二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，屬于電子元器件測(cè)試領(lǐng)域，包括步驟：S1：對(duì)二極管進(jìn)行模擬過(guò)壓，其中，模擬過(guò)壓時(shí)間為1ms～5ms；S2：對(duì)完成模擬過(guò)壓后的二極管進(jìn)行基本參數(shù)測(cè)試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷二極管合格，若不符合則判斷二極管已損壞。通過(guò)使用本發(fā)明二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，從而使測(cè)試更加合理、檢測(cè)結(jié)果更可靠，且有助于減少人工。
【專利說(shuō)明】二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，屬于電子元器件測(cè)試領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]在高頻逆變線路中作為高頻整流二極管使用的快恢復(fù)二極管主要工作電壓有200V?1200V，使用頻率高達(dá)20KHZ?100KHZ，并且使用并聯(lián)、串聯(lián)方式。其封裝方式一將對(duì)將兩個(gè)芯片封裝在一起形成一個(gè)共陰封裝，其中形成三端器件做為橋式整流電源的兩臂；封裝方式二將對(duì)將單個(gè)芯片封裝成二端器件。所謂共陰、共陽(yáng)就是兩個(gè)陰極共用一端或兩個(gè)陽(yáng)極共用一端。對(duì)于這類產(chǎn)品，目前主要靠自動(dòng)設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，其通常采用的是分立器件直流參數(shù)測(cè)試儀，利用二極管或三極管測(cè)試編程模塊進(jìn)行參數(shù)的設(shè)定，對(duì)封裝內(nèi)的兩個(gè)二極管分別進(jìn)行單獨(dú)的測(cè)試，判斷標(biāo)準(zhǔn)為各自的參數(shù)，以符合測(cè)試編制設(shè)定的要求。測(cè)試的主要指標(biāo)就是評(píng)價(jià)單個(gè)二極管的指標(biāo):反向擊穿電壓、反向漏電流、正向?qū)妷骸?br> [0003]但由于共陰封裝二極管(單個(gè)芯片封裝或兩個(gè)芯片封裝)工作在高頻率高壓的逆變整流線路中，而共陰快恢復(fù)二極主要工作在逆變線路中的整流輸出端，因工作在高頻率的線路中又在工作在輸出端其高頻振蕩及工作時(shí)，所反饋的反向擊穿電壓值有可能會(huì)超過(guò)管子本身所設(shè)定的電壓，所以三端器件或二端器件在輸出整流時(shí)期要能承受一定的過(guò)壓能力。所謂的過(guò)壓:就是超出管子本身所設(shè)定的電壓還能恢復(fù)到正常的工作截止?fàn)顟B(tài)及整流。但目前單純的以內(nèi)部單個(gè)二極管的指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)整個(gè)三端或兩端產(chǎn)品，出錯(cuò)的可能性比較大，以這中常規(guī)方式的測(cè)試方法通過(guò)檢測(cè)的產(chǎn)品質(zhì)量等級(jí)較低，最終都會(huì)影響逆變電路的品質(zhì)，而目前為了保證產(chǎn)品的品質(zhì)，往往都要人工一個(gè)一個(gè)進(jìn)行過(guò)壓檢測(cè)，從而致使工作量巨大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種使測(cè)試更加合理、檢測(cè)結(jié)果更可靠，且有助于減少人工的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法。
[0005]本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，包括步驟:
[0006]S1:對(duì)二極管進(jìn)行模擬過(guò)壓，其中，模擬過(guò)壓時(shí)間為Ims?5ms ；
[0007]S2:對(duì)完成模擬過(guò)壓后的二極管進(jìn)行基本參數(shù)測(cè)試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷二極管合格，若不符合則判斷二極管已損壞。
[0008]進(jìn)一步的，所述基本參數(shù)為反向擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷?br> [0009]進(jìn)一步的，在所述步驟SI中，所述模擬過(guò)壓通過(guò)可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬過(guò)壓的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測(cè)試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成。
[0010]借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn):通過(guò)使用本發(fā)明二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，從而使測(cè)試更加合理、檢測(cè)結(jié)果更可靠，且有助于減少人工。
[0011]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]如圖1是通過(guò)本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法后判斷得到的合格的產(chǎn)品的波形圖；
[0013]如圖2是通過(guò)本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法后判斷得到的已損壞的產(chǎn)品的波形圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0015]本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，包括步驟:
[0016]S1:對(duì)二極管進(jìn)行模擬過(guò)壓，其中，模擬過(guò)壓時(shí)間為Ims?5ms，所述模擬過(guò)壓通過(guò)可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬過(guò)壓的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測(cè)試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成；
[0017]S2:對(duì)完成模擬過(guò)壓后的二極管進(jìn)行基本參數(shù)測(cè)試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷二極管合格，然后進(jìn)行其他常規(guī)參數(shù)測(cè)試，若不符合則判斷二極管已損壞，其中基本參數(shù)為反向擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷骸?br> [0018]如圖1，A電壓OV開始經(jīng)過(guò)0.38ms達(dá)到管子本身B的電壓值，再施加C的過(guò)壓值，總測(cè)試時(shí)間為T約5ms?8ms，為一個(gè)測(cè)試過(guò)壓期，過(guò)壓測(cè)試結(jié)束，再經(jīng)過(guò)測(cè)試間隙D，T2時(shí)間為50ns，再次檢測(cè)管子本身的電壓E看其是否失效，測(cè)試過(guò)程為E電壓OV開始0.38ms達(dá)到管子本身F的電壓值再穩(wěn)定5ms，再到G結(jié)束T3總檢測(cè)時(shí)間約為10ms。從圖上可看出，在常規(guī)的測(cè)試時(shí)，只測(cè)試從E端開始到G部分來(lái)判斷二極管本身的好壞。
[0019]如圖2所示通過(guò)本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法后判斷得到的已損壞的產(chǎn)品的波形圖，從圖上可看出，在測(cè)試第二個(gè)波形時(shí)，波形的形狀已經(jīng)發(fā)生改變，實(shí)際測(cè)試電壓時(shí)其電壓值也達(dá)不到管子本身的值。
[0020]下面列舉利用本發(fā)明的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法進(jìn)行的實(shí)際產(chǎn)品的測(cè)試。其中，兩端或單端的正向?qū)妷簽閂FBC和VFEC或VFEC，擊穿電壓為BVCBO和BVCEO或BVCE0，反向漏電流為ICBO和ICEO或ICE0。
[0021]實(shí)施例一，型號(hào)為MUR6020DCT的快恢復(fù)二極管產(chǎn)品，共陰結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為:最大電流60A，其耐耐壓為200V。
[0022]測(cè)試內(nèi)容:二極管三端測(cè)試參數(shù):過(guò)壓測(cè)試線路上取得的數(shù)值為250V，為抵消捕捉誤差模擬施加過(guò)壓為320V后，在ΙΟΟμΑ和ImA電流條件下的測(cè)試擊穿電壓不能低于210V ;210V下的反向漏電流不能大于I μΑ ;比較兩臂二極管之間的擊穿電壓差值不超過(guò)±5V;30A下測(cè)試單個(gè)二極管的導(dǎo)通電壓不大于1.0V，兩端之差不大于±20mV。當(dāng)上述指標(biāo)同時(shí)符合，則合格，若有一項(xiàng)不符合就判斷為不良品。
[0023]實(shí)施例二，型號(hào)為MUR6030DCT的快恢復(fù)二極管產(chǎn)品，共陰結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為:最大電流60A，其耐耐壓為300V。
[0024]測(cè)試內(nèi)容:二極管三端測(cè)試參數(shù):過(guò)壓測(cè)試線路上取得的數(shù)值為290V，為抵消捕捉誤差模擬施加過(guò)壓為420V后，在ΙΟΟμΑ和ImA電流條件下的測(cè)試擊穿電壓不能低于310V ;310V下的反向漏電流不能大于I μΑ ;比較兩臂二極管之間的擊穿電壓差值不超過(guò)±5V;30A下測(cè)試單個(gè)二極管的導(dǎo)通電壓不大于1.0V，兩端之差不大于±20mV。當(dāng)上述指標(biāo)同時(shí)符合，則合格，若有一項(xiàng)不符合就判斷為不良品。
[0025]實(shí)施例三，型號(hào)為MUR15120的快恢復(fù)二極管產(chǎn)品，共陰結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為:最大電流15A，其耐耐壓為1200V。
[0026]測(cè)試內(nèi)容:二極管二端測(cè)試參數(shù):過(guò)壓測(cè)試線路上取得的數(shù)值為1000V，為抵消捕捉誤差模擬施加過(guò)壓為1300V后，在ΙΟΟμΑ和ImA電流條件下的測(cè)試擊穿電壓不能低于1210V ;1210V下的反向漏電流不能大于I μ A ;15A下測(cè)試單個(gè)二極管的導(dǎo)通電壓不大于
2.2V。當(dāng)上述指標(biāo)同時(shí)符合，則合格，若有一項(xiàng)不符合就判斷為不良品。
[0027]以上是利用本發(fā)明方法測(cè)試三種常見共陰封裝二極管對(duì)的具體參數(shù)，操作過(guò)程，只需將測(cè)試條件編輯到測(cè)試模塊中，通過(guò)測(cè)試主機(jī)控制輸出電壓，再利用分選自動(dòng)測(cè)試，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化檢測(cè)以減少人工測(cè)試，上述測(cè)試方法中的模擬過(guò)壓需放在基本參數(shù)測(cè)試之前，從而防止在高壓放電時(shí)損壞已經(jīng)進(jìn)行正?；緟?shù)測(cè)試的產(chǎn)品被誤檢為合格。
[0028]綜上所述，通過(guò)使用本發(fā)明二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，從而使測(cè)試更加合理、檢測(cè)結(jié)果更可靠，且有助于減少人工。
[0029]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，其特征在于:包括步驟: 51:對(duì)二極管進(jìn)行模擬過(guò)壓，其中，模擬過(guò)壓時(shí)間為Ims?5ms ； 52:對(duì)完成模擬過(guò)壓后的二極管進(jìn)行基本參數(shù)測(cè)試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷二極管合格，若不符合則判斷二極管已損壞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，其特征在于:所述基本參數(shù)為反向擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管的自動(dòng)過(guò)壓測(cè)試方法，其特征在于:在所述步驟SI中，所述模擬過(guò)壓通過(guò)可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬過(guò)壓的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測(cè)試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成。
【文檔編號(hào)】G01R31/12GK104502822SQ201410843862
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】諸建周, 談益民 申請(qǐng)人:無(wú)錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司