一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，載體（1）的中心設(shè)有通孔（2），載體（1）一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架Ⅰ（3），載體（1）另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架Ⅱ（4），載體（1）一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片Ⅰ（5），載體Ⅱ（2）另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片Ⅱ（6），芯片架Ⅰ（3）與芯片架Ⅱ（4）之間橫向設(shè)有電極片Ⅲ（7），電極片Ⅲ（7）覆蓋在電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）的上部，電極片Ⅲ（7）與電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）相對(duì)，電極片Ⅲ（7）與電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）之間設(shè)有真空層（8），電極片Ⅲ（7）的上部設(shè)有感應(yīng)片（9），感應(yīng)片（9）的中心設(shè)有彈性元件（10）。
【專利說(shuō)明】一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]目前的真空傳感器的電極片采用普通的電極片，它不但耐熱性能比較差，無(wú)法滿足真空滅弧室產(chǎn)生的900°C的高溫，，而且無(wú)法產(chǎn)生氣體阻尼，從而真空度的測(cè)量范圍比較小。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型提供了一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，它不但可以使真空度的測(cè)控I昂范圍大，而且可以耐高溫，不放氣，避免出現(xiàn)破壞真空度的現(xiàn)象。
[0004]本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體，在載體的中心設(shè)有通孔，在載體一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I，在載體另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II，芯片架I與芯片架II對(duì)稱設(shè)置，在載體一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I，在載體II另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II，電極片I與電極片II對(duì)稱設(shè)置在通孔的兩側(cè)與通孔相鄰，在芯片架I與芯片架II之間橫向設(shè)有電極片III，電極片III覆蓋在電極片1、通孔和電極片II的上部，電極片III與電極片1、通孔和電極片II相對(duì)，在電極片III與電極片1、通孔和電極片II之間設(shè)有真空層，在電極片III的上部設(shè)有感應(yīng)片，在感應(yīng)片的中心設(shè)有彈性元件。
[0005]所述的電極片I為多晶硅。所述的電極片II為多晶硅。所述的電極片III為多晶硅。所述的彈性元件為上窄下寬的梯形，彈性元件為彈片。
[0006]本實(shí)用新型具有以下有益效果:采用了以上技術(shù)方案，本實(shí)用新型在電極片III與電極片和電極片II之間設(shè)有真空層，這樣在電極片III與電極片I以及電極片III與電極片II設(shè)有氣隙，氣隙形成強(qiáng)烈的氣體阻尼，利用氣壓與氣體運(yùn)動(dòng)阻尼的關(guān)系，從氣體阻尼的衰減特性既可以測(cè)量諧振腔的真空度，測(cè)量范圍10—2— 12Pa,從而可以滿足真空斷路器10—2 — 1-1Pa真空測(cè)量范圍的要求，而且電極片I為多晶硅，電極片II為多晶硅，電極片III為多晶硅，這樣在測(cè)量時(shí)經(jīng)受真空滅弧室制造的900°c的高溫，不放氣，直接埋入真空滅弧室，實(shí)現(xiàn)對(duì)真空滅弧室真空度的直接測(cè)量，信號(hào)采用電容耦合和無(wú)線傳輸，在埋入真空滅弧室時(shí)不會(huì)破壞真空度，滿足埋入真空滅弧室的要求。本實(shí)用新型感應(yīng)片的中心設(shè)有彈性元件，彈性元件為上窄下寬的梯形，彈性元件為彈片，這樣彈片與真空斷路器內(nèi)設(shè)有的振蕩器相對(duì)應(yīng)進(jìn)行真空度的檢測(cè)，無(wú)需穿過(guò)絕緣外殼的直接的電極引線，采用無(wú)線傳輸，使用更加安全方便。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0008]在圖1中，本實(shí)用新型提供了一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，是它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體I，在載體I的中心設(shè)有通孔2，在載體I 一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I 3，在載體I另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II 4，芯片架I 3與芯片架II 4對(duì)稱設(shè)置,在載體I 一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I 5,電極片I 5為多晶娃,在載體II 2另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II 6,電極片II 6為多晶娃，電極片I 5與電極片II 6對(duì)稱設(shè)置在通孔2的兩側(cè)與通孔2相鄰，在芯片架I 3與芯片架II 4之間橫向設(shè)有電極片III 7，電極片III7為多晶硅，電極片III7覆蓋在電極片I 5、通孔2和電極片II 6的上部，電極片III 7與電極片I 5、通孔2和電極片II 6相對(duì)，在電極片III 7與電極片I 5、通孔2和電極片II 6之間設(shè)有真空層8，在電極片III7的上部設(shè)有感應(yīng)片9，在感應(yīng)片9的中心設(shè)有彈性元件10，彈性元件10為上窄下寬的梯形，彈性元件10為彈片。
【權(quán)利要求】
1.一種全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，其特征是它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體(1)，在載體(I)的中心設(shè)有通孔(2)，在載體(I) 一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I (3)，在載體(I)另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II (4)，芯片架I (3)與芯片架II⑷對(duì)稱設(shè)置，在載體⑴一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I (5)，在載體II⑵另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II (6)，電極片I (5)與電極片II (6)對(duì)稱設(shè)置在通孔(2)的兩側(cè)與通孔(2)相鄰，在芯片架I (3)與芯片架II (4)之間橫向設(shè)有電極片III (7)，電極片III (7)覆蓋在電極片I (5)、通孔⑵和電極片II (6)的上部，電極片III (7)與電極片I (5)、通孔⑵和電極片II (6)相對(duì)，在電極片III (7)與電極片I (5)、通孔⑵和電極片II (6)之間設(shè)有真空層(8)，在電極片III (7)的上部設(shè)有感應(yīng)片(9)，在感應(yīng)片(9)的中心設(shè)有彈性元件(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，其特征是所述的電極片I(5)為多晶娃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，其特征是所述的電極片II(6)為多晶娃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，其特征是所述的電極片III(7)為多晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)真空傳感器，其特征是所述的彈性元件(10)為上窄下寬的梯形，彈性元件(10)為彈片。
【文檔編號(hào)】G01L21/16GK204142415SQ201420210417
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】戴永正, 陳厚源, 顧宇鋒, 錢雨, 孟憲忠, 劉波 申請(qǐng)人:國(guó)家電網(wǎng)公司, 江蘇南瑞泰事達(dá)電氣有限公司, 江蘇省電力公司, 江蘇省電力公司泰州供電公司