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高效能閃爍晶體陣列的制作方法

文檔序號(hào):12800532閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供了一種高效能閃爍晶體陣列,屬于醫(yī)療器械設(shè)備領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)中閃爍晶體陣列放光效率下降、陣列物理強(qiáng)度不足、及光學(xué)UV膠溢出導(dǎo)致加工難度增加等問(wèn)題,提供一種放光效率高、強(qiáng)度大、不會(huì)污染陣列端面的高效能閃爍晶體陣列。它包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層,所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間;所述高反射率反射層包括反射膜、光學(xué)UV膠層和涂膠接合處,涂膠結(jié)合處位于反射膜兩側(cè)的上下兩段1/10?4/9位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的20?50%,本實(shí)用新型通過(guò)減少光學(xué)UV膠層量和控制光學(xué)UV膠層分布位置可以減少放光損耗,在相同晶體材料、光學(xué)UV膠的條件下能提高30%的光輸出。

技術(shù)研發(fā)人員:李國(guó)銘;劉冰;邊建盟;程娜;程豪妍
受保護(hù)的技術(shù)使用者:三河晶麗方達(dá)科技有限公司
文檔號(hào)碼:201621461112
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.29
技術(shù)公布日:2017.07.04

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