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一種背散射晶體探測器的制造方法

文檔序號:6065726閱讀:370來源:國知局
一種背散射晶體探測器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種背散射晶體探測器,用來解決現(xiàn)有背散射探測器的探測精度不高的問題,所述背散射晶體探測器包括:閃爍晶體,用來接收貫穿輻射源的射線,發(fā)出熒光;光電管,與所述閃爍晶體相連,對所述閃爍晶體發(fā)出的熒光進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成電信號;供電源,與所述光電管相連;AD轉(zhuǎn)換器,與所述光電管相連,對所述電信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成數(shù)字信號。本實(shí)用新型實(shí)施例利用閃爍晶體透明度高、傳輸性能好的優(yōu)點(diǎn),對被檢測物體的探測精度高,同時(shí)具有不潮解、性能穩(wěn)定、耐輻射、閃爍衰減時(shí)間短與價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),可廣泛使用在核電站、機(jī)場、火車站、大型公共場合等設(shè)施內(nèi),進(jìn)行出入口的安全檢測、車輛污染檢測以及放射性檢測。
【專利說明】一種背散射晶體探測器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及輻射成像檢測【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種背散射晶體探測器。

【背景技術(shù)】
[0002]背散射是利用入射電子與被檢測物體原子外層軌道電子或自由電子發(fā)生碰撞而散射回來的部分電子。背散射掃描就是對散射回來的背散射電子進(jìn)行探測。背散射電子的產(chǎn)額隨被檢測物體的原子序數(shù)的增大而增加,因此成像可以反映樣品的元素分布,及不同相成分區(qū)域的輪廓。背散射電子輻射量與被檢測物體的原子序數(shù)和密度有關(guān)。
[0003]背散射掃描的重要部件為背散射探測器,現(xiàn)有的背散射探測器大多采用固體探測器,但其對高密度原子的掃描探測效果較好,對于低密度的被檢測物體,則探測效果不好,精度不高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有背散射探測器的探測精度不高的問題,提供一種背散射晶體探測,其對各種密度的被測物體都能進(jìn)行高精度的探測。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型以上目的,本實(shí)用新型的背散射晶體探測器是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種背散射晶體探測器,所述背散射晶體探測器包括:
[0007]閃爍晶體,用來接收貫穿輻射源的射線,發(fā)出熒光;
[0008]光電管,與所述閃爍晶體相連,對所述閃爍晶體發(fā)出的熒光進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成電信號;
[0009]供電源,與所述光電管相連;
[0010]AD轉(zhuǎn)換器,與所述光電管相連,對所述電信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成數(shù)字信號。
[0011]進(jìn)一步地,所述閃爍晶體包括有機(jī)閃爍晶體或無機(jī)閃爍晶體。
[0012]進(jìn)一步地,所述光電管還包括光電倍增管,用來對所述熒光進(jìn)行倍增后再進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,形成電信號。
[0013]進(jìn)一步地,所述光電管為半導(dǎo)體光電管。
[0014]進(jìn)一步地,所述光電管包括一個,設(shè)置于所述閃爍晶體上方或側(cè)方。
[0015]進(jìn)一步地,所述光電管包括若干個,組成光電倍增器,設(shè)置于所述閃爍晶體側(cè)方或側(cè)方。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例通過提供一種背散射晶體探測器,利用閃爍晶體透明度高、傳輸性能好的優(yōu)點(diǎn),對被檢測物體的探測精度高,同時(shí)具有不潮解、性能穩(wěn)定、耐輻射、閃爍衰減時(shí)間短與價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),可廣泛使用在核電站、機(jī)場、火車站、大型公共場合等設(shè)施內(nèi),進(jìn)行出入口的安全檢測、車輛污染檢測以及放射性檢測。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0018]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一種背散射晶體探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]如圖1所示,是本實(shí)用新型背散射晶體探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]一種背散射晶體探測器,所述背散射晶體探測器包括:
[0022]閃爍晶體,用來接收貫穿輻射源的射線,發(fā)出熒光;
[0023]進(jìn)一步地,所述閃爍晶體包括有機(jī)閃爍體或無機(jī)閃爍體。
[0024]無機(jī)閃爍晶體的軌道電子從入射粒子大于其禁帶寬度的能量時(shí),便被激發(fā)躍遷至導(dǎo)帶。然后,再經(jīng)過一系列物理過程回到基態(tài),根據(jù)退激的機(jī)制不同而發(fā)射出衰落時(shí)間很短的熒光(約10納秒)或是較長的磷光(約I納秒或更長)。該無機(jī)閃爍晶體可以是用鉈激活的碘化鈉晶體,即碘化鈉(鉈),最大可做到直徑500毫米以上。它有很高的發(fā)光效率和對射線的探測效率。無機(jī)閃爍晶體還包括碘化銫(鉈)、碘化鋰(銪)、硫化鋅(銀)
坐寸ο
[0025]有機(jī)閃爍晶體發(fā)光機(jī)制主要由于分子本身從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的躍遷,可包括有機(jī)晶體閃爍體、液體閃爍體或塑料閃爍體。本實(shí)用新型實(shí)施例有機(jī)閃爍晶體可采用蒽、芪、萘等,具有比較高的熒光效率。
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施例也可將被測物體樣品溶于液體閃爍體內(nèi),能有效地探測能量很低的射線。液體和塑料閃爍體有易于制成各種不同形狀和大小:例如塑料閃爍體可以制成光導(dǎo)纖維,便于在各種幾何條件下與光電管耦合。
[0027]光電管,與閃爍晶體相連,對所述閃爍晶體發(fā)出的熒光進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成電信號;
[0028]光電管為光電轉(zhuǎn)換器件,優(yōu)選地,可米用光電倍增管。優(yōu)選地,所述閃爍晶體與光電管均可采用半導(dǎo)體材料組成。
[0029]優(yōu)選地,所述光電管包括一個,設(shè)置于所述閃爍晶體上方或側(cè)方。
[0030]進(jìn)一步優(yōu)選地,可采用若干個光電管或光電倍增管做成電子倍增器,設(shè)置于所述閃爍晶體側(cè)方或側(cè)方,可提高探測效率和精度。
[0031]實(shí)際應(yīng)用中,還可以在上方和側(cè)方同時(shí)設(shè)置一個或若干個光電(倍增)管,提高探測精度和效率。
[0032]供電源,與所述光電管相連;
[0033]AD轉(zhuǎn)換器,與所述光電管相連,對所述電信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成數(shù)字信號。
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例通過提供一種背散射晶體探測器,利用閃爍晶體透明度高、傳輸性能好的優(yōu)點(diǎn),對被檢測物體的探測精度高,同時(shí)具有不潮解、性能穩(wěn)定、耐輻射、閃爍衰減時(shí)間短與價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),可廣泛使用在核電站、機(jī)場、火車站、大型公共場合等設(shè)施內(nèi),進(jìn)行出入口的安全檢測、車輛污染檢測以及放射性檢測。
[0035]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種背散射晶體探測器,其特征在于,所述背散射晶體探測器包括: 閃爍晶體,用來接收貫穿輻射源的射線,發(fā)出熒光; 光電管,與所述閃爍晶體相連,對所述閃爍晶體發(fā)出的熒光進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成電信號; 供電源,與所述光電管相連; AD轉(zhuǎn)換器,與所述光電管相連,對所述電信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換,形成數(shù)字信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背散射晶體探測器,其特征在于,所述閃爍晶體包括有機(jī)閃爍體或無機(jī)閃爍體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背散射晶體探測器,其特征在于,所述光電管為半導(dǎo)體光電管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背散射晶體探測器,其特征在于,所述光電管還包括光電倍增管,用來對所述熒光進(jìn)行倍增后再進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,形成電信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背散射晶體探測器,其特征在于,所述光電管包括一個,設(shè)置于所述閃爍晶體上方或側(cè)方。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背散射晶體探測器,其特征在于,所述光電管包括若干個,組成光電倍增器,設(shè)置于所述閃爍晶體上方或側(cè)方。
【文檔編號】G01N23/203GK204008511SQ201420442158
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月7日
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