本發(fā)明涉及醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種環(huán)形器機(jī)箱及環(huán)形器組件。

背景技術(shù)：

磁共振射頻發(fā)射裝置通常包括射頻信號產(chǎn)生裝置，射頻功率放大器和磁共振天線。射頻信號產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的射頻信號經(jīng)過射頻功率放大器放大后，經(jīng)由磁共振天線發(fā)射。

磁共振天線的端子和磁共振射頻功率放大器之間通常接入一個(gè)環(huán)行器，該環(huán)行器也可以集成在射頻功率放大器機(jī)箱內(nèi)，該環(huán)行器能夠?qū)碜苑糯笃鞯陌l(fā)射功率幾乎無損的傳輸給磁共振天線，而反射功率則達(dá)到環(huán)行器的第三個(gè)輸出端，在第三個(gè)輸出端發(fā)射功率可以轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃?。理想的環(huán)行器應(yīng)能在某一個(gè)方向上將信號無衰減無反射的從一個(gè)端子傳輸?shù)搅硪粋€(gè)端子。為了獲得盡可能理想的環(huán)行器，關(guān)鍵在于找到正確的工作點(diǎn)，尤其是理想的工作磁場。已知的環(huán)行器需要通過永久磁體形成具有一定大小的靜態(tài)磁場。由于磁場對環(huán)行器工作點(diǎn)的影響，通常用導(dǎo)磁性能特別好的器件將磁場連成一個(gè)磁回路，以便盡可能避免散射耗散。

然而，請參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中典型的環(huán)形器結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的兩磁場材料102及位于兩磁場材料102之間的上支撐組件103、微波鐵氧體和傳輸線104及下支撐組件105，其中兩磁場材料102分別安裝在上支撐組件103與下支撐組件105的相悖的兩側(cè)，微波鐵氧體和傳輸線104嵌在下支撐組件105內(nèi)，上支撐組件103與下支撐組件105的相對的兩面貼合并例如通過螺釘固定在一起。用于安裝該環(huán)形器的機(jī)箱內(nèi)會(huì)形成第一磁場區(qū)域、第二磁場區(qū)域及第三磁場區(qū)域，其中第一磁場區(qū)域與第二磁區(qū)域由磁場材料102的磁通沿著垂直于磁場材料102所在的平面的方向向外發(fā)散形成，也就是說第一磁場區(qū)域與第二磁場區(qū)域位于環(huán)形器的兩端且第一磁場區(qū)域的發(fā)散方向與第二磁場區(qū)域的發(fā)散方向相反且垂直于磁場材料102所在平面，第三磁場區(qū)域?yàn)榄h(huán)形器的磁通向側(cè)部發(fā)散形成，根據(jù)磁通的分布可知，第一磁場區(qū)域的磁場強(qiáng)度與第二磁場區(qū)域的磁場強(qiáng)度相對較強(qiáng)，而第三磁場區(qū)域的磁場強(qiáng)度較弱。由于第一磁場區(qū)域的磁場強(qiáng)度與第二磁場區(qū)域的磁場強(qiáng)度相對較強(qiáng)，第一磁場區(qū)域與第二磁場區(qū)域的磁場內(nèi)仍然會(huì)有部分磁通會(huì)沿著對應(yīng)的發(fā)散方向發(fā)散到環(huán)行器結(jié)構(gòu)以外，從環(huán)形器機(jī)箱泄露出去，這種現(xiàn)象被稱為環(huán)形器漏磁，環(huán)形器漏磁后，靠近環(huán)行器附近的鐵磁環(huán)境變化，會(huì)導(dǎo)致環(huán)行器鐵氧體區(qū)域的磁場偏離最佳工作磁場，甚至使環(huán)行器失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種環(huán)形器機(jī)箱，以解決現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)形器機(jī)箱在安裝環(huán)形器后，環(huán)形器存在漏磁較大的問題。

本發(fā)明提供一種環(huán)形器機(jī)箱，包括用于安裝環(huán)形器的殼體，所述機(jī)箱內(nèi)形成磁場強(qiáng)度相對較強(qiáng)的磁場區(qū)域，所述殼體上設(shè)有用于防止所述磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿所述磁通發(fā)散方向從所述殼體內(nèi)泄露出去的磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述磁場區(qū)域包括第一磁場區(qū)域及第二磁場區(qū)域，所述第一磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿著第一方向發(fā)散，所述第二磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿著第二方向發(fā)散，所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)用于防止所述第一磁場區(qū)域內(nèi)的磁通及所述第二磁場區(qū)域內(nèi)的磁通，對應(yīng)沿著所述第一方向及所述第二方向從所述殼體內(nèi)泄漏出去。

進(jìn)一步地，所述殼體包括底板及與所述底板相對的頂板，所述第一方向朝向所述頂板，所述第二方向朝向所述底板，所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述底板與所述頂板上。

進(jìn)一步地，所述底板和/或所述頂板由磁屏蔽材料制成以形成所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)，或者所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)為固定在所述底板和/或所述頂板上的磁屏蔽板。

進(jìn)一步地，所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)為固定在所述底板上的磁屏蔽板，所述底板設(shè)有環(huán)形器安裝區(qū)，所述磁屏蔽板正對所述環(huán)形器安裝區(qū)，并且所述磁屏蔽板的尺寸大于所述環(huán)形器在所述底板上的投影的尺寸。

進(jìn)一步地，所述磁屏蔽板的厚度在1mm～2mm之間，并且所述磁屏蔽板的朝向所述環(huán)形器的面到所述環(huán)形器的垂直距離至少為所述磁屏蔽板的厚度的兩倍。

進(jìn)一步地，所述頂板由磁屏蔽材料制成以形成所述磁屏蔽結(jié)構(gòu)，所述頂板的厚度在1mm～2mm之間，所述頂板的朝向所述環(huán)形器的面到所述環(huán)形器的垂直距離至少為所述頂板的厚度的兩倍。

進(jìn)一步地，所述殼體還包括連接所述底板及所述頂板的側(cè)板，所述環(huán)形器還包括磁場強(qiáng)度相對較弱的第三磁場區(qū)域，所述第三磁場區(qū)域內(nèi)的磁通朝向所述側(cè)板所在的方向發(fā)散，所述側(cè)板的位于所述環(huán)形器的漏磁覆蓋范圍內(nèi)的部分由磁屏蔽材料制成。

本發(fā)明還提供一種環(huán)形器組件，包括：環(huán)行器、殼體，所述環(huán)行器包括沿上下方向相對布置的上、下磁場材料，且所述殼體包括頂板、底板及側(cè)板，所述頂板位于上磁場材料的上方，且頂板與上磁場材料間隔設(shè)置，所述底板位于下磁場材料的下方，且底板與下磁場材料間隔設(shè)置，所述頂板/底板由磁屏蔽材料制成或者所述頂板/底板上與環(huán)形器對應(yīng)的位置設(shè)有磁屏蔽板。

進(jìn)一步地，所述側(cè)板上設(shè)有數(shù)個(gè)連接端，且該數(shù)個(gè)連接端與環(huán)行器通過線纜連接。

本發(fā)明的環(huán)形器機(jī)箱及環(huán)形器組件，殼體上設(shè)有用于防止環(huán)形器的較強(qiáng)磁場區(qū)域內(nèi)的磁通，沿著磁通發(fā)散方向從所述殼體內(nèi)泄露出去的磁屏蔽結(jié)構(gòu)，可以避免環(huán)形器機(jī)箱在安裝環(huán)形器后環(huán)形器漏磁較大的問題，從而解決因?yàn)榄h(huán)形器漏磁較大，靠近環(huán)行器附近的鐵磁環(huán)境變化，所導(dǎo)致環(huán)行器鐵氧體區(qū)域的磁場偏離最佳工作磁場甚至使環(huán)行器失效的問題。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)形器的分解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的環(huán)形器機(jī)箱的立體結(jié)構(gòu)圖。

圖3是圖2的另一方向的立體結(jié)構(gòu)圖。

圖4是圖2的仰視圖，圖4未示出設(shè)在底板上的磁屏蔽板。

圖5是圖3中的環(huán)形器機(jī)箱去掉側(cè)板后的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖2-5，本發(fā)明實(shí)施例提供一種環(huán)形器機(jī)箱，包括殼體100，殼體100內(nèi)安裝有環(huán)形器5，可以理解的是，環(huán)形器5為本領(lǐng)域典型環(huán)形器，包括磁場強(qiáng)度相對較強(qiáng)的磁場區(qū)域，所述殼體100上設(shè)有用于防止所述磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿所述磁通發(fā)散方向從所述殼體內(nèi)泄露出去的磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，該磁場強(qiáng)度相對較強(qiáng)的磁場區(qū)域包括第一磁場區(qū)域及第二磁場區(qū)域，第一磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿著第一方向發(fā)散，第二磁場區(qū)域內(nèi)的磁通沿著第二方向發(fā)散，磁屏蔽結(jié)構(gòu)用于防止第一磁場區(qū)域內(nèi)的磁通及第二磁場區(qū)域內(nèi)的磁通，對應(yīng)沿著第一方向及第二方向從殼體100內(nèi)泄漏出去。

具體地，在本實(shí)施例中，殼體100包括底板1及與底板1相對的頂板2，第一方向朝向殼體100的頂板2，第二方向朝向底板1，磁屏蔽結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在底板1及頂板2上。

設(shè)于頂板2上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為頂板2，頂板2由磁屏蔽材料制成，或者設(shè)于頂板2上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為磁屏蔽板。在本實(shí)施例中，頂板2由磁屏蔽材料制成，具有磁屏蔽功能，也就說頂板2為磁屏蔽結(jié)構(gòu)，這樣可以增大磁屏蔽效果，優(yōu)選地，頂板2由spcc材料(冷軋鋼板)制成，spcc材料(冷軋鋼板)具有較好的剛性以及磁屏蔽效果，在保證頂板2具有較好的磁屏蔽功能的前提下，可以減少頂板2的厚度，在其他實(shí)施例中，磁屏蔽材料可以為硅鋼等。在其他實(shí)施例中，設(shè)于頂板2上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為磁屏蔽板，該結(jié)構(gòu)與底板1上設(shè)置磁屏蔽板6的結(jié)構(gòu)相同，詳見下述。

設(shè)于底板1上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為底板1，底板1由磁屏蔽材料制成，或者設(shè)于底板1上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為磁屏蔽板6。在本實(shí)施例中，設(shè)于底板1上的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為磁屏蔽板6，底板1由散熱材料例如鋁制成，可以使得底板1具有較散熱效果，磁屏蔽板6由spcc材料(冷軋鋼板)制成，spcc材料(冷軋鋼板)具有較好的剛性以及磁屏蔽效果，在保證磁屏蔽板6具有較好的磁屏蔽功能的前提下，可以減少磁屏蔽板6的厚度，在其他實(shí)施例中，磁屏蔽材料可以為硅鋼等。環(huán)形器5安裝在殼體100的底板1上，底板1上設(shè)有環(huán)形器安裝區(qū)，環(huán)形器5安裝在環(huán)形器安裝區(qū)。磁屏蔽板6正對環(huán)形器安裝區(qū)設(shè)置，并且磁屏蔽板6的尺寸大于環(huán)形器5在底板1上的投影的尺寸，以有效防止環(huán)形器5從環(huán)形器機(jī)箱的底部漏磁。

在本實(shí)施例中，電磁屏蔽板6正對環(huán)形器安裝區(qū)域設(shè)有開口7，磁屏蔽板6蓋合開口7并固定在底板1的底面上。具體地，磁屏蔽板6可以通過螺釘?shù)裙潭i固在底板1的底面上，在其他實(shí)施例中，磁屏蔽板6也可以通過焊接的方式焊接在底板1的底面上。

在本實(shí)施例中，磁屏蔽板6的厚度在1mm～2mm之間，磁屏蔽板6的厚度優(yōu)選1.5mm，并且磁屏蔽板6的朝向環(huán)形器5的面到環(huán)形器5的垂直距離至少為磁屏蔽板6的厚度的三倍，以有效防止環(huán)形器5從環(huán)形器機(jī)箱的底部漏磁，并且可以有效節(jié)省材料，降低成本，另外可以防止磁屏蔽板6的結(jié)構(gòu)或安裝誤差造成環(huán)形器磁屏蔽效果不一致。

在本實(shí)施例中，頂板2的厚度在1mm～2mm之間，頂板2的厚度優(yōu)選1.5mm，并且頂板2的朝向環(huán)形器5的面到環(huán)形器5的垂直距離至少為頂板2的厚度的三倍，以有效防止環(huán)形器5從環(huán)形器機(jī)箱的頂部漏磁，并且可以有效節(jié)省材料，降低成本，另外可以防止磁屏蔽板6的結(jié)構(gòu)或安裝誤差造成環(huán)形器磁屏蔽效果不一致。

環(huán)形器5還包括磁場強(qiáng)度相對較弱的第三磁場區(qū)域，殼體100還包括連接頂板1與底板2的側(cè)板3，為了防止環(huán)形器5從環(huán)形器機(jī)箱的側(cè)部漏磁，側(cè)板3位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍外側(cè)，環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍可以通過仿真或者測試得到。此時(shí)，側(cè)板3的材料可以由散熱材料例如鋁合金材料制成，以利于環(huán)形器機(jī)箱內(nèi)安裝的電子元件散熱。

當(dāng)然，基于成本或者設(shè)計(jì)誤差方面的考慮，側(cè)板3也可能出現(xiàn)部分或者全部位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍內(nèi)的情況，此時(shí)，側(cè)板3的位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍內(nèi)的部分由磁屏蔽材料制成，以防止環(huán)形器5從環(huán)形器機(jī)箱的側(cè)部漏磁，側(cè)板3位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍外側(cè)的部分由散熱材料例如鋁合金材料制成，以便于環(huán)形器機(jī)箱內(nèi)的電子元件散熱?？梢岳斫獾氖牵瑐?cè)板3的位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍內(nèi)的部分由spcc材料(冷軋鋼板)制成，spcc材料(冷軋鋼板)具有較好的剛性以及磁屏蔽效果，在保證側(cè)板3具有較好的磁屏蔽功能的前提下，可以減少側(cè)板3的厚度，在其他實(shí)施例中，磁屏蔽材料可以為硅鋼等。

具體地，在本實(shí)施例中，環(huán)形器機(jī)箱呈長方體狀，相應(yīng)地，側(cè)板3包括首尾依次連接的前側(cè)板、后側(cè)板、左側(cè)板及右側(cè)板，例如前側(cè)板位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍內(nèi)，其他的幾塊板位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍外側(cè)，位于環(huán)形器5的漏磁覆蓋范圍外側(cè)的這幾塊板可以由散熱材料例如鋁合金材料制成?？梢岳斫獾氖?，環(huán)形器機(jī)箱的形狀不限，環(huán)形器機(jī)箱可以呈圓柱狀、圓臺狀等，側(cè)板3相應(yīng)設(shè)置成上環(huán)形器機(jī)箱的形狀即可，側(cè)板3在材質(zhì)上的選擇的原則與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

上述實(shí)施例中，磁屏蔽板6、側(cè)板3中用于防止環(huán)形器5漏磁的部分以及頂板2均由鐵鎳合金制成，在其他實(shí)施例中，磁屏蔽板6、側(cè)板3中用于防止環(huán)形器5漏磁的部分以及頂板2也可以由其他類型的磁屏蔽材料制成。

本發(fā)明還提供了一種環(huán)形器組件，包括：環(huán)行器5、殼體100，環(huán)行器5包括沿上下方向相對布置的上、下磁場材料，且殼體100包括頂板2、底板1、側(cè)板3，頂板2位于上磁場材料的上方，且頂板2與上磁場材料間隔設(shè)置，底板1位于下磁場材料的下方，且底板1與下磁場材料間隔設(shè)置，頂板2/底板1由磁屏蔽材料制成或者頂板2/底板1上與環(huán)形器5對應(yīng)的位置設(shè)有磁屏蔽板。

進(jìn)一步地，側(cè)板3可以包括前側(cè)板、后側(cè)板、左側(cè)板、右側(cè)板中的一個(gè)或多個(gè)，即并不限定環(huán)形器殼體100為封閉結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，側(cè)板3上設(shè)有數(shù)個(gè)連接端，且該數(shù)個(gè)連接端與環(huán)行器通過線纜連接，以分別實(shí)現(xiàn)環(huán)形器與射頻功率放大器放大器和天線的連接。

本發(fā)明還提供一種環(huán)形器組件，包括環(huán)行器5及殼體100，所述環(huán)行器5包括沿上下方向相對布置的上、下磁場材料，且所述殼體100包括頂板2、底板1及側(cè)板3，所述頂板2位于上磁場材料的上方，且頂板2與上磁場材料間隔設(shè)置，所述底板1位于下磁場材料的下方，且底板1與下磁場材料間隔設(shè)置，所述頂板2/底板1由磁屏蔽材料制成或者所述頂板2/底板1上與環(huán)形器5對應(yīng)的位置設(shè)有磁屏蔽板。

進(jìn)一步地，所述側(cè)板3上設(shè)有數(shù)個(gè)連接端，且該數(shù)個(gè)連接端與環(huán)行器通過線纜連接。

本發(fā)明的環(huán)形器機(jī)箱及環(huán)形器組件，殼體100上設(shè)有用于防止環(huán)形器5的較強(qiáng)磁場區(qū)域內(nèi)的磁通，沿著磁通發(fā)散方向從所述殼體100內(nèi)泄露出去的磁屏蔽結(jié)構(gòu)，可以避免環(huán)形器機(jī)箱在安裝環(huán)形器5后環(huán)形器5漏磁較大的問題，從而解決因?yàn)榄h(huán)形器漏磁較大，靠近環(huán)行器附近的鐵磁環(huán)境變化，所導(dǎo)致環(huán)行器鐵氧體區(qū)域的磁場偏離最佳工作磁場甚至使環(huán)行器失效的問題。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。