1.一種多功能X射線定向儀，其特征在于：包括：
工作臺(tái)、防輻射保護(hù)罩、X射線發(fā)生系統(tǒng)、衍射線接收系統(tǒng)、晶體樣品旋轉(zhuǎn)臺(tái)和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)；
所述工作臺(tái)上方設(shè)有防輻射保護(hù)罩；
所述X射線發(fā)生系統(tǒng)包括：X射線用高壓電源、X射線發(fā)生器支架、X射線發(fā)生器和單色器，X射線用高壓電源設(shè)置在工作臺(tái)下方，并與X射線發(fā)生器連接，X射線發(fā)生器通過X射線發(fā)生器支架固定在工作臺(tái)上，單色器固定在X射線發(fā)生器上，使X射線發(fā)生器發(fā)出射線照射在單色器上，且經(jīng)過單色器過濾的X射線能夠照射在晶片樣品旋轉(zhuǎn)臺(tái)上待測(cè)晶片的中心；
所述衍射線接收系統(tǒng)包括閃爍探測(cè)器、閃爍探測(cè)器支架和信號(hào)調(diào)理模塊，用于接收待測(cè)晶片衍射的X射線的閃爍探測(cè)器通過閃爍探測(cè)器支架固定在工作臺(tái)上，閃爍探測(cè)器與信號(hào)調(diào)理模塊連接，信號(hào)調(diào)理模塊放置于工作臺(tái)下方；
所述晶體樣品旋轉(zhuǎn)臺(tái)包括步進(jìn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、轉(zhuǎn)動(dòng)軸、手輪、樣品放置臺(tái)、抽氣機(jī)和螺栓，步進(jìn)電機(jī)及步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置于工作臺(tái)下方，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置與步進(jìn)電機(jī)相連，步進(jìn)電機(jī)通過轉(zhuǎn)動(dòng)軸與樣品放置臺(tái)相連，手輪與轉(zhuǎn)動(dòng)軸相連，樣品放置臺(tái)通過螺栓固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸上，抽氣機(jī)與樣品放置臺(tái)連接；
所述計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)包括采樣器、PLC控制模塊、工業(yè)用PC機(jī)，采樣器的采樣端與信號(hào)調(diào)理模塊相連接，采樣器的輸出端與PLC控制模塊輸入端相連接，PLC控制模塊輸出端與步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置相連，工業(yè)用PC機(jī)與PLC控制模塊相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多功能X射線定向儀，其特征在于，所述樣品放置臺(tái)包括臺(tái)架和氣孔墻，臺(tái)架通過螺栓固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸上，樣品放置臺(tái)可通過拆卸螺栓進(jìn)行更換，氣孔墻中的氣孔與抽氣機(jī)相連，氣孔墻跟盛放的待測(cè)晶片形狀相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多功能X射線定向儀，其特征在于，所述樣品放置臺(tái)的臺(tái)架與氣孔墻夾角為90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多功能X射線定向儀，其特征在于，所述樣品放置臺(tái)的臺(tái)架與氣孔墻之間設(shè)有斜度調(diào)節(jié)栓，臺(tái)架與氣孔墻之間夾角可調(diào)。
5.利用權(quán)利要求1所述的多功能X射線定向儀進(jìn)行晶體缺陷識(shí)別的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：將待測(cè)晶片放置在樣品放置臺(tái)上；
步驟2：X射線發(fā)生器發(fā)射X射線；
步驟3：閃爍探測(cè)器采集待測(cè)晶片衍射的X射線，并將X射線的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成脈沖頻率信號(hào)后，發(fā)送給信號(hào)調(diào)理模塊；
步驟4：信號(hào)調(diào)理模塊將閃爍探測(cè)器輸出的脈沖頻率信號(hào)進(jìn)行放大濾波整形，并進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換處理后，發(fā)送給采樣器；
步驟5：采樣器將接收到的信號(hào)調(diào)理模塊輸出的電壓模擬量轉(zhuǎn)化為數(shù)字量即峰形數(shù)據(jù)，發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟6：通過工業(yè)用PC機(jī)設(shè)定待測(cè)晶體的名稱、待測(cè)晶體的本次測(cè)量面、待測(cè)晶體的理論峰值角度和本次測(cè)量的掃描角度范圍，并發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟7：PLC控制模塊通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)樣品放置臺(tái)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，PLC控制模塊將接收到的采樣器發(fā)送的峰形數(shù)據(jù)發(fā)送給工業(yè)用PC機(jī)；
步驟8：如果待測(cè)晶片為未知晶體，則執(zhí)行步驟9，否則，執(zhí)行步驟10；
步驟9：工業(yè)用PC機(jī)計(jì)算每種晶體知識(shí)庫缺陷樣本中與待測(cè)晶體的匹配缺陷樣本，并將匹配缺陷樣本進(jìn)行數(shù)據(jù)融合，得到該待測(cè)晶體的知識(shí)庫缺陷樣本；所述每種晶體知識(shí)庫中包含該種晶體的不同缺陷類型的峰形數(shù)據(jù)即缺陷樣本；
步驟10：計(jì)算待測(cè)晶體所屬種類的晶體知識(shí)庫缺陷樣本中與待測(cè)晶體峰形數(shù)據(jù)的最大相似度值，并根據(jù)最大相似度值確定待測(cè)晶體缺陷類型或建立新的晶體缺陷樣本。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體缺陷識(shí)別的方法，其特征在于，步驟9具體包括如下步驟：
步驟9-1：提取第i種晶體知識(shí)庫缺陷樣本與待測(cè)晶片峰形數(shù)據(jù)構(gòu)成初始矩陣；
步驟9-2：對(duì)初始矩陣使用模糊聚類分析得到模糊等價(jià)矩陣：
步驟9-3：根據(jù)模糊等價(jià)矩陣得到晶體知識(shí)庫缺陷樣本中與待測(cè)晶體的峰形數(shù)據(jù)相似度最高的缺陷樣本，得到待測(cè)晶體與第i種晶體的匹配缺陷樣本，即目標(biāo)類；
步驟9-4：重復(fù)以上過程，直到對(duì)所有晶體種類的知識(shí)庫中缺陷樣本進(jìn)行匹配，得到待測(cè)晶體與所有晶體種類的目標(biāo)類；
步驟9-5：用得到的目標(biāo)類構(gòu)建目標(biāo)類矩陣，對(duì)目標(biāo)類矩陣中元素進(jìn)行信度分配，并計(jì)算信度函數(shù)；
步驟9-6：根據(jù)DS證據(jù)融合規(guī)則對(duì)信度函數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)融合，融合后的基本信度函數(shù)Bel為：
Bel＝(M1,M2,…,Mj，…，Mn)
其中，Mj為第j個(gè)目標(biāo)類的信任概率；
步驟9-7：根據(jù)目標(biāo)類及其信任概率，計(jì)算得到融合后的未知晶體的知識(shí)庫缺陷樣本；
步驟9-8：為未知晶體建立新的晶體知識(shí)庫，并將未知晶體的知識(shí)庫缺陷樣本放入新的晶體知識(shí)庫。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體缺陷識(shí)別方法，其特征在于，步驟10具體包括如下步驟：
步驟10-1：提取與待測(cè)晶體相同種類的晶體知識(shí)庫缺陷樣本；
步驟10-2：利用待測(cè)晶體峰形數(shù)據(jù)和待測(cè)晶體所屬種類的晶體知識(shí)庫缺陷樣本構(gòu)成初始矩陣；
步驟10-3：對(duì)初始矩陣使用模糊聚類分析得到模糊等價(jià)矩陣：
步驟10-4：根據(jù)模糊等價(jià)矩陣計(jì)算待測(cè)晶體所屬種類的晶體知識(shí)庫缺陷樣本中與待測(cè)晶體峰形數(shù)據(jù)相似度的最大值λ*；
步驟10-5：規(guī)定閾值λ，若λ*≥λ，則待測(cè)晶體所屬缺陷類型為與待測(cè)晶體峰形數(shù)據(jù)相似度最大的缺陷樣本所屬的缺陷類型；若λ*<λ，則將該峰形數(shù)據(jù)做為新的缺陷樣本放入該晶體知識(shí)庫中。
8.利用權(quán)利要求1所述的多功能X射線定向儀進(jìn)行不同晶體特征測(cè)定的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：將待測(cè)晶片放置在樣品放置臺(tái)上；
步驟2：X射線發(fā)生器發(fā)射X射線；
步驟3：閃爍探測(cè)器采集待測(cè)晶片衍射的X射線，并將X射線的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成脈沖頻率信號(hào)后，發(fā)送給信號(hào)調(diào)理模塊；
步驟4：信號(hào)調(diào)理模塊將閃爍探測(cè)器輸出的脈沖頻率信號(hào)進(jìn)行放大濾波整形，并進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換處理后，發(fā)送給采樣器；
步驟5：采樣器將接收到的信號(hào)調(diào)理模塊輸出的電壓模擬量轉(zhuǎn)化為數(shù)字量即峰形數(shù)據(jù)，發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟6：通過工業(yè)用PC機(jī)設(shè)定待測(cè)晶體的名稱、待測(cè)晶體的本次測(cè)量面、待測(cè)晶體的理論峰值角度和本次測(cè)量的掃描角度范圍，并發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟7：PLC控制模塊通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)樣品放置臺(tái)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，PLC控制模塊將接收到的采樣器發(fā)送的峰形數(shù)據(jù)發(fā)送給工業(yè)用PC機(jī)；
步驟8：工業(yè)用PC機(jī)根據(jù)PLC控制模塊發(fā)送峰形數(shù)據(jù)得到峰形曲線；
步驟9：修正峰形曲線，并消除峰形曲線角度誤差，得到標(biāo)準(zhǔn)峰形曲線；
步驟10：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)峰形曲線提取特征，并進(jìn)行存儲(chǔ)和顯示。
9.利用權(quán)利要求1所述的多功能X射線定向儀進(jìn)行手動(dòng)定向測(cè)定的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：將待測(cè)晶片放置在樣品放置臺(tái)上；
步驟2：X射線發(fā)生器發(fā)射X射線；
步驟3：閃爍探測(cè)器采集待測(cè)晶片衍射的X射線，并將X射線的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成脈沖頻率信號(hào)后，發(fā)送給信號(hào)調(diào)理模塊；
步驟4：信號(hào)調(diào)理模塊將閃爍探測(cè)器輸出的脈沖頻率信號(hào)進(jìn)行放大濾波整形，并進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換處理后，發(fā)送給采樣器；
步驟5：采樣器將接收到的信號(hào)調(diào)理模塊輸出的電壓模擬量轉(zhuǎn)化為數(shù)字量即峰形數(shù)據(jù)，發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟6：手動(dòng)搖動(dòng)手輪控制樣品放置臺(tái)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，PLC將接收到的采樣器發(fā)送的峰形數(shù)據(jù)發(fā)送給工業(yè)用PC機(jī)；
步驟7：工業(yè)用PC機(jī)根據(jù)PLC控制模塊發(fā)送峰形數(shù)據(jù)得到峰形曲線；
步驟8：判斷峰形曲線是否達(dá)到最大值，是，消除峰形曲線角度誤差，并執(zhí)行步驟9，否則，返回步驟6，繼續(xù)搖動(dòng)手輪；
步驟9：根據(jù)峰形曲線提取特征，并進(jìn)行存儲(chǔ)和顯示。
10.利用權(quán)利要求1所述的多功能X射線定向儀進(jìn)行獲取角度誤差的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：將已知標(biāo)準(zhǔn)角度的晶片放置在樣品放置臺(tái)上；
步驟2：X射線發(fā)生器發(fā)射X射線；
步驟3：閃爍探測(cè)器采集待測(cè)晶片衍射的X射線，并將X射線的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成脈沖頻率信號(hào)后，發(fā)送給信號(hào)調(diào)理模塊；
步驟4：信號(hào)調(diào)理模塊將閃爍探測(cè)器輸出的脈沖頻率信號(hào)進(jìn)行放大濾波整形，并進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換處理后，發(fā)送給采樣器；
步驟5：采樣器將接收到的信號(hào)調(diào)理模塊輸出的電壓模擬量轉(zhuǎn)化為數(shù)字量即峰形數(shù)據(jù)，發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟6：通過工業(yè)用PC機(jī)設(shè)定待測(cè)晶體的名稱、待測(cè)晶體的本次測(cè)量面、待測(cè)晶體的理論峰值角度和本次測(cè)量的掃描角度范圍，并發(fā)送給PLC控制模塊；
步驟7：PLC控制模塊通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)樣品放置臺(tái)旋轉(zhuǎn)或手動(dòng)控制樣品放置臺(tái)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，PLC控制模塊將接收到的采樣器發(fā)送的峰形數(shù)據(jù)發(fā)送給工業(yè)用PC機(jī)；
步驟8：工業(yè)用PC機(jī)根據(jù)PLC控制模塊發(fā)送峰形數(shù)據(jù)得到峰形曲線；
步驟9：計(jì)算峰形曲線達(dá)到最大值時(shí)對(duì)應(yīng)的角度與晶片標(biāo)準(zhǔn)角度之差，即為角度誤差。