欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

霍爾傳感器的制作方法

文檔序號(hào):12071002閱讀:799來(lái)源:國(guó)知局
霍爾傳感器的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及具備半導(dǎo)體霍爾元件和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體霍爾元件的電路的霍爾傳感器,特別涉及能夠去除偏移電壓的霍爾傳感器。



背景技術(shù):

首先對(duì)霍爾元件的磁檢測(cè)原理進(jìn)行說(shuō)明。在施加與物質(zhì)中流過(guò)的電流垂直的磁場(chǎng)時(shí),在與該電流和磁場(chǎng)雙方垂直的方向上產(chǎn)生電場(chǎng)(霍爾電壓)。由該霍爾電壓的大小求出磁場(chǎng)的強(qiáng)度,這就是利用霍爾元件進(jìn)行磁檢測(cè)的原理。

在考慮圖6那樣的霍爾元件時(shí),當(dāng)設(shè)霍爾元件磁感應(yīng)部1的寬度為W、長(zhǎng)度為L(zhǎng)、電子遷移率為μ、用于使電流流過(guò)的電源2的施加電壓為Vdd、施加磁場(chǎng)為B時(shí),從電壓表3輸出的霍爾電壓VH可以表述為下式。

VH=μB(W/L)Vdd

與施加磁場(chǎng)B成比例的系數(shù)為磁靈敏度,因此該霍爾元件的磁靈敏度Kh表述為下式。

Kh=μ(W/L)Vdd

另一方面,在實(shí)際的霍爾元件中,即使不被施加磁場(chǎng),也產(chǎn)生輸出電壓。將該磁場(chǎng)為0時(shí)所輸出的電壓稱為偏移電壓。產(chǎn)生偏移電壓的原因可認(rèn)為是由于從外部對(duì)元件施加的機(jī)械應(yīng)力、或制造過(guò)程中的對(duì)準(zhǔn)偏差等元件內(nèi)部的電位分布的不均衡所導(dǎo)致的。

偏移電壓的補(bǔ)償一般通過(guò)下述方法進(jìn)行。

圖7是示出基于旋轉(zhuǎn)電流的偏移消除電路的原理的電路圖?;魻栐?0為對(duì)稱的形狀,具有4個(gè)端子T1、T2、T3、T4,用于使控制電流流向一對(duì)輸入端子,從另一對(duì)輸出端子得到輸出電壓。在霍爾元件的一方的一對(duì)端子T1、T2成為控制電流輸入端子的情況下,另一方的一對(duì)端子T3、T4成為霍爾電壓輸出端子。此時(shí),若對(duì)輸入端子施加電壓Vin,則在輸出端子產(chǎn)生輸出電壓Vh+Vos。在此,Vh表示與霍爾元件產(chǎn)生的磁場(chǎng)成比例的霍爾電壓,Vos表示偏移電壓。接著,若將T3、T4作為控制電流輸出端子、將T1、T2作為霍爾電壓輸出端子,并在T3、T4間施加輸入電壓Vin,則在輸出端子產(chǎn)生電壓-Vh+Vos。S1~S4是傳感器端子切換單元,通過(guò)切換信號(hào)發(fā)生器11選擇N1端子或N2端子。

通過(guò)對(duì)上述的在兩個(gè)方向流過(guò)電流時(shí)的輸出電壓進(jìn)行相減,能夠消除偏移電壓Vos,得到與磁場(chǎng)成比例的輸出電壓2Vh(例如,參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。

但是,有時(shí)利用該偏移消除電路無(wú)法完全消除偏移電壓,下面對(duì)這種情況進(jìn)行說(shuō)明。

霍爾元件由圖8所示的等效電路來(lái)表示。即,霍爾元件能夠以由4個(gè)電阻R1、R2、R3、R4連接4個(gè)端子而成的橋式電路的形式來(lái)表示。利用該模型對(duì)于如上所述的通過(guò)對(duì)在兩個(gè)方向流過(guò)電流時(shí)的輸出電壓進(jìn)行相減而消除偏移電壓的情況進(jìn)行說(shuō)明。

若對(duì)霍爾元件的一方的一對(duì)端子T1、T2施加電壓Vin,則在另一方的一對(duì)端子T3、T4間輸出如下的霍爾電壓。

Vouta=(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)*Vin

另一方面,若對(duì)端子T3、T4施加電壓Vin,則在T1、T2輸出如下的霍爾電壓。

Voutb=(R1*R3-R2*R4)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin

因此,若取兩個(gè)方向的輸出電壓之差,則為:

Vouta-Voutb=(R1-R3)*(R2-R4)*(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin。

從而,關(guān)于偏移電壓,即使在各等效電路的電阻R1、R2、R3、R4不同的情況下,只要R1=R3或者R2=R4,也能夠消除偏移。這種情況的前提是,即使改變施加電壓的端子,各電阻值也沒(méi)有變化。但是,在不滿足該前提的情況下,例如即使在一個(gè)方向的R1=R3的情況下,在另一方向無(wú)法滿足該關(guān)系時(shí),上述的差值也無(wú)法為零,因而無(wú)法消除偏移。下面對(duì)無(wú)法通過(guò)電壓的施加方向消除偏移的原因之一進(jìn)一步具體說(shuō)明。

在霍爾元件的結(jié)構(gòu)中,通常,作為霍爾元件磁感應(yīng)部的N型雜質(zhì)區(qū)域的周邊部為了分離而被P型雜質(zhì)區(qū)域包圍。若對(duì)霍爾電流施加端子施加電壓,則耗盡層在霍爾元件磁感應(yīng)部與其周邊部的邊界處擴(kuò)展。由于在耗盡層中不流過(guò)霍爾電流,因而在耗盡層擴(kuò)展的區(qū)域,霍爾電流受到抑制,電阻增大。另外,耗盡層寬度取決于施加電壓。因此,由于圖8所示的等效電路的電阻R1、R2、R3、R4的值根據(jù)電壓施加方向而發(fā)生變化,因而產(chǎn)生無(wú)法利用偏移消除電路消除磁偏移的情況。

有時(shí)也采用下述的方法:在元件周邊和元件上部配置耗盡層控制電極,針對(duì)耗盡層向霍爾元件內(nèi)延伸的情況,調(diào)節(jié)施加到各電極的電壓,從而抑制耗盡層(例如,參見(jiàn)專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本特開平06-186103號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2:日本特開平08-330646號(hào)公報(bào)



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

發(fā)明所要解決的課題

在霍爾元件10內(nèi)的溫度不均勻而具有分布的情況下,霍爾元件10內(nèi)的電阻由于溫度不均勻,因而電阻值也變得不均勻,存在電阻值低的場(chǎng)所和電阻值高的場(chǎng)所。這里,若通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流進(jìn)行偏移消除,則上述電阻R1、R2、R3、R4的電阻值由于溫度的變化而變化,無(wú)法進(jìn)行偏移消除。

因此,在具有霍爾元件、和在驅(qū)動(dòng)霍爾元件的電路中作為發(fā)熱源的元件的霍爾傳感器中,由于發(fā)熱的影響而在霍爾元件10內(nèi)產(chǎn)生溫度分布,無(wú)法通過(guò)專利文獻(xiàn)1的旋轉(zhuǎn)電流法去除偏移電壓。

另外,通過(guò)專利文獻(xiàn)2的方法能夠調(diào)整電阻值,但要使用多個(gè)耗盡層控制電極,還需要復(fù)雜的控制電路,因而具有芯片尺寸增大、成本增加等缺點(diǎn)。

因此,本發(fā)明的課題在于提供一種霍爾傳感器,在驅(qū)動(dòng)霍爾元件的電路中具有作為發(fā)熱源的元件的霍爾傳感器中,不會(huì)由于復(fù)雜的校正電路或隔開距離等而使芯片面積增大,即使由于發(fā)熱的影響而在霍爾元件120內(nèi)產(chǎn)生溫度分布,也能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流消除偏移。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題,本發(fā)明如下構(gòu)成。

一種霍爾傳感器,其特征在于,具有:

霍爾元件,其設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上;

作為發(fā)熱源的元件,其設(shè)置在所述霍爾元件的周圍;以及

兩對(duì)端子,它們配置于所述霍爾元件,兼用作控制電流輸入端子和霍爾電壓輸出端子,

在所述兩對(duì)端子中,流過(guò)一對(duì)端子間的霍爾元件控制電流1和流過(guò)另一對(duì)端子間的霍爾元件控制電流2作為矢量相交,

所述霍爾元件具有關(guān)于沿著所述霍爾元件控制電流1和所述霍爾元件控制電流2的矢量和的直線為線對(duì)稱的形狀,

在所述作為發(fā)熱源的元件中,發(fā)熱源的中心位于沿著所述霍爾元件控制電流1和所述霍爾元件控制電流2的矢量和的直線上。

發(fā)明的效果

通過(guò)使用上述單元,在驅(qū)動(dòng)霍爾元件的電路中具有作為發(fā)熱源的元件的霍爾傳感器中,即使由于發(fā)熱的影響而在霍爾元件內(nèi)產(chǎn)生溫度分布,也能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流去除偏移電壓。

另外,由于不使用復(fù)雜的電路、并且不用拉開所述發(fā)熱源與霍爾元件之間的距離,因而能夠去除偏移電壓、并且能夠減小芯片尺寸、抑制成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖。

圖2是本發(fā)明第二實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖。

圖3是本發(fā)明第三實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖。

圖4是本發(fā)明第四實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖。

圖5是針對(duì)霍爾元件與發(fā)熱源的位置關(guān)系示出了基于旋轉(zhuǎn)電流的偏移電壓與溫度分布的關(guān)系的圖表。

圖6是用于說(shuō)明理想的霍爾效應(yīng)的原理的圖。

圖7是用于說(shuō)明通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流去除偏移電壓的方法的圖。

圖8是用于說(shuō)明霍爾元件的偏移電壓的等效電路的圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例1

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖?;魻杺鞲衅饔筛袘?yīng)磁場(chǎng)的霍爾元件、以及驅(qū)動(dòng)或控制霍爾元件的電路構(gòu)成。

首先對(duì)霍爾元件的形狀進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示,霍爾元件120在半導(dǎo)體襯底上,具有正方形的由N型雜質(zhì)區(qū)域121構(gòu)成的磁感應(yīng)部、以及配置在正方形的磁感應(yīng)部的各頂點(diǎn)處的同一形狀的由N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域構(gòu)成的控制電流輸入端子和霍爾電壓輸出端子110A、110B、110C、110D。通過(guò)制成上述形態(tài)的霍爾元件120,成為具有對(duì)稱性的霍爾元件。

接著對(duì)霍爾元件與發(fā)熱源的位置關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。在形成了霍爾元件120的襯底上,具有驅(qū)動(dòng)霍爾元件120的電路。在該電路中大多具有作為發(fā)熱源130的元件。例如,在半導(dǎo)體霍爾傳感器的內(nèi)部電路使用的不是電源電壓、而是電壓調(diào)節(jié)器將電源電壓降壓而生成的內(nèi)部電源電壓的情況下,電壓調(diào)節(jié)器或流過(guò)大電流的電阻元件等可能成為發(fā)熱源。因此,如圖1所示,使發(fā)熱源130的中心對(duì)準(zhǔn)到在霍爾元件120中沿著基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的直線上。由此,能夠排除來(lái)自發(fā)熱源130的熱對(duì)霍爾元件的偏移的影響。

此處,發(fā)熱源的中心是指,從上部觀察發(fā)熱源而繪出體現(xiàn)溫度梯度的等溫線時(shí),處于等溫線的頂峰的溫度的最高點(diǎn)或區(qū)域。

霍爾元件優(yōu)選具有關(guān)于沿著基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和的直線為線對(duì)稱的形狀。

下面對(duì)利用上述方式去除霍爾元件的偏移的原理進(jìn)行說(shuō)明。

圖1的霍爾元件120的N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域的控制電流端子和霍爾電壓輸出端子110A、110B、110C、110D分別與圖7的T1、T3、T2、T4連接。在使用圖8的等效電路時(shí),在此,在室溫下無(wú)溫度梯度的情況下,R2=R4成立。因此,能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流消除偏移。其次,若各電阻的溫度不同或有溫度梯度,則各電阻值不同。即,R2變成R2′、R4變成R4′。若有溫度梯度,則通常R2′≠R4′。需要說(shuō)明的是,此處,R1≠R3,即使產(chǎn)生溫度梯度,也是R1′≠R3′。

若再次使用前面所用的計(jì)算式進(jìn)行說(shuō)明,則在室溫下無(wú)溫度梯度的情況下,在對(duì)一方的一對(duì)端子T1、T2施加電壓Vin時(shí),流過(guò)霍爾元件控制電流JS1,在另一方的一對(duì)端子T3、T4間輸出如下的霍爾電壓。

Vouta=(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)*Vin

另一方面,若對(duì)端子T3、T4施加電壓Vin,則流過(guò)電流JS2,在T1、T2輸出如下的霍爾電壓。

Voutb=(R1*R3-R2*R4)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin

在此,若直接取基于旋轉(zhuǎn)電流的兩個(gè)方向的輸出電壓之差,則在無(wú)溫度梯度的狀態(tài)下,根據(jù)上述假設(shè),R2=R4,因而在下式中,偏移電壓可以為零。

Vouta-Voutb=(R1-R3)*(R2-R4)*(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin

但是,在產(chǎn)生溫度梯度時(shí),電阻值會(huì)不同,R2變成R2′,R4變成R4′。因此,輸出電壓之差變成下式表示的值,無(wú)法為零。

Vouta′-Voutb′=(R1′-R3′)*(R2′-R4′)*(R2′*R4′-R1′*R3′)/(R1′+R4′)/(R2′+R3′)/(R3′+R4′)/(R1′+R2′)*Vin

但是,對(duì)于霍爾元件與發(fā)熱源的位置關(guān)系,通過(guò)如圖1所示那樣,使發(fā)熱源130的中心對(duì)準(zhǔn)到在基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的延長(zhǎng)線上,即使電阻R2、R4受到發(fā)熱的影響而變成R2′、R4′,由于它們相對(duì)于沿著兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的直線而對(duì)稱地配置,因而處于相同的溫度梯度,在維持R2=R4的關(guān)系的情況下,能夠成為R2′=R4′。

從而,若取輸出電壓之差,則Vout=Vouta′-Voutb′=0,能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流去除偏移電壓。

另外,圖5是示出霍爾元件內(nèi)的最大與最小的溫度差和基于旋轉(zhuǎn)電流的偏移去除后的偏移的磁場(chǎng)換算值的實(shí)驗(yàn)圖。附注A為取圖1所示的實(shí)施例1的配置的情況下的測(cè)量結(jié)果,附注B為在相對(duì)于霍爾元件控制電流矢量和VC1垂直的方向上配置發(fā)熱源的情況下的測(cè)量結(jié)果。由圖5的測(cè)量結(jié)果也可知,通過(guò)使霍爾元件與發(fā)熱源的位置關(guān)系如圖1所示,能夠去除偏移。

實(shí)施例2

作為第一實(shí)施方式,使用圖1對(duì)發(fā)熱源為一個(gè)的情況進(jìn)行了說(shuō)明,但控制霍爾元件的電路中的發(fā)熱元件并不限于一個(gè)。圖2是示出了在控制霍爾元件120的電路中存在多個(gè)發(fā)熱元件(發(fā)熱源)130A、130B的情況下的本發(fā)明的實(shí)施方式的霍爾傳感器的俯視圖。

即使在存在多個(gè)發(fā)熱源的情況下,通過(guò)使各發(fā)熱源130A、130B的中心對(duì)準(zhǔn)到基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的延長(zhǎng)線上,也能夠去除偏移。

此處,發(fā)熱源的中心是指,從上部觀察發(fā)熱源而繪出體現(xiàn)溫度梯度的等溫線時(shí),處于等溫線的頂峰的溫度的最高點(diǎn)或區(qū)域。

霍爾元件優(yōu)選具有沿著穿過(guò)基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和的直線呈線對(duì)稱的形狀。

實(shí)施例3

此外,在如圖3所示需要在與圖1和圖2垂直的方向上配置發(fā)熱源的情況下,可以按照使發(fā)熱源130的中心對(duì)準(zhǔn)到霍爾元件控制電流JS1、JS2的矢量和VC1的延長(zhǎng)線上的方式,對(duì)霍爾元件控制電流JS1、JS2的方向進(jìn)行優(yōu)化,從而能夠去除偏移。

實(shí)施例4

此外,霍爾元件120的形狀并不限于圖1所示那樣的正方形。在圖4所示那樣的具有十字形的由N型雜質(zhì)區(qū)域121構(gòu)成的磁感應(yīng)部、和位于其4個(gè)端部的由N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域構(gòu)成的霍爾電流控制電極和霍爾電壓輸出端子(110A~110D)的霍爾元件120中,通過(guò)使發(fā)熱源130的中心對(duì)準(zhǔn)到霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的延長(zhǎng)線上,也能夠排除來(lái)自發(fā)熱源130的熱對(duì)霍爾元件的偏移的影響,能夠去除偏移。

即,只要霍爾元件的形狀為正方形、十字形等具有線對(duì)稱性的形狀,通過(guò)使發(fā)熱源130的中心對(duì)準(zhǔn)到霍爾元件控制電流JS1和JS2的矢量和VC1的延長(zhǎng)線上,即能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流去除偏移。

此處,發(fā)熱源的中心是指,從上部觀察發(fā)熱源而繪出體現(xiàn)溫度梯度的等溫線時(shí),處于等溫線的頂峰的溫度的最高點(diǎn)或區(qū)域。

霍爾元件優(yōu)選具有沿著穿過(guò)基于旋轉(zhuǎn)電流法的兩個(gè)方向的電流JS1和JS2的矢量和的直線呈線對(duì)稱的形狀。

如上所述,本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)下述的霍爾傳感器:其不使用復(fù)雜的電路,減小了霍爾元件與控制霍爾元件的電路中的發(fā)熱元件的距離,即使霍爾元件內(nèi)的溫度分布增大,也能夠通過(guò)旋轉(zhuǎn)電流去除偏移,并且能夠減小芯片面積、抑制成本。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10、120:霍爾元件

121:N型雜質(zhì)區(qū)域

130、130A、130B:霍爾元件驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)熱源

110A、110B、110C、110D:由N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域構(gòu)成的霍爾電壓輸出端子和控制電流輸入端子

2、12:電源

3、13:電壓表

11:切換信號(hào)發(fā)生器

S1、S2、S3、S4:傳感器端子切換單元

T1、T2、T3、T4:端子

R1、R2、R3、R4:電阻

JS1、JS2:霍爾元件控制電流

VC1:霍爾元件控制電流矢量和

當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
黎平县| 永昌县| 应城市| 怀远县| 南汇区| 黄大仙区| 渑池县| 闽侯县| 乌兰县| 兴隆县| 昌邑市| 凤冈县| 福建省| 馆陶县| 平泉县| 阆中市| 孝义市| 太白县| 庄河市| 大理市| 平泉县| 海林市| 宜兰市| 许昌县| 佛教| 郁南县| 青铜峡市| 台江县| 扎鲁特旗| 清涧县| 炎陵县| 博罗县| 鄂州市| 萨迦县| 赤壁市| 伽师县| 大港区| 嵊州市| 聊城市| 开平市| 海口市|