1.一種RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，包括：射頻信號發(fā)生器、1臺1分3功分器、3臺射頻功放模塊、4塊二選一開關(guān)陣列模塊、GPIB控制器以及射頻線和電源線，所述射頻信號發(fā)生器、1分3功分器、射頻功放模塊和開關(guān)陣列模塊分別與GPIB控制器連接，射頻信號發(fā)生器提供1路射頻信號輸出到1分3功分器，經(jīng)1分3功分器分為3路射頻信號，輸出到3臺射頻功放模塊，再經(jīng)3臺射頻功放模塊輸出到4塊二選一開關(guān)陣列模塊，通過4塊二選一開關(guān)陣列模塊后，射頻信號最終輸入老化IC模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述每臺射頻功放模塊提供1路射頻信號輸入和32路射頻信號輸出，每路射頻信號最高輸出功率為10dBm，輸出功率的性能參數(shù)是1 dB 壓縮點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述每臺射頻功放模塊包含一接入12/15V電源的輸入接口。
4.如權(quán)利要求3所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述射頻功放模塊型號為XYY-RFSP-02。
5.如權(quán)利要求1或4所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述每塊二選一開關(guān)陣列模塊提供20路開關(guān)陣列。
6.如權(quán)利要求5所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述開關(guān)陣列由GPIB控制器控制，GPIB控制器控制開關(guān)陣列與老化IC模塊端口同步。
7.如權(quán)利要求6所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述二選一開關(guān)陣列模塊型號為XYY-SW-20。
8.如權(quán)利要求1或7所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述1分3功分器型號為XYY-S3P。
9.如權(quán)利要求1所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述射頻信號輸入IC模塊的射頻頻率范圍為700M-3GHz，射頻信號輸出功率-5dBm≤P≤10dBm。
10.如權(quán)利要求9所述的RF芯片帶射頻信號老化裝置，其特征在于，所述射頻信號輸出功率的性能參數(shù)是1dB壓縮點(diǎn)。