本實用新型涉及一種電壓衰減檢測電路。

背景技術(shù)：

對于傳統(tǒng)的驅(qū)動電路，該驅(qū)動與開關(guān)串聯(lián)接入市電，當開關(guān)出現(xiàn)故障，沒有完全斷開時，開關(guān)表現(xiàn)為具有一定的阻抗，該驅(qū)動本身還能與故障的開關(guān)分壓，得到一個較大的輸入電壓，這種情況可能會造成驅(qū)動工作不正常使驅(qū)動電路的元器件損壞，因此，有必要確保開關(guān)出現(xiàn)故障，沒有完全斷開時，使驅(qū)動停止工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)出現(xiàn)故障不能使驅(qū)動停止工作的技術(shù)問題，本實用新型提供一種電壓衰減檢測電路，解決了因開關(guān)出現(xiàn)故障不能使驅(qū)動電路停止工作而造成的安全性隱患。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案：

一種電壓衰減檢測電路，其包括整流橋輸出端正極BR+、整流橋輸出端負極BR-、電路檢測單元和檢測輸入端TEST；所述檢測輸入端TEST與所述電路檢測單元串聯(lián)連接，所述電路檢測單元并聯(lián)到整流橋輸出端正極BR+及整流橋輸出端負極BR-；所述電路檢測單元在開關(guān)出現(xiàn)故障并沒有完全斷開時，使應用所述電壓衰減檢測電路的驅(qū)動電路的阻抗瞬間降低繼而停止工作。

進一步地，所述電路檢測單元包括整流二極管D1，濾波電容C5，穩(wěn)壓二極管Z1、Z2，低壓MOS管Q1，高壓MOS管Q2，電阻R1、R2、R3、R4、R5；整流橋輸出端正極BR+經(jīng)過電阻R3、R4同時連接到低壓MOS管Q1的漏級D和高壓MOS管Q2的柵極G，整流橋輸出端正極BR+同時還經(jīng)過電阻R5連接到高壓MOS管Q2的漏級D，低壓MOS管Q1的柵極G同時連接到穩(wěn)壓二極管Z1的陽極和電阻R2的一端，穩(wěn)壓二極管Z1的陰極通過電阻R1同時連接到整流二極管D1的陰極和濾波電容C5的一端，整流二極管D1的陽極連接到檢測輸入端 TEST，高壓MOS管Q2的柵極G連接到穩(wěn)壓二極管Z2的陰極，濾波電容C5的另一端、電阻 R2的另一端、低壓MOS管Q1的源級S、穩(wěn)壓二極管Z2的陽極以及高壓MOS管Q2的源級S 同時連接到地和整流橋輸出端負極BR-。

本實用新型的有益效果至少包括以下幾點：

本實用新型的電壓衰減檢測電路通過檢測開關(guān)的狀態(tài)來保證驅(qū)動電路的正常工作，使電路更加穩(wěn)定安全可靠，且本電路結(jié)構(gòu)簡單易行。

附圖說明

圖1為本實用新型一種電壓衰減檢測電路的電路原理圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖以及具體實施方式，對本實用新型做進一步描述：

如圖1所示，一種電壓衰減檢測電路，其包括整流橋輸出端正極BR+、整流橋輸出端負極BR-、電路檢測單元和檢測輸入端TEST；電路檢測單元包括整流二極管D1，濾波電容C5，穩(wěn)壓二極管Z1、Z2，低壓MOS管Q1，高壓MOS管Q2，電阻R1、R2、R3、R4、R5；整流橋輸出端正極BR+經(jīng)過電阻R3、R4同時連接到低壓MOS管Q1的漏級D和高壓MOS管Q2的柵極G，整流橋輸出端正極BR+同時還經(jīng)過電阻R5連接到高壓MOS管Q2的漏級D，低壓MOS 管Q1的柵極G同時連接到穩(wěn)壓二極管Z1的陽極和電阻R2的一端，穩(wěn)壓二極管Z1的陰極通過電阻R1同時連接到整流二極管D1的陰極和濾波電容C5的一端，整流二極管D1的陽極連接到檢測輸入端TEST，高壓MOS管Q2的柵極G連接到穩(wěn)壓二極管Z2的陰極，濾波電容C5的另一端、電阻R2的另一端、低壓MOS管Q1的源級S、穩(wěn)壓二極管Z2的陽極以及高壓MOS管Q2的源級S同時連接到地和整流橋輸出端負極BR-。

電壓衰減檢測電路工作過程如下：當電壓衰減檢測電路正常工作時，電流經(jīng)過整流二極管D1和電阻R1并擊穿穩(wěn)壓二極管Z1給低壓MOS管Q1的柵極G供電，此時低壓MOS管 Q1導通，整流橋輸出端正極BR+的電壓經(jīng)過電阻R3、R4和低壓MOS管Q1連接到地，高壓 MOS管Q2的柵極G被拉到零電位，高壓MOS管Q2處于關(guān)斷狀態(tài)；當開關(guān)出現(xiàn)故障并沒有完全斷開時，由于開關(guān)沒有完全斷開，所有具有一定的阻抗，檢測輸入端TEST的電壓降低，并且小于穩(wěn)壓二極管Z1的反向擊穿電壓，所以穩(wěn)壓二極管Z1處于截止狀態(tài)，低壓MOS管 Q1的柵極G電壓被R2拉低到零電位，低壓MOS管Q1截止，整流橋輸出端正極BR+的電壓經(jīng)過電阻R3、R4給高壓MOS管Q2的柵極G供電，高壓MOS管Q2閉合導通，并與電阻R5 一起并聯(lián)到整流橋輸出端正極BR+和整流橋輸出端負極BR-之間，此時整個驅(qū)動瞬間表現(xiàn)出極低的阻抗，輸入的電壓衰減到極低，電路停止工作。

本電路簡單易行，避免了因開關(guān)出現(xiàn)故障并且沒有完全斷開時，造成應用本電路的驅(qū)動電路仍與故障開關(guān)分壓的情況，而且當異常情況解除后，電路會恢復到正常的工作狀態(tài)。

最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型的保護范圍。