本發(fā)明涉及電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體氣體傳感器及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著工業(yè)的快速發(fā)展，環(huán)境的污染問(wèn)題也越來(lái)越嚴(yán)重，例如，汽車(chē)尾氣中的CO、NO_x、SO_x等有害氣體，室內(nèi)裝修中存在的甲醛、甲苯等，煤礦中泄漏的甲烷氣體，化工生產(chǎn)中產(chǎn)生的易燃、易爆、毒害性氣體等，這些有毒氣體對(duì)人們的身體健康造成了嚴(yán)重的威脅。為了確保人身安全和防患于未然，人們研制了各種檢測(cè)方法和檢測(cè)儀器，其中，氣體傳感器在家居生活、排放監(jiān)測(cè)、航空、醫(yī)療、衛(wèi)生等領(lǐng)域發(fā)揮著重大的作用。

目前氣體傳感器種類(lèi)繁多，應(yīng)用范圍廣泛，大致可分為半導(dǎo)體式、電化學(xué)式、接觸燃燒式、固體電解質(zhì)式和紅外線式等。其中半導(dǎo)體傳感器因?yàn)闄z測(cè)靈敏度高、響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間短、元件尺寸微小、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉而越來(lái)越受到人們的重視。尤其是近年來(lái)隨著微機(jī)械加工技術(shù)的發(fā)展，借助于微電子工藝半導(dǎo)體氣體傳感器更是向著集成化、智能化方向發(fā)展。

半導(dǎo)體氣體傳感器，通常利用金屬氧化物作為敏感材料，通過(guò)在其表面吸附氣體及表面反應(yīng)而引起自身電阻的變化，進(jìn)而監(jiān)測(cè)到目標(biāo)氣體。目前商業(yè)化比較成熟的氣敏材料是SnO₂和WO₃氣敏材料，但由于其材料本身特性所致，這兩種氣敏材料的工作溫度在300℃左右，比較高，導(dǎo)致其在電子設(shè)備中的功耗比較大；其次由這兩種氣敏材料制備的傳感器通常用來(lái)檢測(cè)高濃度可燃?xì)怏w或者易揮發(fā)的有機(jī)化合物氣體（VOC），對(duì)低濃度的氣體不靈敏。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種半導(dǎo)體氣體傳感器，該半導(dǎo)體氣體傳感器可以降低傳感器的工作溫度，提高傳感器的靈敏度和穩(wěn)定性。

本發(fā)明的目的還在于提供一種半導(dǎo)體氣體傳感器的制備方法。

為解決上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體氣體傳感器的制備方法，其包括以下步驟：

制取氫氧化鎳或氧化鎳；

將氫氧化鎳或氧化鎳與金屬氧化物進(jìn)行摻雜，得到摻雜金屬氧化物的氧化鎳；

提供一傳感器加熱芯片，將摻雜金屬氧化物的氧化鎳附著在傳感器加熱芯片上，以在傳感器加熱芯片上形成氣體敏感層；

將親水性材料附著在氣體敏感層上以形成防潮層，并進(jìn)行退火處理，得到半導(dǎo)體氣體傳感器。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述“制取氫氧化鎳”的步驟具體為：

通過(guò)化學(xué)自組裝方法制備中空的氫氧化鎳微米球或中空的氫氧化鎳納米球。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，化學(xué)自組裝方法制備中空的氫氧化鎳微米球或中空的氫氧化鎳納米球是通過(guò)將二價(jià)鎳鹽與絡(luò)合劑形成二價(jià)鎳離子的絡(luò)合物，然后再與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)進(jìn)行自組裝，其中，所述絡(luò)合劑選自氨水或氯化銨或乙二胺或乙二胺四乙酸或乙二胺四乙酸鹽或草酸鹽或醇胺類(lèi)絡(luò)合劑。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述“制取氧化鎳”的步驟具體為：

通過(guò)模板犧牲法制備中空的氧化鎳微米球或中空的氧化鎳納米球，其中，采用的模板為鎳微球或氧化硅微球，鎳微球或氧化硅微球的直徑為0.3um~10um。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述金屬氧化物選自Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃、CuO、AgO、V₂O₅、WO₃、TiO₂ 、MnO₂一種或幾種的組合。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述親水性材料為親水性的金屬氧化物或能夠吸收水分子的干燥劑。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述親水性材料上負(fù)載鉑或鈀或金或銀。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器，其包括：

加熱芯片；

信號(hào)電極，設(shè)置于所述加熱芯片上，且所述信號(hào)電極與所述加熱芯片絕緣；

氣體敏感層，設(shè)置于所述信號(hào)電極之間或覆蓋所述信號(hào)電極，其中，所述氣體敏感層與所述信號(hào)電極電性連接，且使信號(hào)電極之間電性連通；

防潮層，設(shè)置于所述氣體敏感層上。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述防潮層為親水性材料，所述親水性材料為親水性的金屬氧化物或能夠吸收水分子的干燥劑。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述氣體敏感材料包括氧化鎳以及金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物選自Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃、CuO、AgO、V₂O₅ 、WO₃、TiO₂ 、MnO₂一種或幾種的組合。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體氣體傳感器工作溫度低，靈敏度高、穩(wěn)定性好。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明另一具體實(shí)施方式中金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中制備金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器的方法步驟圖；

圖4是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中以氯化銨為絡(luò)合劑與強(qiáng)堿自組裝得到的中空氫氧化鎳微球的掃描電鏡照片；

圖5是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中以乙二胺為絡(luò)合劑與強(qiáng)堿自組裝得到的中空氫氧化鎳微球的掃描電鏡照片；

圖6是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中以鎳球?yàn)槟０逯苽涞闹锌昭趸囄⑶虻膾呙桦婄R照片；

圖7是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中制備的金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器對(duì)易揮發(fā)的有機(jī)化合物氣體（VOC）響應(yīng)曲線；

圖8是本發(fā)明一具體實(shí)施方式中制備的金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器對(duì)硫化氫響應(yīng)曲線。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖所示的具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

參圖1所示，介紹本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器的第一具體實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器10包括：加熱芯片11、信號(hào)電極12、氣體敏感層13及防潮層14。

加熱芯片11，其包括基底111和加熱電極112?；?11具有第一表面1111和與第一表面1111相背的第二表面1112，加熱電極112設(shè)于基底111的第一表面1111上，信號(hào)電極12則設(shè)于基底111的第二表面1112上，且信號(hào)電極12與加熱芯片11絕緣。

氣體敏感層13，設(shè)置于信號(hào)電極12之間或覆蓋信號(hào)電極12，氣體敏感層13與信號(hào)電極12電性連接，且使信號(hào)電極12之間電性連通；

防潮層14，設(shè)置于氣體敏感層13上。優(yōu)選地，防潮層為親水性材料，所述親水性材料為親水性的金屬氧化物或能夠吸收水分子的干燥劑。氣體敏感材料包括氧化鎳以及金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物選自Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃、CuO、AgO、V₂O₅ 、WO₃、TiO₂ 、MnO₂一種或幾種的組合。

參圖2所示，為本發(fā)明的第二具體實(shí)施方式，與本發(fā)明的第一具體實(shí)施方式不同的是，加熱電極112和信號(hào)電極12均設(shè)于基底111的第二表面1112上，其余的封裝結(jié)構(gòu)則與第一具體實(shí)施方式相同，在此不再贅述。

參圖3所示，介紹本發(fā)明制備金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器方法的一具體實(shí)施方式，在本實(shí)施方式中，該方法包括以下步驟：

S1、制取氫氧化鎳或氧化鎳。本發(fā)明中的氫氧化鎳和氧化鎳在微觀下的形態(tài)均為中空微米球或中空納米球。

參圖4和圖5，通過(guò)化學(xué)自組裝方法制備中空的氫氧化鎳微米球或中空的氫氧化鎳納米球。具體地，通過(guò)將二價(jià)鎳鹽與絡(luò)合劑形成二價(jià)鎳離子的絡(luò)合物，然后再與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)進(jìn)行自組裝生成氫氧化鎳微米球，其中，絡(luò)合劑選自氨水或氯化銨或乙二胺或乙二胺四乙酸或乙二胺四乙酸鹽或草酸鹽或醇胺類(lèi)絡(luò)合劑。

通過(guò)模板犧牲法制備中空的氧化鎳微米球或中空的氧化鎳納米球，其中，采用的模板為鎳微球或氧化硅微球，鎳微球或氧化硅微球的直徑為0.3um~10um。

具體地，模板犧牲法制備氧化鎳通過(guò)以下過(guò)程實(shí)現(xiàn)：

參圖6，選擇鎳微球作為模板，通過(guò)表面活性劑將鎳微球分散到鎳鹽水溶液中，加入適當(dāng)比例的堿溶液，使得在鎳微球表面沉積一層氫氧化鎳，然后在一定溫度下退火，退火結(jié)束后加入稀鹽酸，將鎳微球腐蝕成中空狀的氧化鎳微球；

選擇二氧化硅作為模板，通過(guò)表面活性劑將二氧化硅分散到鎳鹽水溶液中，加入適當(dāng)比例的堿溶液，使得在二氧化硅表面沉積一層氫氧化鎳，然后在一定溫度下退火，退火結(jié)束后加入濃堿或者氫氟酸，將內(nèi)部的二氧化硅腐蝕掉，得到中空狀的氧化鎳微球。

S2、將氫氧化鎳或氧化鎳與金屬氧化物進(jìn)行摻雜，得到摻雜金屬氧化物的氧化鎳。

將氫氧化鎳與金屬氧化物進(jìn)行摻雜是通過(guò)金屬鹽的水溶液與堿溶液沉淀法，將氫氧化鎳與金屬氧化物進(jìn)行摻雜，并進(jìn)行退火處理，退火處理時(shí)的溫度范圍為300-700℃，得到摻雜金屬氧化物的氧化鎳。

將氧化鎳與金屬氧化物進(jìn)行摻雜則是直接將兩者混合。

本發(fā)明中的氧化鎳由中空狀的微米球或者納米球組成，這增加了氣敏材料的比表面積，具有高靈敏特性，其中，氧化鎳的O和Ni的原子比大于1。氧化鎳氣敏材料進(jìn)行氣體檢測(cè)時(shí)，由于氧化鎳半導(dǎo)體材料的催化特性，其工作溫度為100~200℃，與二氧化錫和三氧化鎢材料相比，具有低功耗特性。

根據(jù)半導(dǎo)體金屬氧化物的催化活性，將特定金屬氧化物與氧化鎳進(jìn)行適當(dāng)比例的摻雜，以達(dá)到檢測(cè)不同氣體的目的。優(yōu)選地，金屬氧化物選自Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃、CuO、AgO、V₂O₅ 、WO₃、TiO₂ 、MnO₂一種或幾種的組合。

參圖7所示，當(dāng)摻雜Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃三種半導(dǎo)體金屬氧化物時(shí)，主要檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)物（VOC），F(xiàn)e、Co、Cr摻雜原子比例為Ni原子的0.01%~10%，這三種金屬氧化物進(jìn)行摻雜時(shí)，選取其中的兩個(gè)進(jìn)行摻雜，也可三種同時(shí)摻雜。從圖5可以看出，摻雜了Fe₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃三種半導(dǎo)體金屬氧化物的半導(dǎo)體氣體傳感器對(duì)揮發(fā)性有機(jī)物（VOC）有較好的響應(yīng)曲線。此外，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過(guò)摻雜Co₃O₄、Cr₂O₃兩種氧化物的任意一種或者兩種，傳感器對(duì)水汽的抗干擾程度增加。

參圖8所示，當(dāng)摻雜CuO或者AgO半導(dǎo)體金屬氧化物時(shí)，主要檢測(cè)硫化氫或者二氧化硫氣體，摻雜原子比例為Ni原子的0.01%~10%。從圖6可以看出，摻雜了CuO或者AgO半導(dǎo)體金屬氧化物的半導(dǎo)體氣體傳感器對(duì)硫化氫氣體有較好的響應(yīng)曲線。

當(dāng)摻雜V₂O₅半導(dǎo)體金屬氧化物時(shí)，主要檢測(cè)苯系物，摻雜原子比例為Ni原子的0.01%~5%。

當(dāng)摻雜WO₃或者TiO₂半導(dǎo)體金屬氧化物時(shí)，主要檢測(cè)二氧化氮或者氨氣氣體，摻雜原子比例為Ni原子的0.01%~5%。

當(dāng)摻雜WO₃或者M(jìn)nO₂半導(dǎo)體金屬氧化物時(shí)，主要檢測(cè)臭氧氣體，摻雜原子比例為Ni原子的0.01%~10%。

如果氧化鎳氣體敏感層不進(jìn)行以上摻雜，對(duì)這些目標(biāo)氣體也是可以檢測(cè)的，但是檢測(cè)濃度值比較高，對(duì)低濃度的目標(biāo)氣體不夠靈敏；如果將對(duì)特定目標(biāo)氣體有特定催化活性的金屬氧化物單獨(dú)作為氣體敏感層時(shí)，半導(dǎo)體氣體傳感器會(huì)有工作溫度高、基準(zhǔn)電阻值容易漂移、傳感器阻值過(guò)大等問(wèn)題；將金屬氧化物與氧化鎳主體材料進(jìn)行摻雜后，可以避免上述的缺點(diǎn)，形成低功耗、高靈敏度和高穩(wěn)定性的氣體傳感器。

S3、提供一傳感器加熱芯片，將摻雜金屬氧化物的氧化鎳附著在傳感器加熱芯片上，以在傳感器加熱芯片上形成氣體敏感層。具體地，加熱芯片11，其包括基底111和加熱電極112?；?11具有第一表面1111和與第一表面1111相背的第二表面1112，加熱電極112設(shè)于基底111的第一表面1111上，信號(hào)電極12則設(shè)于基底111的第二表面1112上，且信號(hào)電極12與加熱芯片11絕緣。氣體敏感層13，設(shè)置于信號(hào)電極12之間或覆蓋信號(hào)電極12，氣體敏感層13與信號(hào)電極12電性連接，且使信號(hào)電極12之間電性連通。將摻雜金屬氧化物的氧化鎳與一定比例的有機(jī)粘合劑、有機(jī)溶劑和玻璃粉混合，配成氧化鎳漿料，經(jīng)過(guò)絲網(wǎng)印刷或者涂抹工藝附著在傳感器加熱芯片上的信號(hào)電極12之間或覆蓋信號(hào)電極12以形成氣體敏感層。

S4、將親水性材料附著在氣體敏感層上以形成防潮層，并進(jìn)行退火處理，得到半導(dǎo)體氣體傳感器。優(yōu)選地，此步驟中退火的溫度在500-600℃。在氧化鎳氣體敏感層的表面印刷或者涂抹一層親水性材料以形成防潮層，親水性材料與氧化鎳氣體敏感層形成對(duì)水分子的競(jìng)爭(zhēng)作用，使得氣體傳感器免受水汽的影響，提高傳感器的穩(wěn)定性。優(yōu)選地，親水性材料為親水性的金屬氧化物或能夠吸收水分子的干燥劑。在親水性材料上還可以負(fù)載鉑、鈀、金、銀等貴金屬，以加快目標(biāo)氣體的催化反應(yīng)。

另外，半導(dǎo)體氣體傳感器在高濃度目標(biāo)氣體下長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)，傳感器基準(zhǔn)電阻容易發(fā)生漂移，此時(shí)通過(guò)高溫處理可以重新激活傳感器，使得傳感器基準(zhǔn)電阻重新回落。優(yōu)選地，高溫激活溫度為200~300℃，激活時(shí)間為1min~1500min。通過(guò)表面制備親水性材料和定期激活，提高傳感器承受惡劣環(huán)境的能力，進(jìn)一步提高傳感器的穩(wěn)定性。

為了更好的闡述本發(fā)明，以下提供一些制備金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器的具體實(shí)施例。

實(shí)施例1

取150mL 0.1mol/L的六水硝酸鎳與50mL濃度為25%的氨水混合，然后加入500mL 1mol/L的氫氧化鈉水溶液，在60℃油浴中反應(yīng)一個(gè)小時(shí)，得到納米片自組裝的中空氫氧化鎳微米球，然后取10g氫氧化鎳微米球與500mL水混合攪拌，然后加入100mL 0.05mol/L的氫氧化鈉水溶液，再加入50mL 0.05mol/L硫酸銅水溶液，反應(yīng)一小時(shí)后，將沉淀物過(guò)濾洗滌，然后在500℃退火，得到摻雜Cu的中空氧化鎳微球，然后加入乙基纖維素、松油醇和玻璃粉，攪拌混合，得到氧化鎳漿料，將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的氧化硅微米顆粒，在600℃退火，得到檢測(cè)H₂S氣體的氣體傳感器。

實(shí)施例2

取150mL 0.5mol/L的六水硝酸鎳與30mL乙二胺混合，然后加入500mL 5mol/L的氫氧化鈉水溶液，在100℃油浴中反應(yīng)一個(gè)小時(shí)，得到納米片自組裝的中空氫氧化鎳微米球，然后取10g氫氧化鎳微米球與500mL水混合攪拌，然后加入160mL 0.05mol/L的氫氧化鈉水溶液，再加入25mL 0.05mol/L硝酸鐵水溶液和25mL 0.05mol/L硝酸鉻水溶液，反應(yīng)一小時(shí)后，將沉淀物過(guò)濾洗滌，然后在500℃退火，得到摻雜Fe/Cr的中空氧化鎳微球，然后加入乙基纖維素、松油醇和玻璃粉，攪拌混合，得到氧化鎳漿料，將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的氧化鋁微米顆粒，在600℃退火，得到檢測(cè)VOC的氣體傳感器。

實(shí)施例3

取10g直徑為500nm的鎳球與2g聚苯乙烯磺酸鈉、0.5g六水合硝酸鎳、0.5g二水合草酸混合，然后加入200mL水充分?jǐn)嚢?，再加入適量水合聯(lián)氨調(diào)節(jié)溶液PH值為7.5，混合攪拌一小時(shí)，然后將沉淀物在300℃退火1小時(shí)，然后用0.05mol/L的稀鹽酸浸泡48小時(shí)，得到中空氧化鎳納米球。取5g中空氧化鎳納米球與0.15g直徑為30nm的三氧化鎢納米顆?；旌?，并加入乙基纖維素、松油醇和玻璃粉混合膠棒，得到氧化鎳漿料。將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的分子篩微米顆粒，然后滴涂5ul鉑鹽水溶液，在500℃退火，得到檢測(cè)二氧化氮的氣體傳感器。

實(shí)施例4

取5g直徑為500nm的二氧化硅納米球與1g十二烷基苯磺酸鈉、1g六水合硝酸鎳、1g二水合草酸混合，然后加入200mL水充分?jǐn)嚢?，再加入適量乙二胺調(diào)節(jié)溶液PH值為7.5，混合攪拌一小時(shí)，然后將沉淀物在300℃退火1小時(shí)，然后用2mol/L的氫氧化鈉水溶液浸泡48小時(shí)，得到中空氧化鎳納米球。取5g中空氧化鎳納米球與0.25g直徑為50nm的五氧化二釩納米顆粒混合，并加入乙基纖維素、松油醇和玻璃粉混合膠棒，得到氧化鎳漿料。將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的氧化鈣微米顆粒，在500℃退火，得到檢測(cè)苯系物揮發(fā)氣體的氣體傳感器。

實(shí)施例5

取5g直徑為500nm的二氧化硅納米球與1g十二烷基苯磺酸鈉、1g六水合硝酸鎳、1g二水合草酸混合，然后加入200mL水充分?jǐn)嚢瑁偌尤脒m量乙二胺調(diào)節(jié)溶液PH值為7.5，混合攪拌一小時(shí)，然后將沉淀物在300℃退火1小時(shí)，然后用2mol/L的氫氧化鈉水溶液浸泡48小時(shí)，得到中空氧化鎳納米球。取5g中空氧化鎳納米球與0.1g直徑為50nm的氧化鈷和氧化鐵納米顆?；旌希⒓尤胍一w維素、松油醇和玻璃粉混合膠棒，得到氧化鎳漿料。將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的氧化鈣微米顆粒，150℃干燥后滴涂5ul的鈀鹽水溶液，在500℃退火，得到檢測(cè)VOC的氣體傳感器。

實(shí)施例6

取150mL 0.5mol/L的六水硝酸鎳與30mL乙二胺四乙酸鈉混合，然后加入500mL 5mol/L的氫氧化鈉水溶液，在100℃油浴中反應(yīng)一個(gè)小時(shí)，得到納米片自組裝的中空氫氧化鎳微米球，然后取5g氫氧化鎳微米球與0.15g直徑為30nm的二氧化鈦納米顆?；旌?，然后加入乙基纖維素、松油醇和玻璃粉，攪拌混合，得到氧化鎳漿料，將漿料印刷到傳感器加熱芯片上，再印刷一層親水性的氧化鋁微米顆粒，150℃干燥后滴涂5ul的鉑鹽水溶液，在600℃退火，得到檢測(cè)VOC的氣體傳感器。

應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。

上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。