)的腐蝕點(diǎn)，脈沖傳輸?shù)皆摳g點(diǎn)后，有部分脈沖會(huì) 直接反射回來(lái)。如圖5所示，通過(guò)判斷脈沖反射點(diǎn)的位置來(lái)獲取發(fā)生腐蝕的腐蝕點(diǎn)所對(duì)應(yīng) 的間距H3,從而根據(jù)間距H3確定電子設(shè)備的腐蝕失效壽命。
[0133] 在制作阿基米德電路時(shí)，能夠確定金屬走線(xiàn)長(zhǎng)度，及走線(xiàn)間距范圍，從而根據(jù)接收 到反射點(diǎn)反射脈沖的時(shí)間及脈沖在金屬走線(xiàn)傳輸?shù)乃俾?，確定判定腐蝕發(fā)生的腐蝕點(diǎn)對(duì)應(yīng) 的間距，從而根據(jù)間距確定腐蝕失效壽命。
[0134] 例如：圖5中所示的脈沖反射時(shí)間為tl，可以預(yù)先確定脈沖在金屬走線(xiàn)中的傳輸 速率V，從而根據(jù)V*tl/2能夠確定腐蝕點(diǎn)，再根據(jù)制作阿基米德電路時(shí)確定的金屬走線(xiàn)長(zhǎng) 度和走線(xiàn)間距對(duì)應(yīng)的關(guān)系，確定腐蝕發(fā)生的腐蝕點(diǎn)對(duì)應(yīng)的間距，從而確定腐蝕失效壽命。
[0135] 利用圖4所示的腐蝕功能檢測(cè)電路（阿基米德電路），相比柵形PCB回轉(zhuǎn)電路，僅 需要一個(gè)電路就能實(shí)現(xiàn)多個(gè)不同間距的金屬柵線(xiàn)的柵形PCB回轉(zhuǎn)電路的檢測(cè)功能。
[0136] 當(dāng)所述腐蝕模式包括化學(xué)腐蝕時(shí)，化學(xué)腐蝕對(duì)應(yīng)的腐蝕功能檢測(cè)電路包括：抗化 學(xué)腐蝕電阻及普通電阻；所述普通電阻一側(cè)接地，另一側(cè)與所述抗化學(xué)腐蝕電阻相連；所 述抗化學(xué)腐蝕電阻一側(cè)與所述普通電阻相連，另一側(cè)連接所述電子設(shè)備。
[0137] 以硫化腐蝕為例，可以采用如圖6所示的腐蝕功能檢測(cè)電路。該腐蝕功能檢測(cè)電 路包括硫化電阻R1普通電阻）及抗硫化電阻R2。其中硫化電阻R1與抗硫化電阻R2相連， 一側(cè)接地，另一側(cè)與電子設(shè)備相連。
[0138] 通過(guò)測(cè)量該腐蝕功能檢測(cè)電路中普通電阻R1或者抗硫化電阻R2兩端的電壓值； 根據(jù)該普通電阻R1或者抗硫化電阻R2兩端的電壓值確定該硫化電阻的阻值變化，根據(jù)該 阻值的變化確定該電子設(shè)備的腐蝕時(shí)間；根據(jù)該電子設(shè)備的腐蝕時(shí)間，確定該電子設(shè)備的 腐蝕失效壽命。
[0139] 基于與上述方法實(shí)施例同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種腐蝕檢測(cè)裝 置，用于檢測(cè)電子設(shè)備的腐蝕情況，如圖9所示，該裝置包括處理器901和與處理器901連 接的存儲(chǔ)器902。
[0140] 所述存儲(chǔ)器902，用于存放程序。具體地，程序可以包括程序代碼，所述程序代碼包 括計(jì)算機(jī)操作指令。存儲(chǔ)器902可能包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory,簡(jiǎn)稱(chēng) RAM),也可能還包括非易失性存儲(chǔ)器（non-volatile memory),例如至少一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器。
[0141] 所述處理器901執(zhí)行所述存儲(chǔ)器902所存放的程序，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明圖1所示的電子 設(shè)備的腐蝕檢測(cè)方法，包括：
[0142] 獲取腐蝕功能檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果，所述腐蝕功能檢測(cè)電路連接在電子設(shè)備的腐 蝕薄弱部位；根據(jù)獲取到的檢測(cè)結(jié)果確定所述電子設(shè)備的腐蝕失效壽命。
[0143] 所述存儲(chǔ)器902還用于存儲(chǔ)所述腐蝕功能檢測(cè)電路與預(yù)先確定的腐蝕模式的對(duì) 應(yīng)關(guān)系；當(dāng)所述腐蝕模式為電化學(xué)腐蝕時(shí)，獲取腐蝕功能檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果，具體包括：
[0144] 獲取所述腐蝕功能檢測(cè)電路中對(duì)插的梳狀電極結(jié)構(gòu)的金屬走線(xiàn)兩端點(diǎn)之間的電 壓差；或者獲取所述腐蝕功能檢測(cè)電路中螺旋形狀的金屬走線(xiàn)兩端點(diǎn)之間的電壓差；或者 獲取連接在電子設(shè)備的腐蝕薄弱部位的所述腐蝕功能檢測(cè)電路中的時(shí)域反射計(jì)TDR檢測(cè) 到的螺旋形狀的金屬走線(xiàn)發(fā)生腐蝕的時(shí)間；
[0145] 所述存儲(chǔ)器902還用于存儲(chǔ)預(yù)定的電壓差與時(shí)間與腐蝕失效壽命的對(duì)應(yīng)關(guān)系。例 如：存儲(chǔ)提前制定的電壓值、間距及腐蝕失效壽命的對(duì)照表，如表1所示。
[0146] 根據(jù)獲取到的檢測(cè)結(jié)果確定所述電子設(shè)備的腐蝕失效壽命，具體包括：
[0147] 根據(jù)存儲(chǔ)器902存儲(chǔ)的所述電壓差或者所述時(shí)間與腐蝕失效壽命的對(duì)應(yīng)關(guān)系確 定所述電子設(shè)備的的腐蝕失效壽命。
[0148] 所述腐蝕功能檢測(cè)電路與預(yù)先確定的腐蝕模式相對(duì)應(yīng)；當(dāng)所述腐蝕模式為化學(xué)腐 蝕時(shí)，獲取腐蝕功能檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果，具體包括：
[0149] 獲取所述腐蝕功能檢測(cè)電路中普通電阻或者抗化學(xué)腐蝕電阻兩端的電壓值；
[0150] 所述存儲(chǔ)器902還用存儲(chǔ)普通電阻或者抗化學(xué)腐