本發(fā)明屬于電氣工程領域,特別涉及一種gis設備x射線檢測參數(shù)選取方法。
背景技術:
sf6氣體絕緣全封閉組合電器(gasinsulatedswitchgear,gis)是電力系統(tǒng)的重要組成部分,具有可靠性高、占地面積小、不受外界環(huán)境干擾等優(yōu)點,廣泛應用于超高壓及特高壓領域。利用x射線對gis設備進行故障檢測是一種全新的檢測手段,在實際對gis設備進行檢修的過程中可以有效地發(fā)現(xiàn)金屬微粒、零件脫落等一系列故障,已有較多成功應用案例。
然而gis設備為同軸圓筒結構,屬于變截面工件,對定向x射線機來說,其透照厚度在有效透照區(qū)域內(nèi)連續(xù)變化并變化劇烈,加之gis設備罐體直徑較大,不能直接視為小徑管進行透照?,F(xiàn)階段x射線的透照參數(shù)主要通過操作人員的經(jīng)驗進行選擇,利用選擇的參數(shù)進行透照之后,根據(jù)透照結果進行參數(shù)調(diào)整?,F(xiàn)有參數(shù)選擇方法在現(xiàn)場檢測過程中存在偏差較大,檢測效率較低的問題。
現(xiàn)階段x射線檢測參數(shù)選取方法主要針對直徑小于100mm的小直徑管,檢測目標為小直徑管對接焊縫。由于對小直徑管進行x射線檢測時,選取的焦距遠遠大于管直徑,因此可以認為射線束平行照射小直徑管。然而gis設備內(nèi)部結構復雜,且對于高電壓等級的gis設備,罐體的直徑將遠遠大于100mm,射線束不能認為是平行照射gis設備,因此適用于小直徑管的參數(shù)選擇方法將難以適用于gis設備x射線檢測。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種gis設備x射線檢測參數(shù)選取方法,可以對gis設備x射線檢測所需的參數(shù)進行快速選擇,減少由于經(jīng)驗判斷導致的參數(shù)選擇偏差問題;有效提高檢測效率和穩(wěn)定性。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術方案:
一種gis設備x射線檢測參數(shù)確定方法,包括以下步驟:
步驟一、焦距確定:采集x射線機焦點尺寸d和gis設備外壁半徑r外壁;根據(jù)x射線機焦點尺寸d和gis設備外壁半徑r外壁確定焦距f;
步驟二、管電壓確定:根據(jù)gis設備的結構和尺寸確定x射線機使用的管電壓;
步驟三,管電流確定:根據(jù)x射線機管電壓和管電流間的特性曲線,選取步驟二確定管電壓所對對應的管電流;
步驟四、曝光時間確定:根據(jù)曝光曲線或者根據(jù)選定的黑度和管電壓確定曝光時間。
進一步的,焦距
進一步的,對于x射線機采用a級射線檢測技術,
進一步的,步驟二中管電壓u的范圍為:管電壓最小值umin≤u≤管電壓最大值umax;
管電壓最小值umin選擇原則:將x射線機焦點視為理想點源,計算各個角度上穿透gis設備的厚度,并求取平均值,獲得gis設備的外殼的平均厚度;選擇所獲得gis設備的外殼的平均厚度下的最大許用管電壓作為管電壓最小值umin;
管電壓最大值umax選擇原則:管電壓最大值保證x射線能夠穿透gis設備的外殼以及內(nèi)部結構,將所需拍攝的細節(jié)部位的最厚結構取出,選擇最厚結構的厚度下的最大許用管電壓作為管電壓最大值umax。
進一步的,u=(umin+umax)/2。
進一步的,步驟四中根據(jù)選定的黑度和管電壓確定曝光時間,具體為:根據(jù)選定的黑度和管電壓對曝光量a進行選擇,曝光量為管電流和曝光時間的乘積,即a=i·t,通過曝光量和管電流對曝光時間進行確定。
本發(fā)明焦距選擇的原則與jb/t4730.2-2005中所規(guī)定的選擇方法一致,即對于a級射線檢測技術,
管電壓選擇的原則與gis設備的結構和尺寸相關,這是由不同材料的密度和對x射線的衰減能力存在差異造成的。jb4730.2給出了對不同材料進行x射線檢測時,使成像結果灰度合適所允許使用的最大管電壓(即最大許用管電壓)與材料厚度之間的關系,因此管電壓選擇的核心為計算gis設備的等效厚度。
考慮到gis設備主要為同軸圓筒結構,其結構可以簡化為兩類情況:即,圓筒狀外壁+實心棒狀中心導體和圓筒狀外壁+空心棒狀中心導體。因此通過數(shù)值計算可以獲得兩類情況下的等效壁厚。為了使成像結果具有較高的對比度,管電壓不能過大導致曝光過度;也不能過小,導致整體灰度偏暗,因此本發(fā)明選擇管電壓最小值umin和最大值umax的平均值作為管電壓。
(1)管電壓最小值umin選擇原則:由于沒有考慮gis設備內(nèi)部的其他結構,以能夠穿透gis外殼的x射線能量作為管電壓最小值的選擇標準,以獲得gis設備內(nèi)部基本布置情況。因此可以將gis設備的罐體視為管件,對其進行等效壁厚計算。其計算原理為將x射線機焦點視為理想點源,計算各個角度上穿透gis設備的厚度,并求取平均值,即獲得gis設備的外殼的平均厚度。由于gis設備厚度在有效透照厚度范圍內(nèi)變化劇烈,因此選擇該平均厚度下的最大許用管電壓作為管電壓最小值umin;
(2)管電壓最大值umax選擇原則:管電壓最大值應該保證x射線能夠穿透gis設備的外殼以及內(nèi)部結構,將所需拍攝的細節(jié)部位的最厚結構取出,選擇該厚度下的最大許用管電壓作為管電壓最大值umax。例如,對于gis斷路器結構,x射線檢測動靜觸頭的分合情況時,管電壓最大值即應當由觸頭最厚部分決定。
在實際檢測過程中,針對不同的缺陷情況,可以有針對性地選取管電壓最小值umin和管電壓最大值umax之間的任意值作為管電壓。例如,對于gis設備內(nèi)部的金屬微粒缺陷,由于這種缺陷往往位于gis設備的底部附近,因此選用管電壓最小值就已經(jīng)可以獲得較為清晰的缺陷圖譜。但是對于缺陷尚未明確的gis設備,為獲得較為理想的成像效果,管電壓可以選取為u=(umin+umax)/2。
管電流選擇的原則與x射線機的特性曲線有關,可以在選擇管電壓后根據(jù)其特性曲線進行選擇。
曝光時間的選擇原則與x射線機的曝光曲線有關,可以根據(jù)選定的黑度和管電壓對曝光量a進行選擇,而曝光量為管電流和曝光時間的乘積,即a=i·t,因此可以對曝光時間進行確定。
對小直徑管適用的等效透照厚度公式為:
式中,t為壁厚;r為管壁內(nèi)徑;r為管壁外徑。
以一個126kv隔離開關為例,其罐體外壁半徑為270mm,內(nèi)壁半徑為262mm,內(nèi)部導體半徑為35mm。
就罐體等效壁厚進行計算:
根據(jù)文獻中的結論,等效厚度為te=24.76mm。
利用數(shù)值計算方法計算,依據(jù)b級射線檢測技術進行焦距選取,焦點尺寸為1mm,得焦距至少為896.6mm,數(shù)值計算得等效厚度為te=25.15mm。
從上面兩個結果可以看出,兩者算出的壁厚差異不大。
但是對于內(nèi)部存在其他部件時,數(shù)值計算可以獲得等效厚度為te=32.05mm,據(jù)圖2可知最小管電壓為110kv。最大厚度出現(xiàn)在正對方向上,厚度為t=86mm,據(jù)圖2可知最大管電壓為160kv。因此選取管電壓為u=135kv。相當于等效厚度為teq=52mm。等效厚度關系圖見圖3。拍攝出的結果相對清晰,見圖4。
相對于現(xiàn)有技術,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明提供一種gis設備x射線檢測參數(shù)選取方法,能夠?qū)is設備x射線檢測所需的參數(shù)進行快速選擇,減少由于經(jīng)驗判斷導致的參數(shù)選擇偏差問題;有效提高檢測效率和穩(wěn)定性;通過本發(fā)明規(guī)范了gis設備現(xiàn)場x射線檢測流程,減少重復拍攝次數(shù),提高檢測的工作效率,降低操作人員接受的x射線輻射劑量。
附圖說明
圖1為gis設備x射線檢測中的布置情況,1為x射線機的焦點,2為被檢測的設備,3為成像板。d為x射線機焦點尺寸,f為透照距離,即x射線機焦點至被檢測設備之間的距離,f為焦距,即x射線機焦點至成像板之間的距離,ug為幾何不清晰度。
圖2為jb4730.2中對最大許用管電壓的規(guī)定。
圖3為gis設備等效厚度關系。
圖4為126kv隔離開關拍攝結果。
圖5為126kv避雷器拍攝結果。
具體實施方式
就一具體gis檢測流程為例,表述一種gis設備x射線檢測參數(shù)選取方法,使用焦點尺寸為1mm的x射線機進行實驗。
被檢測的gis設備為一126kv避雷器。
首先根據(jù)相關圖紙和現(xiàn)場測量對gis設備的基本參數(shù)進行確定。具體包括筒壁內(nèi)、外直徑、筒壁材質(zhì),內(nèi)部結構類型、材質(zhì)和相應尺寸。對本例中的126kv避雷器,其結構參數(shù)為筒壁外直徑為680mm,內(nèi)直徑為660mm,中心導體直徑為70mm,材質(zhì)均為鋁合金,其他部分由于對x射線衰減能力有限,因此忽略其影響;
其次,對焦距進行確定。根據(jù)方法中的公式,焦距的選擇范圍為
可選擇焦距為1100mm。
再次,對管電壓進行確定,根據(jù)程序可以計算:
等效壁厚計算程序(matlab文件)
檢根函數(shù):
圓柱厚度計算
空心圓柱厚度計算
等效壁厚計算例
gis設備筒壁的等效壁厚為31.474mm,最大許用管電壓為109kv左右,即管電壓最小值選為109kv;考慮內(nèi)部結構,穿透中心導體和兩層筒壁的厚度為90mm,最大許用管電壓為163kv左右,即管電壓最大值選為163kv。故取平均值后,管電壓可以選為140kv。
之后對管電流進行確定,根據(jù)x射線機的特性曲線,可知其在管電壓為140kv時,管電流最大可以達到6ma,為了減少過流對燈絲造成的影響,選擇5ma作為應用的管電流。
最后對曝光時間進行確定,根據(jù)曝光曲線,確定2-3ma·min為一個較為合適的曝光量,可取曝光時間為40s。
拍攝結果如圖5所示。
此拍攝結果僅進行了灰度反轉(zhuǎn)操作,可以看出結果較為清晰,僅需進行少量的后期處理即可將細節(jié)展示出來,因此本套參數(shù)選取方法具有較為理想的成像效果,可以對現(xiàn)場gis設備x射線提供一定的指導。