1.一種基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極，其特征在于，所述電極的端面具有rGO-COOLa復(fù)合物層。
2.如權(quán)利要求1所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極，其特征在于，所述rGO-COOLa復(fù)合物層外還具有表面活性劑層。
3.如權(quán)利要求2所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極，其特征在于，所述表面活性劑為CTAB。
4.一種基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
第一，制備rGO-COOLa復(fù)合物，依次包括如下步驟：制備氧化石墨烯懸濁液、制備還原的氧化石墨烯rGO、制備rGO-COOH、制備rGO-COOLa復(fù)合物；
第二，將制得的rGO-COOLa復(fù)合物涂覆或滴涂于GCE電極端面并干燥。
5.如權(quán)利要求4所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法進(jìn)一步包括：
第三，將表面活性劑溶液涂覆于rGO-COOLa修飾的電極表面并干燥。
6.如權(quán)利要求5所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑為CTAB。
7.如權(quán)利要求6所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極的制備方法，其特征在于，所述CTAB的濃度為0.2-1g/L。
8.一種權(quán)利要求1或2或3所述的基于功能化rGO的化學(xué)修飾GCE電極用于同時測定DA、UA的應(yīng)用。