導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置及增強(qiáng)方法
【專利說明】
[0001]技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置及增強(qiáng)方法。
[0002]【背景技術(shù)】:
目前現(xiàn)有的導(dǎo)引傳感器多為磁傳感器，由于制作工藝、體積和磁感應(yīng)元件的靈敏度限制，磁傳感器本身在相同的條件下的檢測距離為8mm，如果想加大檢測距離則器件工作非常不穩(wěn)定，而且隨著工作時(shí)間的增加，霍爾的溫度增加，導(dǎo)致霍爾出現(xiàn)溫漂，也是器件出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況。
[0003]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
本發(fā)明的目的是提供一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置及增強(qiáng)方法。
[0004]上述的目的通過以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，其組成包括:主控芯片，所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片、電源模塊、驅(qū)動(dòng)芯片、程序接口連接，所述的驅(qū)動(dòng)芯片與工作接口連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強(qiáng)塊。
[0005]所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，所述的電源模塊型號為L7805AC-V、所述的主控芯片型號為ATmega8L-8P1、所述的驅(qū)動(dòng)芯片型號為ULN2003、所述的霍爾芯片采用496b，所述的磁場加強(qiáng)塊為導(dǎo)磁性能好的超微晶材料壓鑄塊，所述的磁場加強(qiáng)塊尺寸為2mmx3mmxl2mm0
[0006]所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置的增強(qiáng)方法，采用超微晶材料，利用粉末壓鑄工藝將超微晶粉末按照要求的尺寸2_x3_xl2mm壓鑄成型磁場加強(qiáng)塊，采用超微晶強(qiáng)力導(dǎo)磁材料做成的一體磁場加強(qiáng)塊安裝在霍爾芯片上方，以增加霍爾的靈敏度和測量距離，霍爾芯片檢測磁場，將信號傳送給主控芯片，主控芯片經(jīng)過解析將信號傳給驅(qū)動(dòng)芯片，經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片放大信號后通過工作接口送出；工作接口中的電源通過電源模塊將電源進(jìn)行變壓然后將DC10v-DC15v轉(zhuǎn)換為DC5v電源供工作芯片，驅(qū)動(dòng)芯片，霍爾芯片工作，磁場加強(qiáng)塊在工作中將原件工作產(chǎn)生的溫度導(dǎo)出，使原件減少溫度增加的影響。
[0007]本發(fā)明的有益效果:
1.本發(fā)明不改變原傳感器的工作模式，而讓探測磁條的檢測距離大幅度增加，并且工作更加穩(wěn)定，通過在磁感應(yīng)元件(霍爾器件)上方增加加強(qiáng)塊，增強(qiáng)磁感應(yīng)元件(霍爾器件)的檢測距離，此結(jié)構(gòu)簡單可靠，能夠大幅度增加檢測距離。
[0008]本發(fā)明采用超微晶強(qiáng)力導(dǎo)磁材料做成的一體磁場加強(qiáng)塊安裝在霍爾芯片上方，以增加霍爾的靈敏度和測量距離，并且磁場加強(qiáng)塊可以將原件工作產(chǎn)生的溫度導(dǎo)出，使原件減少溫度增加的影響，超微晶材料，利用粉末壓鑄工藝將超微晶粉末按照要求的尺寸(2mmx3mmxl2mm)壓鑄成型，可有效增加增強(qiáng)強(qiáng)度。
[0009]【附圖說明】:
附圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]附圖2是本發(fā)明電路圖。
[0011]【具體實(shí)施方式】: 實(shí)施例1:
一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，其組成包括:主控芯片2，所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片1、電源模塊3、驅(qū)動(dòng)芯片4、程序接口 6連接，所述的驅(qū)動(dòng)芯片與工作接口 5連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強(qiáng)塊7。
[0012]實(shí)施例2:
根據(jù)實(shí)施例1所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，所述的電源模塊型號為L7805AC-V、所述的主控芯片型號為ATmega8L-8P1、所述的驅(qū)動(dòng)芯片型號為ULN2003、所述的霍爾芯片采用496b，所述的磁場加強(qiáng)塊為導(dǎo)磁性能好的超微晶材料壓鑄塊，所述的磁場加強(qiáng)塊尺寸為 2mmx3mmxl2mm0
[0013]利用所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置的增強(qiáng)方法，采用超微晶材料，利用粉末壓鑄工藝將超微晶粉末按照要求的尺寸2_x3_xl2mm壓鑄成型磁場加強(qiáng)塊，采用超微晶強(qiáng)力導(dǎo)磁材料做成的一體磁場加強(qiáng)塊安裝在霍爾芯片上方，以增加霍爾的靈敏度和測量距離，霍爾芯片檢測磁場，將信號傳送給主控芯片，主控芯片經(jīng)過解析將信號傳給驅(qū)動(dòng)芯片，經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片放大信號后通過工作接口送出；工作接口中的電源通過電源模塊將電源進(jìn)行變壓然后將DC10v-DC15v轉(zhuǎn)換為DC5v電源供工作芯片，驅(qū)動(dòng)芯片，霍爾芯片工作，磁場加強(qiáng)塊在工作中將原件工作產(chǎn)生的溫度導(dǎo)出，使原件減少溫度增加的影響。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，其組成包括:主控芯片，其特征是:所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片、電源模塊、驅(qū)動(dòng)芯片、程序接口連接，所述的驅(qū)動(dòng)芯片與工作接口連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強(qiáng)塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，其特征是:所述的電源模塊型號為L7805AC-V、所述的主控芯片型號為ATmega8L-8P1、所述的驅(qū)動(dòng)芯片型號為ULN2003、所述的霍爾芯片采用496b，所述的磁場加強(qiáng)塊為導(dǎo)磁性能好的超微晶材料壓鑄塊，所述的磁場加強(qiáng)塊尺寸為2mmx3mmxl2mm0
3.一種利用權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置的增強(qiáng)方法，其特征是:采用超微晶材料，利用粉末壓鑄工藝將超微晶粉末按照要求的尺寸2mmX3mmX12mm壓鑄成型磁場加強(qiáng)塊，采用超微晶強(qiáng)力導(dǎo)磁材料做成的一體磁場加強(qiáng)塊安裝在霍爾芯片上方，以增加霍爾的靈敏度和測量距離，霍爾芯片檢測磁場，將信號傳送給主控芯片，主控芯片經(jīng)過解析將信號傳給驅(qū)動(dòng)芯片，經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片放大信號后通過工作接口送出；工作接口中的電源通過電源模塊將電源進(jìn)行變壓然后將DC10v-DC15v轉(zhuǎn)換為DC5v電源供工作芯片，驅(qū)動(dòng)芯片，霍爾芯片工作，磁場加強(qiáng)塊在工作中將原件工作產(chǎn)生的溫度導(dǎo)出，使原件減少溫度增加的影響。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置。目前現(xiàn)有的導(dǎo)引傳感器多為磁傳感器，由于制作工藝、體積和磁感應(yīng)元件的靈敏度限制，磁傳感器本身在相同的條件下的檢測距離為8mm，如果想加大檢測距離則器件工作非常不穩(wěn)定，而且隨著工作時(shí)間的增加，霍爾的溫度增加，導(dǎo)致霍爾出現(xiàn)溫漂，也是器件出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況。一種導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置，其組成包括：主控芯片（2），所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片（1）、電源模塊（3）、驅(qū)動(dòng)芯片（4）、程序接口（6）連接，所述的驅(qū)動(dòng)芯片與工作接口（5）連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強(qiáng)塊（7）。本發(fā)明應(yīng)用于導(dǎo)引傳感器磁通量增強(qiáng)裝置。
【IPC分類】G01R33-07
【公開號】CN104635182
【申請?zhí)枴緾N201510094163
【發(fā)明人】李繼征, 曹倩
【申請人】哈爾濱萬和機(jī)電科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年3月3日