1.一種磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
陶瓷封裝基座，該基座內(nèi)設(shè)有磁流體加注孔；
體聲波諧振器陣列芯片，設(shè)于所述陶瓷封裝基座內(nèi)；所述芯片包括位于頂端的電極焊盤；
芯片管腳，其一端與所述電極焊盤連接，另一端位于所述陶瓷封裝基座的下表面；
磁流體，加注在所述磁流體加注孔內(nèi)；以及
偏置磁鐵，設(shè)于所述陶瓷封裝基座的底端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述陶瓷封裝基座包括：
玻璃覆片安裝槽，其設(shè)于陶瓷封裝基座的頂部，玻璃覆片安裝槽內(nèi)安裝有玻璃覆片；
多個(gè)磁流體加注孔，所述加注孔位于所述玻璃覆片安裝槽的下方，加注孔的孔底半徑小、孔頂半徑大，且的孔徑從孔頂至孔底逐漸變小；
芯片安裝槽，設(shè)于所述多個(gè)磁流體加注孔的下方，所述體聲波諧振器陣列芯片安裝在所述芯片安裝槽內(nèi)；
偏置磁鐵安裝槽，設(shè)于所述芯片安裝槽的下方，偏置磁鐵安裝在所述偏置磁鐵安裝槽內(nèi)；以及
管腳安裝槽，設(shè)于陶瓷封裝基座的內(nèi)壁，所述芯片管腳鑲嵌在所述管腳安裝槽內(nèi)；
所述玻璃覆片安裝槽、芯片安裝槽和偏置磁鐵安裝槽的中心在垂直方向上對(duì)準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述體聲波諧振器陣列芯片還包括Si襯底、布拉格聲反射層、底電極、壓電薄膜、過孔填充物和頂電極，所述Si襯底、布拉格聲反射層、底電極、壓電薄膜、過孔填充物和頂電極從下至上依次設(shè)置在所述電極焊盤的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：
所述硅襯底的拋光面上熱氧化一層不小于1um的SiO2；
所述布拉格反射層由三周期的W/Si薄膜在所述硅襯底的SiO2面上按照W在下、SiO2在上的次序依次交疊堆積，其中每層W或SiO2薄膜層厚度為聲波在其中波長的1/4；
所述底電極為Au/Ti雙層結(jié)構(gòu)，按照Ti在下、Au在上的次序沉積在所述布拉格聲反射層上；
所述壓電薄膜層沉積在所述底電極和布拉格反射層上，壓電薄膜層極化軸垂直于襯底方向；所述壓電薄膜上設(shè)有過孔，過孔數(shù)量和底電極的行互聯(lián)線相等；
所述頂電極為Au/Ti雙層結(jié)構(gòu)，按照Ti在下、Au在上的次序沉積在所述壓電薄膜層上；
所述過孔填充物填充在所述壓電薄膜層的過孔中，過孔填充物一端與底電極行引出線接觸，另一端與所述壓電薄膜上表面平齊；
所述電極焊盤為Au/Ti雙層結(jié)構(gòu)，按照Ti在下、Au在上的次序沉積在過孔填充物頂部和頂電極列引出線頂端，其幾何圖形為圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：
所述底電極包括多個(gè)環(huán)形區(qū)域，多個(gè)環(huán)形區(qū)域呈行列分布，每一個(gè)環(huán)形區(qū)域?qū)?yīng)于一個(gè)磁傳感器單元，位于同一行的多個(gè)環(huán)形區(qū)域通過行互聯(lián)線連接引出；
所述頂電極包括多個(gè)實(shí)心圓形區(qū)域，多個(gè)實(shí)心圓形區(qū)域呈行列分布，每一個(gè)實(shí)心圓形區(qū)域?qū)?yīng)于一個(gè)磁傳感器單元，位于同一列的實(shí)心圓形區(qū)域通過列互聯(lián)線連接后引出；
所述頂電極上的每一個(gè)實(shí)心圓形區(qū)域與所述底電極中環(huán)型區(qū)域一一對(duì)應(yīng)并同心對(duì)準(zhǔn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述偏置磁鐵為扁平形狀，其上表面面積不小于所述體聲波諧振器陣列芯片的底面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述磁流體加注在上述磁流體加注孔的內(nèi)側(cè)壁與體聲波諧振器陣列芯片中頂電極的圓形圖案區(qū)域所形成的半封閉空間內(nèi)；每一個(gè)加注孔內(nèi)所加注的磁流體容量相等，所述磁流體被偏置磁鐵吸附在加注孔的底部。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述磁傳感器陣列集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述玻璃覆片和磁流體液面之間為真空環(huán)境。