本實用新型涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種RF芯片帶射頻信號老化裝置,應(yīng)用于RF芯片的老化試驗。
背景技術(shù):
一個批次帶射頻信號老化一般需要77路輸入信號,目前一臺普通的射頻信號發(fā)生器通過功分器后最多僅能提供12路輸入信號,也就是要7臺射頻信號發(fā)生器才能滿足要求,但是射頻信號發(fā)生器成本很高,一臺射頻信號發(fā)生器要至少幾萬元人民幣,如果一次提供7臺射頻信號發(fā)生器做老化的成本,則要幾十萬元的設(shè)備成本。同時在該條件下設(shè)備布線較為復(fù)雜,占用空間也非常大。
此外,對于在老化試驗過程中,RF信號頻段/通道可進行動態(tài)切換,以實現(xiàn)芯片在不同頻段模式下工作狀態(tài)的試驗需求,則還需要同時搭建多路開關(guān)組合,這樣不僅造成設(shè)備搭建布線復(fù)雜,難以實現(xiàn),也存在整體方案的設(shè)備成本過高的問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的是提供一種可靠性高,成本低、占用空間小,可滿足77路輸入信號要求的RF芯片帶射頻信號老化裝置。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案如下:
一種RF芯片帶射頻信號老化裝置,包括:射頻信號發(fā)生器、1臺1分3功分器、3臺射頻功放模塊、4塊二選一開關(guān)陣列模塊、GPIB控制器以及射頻線和電源線,所述射頻信號發(fā)生器、1分3功分器、射頻功放模塊和開關(guān)陣列模塊分別與GPIB控制器連接,射頻信號發(fā)生器提供1路射頻信號輸出到1分3功分器,經(jīng)1分3功分器分為3路射頻信號,輸出到3臺射頻功放模塊,再經(jīng)3臺射頻功放模塊輸出到4塊二選一開關(guān)陣列模塊,通過4塊二選一開關(guān)陣列模塊后,射頻信號最終輸入老化IC模塊。
所述每臺射頻功放模塊提供1路射頻信號輸入和32路射頻信號輸出,每路射頻信號最高輸出功率為10dBm,輸出功率的性能參數(shù)是1 dB 壓縮點。
所述每臺射頻功放模塊包含一接入12/15V電源的輸入接口。
所述射頻功放模塊型號為XYY-RFSP-02。
所述每塊二選一開關(guān)陣列模塊提供20路開關(guān)陣列。
所述開關(guān)陣列由GPIB控制器控制,GPIB控制器控制開關(guān)陣列與老化IC模塊端口同步。
所述二選一開關(guān)陣列模塊型號為XYY-SW-20。
所述1分3功分器型號為XYY-S3P。
所述射頻信號輸入IC模塊的射頻頻率范圍為700M-3GHz,射頻信號輸出功率-5dBm≤P≤10dBm。
所述射頻信號輸出功率的性能參數(shù)是1dB壓縮點。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型為RF芯片產(chǎn)品提供一種支持信號頻段/通道可動態(tài)切換的帶射頻信號老化裝置,可大幅降低帶射頻信號老化的成本,僅提供一臺射頻信號發(fā)生器即可滿足77路輸入信號的要求。不僅節(jié)省了成本,也節(jié)約了空間,同時整體方案的設(shè)備搭建可靠性高。
以下將結(jié)合附圖對本實用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進一步說明,以充分地了解本實用新型的目的、特征和效果。
附圖說明
圖1:本實用新型RF芯片帶射頻信號老化裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2:本實用新型射頻信號流程圖;
圖3:本實用新型支持信號頻段/通道可動態(tài)切換的帶射頻信號老化裝置示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
如圖1所示,本實用新型提供的一種RF芯片帶射頻信號老化裝置,包括:射頻信號發(fā)生器、1分3功分器、射頻功放模塊、二選一開關(guān)陣列模塊、GPIB控制器以及射頻線和電源線。所述射頻信號發(fā)生器、1分3功分器、射頻功放模塊和開關(guān)陣列模塊分別與GPIB控制器連接。
具體的,本實用新型1分3功分器為1臺,射頻功放模塊為3臺,二選一開關(guān)陣列模塊為4塊,GPIB控制器1臺,以及射頻線和電源線若干。
如圖2所示,本實用新型具體工作原理如下:射頻信號發(fā)生器提供1路射頻信號輸出到1分3功分器,經(jīng)1分3功分器分為3路射頻信號,輸出到3臺射頻功放模塊,再經(jīng)3臺射頻功放模塊輸出到4塊二選一開關(guān)陣列模塊,通過4塊二選一開關(guān)陣列模塊后,射頻信號最終輸入老化IC模塊。所述射頻信號輸入IC模塊的射頻頻率范圍為700M-3GHz,射頻信號輸出功率-5dBm≤P≤10dBm,射頻信號輸出功率的性能參數(shù)是1dB壓縮點。
本實用新型每臺射頻功放模塊提供1路射頻信號輸入和32路射頻信號輸出,每路射頻信號最高輸出功率為10dBm,輸出功率的性能參數(shù)是1 dB 壓縮點。本實用新型3臺射頻功放模塊可提供1個批次產(chǎn)品老化。
所述每臺射頻功放模塊還包含一接入12/15V電源的輸入接口。所述射頻功放模塊型號為XYY-RFSP-02。
本實用新型每塊二選一開關(guān)陣列模塊提供20路開關(guān)陣列。所述開關(guān)陣列由GPIB控制器控制,GPIB控制器控制開關(guān)陣列與老化IC模塊端口同步。所述二選一開關(guān)陣列模塊型號為XYY-SW-20。
本實用新型提供的1分3功分器型號為XYY-S3P。
本實用新型實施例,如圖3所示,80顆芯片老化試驗過程中,需實現(xiàn)兩種模式的射頻信號的頻段切換:高頻HB模式(2.6GHz)和中頻MB模式(1.9GHz)。具體的,射頻信號發(fā)生器(RF signal generator)通過射頻線(Cable)連接至射頻功放模塊(RF Power Amplifier Divider),射頻功放模塊提供32路射頻信號輸出。如圖3所示,本發(fā)明以其中一路射頻信號輸出為例進行說明。實施中,RF信號通過RF開關(guān)陣列控制選通一顆芯片。(每顆IC配一個開關(guān)陣列,其提供的GPIB控制器控制pin由老化板金手指連接到機臺,控制選通通道與老化IC選通通道一致。)如圖3所示,在HB模式:RF信號由pin4進入,分別從pin22、24、26、28四個管腳輸出;在MB模式:RF信號由pin5進入,分別從pin16、17、18、19、20五個管腳輸出。優(yōu)選的,入爐時,使用SMA堵頭負(fù)載,可避免焊接麻煩。
如上,本實用新型為RF芯片產(chǎn)品提供一種支持信號頻段/通道可動態(tài)切換的帶射頻信號老化裝置,僅通過提供一臺射頻信號發(fā)生器即可滿足77路輸入信號的要求,與現(xiàn)有技術(shù)相比,在提供相同輸出參數(shù)的基礎(chǔ)上,本實用新型大幅降低了帶射頻信號老化的成本,同時,本實用新型模塊化搭建,也節(jié)約了空間。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。