一種基于exb841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，尤其是一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路。它包括EXB841芯片、光耦合器、比較器、第一三極管和第二三極管；光耦合器的陽(yáng)極通過(guò)第一電阻連接有24V直流電源、陰極連接EXB841芯片的第五引腳、Vcc端腳通過(guò)第二電阻和第四電阻連接第一三極管的集電極、Vo端腳通過(guò)第五電阻連接第一三極管的基極，第二電阻與光耦合器的Vo端腳之間還連接有第三電阻；比較器的同相輸入端與第一三極管的集電極連接，反相輸入端通過(guò)第二可調(diào)電阻、第八電阻和第七電阻連接于第一三極管的輸出端，第七電阻通過(guò)第一穩(wěn)壓管和第九電阻連接于第二三極管的基極，第二三極管的集電極通過(guò)第十電阻與第二可調(diào)電阻連接。本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有很強(qiáng)的實(shí)用性。
【專利說(shuō)明】—種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，尤其是一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路。

【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下的IGBT的專用驅(qū)動(dòng)電路，具有單電源、正負(fù)偏壓、過(guò)流檢測(cè)、保護(hù)、軟關(guān)斷等主要特性，在國(guó)內(nèi)外得到了廣泛應(yīng)用，但在中高頻逆變電路的實(shí)際應(yīng)用中卻存在一些不足，導(dǎo)致IGBT的誤導(dǎo)通或誤關(guān)斷，嚴(yán)重影響了設(shè)備的穩(wěn)定性與可靠性。
[0003]EXB841芯片的內(nèi)部與應(yīng)用電路(如圖1所示)在應(yīng)用到大功率臭氧電源時(shí)，電源系統(tǒng)極易出現(xiàn)故障，具體表現(xiàn)為:因強(qiáng)電磁干擾的存在，致使EXB841芯片在電流較小時(shí)就產(chǎn)生虛假過(guò)流的故障報(bào)警，使得設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)行。
[0004]因此，有必要對(duì)其提出改進(jìn)方案，以解決其在應(yīng)用于大功率臭氧電源時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠有效消除因使用傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路所出現(xiàn)的虛假過(guò)流保護(hù)現(xiàn)象，保證臭氧電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性的基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路，它包括EXB841芯片，它還包括光耦合器、比較器、第一三極管和第二三極管；
[0008]所述光耦合器的陽(yáng)極通過(guò)第一電阻連接有24V直流電源、陰極連接EXB841芯片的第五引腳、Vcc端腳通過(guò)依次串聯(lián)的第二電阻和第四電阻連接第一三極管的集電極、Vo端腳通過(guò)第五電阻連接第一三極管的基極并通過(guò)第二電容接地，所述第二電阻與光耦合器的Vo端腳之間還連接有第三電阻；
[0009]所述比較器的同相輸入端與第一三極管的集電極連接，反相輸入端通過(guò)依次串聯(lián)的第二可調(diào)電阻、第八電阻和第七電阻連接于第一三極管的輸出端并通過(guò)第六電阻接地，所述第七電阻通過(guò)第三電容接地并通過(guò)依次串聯(lián)的第一穩(wěn)壓管和第九電阻連接于第二三極管的基極，所述第二三極管的集電極通過(guò)第十電阻與第二可調(diào)電阻連接、發(fā)射極接地；
[0010]所述EXB841芯片的第五引腳與第四引腳之間連接有第一可調(diào)電阻、第四引腳與第九引腳之間連接有第一電容。
[0011]優(yōu)選地，所述光耦合器為6N136型光耦，所述比較器為L(zhǎng)M319型高速比較器。
[0012]優(yōu)選地，所述第二三極管的集電極還連接有SG3525型PWM控制芯片，所述第二三極管的集電極與PWM控制芯片的第十端腳連接。
[0013]由于采用了上述方案，本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)虛假電流具有很強(qiáng)的識(shí)別功能能，利于將整個(gè)電路應(yīng)用于大功率臭氧發(fā)生電源上，徹底消除了使用典型驅(qū)動(dòng)電路時(shí)在極小電流時(shí)的虛假過(guò)流報(bào)警問(wèn)題，增強(qiáng)了電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性；其具有很強(qiáng)的實(shí)用性和市場(chǎng)推廣價(jià)值。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中EXB841芯片的內(nèi)部電路及典型應(yīng)用電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0015]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0017]如圖2所示并結(jié)合圖1，本實(shí)施例的基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路，它包括EXB841芯片、6N136型光耦合器、LM319型比較器、第一三極管VOl和第二三極管V02 ;其中，光耦合器的陽(yáng)極通過(guò)第一電阻ROl連接有24V直流電源、陰極連接EXB841芯片的第五引腳、Vcc端腳通過(guò)依次串聯(lián)的第二電阻R02和第四電阻R04連接第一三極管VOl的集電極、Vo端腳通過(guò)第五電阻R05連接第一三極管VOl的基極并通過(guò)第二電容C02接地，第二電阻R02與光耦合器的Vo端腳之間還連接有第三電阻R03 ;同時(shí)，比較器的同相輸入端與第一三極管VOl的集電極連接，反相輸入端通過(guò)依次串聯(lián)的第二可調(diào)電阻Rw2、第八電阻R08和第七電阻R07連接于第一三極管VOl的輸出端并通過(guò)第六電阻R06接地，第七電阻R07通過(guò)第三電容C03接地并通過(guò)依次串聯(lián)的第一穩(wěn)壓管VsOl和第九電阻R09連接于第二三極管V02的基極，第二三極管V02的集電極通過(guò)第十電阻RlO與第二可調(diào)電阻Rw2連接、發(fā)射極接地；另外，在EXB841芯片的第五引腳與第四引腳之間連接有第一可調(diào)電阻Rwl、第四引腳與第九引腳之間連接有第一電容C01。
[0018]進(jìn)一步，第二三極管V02的集電極還連接有SG3525型PWM控制芯片，第二三極管V02的集電極與PWM控制芯片的第十端腳連接。
[0019]本實(shí)施例的電路基于以下原理形成，如圖2所示并參考圖1:當(dāng)EXB841芯片的第六引腳檢測(cè)到過(guò)流故障發(fā)生時(shí)，EXB841芯片進(jìn)入軟關(guān)斷過(guò)程，其內(nèi)部電路(C3、R6)將會(huì)產(chǎn)生約3微秒的延時(shí)，若3微秒后過(guò)流依然存在，其第五引腳輸出的低電平將作為過(guò)流故障指不信號(hào)，光稱合器導(dǎo)通，第一三極管VOl截止，比較器輸出高電平,第三電容C03通過(guò)第七電阻R07充電,若比較器輸出持續(xù)高電平時(shí)間大于設(shè)定保護(hù)時(shí)間(一般為5微秒)，第三電容C03的充電電壓將達(dá)到擊穿第一穩(wěn)壓管VsOl的電壓，使EXB841芯片的第九引腳所接的第二穩(wěn)壓管Vs02飽和導(dǎo)通并輸出低電平，觸發(fā)后接R-S觸發(fā)器鎖定過(guò)流指示信號(hào)，由R-S觸發(fā)器的前級(jí)控制電路(如送至SG3525的第十引腳)封鎖PWM脈沖信號(hào)和實(shí)現(xiàn)故障保護(hù)動(dòng)作。若是虛假過(guò)流，則在第二穩(wěn)壓管Vs02飽和導(dǎo)通前，EXB841芯片的第五引腳電平將恢復(fù)為高電平，不會(huì)觸發(fā)R-S觸發(fā)器動(dòng)作，整個(gè)電路恢復(fù)到正常狀態(tài)。
[0020]EXB841芯片的軟關(guān)斷時(shí)間是由其內(nèi)部的R7和C4的時(shí)間常數(shù)決定的，為提高軟關(guān)斷的可靠性，在EXB841芯片的第四引腳和第五引腳之間加入了第一可調(diào)電阻Rwl，以實(shí)現(xiàn)縮短軟關(guān)斷時(shí)間的目的；同時(shí)在EXB841芯片第四引腳與第九引腳之間連接了第一電容COl，以以避免出現(xiàn)過(guò)高的di/dt產(chǎn)生的電壓尖峰。
[0021]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路，它包括EXB841芯片，其特征在于:它還包括光稱合器、比較器、第一三極管和第二三極管； 所述光耦合器的陽(yáng)極通過(guò)第一電阻連接有24V直流電源、陰極連接EXB841芯片的第五引腳、Vcc端腳通過(guò)依次串聯(lián)的第二電阻和第四電阻連接第一三極管的集電極、Vo端腳通過(guò)第五電阻連接第一三極管的基極并通過(guò)第二電容接地，所述第二電阻與光耦合器的Vo端腳之間還連接有第三電阻； 所述比較器的同相輸入端與第一三極管的集電極連接，反相輸入端通過(guò)依次串聯(lián)的第二可調(diào)電阻、第八電阻和第七電阻連接于第一三極管的輸出端并通過(guò)第六電阻接地，所述第七電阻通過(guò)第三電容接地并通過(guò)依次串聯(lián)的第一穩(wěn)壓管和第九電阻連接于第二三極管的基極，所述第二三極管的集電極通過(guò)第十電阻與第二可調(diào)電阻連接、發(fā)射極接地； 所述EXB841芯片的第五引腳與第四引腳之間連接有第一可調(diào)電阻、第四引腳與第九引腳之間連接有第一電容。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路，其特征在于:所述光耦合器為6N136型光耦，所述比較器為L(zhǎng)M319型高速比較器。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種基于EXB841芯片的改進(jìn)型過(guò)流故障識(shí)別電路，其特征在于:所述第二三極管的集電極還連接有SG3525型PWM控制芯片，所述第二三極管的集電極與PWM控制芯片的第十端腳連接。
【文檔編號(hào)】G01R19/165GK204166046SQ201420597308
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】張志彬 申請(qǐng)人:張志彬