技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種同位素地質(zhì)學(xué)專用TOF?SIMS高壓脈沖發(fā)生器，是由直流電源經(jīng)負(fù)載與高壓衰減探頭示波器連接，負(fù)載串接三個(gè)SICMOSFET，SICMOSFETⅠ分別與TVS動(dòng)態(tài)均壓電路、R1～R2靜態(tài)均壓電路、動(dòng)態(tài)反饋均壓電阻和動(dòng)態(tài)功耗米勒電容CgⅠ連接，SICMOSFETⅡ分別與TVS動(dòng)態(tài)均壓電路、R4～R5靜態(tài)均壓電路、動(dòng)態(tài)反饋均壓電阻和動(dòng)態(tài)功耗米勒電容CgⅡ連接，SICMOSFETⅢ分別與TVS動(dòng)態(tài)均壓電路、R7～R8靜態(tài)均壓電路、動(dòng)態(tài)反饋均壓電阻和動(dòng)態(tài)功耗米勒電容CgⅢ連接構(gòu)成。本實(shí)用新型與現(xiàn)有的分高壓脈沖發(fā)生器相比，具有無噪聲，無電磁干擾，結(jié)構(gòu)簡單，體積小，重量輕，安裝方便，成本低廉?？稍陔妶鰵⒕夹g(shù)、水處理技術(shù)和高壓絕緣技術(shù)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：高巖;劉衛(wèi)平;邱春玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：吉林大學(xué)
文檔號(hào)碼：201620589017
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.16
技術(shù)公布日：2017.06.27