一種電壓采樣電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電壓采樣電路，該采樣電路包括硅整流器、第一電阻、第一電容、光電耦合器、第二電容和第三電容；硅整流器的輸入端的一個引腳與電源火線連接，另一個引腳與電源零線連接，第一電阻的一端與硅整流器的輸出端的一個引腳連接，另一端與光電耦合器的輸入端的一個引腳連接，第一電容的正極與光電耦合器的輸入端的一個引腳連接，另一端與硅整流器的輸出端的一個引腳連接，光電耦合器的輸出端的發(fā)射極引腳接地，輸出端的集電極引腳分別與第二電容的正極和第三電容的一端連接，第二電容的另一端和第三電容的另一端分別與電壓采樣端連接。該采樣電路由于不在采用線圈變壓，故具有體積小，集成度高的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種電壓采樣電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種電路，尤其涉及一種電壓采樣電路。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的電氣電子技術(shù)對AC220V采樣主要通過兩種手段:
[0003]1、交流互感模塊，通過線圈互感，將電壓降低，經(jīng)過整流，濾波得到平穩(wěn)的模擬信號。
[0004]2、通過變壓器降壓，再經(jīng)過整流濾波等到平穩(wěn)的模擬信號。
[0005]這兩者都是通過線圈降壓原理，使220V電壓降到可以采集的安全模擬電壓。在當(dāng)前而當(dāng)前主流直流穩(wěn)壓電源已經(jīng)不采用電壓模式，而采用開關(guān)電源模式，因此這兩點(diǎn)有個很明顯的缺點(diǎn):需要線圈變壓，而線圈模塊體積相對都比較大，如果額外采用變壓器體積將更大。
[0006]鑒于上述缺陷，本實(shí)用新型創(chuàng)作者經(jīng)過長時間的研宄和試驗(yàn)，最終獲得了本實(shí)用新型。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實(shí)用新型的目的在于提供一種電壓采樣電路，用以克服上述技術(shù)缺陷。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案在于:提供一種一種電壓采樣電路，該米樣電路包括娃整流器、第一電阻、第一電容、光電親合器、第二電容和第三電容；所述娃整流器的輸入端的一個引腳與電源火線連接，另一個引腳與電源零線連接，所述第一電阻的一端與所述硅整流器的輸出端的一個引腳連接，另一端與所述光電耦合器的輸入端的一個引腳連接，所述第一電容的正極與所述光電親合器的輸入端的一個引腳連接，另一端與所述硅整流器的輸出端的一個引腳連接，所述光電耦合器的輸出端的發(fā)射極引腳接地，輸出端的集電極引腳分別與所述第二電容的正極和所述第三電容的一端連接，所述第二電容的另一端和第三電容的另一端分別與電壓采樣端連接。
[0009]進(jìn)一步，該采樣電路還包括第二電阻和電源，所述第二電阻的一端與所述光電耦合器的輸出端的集電極引腳連接，另一端與所述電源連接。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)比較本實(shí)用新型的有益效果在于:提供了一種電壓采樣電路，該采樣電路由于不在采用線圈變壓，故具有體積小，集成度高的優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的電壓采樣電路電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種電壓采樣電路包括硅整流器U1、第一電阻R1、第一電容Cl、光電耦合器U2、第二電容C2、第三電容C3、第二電阻R2和電源VCC。所述硅整流器Ul的輸入端的引腳I與電源火線L連接，引腳2與電源零線N連接，所述第一電阻Rl的一端與所述硅整流器Ul的輸出端的引腳3連接，另一端與所述光電耦合器U2的輸入端引腳I連接，所述第一電阻Rl用于降壓。所述第一電容Cl的正極與所述光電耦合器U2的輸入端引腳I連接，另一端與所述硅整流器Ul的輸出端引腳4連接，也與所述光電耦合器U2的輸入端引腳2連接，所述第一電容Cl用于濾波。所述光電耦合器U2的輸出端的發(fā)射極引腳4接地，輸出端的集電極引腳5分別與第二電容C2的正極、第三電容C3的一端以及第二電阻R2的一端連接，所述第二電容C2的另一端和第三電容C3的另一端分別與電壓采樣端MCU_AD連接。所述第二電阻R2的另一端與所述電源VCC連接。所述第二電容C2和第三電容C3用于濾波和穩(wěn)壓。本實(shí)施例中的硅整流器Ul采用的型號為DB107S，最大可通過100V電壓，即使有1000V浪涌也不會對該芯片有影響，在1000V電壓下電流也僅為ImA左右，因此功耗非常低。光電耦合器U2采用的型號為4N35，當(dāng)輸入市電發(fā)生變化時，電流也隨之發(fā)生變化，則光電耦合器U2的輸入光強(qiáng)度會產(chǎn)生變化，從而輸出集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通率也會發(fā)生變化，即當(dāng)市電變大則則集電極和發(fā)射極導(dǎo)通率變高，輸出電壓變小，當(dāng)市電變小，則輸出電壓變大。該采樣電路由于不在采用線圈變壓，故具有體積小，集成度高的優(yōu)點(diǎn)。
[0013]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對本實(shí)用新型而言僅僅是說明性的，而非限制性的。本專業(yè)技術(shù)人員理解，在本實(shí)用新型權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)可對其進(jìn)行許多改變，修改，甚至等效，但都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電壓采樣電路，其特征在于，該采樣電路包括硅整流器、第一電阻、第一電容、光電耦合器、第二電容和第三電容；所述硅整流器的輸入端的一個引腳與電源火線連接，另一個引腳與電源零線連接，所述第一電阻的一端與所述硅整流器的輸出端的一個引腳連接，另一端與所述光電親合器的輸入端的一個引腳連接，所述第一電容的正極與所述光電f禹合器的輸入端的一個引腳連接，另一端與所述硅整流器的輸出端的一個引腳連接，所述光電耦合器的輸出端的發(fā)射極引腳接地，輸出端的集電極引腳分別與所述第二電容的正極和所述第三電容的一端連接，所述第二電容的另一端和第三電容的另一端分別與電壓采樣端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓采樣電路，其特征在于，該采樣電路還包括第二電阻和電源，所述第二電阻的一端與所述光電耦合器的輸出端的集電極引腳連接，另一端與所述電源連接。
【文檔編號】G01R19/00GK204256026SQ201420763992
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月8日
【發(fā)明者】王爾琪, 張智杰, 游立新, 汪自強(qiáng) 申請人:常州中進(jìn)醫(yī)療器材有限公司